JPH05100778A - 半導体出力回路 - Google Patents
半導体出力回路Info
- Publication number
- JPH05100778A JPH05100778A JP3257338A JP25733891A JPH05100778A JP H05100778 A JPH05100778 A JP H05100778A JP 3257338 A JP3257338 A JP 3257338A JP 25733891 A JP25733891 A JP 25733891A JP H05100778 A JPH05100778 A JP H05100778A
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- JP
- Japan
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- output
- circuit
- data
- latch
- side latch
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路に於いて、数ビットのデータを
C−MOSプッシュプル構成の出力バッファを介して出
力する際、C−MOSバッファの電源−GND間貫通電
流を低減させ、それによって発生するノイズを低減し、
誤動作の誘発を防止する。 【構成】内部バス201上の出力データをますた側ラッ
チ回路202に数ビット同時にラッチするマスタ側ラッ
チ信号209を設け、前記ラッチデータの内最上位ビッ
トデータをスレーブ側ラッチ回路203を介してポート
205に出力するスレーブ側ラッチ信号210を設け、
前記スレーブ側ラッチ信号210を入力し信号を遅延さ
せて出力するで入るい回路211を設け、前記ディレイ
回路211の出力信号により前記マスタ側ラッチ回路の
下位ビットデータを1ビットずつ順次タイミングをずら
せてスレーブ側ラッチ回路にデータを転送するスレーブ
側ラッチ信号を有する。
C−MOSプッシュプル構成の出力バッファを介して出
力する際、C−MOSバッファの電源−GND間貫通電
流を低減させ、それによって発生するノイズを低減し、
誤動作の誘発を防止する。 【構成】内部バス201上の出力データをますた側ラッ
チ回路202に数ビット同時にラッチするマスタ側ラッ
チ信号209を設け、前記ラッチデータの内最上位ビッ
トデータをスレーブ側ラッチ回路203を介してポート
205に出力するスレーブ側ラッチ信号210を設け、
前記スレーブ側ラッチ信号210を入力し信号を遅延さ
せて出力するで入るい回路211を設け、前記ディレイ
回路211の出力信号により前記マスタ側ラッチ回路の
下位ビットデータを1ビットずつ順次タイミングをずら
せてスレーブ側ラッチ回路にデータを転送するスレーブ
側ラッチ信号を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体出力回路に関し、
特にマスタ・スレーブ構成のラッチ群を有し、スレーブ
部のラッチデータと出力バッファとを介して出力する端
子群を有する半導体集積回路に関する。
特にマスタ・スレーブ構成のラッチ群を有し、スレーブ
部のラッチデータと出力バッファとを介して出力する端
子群を有する半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路において、内部
データを出力する一つのポート群においては、同一タイ
ミングで複数ビットのデータを出力する。
データを出力する一つのポート群においては、同一タイ
ミングで複数ビットのデータを出力する。
【0003】図3,図4に、C−MOS構成のプンシュ
プル型の出力ポートの回路図を示し、その回路動作の説
明をする。また、図5に図3の主要部波形のタイミング
図を示す。
プル型の出力ポートの回路図を示し、その回路動作の説
明をする。また、図5に図3の主要部波形のタイミング
図を示す。
【0004】図3,図4,図5において、内部バス30
1に4ビットの出力データが乗ってきた時、マスタ側ラ
ッチ信号309で出力データを4ビット同時にマスター
ラッチ302にラッチしておき、続いてスレーブ側ラッ
チ信号310でスレーブラッチ303に4ビット同時に
データを転送するとともに、出力バッファ304にデー
タを送り、ポート305,306,307,308に出
力する。
1に4ビットの出力データが乗ってきた時、マスタ側ラ
ッチ信号309で出力データを4ビット同時にマスター
ラッチ302にラッチしておき、続いてスレーブ側ラッ
チ信号310でスレーブラッチ303に4ビット同時に
データを転送するとともに、出力バッファ304にデー
タを送り、ポート305,306,307,308に出
力する。
【0005】この際、出力バッファ304の出力データ
が以前のデータと異なる場合、出力ポートの状態遷移時
に図4の出力バッファ304を構成する。Pchトラン
ジスタ304aとNchトランジスタ304bとが同時
にオン状態となる期間が生じる為、出力バッファ304
に一瞬電源よりGNDにかけ、貫通電流が流れる。
が以前のデータと異なる場合、出力ポートの状態遷移時
に図4の出力バッファ304を構成する。Pchトラン
ジスタ304aとNchトランジスタ304bとが同時
にオン状態となる期間が生じる為、出力バッファ304
に一瞬電源よりGNDにかけ、貫通電流が流れる。
【0006】尚、マスターラッチ302,スレーブラッ
チ303の単位回路は、4個のインバータ330〜33
3と1個のトランスファゲート334とからなる。図3
の出力バッファ304は、図4に示すようにトランジス
タ304a,304bの直列体からなる。
チ303の単位回路は、4個のインバータ330〜33
3と1個のトランスファゲート334とからなる。図3
の出力バッファ304は、図4に示すようにトランジス
タ304a,304bの直列体からなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体出力回路
においては、多数のポートの出力を同時に反転させるよ
うな場合に、一度に多く貫通電流が流れてしまうため、
電源またはGNDノイズを発生させ、これが周辺装置や
自分自身の回路に誤動作を誘発するといった問題点であ
った。
においては、多数のポートの出力を同時に反転させるよ
うな場合に、一度に多く貫通電流が流れてしまうため、
電源またはGNDノイズを発生させ、これが周辺装置や
自分自身の回路に誤動作を誘発するといった問題点であ
った。
【0008】本発明の目的は、前記問題点を解決し、大
きな貫通電流が流れないようにした半導体出力回路を提
供することにある。
きな貫通電流が流れないようにした半導体出力回路を提
供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体出力回路
の構成は、マスタ部とスレーブ部より構成される複数の
ラッチ回路群と、前記ラッチ回路群のそれぞれのスレー
ブ側ラッチデータをバッファを介して出力する出力ポー
ト群とを有する半導体出力回路に於いて、前記マスタ部
のラッチ回路群には同一のマスタ側ラッチ信号が入力さ
れ、前記スレーブ部のラッチ回路群には前記マスタ信号
とほ異なるスレーブ側ラッチ信号が入力され、前記スレ
ーブ側リッチ信号はタイミングの異なる2つ以上のラッ
チ信号により構成されたことを特徴とする。
の構成は、マスタ部とスレーブ部より構成される複数の
ラッチ回路群と、前記ラッチ回路群のそれぞれのスレー
ブ側ラッチデータをバッファを介して出力する出力ポー
ト群とを有する半導体出力回路に於いて、前記マスタ部
のラッチ回路群には同一のマスタ側ラッチ信号が入力さ
れ、前記スレーブ部のラッチ回路群には前記マスタ信号
とほ異なるスレーブ側ラッチ信号が入力され、前記スレ
ーブ側リッチ信号はタイミングの異なる2つ以上のラッ
チ信号により構成されたことを特徴とする。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例の半導体出力回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【0011】図1において、本発明の一実施例の半導体
出力回路は、ポート105,106に関しては、出力デ
ータが、CPU部から内部バス101上に出力される
と、マスタ側ラッチ信号109の立上りタイミングでマ
スターラッチ102に取り込まれ、ラッチされる。
出力回路は、ポート105,106に関しては、出力デ
ータが、CPU部から内部バス101上に出力される
と、マスタ側ラッチ信号109の立上りタイミングでマ
スターラッチ102に取り込まれ、ラッチされる。
【0012】次にスレーブ側ラッチ信号A110の立上
りタイミングで、スレーブラッチ103に取り込まれる
とともに、出力バッファ104を介し、ポート105,
106から出力される。
りタイミングで、スレーブラッチ103に取り込まれる
とともに、出力バッファ104を介し、ポート105,
106から出力される。
【0013】一方、ポート107,108の場合は、マ
スターラッチ102に取り込まれるまでは同じである
が、スレーブラッチ103に取り込まれるタイミングが
スレーブ側ラッチ信号A110とはタイミングの異なる
スレーブ側ラッチ信号B111によりラッチされるとと
もに、出力バッファ104を介し、ポート107,10
8から出力される。
スターラッチ102に取り込まれるまでは同じである
が、スレーブラッチ103に取り込まれるタイミングが
スレーブ側ラッチ信号A110とはタイミングの異なる
スレーブ側ラッチ信号B111によりラッチされるとと
もに、出力バッファ104を介し、ポート107,10
8から出力される。
【0014】以上の動作により、出力タイミングを分割
できるため、貫通電流を減少させ、ノイズを低減するこ
とができる。
できるため、貫通電流を減少させ、ノイズを低減するこ
とができる。
【0015】図2は本発明の他の実施例の半導体出力回
路を示す回路図である。図6は本実施例の主要部波形の
タイミング図である。
路を示す回路図である。図6は本実施例の主要部波形の
タイミング図である。
【0016】図2,図6において、本実施例は、出力デ
ータがCPU部から内部バス201上に出力されると、
マスタ側ラッチ信号209の立上りタイミングでマスタ
ラッチ202に取り込まれ、4ビット同時にラッチされ
る。
ータがCPU部から内部バス201上に出力されると、
マスタ側ラッチ信号209の立上りタイミングでマスタ
ラッチ202に取り込まれ、4ビット同時にラッチされ
る。
【0017】次に、スレーブ側ラッチ信号210の立上
りタイミングで、最上位ビットの出力データがスレーブ
ラッチ203に取り込まれるとともに、出力バッファ2
04を通して、ポート205から出力される。
りタイミングで、最上位ビットの出力データがスレーブ
ラッチ203に取り込まれるとともに、出力バッファ2
04を通して、ポート205から出力される。
【0018】続く下位ビットのデータは、前記スレーブ
側ラッチ信号210をディレイ回路211を介し、タイ
ミングをずらした信号にて、スレーブラッチ203に取
り込まれ、同時にポート206から出力される。
側ラッチ信号210をディレイ回路211を介し、タイ
ミングをずらした信号にて、スレーブラッチ203に取
り込まれ、同時にポート206から出力される。
【0019】同様に、それ以降のビットもディレイ回路
211にて順次タイミングをずらしたスレーブ側ラッチ
信号により、マスターラッチデータをスレーブラッチに
転送するとともに、それぞれポート207→208から
出力される。
211にて順次タイミングをずらしたスレーブ側ラッチ
信号により、マスターラッチデータをスレーブラッチに
転送するとともに、それぞれポート207→208から
出力される。
【0020】以上説明したように、4ビットのデータが
ディレイ回路により定められた時間差をもってポートよ
り出力されるため、出力バッファ204における状態遷
移時の貫通電流の集中を防ぐことができる。
ディレイ回路により定められた時間差をもってポートよ
り出力されるため、出力バッファ204における状態遷
移時の貫通電流の集中を防ぐことができる。
【0021】したがって、電流,GNDのノイズを減ら
し、誤動作の誘発を防ぐことができる。
し、誤動作の誘発を防ぐことができる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、一群の
ポートにデータを出力する時に、その出力タイミングを
ずらすことにより、出力ポートの状態遷移時の電源・G
ND間の貫通電流の低減を図り、電源,GNDのノイズ
を低減させることにより、それによる誤動作を防ぐこと
ができるという効果を有する。
ポートにデータを出力する時に、その出力タイミングを
ずらすことにより、出力ポートの状態遷移時の電源・G
ND間の貫通電流の低減を図り、電源,GNDのノイズ
を低減させることにより、それによる誤動作を防ぐこと
ができるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例の半導体出力回路を示す回路
図である。
図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す回路図である。
【図3】従来の半導体出力回路を示す回路図である。
【図4】図3の出力バッファを示す回路図である。
【図5】図3の動作を示すタイミング図である。
【図6】図2の動作を示すタイミング図である。
102,201,301 内部バス 102,202,302 マスターラッチ 103,203,303 スレーブラッチ 104,204,304 出力バッファ 105,106,107,108,205,206,2
07,208,303,305,306,307,30
8 ポート 109,209,309 マスター川ラッチ信号 210,310 スレーブ側ラッチ信号 110 スレーブ側ラッチ信号A 111 スレーブ側ラッチ信号B 211 ディレイ回路 304a Pchトランジスタ 304b Nchトランジスタ 304c 電源 304d GND
07,208,303,305,306,307,30
8 ポート 109,209,309 マスター川ラッチ信号 210,310 スレーブ側ラッチ信号 110 スレーブ側ラッチ信号A 111 スレーブ側ラッチ信号B 211 ディレイ回路 304a Pchトランジスタ 304b Nchトランジスタ 304c 電源 304d GND
Claims (1)
- 【請求項1】 マスタ部とスレーブ部より構成される複
数のラッチ回路群と、前記ラッチ回路群のそれぞれのス
レーブ側ラッチデータをバッファを介して出力する出力
ポート群とを有する半導体出力回路に於いて、前記マス
タ部のラッチ回路群には前記マスタ信号とは異なるスレ
ーブ側ラッチ信号が入力され、前記スレーブラッチ信号
はタイミングの異なる2つ以上のラッチ信号により構成
されたことを特徴とする半導体出力回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3257338A JPH05100778A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3257338A JPH05100778A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体出力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05100778A true JPH05100778A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17304981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3257338A Pending JPH05100778A (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 半導体出力回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05100778A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301827B2 (en) | 2005-03-16 | 2007-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device |
JP2011007528A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Toyota Boshoku Corp | 静電容量センサ及びそれを用いた車両用近接センサ |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP3257338A patent/JPH05100778A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301827B2 (en) | 2005-03-16 | 2007-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device |
JP2011007528A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Toyota Boshoku Corp | 静電容量センサ及びそれを用いた車両用近接センサ |
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