JPH0491447A - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- JPH0491447A JPH0491447A JP20397490A JP20397490A JPH0491447A JP H0491447 A JPH0491447 A JP H0491447A JP 20397490 A JP20397490 A JP 20397490A JP 20397490 A JP20397490 A JP 20397490A JP H0491447 A JPH0491447 A JP H0491447A
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- circuit board
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、フレキシブル回路基板(FPC)上に、半導
体素子(IC)を異方性導電接着剤を介して実装する半
導体素子の実装方法及びその実装構造に関するものであ
る。
体素子(IC)を異方性導電接着剤を介して実装する半
導体素子の実装方法及びその実装構造に関するものであ
る。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭6
2−244142号に記載されるようなものがあった。
2−244142号に記載されるようなものがあった。
第4図はかかる従来の半導体素子の実装断面図である。
この図に示すように、1はICチップとの電気的接続を
とるための導体2が形成されたフレキシブル回路基板、
3はICチップとフレキシブル回路基板lとを固定接着
するための接着剤、4はICチップと導体2との電気的
接続に寄与し、接着剤中に含まれるニッケルや半田から
なる導電性フィラーであり、ここで、接着剤3と導電性
フィラー4とで、異方性導電接着剤5を構成している。
とるための導体2が形成されたフレキシブル回路基板、
3はICチップとフレキシブル回路基板lとを固定接着
するための接着剤、4はICチップと導体2との電気的
接続に寄与し、接着剤中に含まれるニッケルや半田から
なる導電性フィラーであり、ここで、接着剤3と導電性
フィラー4とで、異方性導電接着剤5を構成している。
6はICチップ、7はICチップ6上に形成されたA!
電極、8はA2電極7上に形成されたAuバンプ、9は
ICチップ上の回路配線を、例えば湿度等から保護する
と共に、外部との電気的接触を防ぐための絶縁層である
。
電極、8はA2電極7上に形成されたAuバンプ、9は
ICチップ上の回路配線を、例えば湿度等から保護する
と共に、外部との電気的接触を防ぐための絶縁層である
。
以上のような半導体素子の実装工程を第5図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
まず、第5図(a)に示すように、導体2が形成された
フレキシブル回路基板1上に接着剤3と導電性フィラー
4からなる異方性導電接着剤層5を形成する。即ち、予
め所定の分散量で分散された導電性フィラー4を含んだ
異方性導電接着剤5をフレキシブル回路基板1上に仮接
着させる。
フレキシブル回路基板1上に接着剤3と導電性フィラー
4からなる異方性導電接着剤層5を形成する。即ち、予
め所定の分散量で分散された導電性フィラー4を含んだ
異方性導電接着剤5をフレキシブル回路基板1上に仮接
着させる。
次に、第5図(b)に示すように、フレキシブル回路基
板1上へAuバンプ8が形成されたICチップ6の位置
合わせを行う。
板1上へAuバンプ8が形成されたICチップ6の位置
合わせを行う。
最後に、第5図(c)に示すように、ICチップ6をフ
レキシブル回路基板1上へツールにて圧接する。この圧
接により、フレキシブル回路基板の導体2と、ICチッ
プ6のAuバンプ8の間に挟まれた導電性フィラー4は
、圧接により電極間で変形する。この時、各電極と導電
性フィラー4間に存在した接着剤は押し出され、電気的
接続が完了する。引続き、接着剤を硬化させるため、例
えば、熱硬化性接着剤の場合は加熱を、紫外線硬化接着
剤の場合は紫外線照射を行う等、接着剤の特性に合った
方法で硬化させる。接着剤の硬化により、導電性フィラ
ー4による電気的接続が維持され工程が完了する。
レキシブル回路基板1上へツールにて圧接する。この圧
接により、フレキシブル回路基板の導体2と、ICチッ
プ6のAuバンプ8の間に挟まれた導電性フィラー4は
、圧接により電極間で変形する。この時、各電極と導電
性フィラー4間に存在した接着剤は押し出され、電気的
接続が完了する。引続き、接着剤を硬化させるため、例
えば、熱硬化性接着剤の場合は加熱を、紫外線硬化接着
剤の場合は紫外線照射を行う等、接着剤の特性に合った
方法で硬化させる。接着剤の硬化により、導電性フィラ
ー4による電気的接続が維持され工程が完了する。
なお、電極間以外に存在する導電性フィラー4は、接着
剤中に浮遊したままの状態で接着剤が硬化され、隣接フ
ィラー間の電気的導電性はない。
剤中に浮遊したままの状態で接着剤が硬化され、隣接フ
ィラー間の電気的導電性はない。
(発明が解決しようとする課m>
しかしながら、第6図に示すように、フレキシブル回路
基板lの曲げ等の変形により、接続部に引き剥がす力1
0が働くという問題があった。
基板lの曲げ等の変形により、接続部に引き剥がす力1
0が働くという問題があった。
また、この引き剥がし応力は、ICチップ6が大きい程
、かつ、接着剤のはみ出し11が少ないもの程大きく、
ICチップ6のサイズが大きくなっている今日、重要な
問題となっている。
、かつ、接着剤のはみ出し11が少ないもの程大きく、
ICチップ6のサイズが大きくなっている今日、重要な
問題となっている。
本発明は、フレキシブル回路基板の変形により、発生す
る電気的接続不良をなくすため、半導体素子が搭載され
たフレキシブル回路基板の裏面部に半導体素子と同じ大
きさか、やや大きめの裏打ちをすることにより、電気的
接続不良のない半導体素子の実装方法及びその実装構造
を提供することを目的とする。
る電気的接続不良をなくすため、半導体素子が搭載され
たフレキシブル回路基板の裏面部に半導体素子と同じ大
きさか、やや大きめの裏打ちをすることにより、電気的
接続不良のない半導体素子の実装方法及びその実装構造
を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記目的を達成するために、フレキシブル回
路基板への異方性導電接着剤を介した半導体素子の実装
方法において、フレキシブル回路基板の表面には異方性
導電接着剤を形成する工程と、該フレキシブル回路基板
の裏面には接着剤を形成する工程と、該フレキシブル回
路基板上へ半導体素子を位置合わせし、一方、裏打ち基
板をパンチングした後、半導体素子と裏打ち基板を同時
にボンディングする工程を施すようにしたものである。
路基板への異方性導電接着剤を介した半導体素子の実装
方法において、フレキシブル回路基板の表面には異方性
導電接着剤を形成する工程と、該フレキシブル回路基板
の裏面には接着剤を形成する工程と、該フレキシブル回
路基板上へ半導体素子を位置合わせし、一方、裏打ち基
板をパンチングした後、半導体素子と裏打ち基板を同時
にボンディングする工程を施すようにしたものである。
また、フレキシブル回路基板への異方性導電接着剤を介
した半導体素子の実装構造において、フレキシブル回路
基板の表面に実装される半導体素子と、前記フレキシブ
ル回路基板の前記半導体素子の裏面部に実装される裏打
ち基板とを設けるようにしたものである。
した半導体素子の実装構造において、フレキシブル回路
基板の表面に実装される半導体素子と、前記フレキシブ
ル回路基板の前記半導体素子の裏面部に実装される裏打
ち基板とを設けるようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、上記のように構成したので、異方性導
電接着剤を用いた半導体素子の実装方法において、フレ
キシブル回路基板の裏面にフレキシブル回路基板より曲
がらない基板を裏打ちすることにより、電気的接続部の
不良をなくすことができる。また、半導体素子との実装
と、基板の裏打ちを当時に行うことにより、工程の簡略
化を図ることができる。
電接着剤を用いた半導体素子の実装方法において、フレ
キシブル回路基板の裏面にフレキシブル回路基板より曲
がらない基板を裏打ちすることにより、電気的接続部の
不良をなくすことができる。また、半導体素子との実装
と、基板の裏打ちを当時に行うことにより、工程の簡略
化を図ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す半導体素子の実裂断面図
である。
である。
この図に示すように、フレキシブル回路基板21上に導
体22が配線されている。その導体22は銅等の金属か
らなり、接合部には酸化防止のため、金等の貴金属が施
しである。また、接合部以外の導体には、レジスト層2
5が形成されている。
体22が配線されている。その導体22は銅等の金属か
らなり、接合部には酸化防止のため、金等の貴金属が施
しである。また、接合部以外の導体には、レジスト層2
5が形成されている。
次に、ICチップ23の実装部の裏面には、フレキシブ
ル回路基板より曲がらない、例えば、ガラスエポキシ等
の材料からなる裏打ち基板30を接着剤29を介して接
着する。この時、裏打ち基板30は、ICチップ23と
同じ大きさか、やや大きめの基板を用いることが望まし
い。
ル回路基板より曲がらない、例えば、ガラスエポキシ等
の材料からなる裏打ち基板30を接着剤29を介して接
着する。この時、裏打ち基板30は、ICチップ23と
同じ大きさか、やや大きめの基板を用いることが望まし
い。
一方、接続するICチップ23は、その接続端子部分に
金等の金属よりなるバンプ電極24が形成されている。
金等の金属よりなるバンプ電極24が形成されている。
ただし、バンプ電極24は必ずしも形成されるとは限ら
ず、場合によっては、ICチップ23の電極がそのまま
用いられることもある。
ず、場合によっては、ICチップ23の電極がそのまま
用いられることもある。
次に、このようなICチップ23とフレキシブル回路基
板21と裏打ち基板30との各々を実装及び装着する場
合の概略フローチャートを第2図に、その実装工程を第
3図に示し、その工程を順次説明する。
板21と裏打ち基板30との各々を実装及び装着する場
合の概略フローチャートを第2図に、その実装工程を第
3図に示し、その工程を順次説明する。
ここで、異方性導電接着剤28は、電気導電性を付与す
るためのニッケルや半田等の金属よりなる導電性フィラ
ー27を含有している。
るためのニッケルや半田等の金属よりなる導電性フィラ
ー27を含有している。
まず、第3図(a)に示すように、異方性導電接着剤2
8を、例えばペースト状の物は印刷法で、フィルム状の
物は加熱圧接といったように供給状態にあった方法にて
、フレキシブル回路基板21上に形成する。一方ではI
Cチップ23の実装部の裏側に接着剤29により裏打ち
基板30が接着される。このフレキシブル回路基板21
をダイス32上に配置する。この時、裏打ち基板30は
裏打ち基板搬送テーブル34上に載置されている。
8を、例えばペースト状の物は印刷法で、フィルム状の
物は加熱圧接といったように供給状態にあった方法にて
、フレキシブル回路基板21上に形成する。一方ではI
Cチップ23の実装部の裏側に接着剤29により裏打ち
基板30が接着される。このフレキシブル回路基板21
をダイス32上に配置する。この時、裏打ち基板30は
裏打ち基板搬送テーブル34上に載置されている。
次に、第3図(b)に示すように、ICチップ23とフ
レキシブル回路基板21を周知の方法でフェースダウン
で位置合わせし、また、ダイス32と裏打ち基板搬送テ
ーブル34で裏打ち基板30を挟み固定する。
レキシブル回路基板21を周知の方法でフェースダウン
で位置合わせし、また、ダイス32と裏打ち基板搬送テ
ーブル34で裏打ち基板30を挟み固定する。
次に、第3図(c)に示すように、パンチ33により裏
打ち基板30を打ち抜き、フレキシブル回路基板21へ
接着する。
打ち基板30を打ち抜き、フレキシブル回路基板21へ
接着する。
次いで、第3図(d)に示すように、これと同時にIC
チップ23も加熱機構の付いたボンディングツール31
によって、ICチップ23の裏面より熱圧着する。この
時、フレキシブル回路基板21に裏打ち基板30を装着
する際、加熱を要する場合には、パンチ33に加熱機構
を設けることは可能である。
チップ23も加熱機構の付いたボンディングツール31
によって、ICチップ23の裏面より熱圧着する。この
時、フレキシブル回路基板21に裏打ち基板30を装着
する際、加熱を要する場合には、パンチ33に加熱機構
を設けることは可能である。
その後、第3図(e)に示すように、ボンディングツー
ル31ダイス32、パンチ33がそれぞれの状態を解除
し、ICチップ23側では、ICチップ23とフレキシ
ブル回路基板21との異方性導電接着剤28を介した電
気的接続並びに固定がなされ、フレキシモル回路基板2
1裏面ではICチップ23の実装部の補強が同時になさ
れる。
ル31ダイス32、パンチ33がそれぞれの状態を解除
し、ICチップ23側では、ICチップ23とフレキシ
ブル回路基板21との異方性導電接着剤28を介した電
気的接続並びに固定がなされ、フレキシモル回路基板2
1裏面ではICチップ23の実装部の補強が同時になさ
れる。
このような具体的な工程により、ICチップの実装を行
うことができる。
うことができる。
これを第2図に示す概略フローについて説明すると、次
のようである。
のようである。
(1)フレキシブル回路基板の表面には異方性導電接着
剤を、そのフレキシブル回路基板の裏面には接着剤をそ
れぞれ形成する(ステップの)。
剤を、そのフレキシブル回路基板の裏面には接着剤をそ
れぞれ形成する(ステップの)。
(2)そのフレキシブル回路基板上へICチップをアラ
イメント(ステップ■)し、一方、裏打ち基板をパンチ
ング(ステップ■)した後、ICチップと裏打ち基板を
同時にボンディング(ステップ■)する。
イメント(ステップ■)し、一方、裏打ち基板をパンチ
ング(ステップ■)した後、ICチップと裏打ち基板を
同時にボンディング(ステップ■)する。
(3)各機構の解除を行い、実装を完了する(ステップ
■)。
■)。
なお、上記実施例においては、基板としては、フレキシ
ブル回路基板について説明したが、硬質回路基板におい
ても、その厚さが薄い場合には曲がりを生じやすくなる
ので、本発明が適用できることは言うまでもない。
ブル回路基板について説明したが、硬質回路基板におい
ても、その厚さが薄い場合には曲がりを生じやすくなる
ので、本発明が適用できることは言うまでもない。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
異方性導電接着剤を用いた半導体素子の実装方法におい
て、フレキシブル回路基板の裏面にフレキシブル回路基
板より曲がらない基板を裏打ちすることにより、電気的
接続部の導通不良をなくすことができ、ICチップとの
実装と、基板の裏打ちを当時に行うことにより、工程の
簡略化を図ることができる。
て、フレキシブル回路基板の裏面にフレキシブル回路基
板より曲がらない基板を裏打ちすることにより、電気的
接続部の導通不良をなくすことができ、ICチップとの
実装と、基板の裏打ちを当時に行うことにより、工程の
簡略化を図ることができる。
第1図は本発明の実施例を示す半導体素子の実装断面図
、第2図は本発明の実施例を示す半導体素子の実装工程
概略フローチャート、第3図は本発明の実施例を示す半
導体素子の実装工程断面図、第4図は従来の半導体素子
の実装断面図、第5図は従来の半導体素子の実装工程断
面図、第6図は従来技術の問題点を示す説明図である。 21・・・フレキシブル回路基板、22・・・導体、2
3・・・ICチップ、24・・・バンプ電極、25・・
・レジスト層、27・・・導電性フィラー、28・・・
異方性導電接着剤、29・・・接着剤、30・・・裏打
ち基板、31・・・ボンディングツール、32・・・ダ
イス、33・・・パンチ、34・・・裏打ち基板搬送テ
ーブル。 特許出願人 沖電気工業株式会社
、第2図は本発明の実施例を示す半導体素子の実装工程
概略フローチャート、第3図は本発明の実施例を示す半
導体素子の実装工程断面図、第4図は従来の半導体素子
の実装断面図、第5図は従来の半導体素子の実装工程断
面図、第6図は従来技術の問題点を示す説明図である。 21・・・フレキシブル回路基板、22・・・導体、2
3・・・ICチップ、24・・・バンプ電極、25・・
・レジスト層、27・・・導電性フィラー、28・・・
異方性導電接着剤、29・・・接着剤、30・・・裏打
ち基板、31・・・ボンディングツール、32・・・ダ
イス、33・・・パンチ、34・・・裏打ち基板搬送テ
ーブル。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (2)
- (1)フレキシブル回路基板への異方性導電接着剤を介
した半導体素子の実装方法において、 (a)フレキシブル回路基板の表面には異方性導電接着
剤を形成する工程と、 (b)該フレキシブル回路基板の裏面には接着剤を形成
する工程と、 (c)該フレキシブル回路基板上へ半導体素子を位置合
わせし、一方、裏打ち基板をパンチングした後、半導体
素子と裏打ち基板を同時にボンディングする工程を施す
ことを特徴とする半導体素子の実装方法。 - (2)フレキシブル回路基板への異方性導電接着剤を介
した半導体素子の実装構造において、 (a)フレキシブル回路基板の表面に実装される半導体
素子と、 (b)前記フレキシブル回路基板の前記半導体素子の裏
面部に実装される裏打ち基板とを具備する半導体素子の
実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2203974A JP2823667B2 (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2203974A JP2823667B2 (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0491447A true JPH0491447A (ja) | 1992-03-24 |
JP2823667B2 JP2823667B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16482710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2203974A Expired - Fee Related JP2823667B2 (ja) | 1990-08-02 | 1990-08-02 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2823667B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999036958A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Semiconductor device and method of production thereof and semiconductor mounting structure and method |
JP4540216B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2010-09-08 | 京セラ株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
WO2016153069A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | デクセリアルズ株式会社 | 可撓性実装モジュール体の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-02 JP JP2203974A patent/JP2823667B2/ja not_active Expired - Fee Related
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