JPH0476212B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0476212B2
JPH0476212B2 JP58209260A JP20926083A JPH0476212B2 JP H0476212 B2 JPH0476212 B2 JP H0476212B2 JP 58209260 A JP58209260 A JP 58209260A JP 20926083 A JP20926083 A JP 20926083A JP H0476212 B2 JPH0476212 B2 JP H0476212B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
transistor module
metal coating
power transistor
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58209260A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5999753A (ja
Inventor
Roikeru Berunto
Bunku Kurausu
Hetsutoman Fuuberuto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB AB
Original Assignee
Asea Brown Boveri AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asea Brown Boveri AB filed Critical Asea Brown Boveri AB
Publication of JPS5999753A publication Critical patent/JPS5999753A/ja
Publication of JPH0476212B2 publication Critical patent/JPH0476212B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ケースの壁体として上下に開放して
フレームと、ケースの底部としてのセラミツク板
とを有し、セラミツク板のケース内部に臨む側が
構造模様の金属被覆を有し、該金属被覆が電力用
トランジスタ、ダイオード、内部結線およびケー
スの上側で露出する外部接続部材とのはんだ付け
に利用されて成る電力用トランジスタモジユール
に関する。
上記の電力用トランジスタモジユールは公知で
ある。このモジユールはたいていケース底部とし
て分厚い鋼板を有し、これを適当に前処理したセ
ラミツク板にはんだ付けまたは接着する。セラミ
ツク板のケース内部に臨む側の構造模様の金属被
覆にもはんだ付けすることが多い。このような構
造の電力用トランジスタモジユールは製造に費用
がかかり、高価であり、電力用トランジスタ−は
んだ層−金属被覆−はんだ層−セラミツク金属被
覆−セラミツク板−はんだ層−銅底板という構造
の３重のはんだ層が必要であるから、熱抵抗がか
なり高い。このためモジユールの熱負荷容量が著
しく制限される。
別の公知の構造は、セラミツクの上に直接に１
個の厚膜金属被覆を覆設しただけである。それに
よつてはんだ層が節約されるけれども、熱の放散
が不十分なので、やはり熱抵抗がすこぶる高い。
従つて、この発明の目的は、熱抵抗が極めて低
い電力用トランジスタモジユールを提供すること
である。
この発明によると、ケース内部に臨む金属被覆
がセラミツク板と直結され、半導体部品のはんだ
付け面より面積が大きく、セラミツク板のケース
内部背き側もまた、内側金属被覆と等しい厚みの
金属被覆と直結され、電力用トランジスタの主接
続端子および制御接続端子が接続線を介して当該
の内側金属被覆と結合される。
この発明においては、例えば西独特許出願
P3036128.5またはP3204167.5の方法により金属被
覆とセラミツク板を直結することによつて、電力
用トランジスタと冷却体とのあいだの熱抵抗が公
知の構成に比して大幅に減少されることである。
このことは、中間層なしで金属被覆とセラミツク
板を結合し、金属被覆に熱を放散することによつ
て達成される。外側の全面金属被覆は組立時や使
用中に破損の危険を減少することによつて、セラ
ミツク基板の機械的支持力を高める。電力用トラ
ンジスタ、ダイオードおよび接続部材は１工程で
はんだ付けされ、続いて接続線を介して接触させ
ることができるように配列されており、このこと
は低廉な製造を可能にする。またはんだ付け工程
で半導体部品をわん曲接触片によつて接触させる
ことも可能である。
次に図面を参照してこの発明の実施例を説明す
る。
第１図に電力用トランジスタモジユールの第１
変型を示す。モジユールは、ケースの壁体の役割
をする、上下に開放したプラスチツクフレーム１
を有する。フレーム１は底面の高さで両側に固定
板２を備えている。一方の固定板２は穴３を、他
方の固定板２はＵ字形切欠部４を具備する。穴３
とＵ字形切欠部４は電力用トランジスタモジユー
ルを冷却体の上に取付けるために使用される。
電力用トランジスタモジユールのケースは、一
方ではフレーム１、他方では開放したフレーム１
の底面の周方向凹陥部にはめ込まれた電気絶縁性
セラミツク板５（例えばＡ2O3、BeO、SiC製）
から成る。熱透過を改善するために、セラミツク
板５は極めて薄く形成されている（厚さ約0.5mm
以下）。ケース内部に臨む面に良電導性の金属被
覆６ａ，ｂ，ｃを有する（６ａ＝エミツタ金属被
覆、６ｂ＝コレクタ金属被覆、６ｃ＝ベース金属
被覆）。この金属被覆は、例えば西独特許出願
P3036128.5またはP3204167.5で公知の方法によ
り、中間層（はんだおよびセラミツクの金属化）
なしで直接にセラミツク板５に覆設した銅箔によ
つて実現される。金属被覆は、外部に露出してい
る接続部材、電力用トランジスタおよび内部結線
のはんだ付けのための帯状導体および接触面とし
て、また電力用トランジスタのための熱放散体と
して利用される。熱放散を可能にするために、特
にコレクタ金属被覆６ｂは、はんだ付けされる電
力用トランジスタの面積より大きな面積を有す
る。
セラミツク板５の機械的安定化のために、同じ
く西独特許出願P3026128.5またはP3204167.5の方
法により金属被覆７が、セラミツク板５のケース
内部背き側に直接覆設される。好ましくは同じく
銅箔である金属被覆７の厚みは、金属被覆６ａ，
ｂ，ｃの厚みに相当する。それによつて製造工程
およびセラミツク板５のケース内部に臨む側の片
面はんだ付け工程の結果ひずみが生じることが、
効果的に防止される。また金属被覆７は、モジユ
ールと結合される冷却体への良好な熱接触を可能
にする。更に冷却体の凹凸と汚れによる、組立時
および使用中のセラミツクの破損の危険が大幅に
減少する。
フレーム１とセラミツク板５は互いに接着され
る。板５の正確な固定のために、フレーム１は底
面に、前述のように周方向凹陥部を有する。該凹
陥部の深さは、最大でセラミツク板５と金属被覆
７の総厚に相当する。フレーム１のこの凹陥部に
設けた周方向溝８は、例えば流出する接着剤を受
けるために使用される。過剰の接着剤が溝８の中
に移動し、セラミツク板５の縁を越えて冷却面に
噴出することはない。もし噴出すれば、冷却体の
熱伝達を阻害する恐れがある訳である。
エミツタ金属被覆６ａにエミツタ平形プラグの
大きな基部９が、はんだ層１１を介して結合され
る。切欠部を具備する平形プラグ１０は、ケース
の上面の上に露出する。拡大された基部９は、金
属被覆６ａの上のはんだ付け個所の機械的安定の
ために役立つ。基部９に曲折部が、そして曲折部
に伸縮わん曲部１０が接続する（この点について
は第３図による実施例を参照）。伸縮わん曲片の
上端は本来の差込接続端子に移行する。伸縮わん
曲片は横断面が上側の差込接続端子および下側の
基部９の横断面より小さく、基部９とセラミツク
板５の金属被覆６ａのあいだのはんだ継手に対す
る引張応力を補償する。
金属被覆６ｃにベース平形プラグ１２が、また
金属被覆６ｂにコレクタ平形プラグ（第２図に参
照番号１７で示す）が結合される。ベース平形プ
ラグ１２もまた拡大された基部１３を有し、誤接
続（接続端子の取り違え）を回避するためにエミ
ツタおよびコレクタ平形プラグより細幅に構成さ
れている。その他の点では上記の３個の接続プラ
グは同様の構造を有する。
金属被覆６ｂに単数個または複数個の電力用ト
ランジスタ１４がはんだ付けされる。本実施例で
は第２図が示すように、並列接続の２個のトラン
ジスタ１４が配設されている。その場合、シリコ
ンチツプとして構成されたトランジスタ１４のコ
レクタ電極がコレクタ金属被覆６ｂにはんだ付け
され、一方、トランジスタ１４のエミツタまたは
ベース接続端子はアルミニウム線または銅線（第
２図に参照番号１８で示す）を介してエミツタま
たはベース金属被覆６ａまたは６ｃと結合され
る。
セラミツク板５を接着し、平形プラグとトラン
ジスタを装着し、配線したケースの下部に、敏感
な作動部の保護のために軟質流し込樹脂（例えば
シリコンゴム）を注入し、平形プラグの前述の伸
縮わん曲片を軟質流し込樹脂で完全に埋め込む。
ケースの閉鎖は硬質流し込樹脂１６（例えばエポ
キシ樹脂）で行う。硬質流し込樹脂１６によつ
て、特に平形プラグがその切欠部により機械的に
安定化される。
第２図に第１変型の切開したモジユールの平面
図を示す。特にフレーム１に突設され、穴３およ
びＵ字形切欠部４を備えた固定板２が認められ
る。またセラミツク板５の内側の金属被覆６ａ，
ｂ，ｃと、その上にはんだ付けされた２個の電力
用トランジスタ１４の平形プラグ１０，１７，１
２およびベース金属被覆６ｂとトランジスタのベ
ースのあいだ、並びにエミツタ金属被覆６ａとト
ランジスタのエミツタのあいだの電線１８が明ら
かである。
モジユールの製造の際に平形プラグ１０，１
２，１７とトランンジスタ１４は工程で金属化セ
ラミツク板５の上にはんだ付けされる。はんだ付
け工程のために、金属被覆６ａ，ｂ，ｃを適当に
前処理、例えばニツケルメツキする。次の階段で
トランジスタ１４のエミツタまたはベース電極と
セラミツク板５の上の金属被覆６ａまたは６ｃと
のあいだに接続線１８を超音波圧着法、はんだ付
けまたは点溶接によつて取付ける。直径0.2ない
し0.5mmのアルミニウム線を使用することが好ま
しい。
場所の都合や超音波圧着工具のための近寄りや
すさの関係上、必要であるならば、上記の代案と
して電線１８の超音波圧着の後に初めて平形プラ
グ接続端子をはんだ付けしてもよい。必要なら
ば、その上で別の補助結合を行うこともできる。
次の加工階段はすべてカプセル封じの範囲に含
まれる。まず始めに、部品をはんだ付けしたセラ
ミツク板５をフレーム１の開口部に接着する。続
いてケースの内部を流し込樹脂で埋める。
第３図に電力用トランジスタモジユールの第２
変型例の断面図を示す。このモジユールには主接
続端子としてエミツタ接続端子、コレクタ接続端
子およびフリーランニング・ダイオード接続端子
が、また補助接続端子としてベース接続端子およ
び補助エミツタ接続端子が設けられている。モジ
ユールにトランジスタのほかにフリーランニン
グ・ダイオードが一体化され、ダイオードの陰極
は内部でトランジスタのエミツタと結合される。
このモジユールも、横に固定板２０を突設し、上
下に開放したフレーム１９を有し、固定板２０は
モジユールを冷却体上に固定するための穴２１を
備えている。モジユールの機械的安定性を改善す
るために、固定板２０フレーム１９のあいだに補
強縁２２を設けた。フレーム１９の底部にやはり
セラミツク板２３が接着されている。セラミツク
板２３はエミツタ金属被覆２４ａと、熱放散のた
めに拡張されたコレクタ金属被覆２４ｂと、ベー
ス金属被覆２４ｃ（この点については第４図を参
照）と、フリーランニング・ダイオード金属被覆
２４ｄとを、ケース内部に臨む側に備えている。
セラミツク板５のケース内部背き側は金属被覆２
５を具備する。
モジユールの主接続端子すなわちエミツタ接続
端子、コレクタ接続端子およびフリーランニン
グ・ダイオード接続端子を番号２６，２７，２８
で示し、補助接続端子すなわち補助エミツタ接続
端子とベース接続端子を番号２９および３０で示
す（第４図を参照）。各接続端子は当該の金属被
覆に接続するための、拡大された基部３１を有す
る。なおハンダ層を３２で示す。拡張された基部
３１に曲折部と伸縮わん曲部３３が接続する。主
接続端子はケース上縁の高さに、ねじ穴３４のあ
る曲折部を有し、ねじ付接続端子を形成する。補
助接続端子はこれと違つて、平形プラグ３５とし
て形成されている。
モジユールは３個の並列接続の電力用トランジ
スタ３６を有し、そのコレクタ電極はそれぞれコ
レクタ金属被覆２４ｂにはんだ付けされている。
また２個の並列接続のフリーランニング・ダイオ
ード３７が設けてあり、その陰極はエミツタ金属
被覆２４ａにはんだ付けされる。ダイオード３７
をフリーランニング・ダイオード金属被覆２４ｄ
に接続するために、接続線３８またはわん曲接触
片が使用される。ケースの閉鎖のために、やはり
軟質流し込樹脂３９と硬質流し込樹脂４０が使用
される。
第４図に第２変型例の切開したモジユールの平
面図を示す。この図で特に、突設された固定板２
０と補強縁２２を有する細い長方形のフレーム１
９が明らかである。またセラミツク板２３のケー
ス内部に臨む側の金属被覆の構造が分かる。トラ
ンジスタ３６のエミツタまたはベース電極を細い
エミツタまたはベース金属被覆２４ａまたは２４
ｃに接続するために、接続線３８が使用される。
別の接続線３８がフリーランニング・ダイオード
金属被覆２４ｄとダイオード３７の陽極のあいだ
に設けられている。
第５図は第３図および第４図による変型例の内
部配線を示す。
第６図は第３の変型例の内部配線を示す。この
変型例の構造は第３図および第４図による変型例
と同様であるが、内部配線においてはフリーラン
ニング・ダイオード３７の陰極が接続端子２８
と、また陽極が電力用トランジスタ３６のコクレ
タ並びに接続端子２７と結合される。
トランジスタ半ブリツジを構成するために、第
５図および第６図による回路を備えたモジユール
が対で必要である。外部へ導き出した接続端子の
図示の順序は、バス接続による簡単な連結を可能
にする。
【図面の簡単な説明】
第１図は電力用トランジスタモジユールの第１
変型例の断面図、第２図は第１変型による、切開
したモジユールの平面図、第３図は電力用トラン
ジスタの第２変型例の断面図、第４図は第２変型
例による、切開したモジユールの平面図、第５図
は第２変型例の内部配線図、そして第６図は第３
変型例の内部配線図を示す。 ５……セラミツク板、６ａ……エミツタ金属被
覆、６ｂ……コレクタ金属被覆、６ｃ……ベース
金属被覆、７……金属被覆、１４……電力用トラ
ンジスタ、１８……接続線、２３……セラミツク
板、２４ａ……エミツタ金属被覆、２４ｂ……コ
レクタ金属被覆、２４ｃ……ベース金属被覆、２
５……金属被覆、３６……電力用トランジスタ、
３８……接続線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ケースの壁体として上下に開放したフレーム
    と、ケースの底部としてセラミツク板とを有し、
    セラミツク板のケース内部に臨む側が構造模様の
    金属被覆を有し、該金属被覆が電力用トランジス
    タ、ダイオード、内部結線およびケースの上側に
    露出する外部接続部材とのはんだ付けに利用され
    て成る電力用トランジスタモジユールにおいて、 ケース内部に臨む金属被覆６ａ，ｂ，ｃ，２４
    ａ，ｂ，ｃ，ｄがセラミツク板５，２３と直結さ
    れ、半導体部品のはんだ付け面より面積が大き
    く、 セラミツク板５、２３のケース内部背き側もま
    た、内側金属被覆と等しい厚みの金属被覆７，２
    ５と直結され、 電力用トランジスタ１４，３６の主接続端子お
    よび制御接続端子が接続線１８，３８を介して当
    該の内側金属被覆６ａ，ｃ、２４ａ，ｃと結合さ
    れることを特徴とする電力用トランジスタモジユ
    ール。 ２ フレーム１，１９が冷却体の上に取付けるた
    めの固定板２，２０を具備することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項に記載の電力用トランジス
    タモジユール。 ３ セラミツク板５，２３をフレーム１，１９の
    底部側の周方向凸陥部の中に接着したことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項または第２項に記載
    の電力用トランジスタモジユール。 ４ フレーム１，１９の底部側の凹陥部が、接着
    剤の残余を受けるための周方向溝８を有すること
    を特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の電力
    用トランジスタモジユール。 ５ 接続部材１０，１２，１７，２６ないし３０
    がそれぞれ拡大された基部９，１３，３１を有す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
    第４項のいずれか１に記載の電力用トランジスタ
    モジユール。 ６ 接続部材１０，１２，１７，２６ないし３０
    がそれぞれ横断面を縮少した伸縮わん曲部３３を
    有することを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第５項のいずれか１に記載の電力用トランジ
    スタモジユール。 ７ ケースの下部を軟質流し込樹脂１５，３９
    で、また中間部を硬質流し込樹脂１６，４０で充
    填したことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第６項のいずれか１に記載の電力用トランジ
    スタモジユール。
JP58209260A 1982-11-10 1983-11-09 電力用トランジスタモジユ−ル Granted JPS5999753A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823241508 DE3241508A1 (de) 1982-11-10 1982-11-10 Leistungstransistor-modul
DE3241508.7 1982-11-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5999753A JPS5999753A (ja) 1984-06-08
JPH0476212B2 true JPH0476212B2 (ja) 1992-12-03

Family

ID=6177732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58209260A Granted JPS5999753A (ja) 1982-11-10 1983-11-09 電力用トランジスタモジユ−ル

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5999753A (ja)
DE (1) DE3241508A1 (ja)
FR (1) FR2535898A3 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2726940A1 (fr) * 1994-05-31 1996-05-15 Mitsubishi Electric Corp Dispositif a semiconducteurs comportant un boitier et une embase isolante, et procede de fabrication de ce dispositif

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE3420535C2 (de) * 1984-06-01 1986-04-30 Anton Piller GmbH & Co KG, 3360 Osterode Halbleiter-Modul für eine schnelle Schaltanordnung
DE3505086A1 (de) * 1985-02-14 1986-08-28 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit einem kunststoffgehaeuse
DE3521572A1 (de) * 1985-06-15 1986-12-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat
DE3528427A1 (de) * 1985-08-08 1987-04-02 Bbc Brown Boveri & Cie Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente
DE3604882A1 (de) * 1986-02-15 1987-08-20 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls
DE3610288A1 (de) * 1986-03-26 1987-10-01 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE3621994A1 (de) * 1986-07-01 1988-01-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
DE3717489A1 (de) * 1987-05-23 1988-12-01 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls
JPS6442160A (en) * 1987-07-28 1989-02-14 Sgs Thomson Microelectronics Semiconductor device
DE3915707A1 (de) * 1989-05-13 1990-11-22 Asea Brown Boveri Kunststoffgehaeuse und leistungshalbleitermodul mit diesem gehaeuse
JPH0671063B2 (ja) * 1989-09-11 1994-09-07 株式会社東芝 大電力半導体装置
US5202578A (en) * 1989-09-11 1993-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Module-type semiconductor device of high power capacity
FR2660826A1 (fr) * 1990-04-05 1991-10-11 Mcb Sa Boitier economique pour composants electroniques de puissance, a fixer sur dissipateur thermique et son procede de fabrication.
GB2249869B (en) * 1990-09-17 1994-10-12 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
US5243217A (en) * 1990-11-03 1993-09-07 Fuji Electric Co., Ltd. Sealed semiconductor device with protruding portion
DE4105155C2 (de) * 1991-02-20 1994-07-07 Export Contor Ausenhandelsgese Stromrichterschaltungsanordnung
EP0513410B1 (de) * 1991-05-15 1993-12-15 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls
JPH0521704A (ja) * 1991-07-11 1993-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH0515450U (ja) * 1991-08-06 1993-02-26 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジユール
JPH062714U (ja) * 1992-06-03 1994-01-14 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
JP2838625B2 (ja) * 1992-09-08 1998-12-16 株式会社日立製作所 半導体モジュール
AT406434B (de) * 1993-12-23 2000-05-25 Ixys Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur umformung eines dreiphasigen spannungssystems in eine vorgebbare, einen verbraucher speisende gleichspannung
US5744861A (en) * 1995-11-13 1998-04-28 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
DE19719703C5 (de) * 1997-05-09 2005-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat
JP5328645B2 (ja) * 2007-05-18 2013-10-30 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8203300U1 (de) * 1982-06-24 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit Keramiksubstrat
DE8214214U1 (de) * 1982-08-26 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleiter mit einem quaderförmigen Gehäuse
US3839660A (en) * 1973-02-05 1974-10-01 Gen Motors Corp Power semiconductor device package
US4107728A (en) * 1977-01-07 1978-08-15 Varian Associates, Inc. Package for push-pull semiconductor devices
US4394530A (en) * 1977-09-19 1983-07-19 Kaufman Lance R Power switching device having improved heat dissipation means
DE2819327C2 (de) * 1978-05-03 1984-10-31 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit
US4218694A (en) * 1978-10-23 1980-08-19 Ford Motor Company Rectifying apparatus including six semiconductor diodes sandwiched between ceramic wafers
DE3028178C2 (de) * 1980-07-25 1985-05-09 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleiter-Modul
FR2503526A1 (fr) * 1981-04-03 1982-10-08 Silicium Semiconducteur Ssc Boitier et procede de montage et d'interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique.
DE3204167A1 (de) * 1982-02-06 1983-08-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum direkten verbinden von metallstuecken mit oxidkeramiksubstraten

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2726940A1 (fr) * 1994-05-31 1996-05-15 Mitsubishi Electric Corp Dispositif a semiconducteurs comportant un boitier et une embase isolante, et procede de fabrication de ce dispositif

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5999753A (ja) 1984-06-08
FR2535898A3 (fr) 1984-05-11
FR2535898B3 (ja) 1984-10-12
DE3241508C2 (ja) 1989-03-30
DE3241508A1 (de) 1984-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0476212B2 (ja)
US9035453B2 (en) Semiconductor device
US7859079B2 (en) Power semiconductor device
US6979843B2 (en) Power semiconductor device
US5767573A (en) Semiconductor device
JP2002203942A (ja) パワー半導体モジュール
JP4327096B2 (ja) 外部接続用クリップを有する半導体装置
JPH09312357A (ja) 半導体装置
US11756868B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20060220188A1 (en) Package structure having mixed circuit and composite substrate
USRE37416E1 (en) Method for manufacturing a modular semiconductor power device
JP4046623B2 (ja) パワー半導体モジュールおよびその固定方法
JP4715283B2 (ja) 電力変換装置及びその製造方法
JPS6050354B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2002314037A (ja) パワー半導体モジュール
JP4103411B2 (ja) 電力変換装置
JPH05315467A (ja) 混成集積回路装置
JPH11238962A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2767517B2 (ja) 電力用半導体モジュール
JP2007088190A (ja) 高放熱型電子部品収納用パッケージ
JP3117688B2 (ja) 表面実装用の半導体パッケージ
JP7006015B2 (ja) 半導体モジュールの製造方法
JP3036484B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH0558569B2 (ja)
JP2619155B2 (ja) 混成集積回路装置