DE3528427A1 - Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente - Google Patents
Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelementeInfo
- Publication number
- DE3528427A1 DE3528427A1 DE19853528427 DE3528427A DE3528427A1 DE 3528427 A1 DE3528427 A1 DE 3528427A1 DE 19853528427 DE19853528427 DE 19853528427 DE 3528427 A DE3528427 A DE 3528427A DE 3528427 A1 DE3528427 A1 DE 3528427A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- soldering
- connecting tab
- connecting strap
- solder
- tab
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/77—Apparatus for connecting with strap connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/3701—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/3754—Coating
- H01L2224/37599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/4005—Shape
- H01L2224/4009—Loop shape
- H01L2224/40095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbindungslasche
für ein Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des
Anspruchs 1.
Eine derartige Verbindungslasche ist beispielsweise aus
dem Prospekt der Firma: Teccor Electronics Inc., Techni
cal Data T-1064 bekannt und dient zur Verbindung der
Kathode (Kathoden-Lasche) und des Gates (Gate-Lasche)
einer Thyristor-Tablette mit dem Keramiksubstrat. Die
Verlötung der Verbindungslasche mit der Halbleiter-Ta
blette und der Leiterbahn kann unter Zugabe von Flußmit
tel erfolgen, um vorhandene Oxide auf den zu lötenden
Flächen zu reduzieren. Die Lötung bei höheren Temperatu
ren (ca. 350°C) mit Flußmittel und die anschließend not
wendigen Reinigungsprozesse sind jedoch oft nicht ver
träglich mit der Passivierung von Aktivteilen oder ande
ren empfindlichen Bauteilen auf dem Keramiksubstrat. Ein
weiterer Nachteil großflächiger Flußmittel-Lötungen ist
der mögliche Einschluß von Lunkern, d. h. von Fehlstel
len, die nicht gelötet sind. Dies führt zu unerwünscht
hohen Wärmewiderständen.
Als Alternative zur Flußmittel-Lötung besteht die Lötung
im Durchlaufofen unter Schutzgas-Atmosphäre. Hierzu ist
jedoch eine genaue Justierung der Verbindungslasche und
Halbleiter-Tablette mit Hilfe einer Lötform notwendig.
Die bekannte Verbindungslasche weist den Nachteil auf,
daß keine eindeutige Fixierung der Verbindungslasche
während des Durchlaufs im Ofen möglich ist und so feh
lerhafte Lötungen auftreten, die beispielsweise einen
Kurzschluß zwischen Kathode und Gate des Halbleiterbau
elements hervorrufen.
Dieser Nachteil wird bei einer aus der DE-OS 31 27 458
bekannten Verbindungslasche vermieden, die als Justier
hilfe Seitenflügel aufweist, mit der die Verbindungsla
sche in der Lötform exakt in einer gewünschten Position
gehalten wird. Allerdings erfordern diese Seitenflügel
einen relativ hohen Aufwand bei der Herstellung der Ver
bindungslaschen und vor allem bei der Herstellung der
Lötform. Außerdem verbiegen sich die Seitenflügel leicht
bei der Handhabung.
Davon ausgehend liegt der vorliegenden Erfindung die
Aufgabe zugrunde, eine Verbindungslasche anzugeben, die
auf einfachere Weise in einer Lötform justiert werden
kann.
Diese Aufgabe wird bei einer Verbindungslasche nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 durch dessen kennzeichnende
Merkmale gelöst.
Vorteile der erfindungsgemäßen Verbindungslaschen beste
hen unter anderem darin, daß sie aus einem streifenför
migen Metallstück, also einem Ausgangsteil mit einfacher
Form hergestellt werden kann. Die Lötform braucht nur
einen einfachen, z. B. rechteckförmigen Ausschnitt zu
haben, in dem die Verbindungslasche eingelegt werden
kann.
Weitere Vorteile und Gestaltungsmöglichkeiten ergeben
sich aus den nachstehend anhand der Zeichnung erläuter
ten Ausführungsbeispielen. Es zeigt
Fig. 1a Schnitt durch eine in Fig. 1b in
Draufsicht dargestellte zweischich
tige Lötform für vorgelötete Halb
leitersandwiches,
Fig. 1b Draufsicht auf die zweischichtige
Lötform für vorgelötete Sandwiches,
Fig. 2a Schnitt durch eine dreischichtige
Lötform für die Lötung aller Teile
in einem einzigen Lötvorgang,
Fig. 2b Draufsicht auf die dreischichtige
Lötform,
Fig. 3a Draufsicht auf die Unterseite des
Oberteils einer zweischichtigen Löt
form für die Lötung von Einzeltei
len, wie in Fig. 2a, 2b, die zuerst
von unten und dann von oben in die
Form eingelegt werden,
Fig. 3b Schnitt durch das in Fig. 3a darge
stellte Oberteil der Lötform,
Fig. 3c Unterteil zu dem in Fig. 3a und 3b
dargestellten Oberteil der Lötform,
Fig. 4a bis 4k jeweils Seitenansicht und Draufsicht
auf Verbindungslaschen verschiedener
Ausführungsform.
Fig. 1a zeigt einen Schnitt durch einen Teil einer Löt
form 1 und zwar durch eine in Fig. 1b eingetragene Ebene
A-B. Die Lötform 1 besteht aus einem Unterteil 2 und
einem Oberteil 3. In das Unterteil 2 ist ein Zentrier
stift 4 eingesetzt. Der gezeigte Teil der Lötform 1 ist
geeignet zur Verlötung eines vorverlöteten Halbleiter
sandwiches 16 mit einem Substrat 5 und einer Verbin
dungslasche 6. Der Sandwich 16 besteht aus einem Halb
leiterbauelement 7 (Diode) mit oben liegenden Passivie
rungsgraben 8 und aus einer oberen Kontaktplatte 9 und
einer unteren Kontaktplatte 10.
Die Verbindungslasche 6 stellt eine elektrische Verbin
dung zwischen der oberen Kontaktplatte 9 und einer Lei
terbahn auf dem Substrat 5 her. Sie ist ein Metallbügel
mit an Enden 11 doppelt abgewinkelten Lötfahnen 12, wo
bei an äußeren Enden 13 der Lötfahnen 12 jeweils eine
Verlängerung 14 vorgesehen ist, die nach oben gebogen
ist. Die den Sandwich 16 kontaktierende Lötfahne 12 ist
so angeformt, daß ausreichende Aussparungen entstehen
zur Gewährleistung der Spannungsfestigkeit der Anord
nung.
Zur Bestückung der Lötform 1 wird das Substrat 5 von
oben in eine Ausnehmung 18 des Unterteils 2 eingelegt,
das Oberteil aufgesetzt, der Sandwich 16 eingesetzt und
darauf die Verbindungslasche 6, die an den Unterseiten
der Lötfahnen 12 vorbelotet ist, gelegt.
Fig. 1b zeigt eine Draufsicht auf einen Teil des Ober
teils 3 der Lötform 1. Das Oberteil 3 hat eine Öffnung
17, in die das Sandwich 16 und die Verbindungslasche 6
eingelegt werden. Die nach oben gebogenen Verlängerungen
14 erweisen sich als vorteilhaft zur Justierung der Ver
bindungslasche 6 im Oberteil 3 der Lötform 1. Nach dem
Lötvorgang läßt sich das Oberteil 3 problemlos abnehmen
und das gelötete Modul aus dem Unterteil 2 entnehmen.
Fig. 2a und 2b zeigen einen Teil einer Lötform 1.1, die
zur Lötung eines Halbleitermoduls in einem einzigen Ar
beitsgang geeignet ist. Es wird also kein vorgelöteter
Sandwich 16 verwendet, sondern es werden vorbelotete
Kontaktplatten 9, 10 und das Halbleiterbauelement 7 ein
gesetzt. Die Lötform 1.1 ist zur Bestückung von oben
vorgesehen und besteht aus drei Schichten, nämlich dem
Unterteil 2, einem Mittelteil 19 und einem Oberteil 3.1.
Je nach dem Modulaufbau können auch weitere Schichten
erforderlich sein. Das Oberteil 3.3 weist eine recht
eckige Öffnung 17.1 auf, in die die Verbindungslasche 6
eingelegt wird. Fig. 2a zeigt einen Schnitt durch eine
in Fig. 2b eingetragene Schnittebene C-D.
Die Fig. 3a bis 3c zeigen eine zweiteilige Lötform, die
zuerst von unten und dann von oben bestückt wird. Mit
dieser Form kann ebenfalls in einem Arbeitsgang, also
ohne vorgelöteten Sandwich 16 ein Modul hergestellt wer
den.
Fig. 3a zeigt die Unterseite eines Oberteils 3.2 der
Lötform, Fig. 3b einen Schnitt durch die in Fig. 3a ein
getragene Ebene E-F. Das Oberteil 3.2 weist eine durch
gehende rechteckige Öffnung 17 und auf der Unterseite
Ausnehmungen 18, 20, 21 auf zur Aufnahme der Kontakt
platten 9 und 10, das Halbleiterbauelement 7 und des
Substrats 5.
Fig. 3c zeigt ein Unterteil 2.1, das keine Ausnehmungen
aufweist. Zur Bestückung wird zuerst das Oberteil 3.2 so
gedreht, daß die Unterseite oben ist. Es werden nachein
ander eingelegt die obere Kontaktplatte 9, das Halblei
terbauelement 7, die untere Kontaktplatte 10 und das
Substrat 5 und anschließend wird das Unterteil 2.1 auf
gesetzt. Danach wird die komplette Lötform um ihre
Längsachse gedreht, damit die Oberseite oben ist und die
Verbindungslasche 6 in die Öffnung 17 des Oberteils 3.2
eingelegt werden kann.
Die Fig. 4a bis 4k zeigen jeweils eine Seitenansicht und
eine Draufsicht auf Verbindungslaschen 6 in unterschied
licher Ausführungsform. Die Fig. 4i und 4k zeigen eine
Verbindungslasche 6 mit einer Bohrung 22 zur Durchfüh
rung eines Gate-Anschlusses eines Thyristors.
Die Beispiele der Fig. 4a bis 4k zeigen, daß die Verbin
dungslasche 6 z. B. zur Überwindung von Hindernissen oder
zur Verbesserung der Dehnungsmöglichkeiten unterschied
lich geformt sein kann. Gemeinsames charakteristisches
Merkmal ist jedoch, daß nach oben gebogene Verlängerun
gen 14 an den äußeren Enden 13 vorgesehen sind, die eine
vorteilhafte Gestaltung der Lötform gestatten und eine
sichere Justierung der Verbindungslasche 6 gewährlei
sten.
Claims (5)
1. Verbindungslasche für ein Halbleiterbauelement
zur elektrischen Verbindung eines Haupt- oder Steuerkon
taktes des Halbleiterbauelementes mit einer Leiterbahn,
wobei die Verbindungslasche aus einem Metallbügel mit an
beiden Enden doppelt abgewinkelten Lötfahnen besteht,
dadurch gekennzeichnet, daß an den äußeren Enden (13)
der Lötfahnen (12) nach oben abgewinkelte Verlängerungen
(14) vorgesehen sind, die zur Justierung der Verbin
dungslaschen (6) in einer Lötform (1) dienen.
2. Verbindungslasche nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß sie an den zu verlötenden Stellen mit
Lot vorbeschichtet ist.
3. Verbindungslasche nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß sie mit einer lötbaren Schicht be
schichtet ist.
4. Verbindungslasche nach Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Schicht aus einer chemisch oder
galvanisch aufgebrachten Nickelschicht besteht.
5. Verbindungslasche nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sie an einer Löt
fläche eine Öffnung zur Durchführung eines Steueran
schlusses aufweist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853528427 DE3528427A1 (de) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853528427 DE3528427A1 (de) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3528427A1 true DE3528427A1 (de) | 1987-04-02 |
DE3528427C2 DE3528427C2 (de) | 1989-04-06 |
Family
ID=6277990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853528427 Granted DE3528427A1 (de) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3528427A1 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0292848A2 (de) * | 1987-05-23 | 1988-11-30 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung des Moduls |
EP0358077A2 (de) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Motorola, Inc. | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0362547A1 (de) * | 1988-09-09 | 1990-04-11 | Motorola, Inc. | Leistungsvorrichtung mit selbstzentrierender Elektrode |
US4994412A (en) * | 1990-02-09 | 1991-02-19 | Motorola Inc. | Self-centering electrode for power devices |
WO1998012745A1 (de) * | 1996-09-18 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Stromanschluss für leistungshalbleiterbauelement |
EP0966038A2 (de) * | 1998-06-15 | 1999-12-22 | Ford Motor Company | Bonden von Leistungshalbleiteranordnungen |
EP3336881A1 (de) * | 2016-12-19 | 2018-06-20 | Nexperia B.V. | Halbleiterbauelement und verfahren mit clipanordnung im ic-paket |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4300516C2 (de) * | 1993-01-12 | 2001-05-17 | Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1930440A1 (de) * | 1968-06-18 | 1970-01-02 | Westinghouse Brake & Signal | Halbleitervorrichtung mit mehreren Anschluessen |
DE3127458A1 (de) * | 1981-07-11 | 1983-02-03 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente |
DE3232157A1 (de) * | 1982-08-30 | 1984-03-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiter-modul |
DE3241508A1 (de) * | 1982-11-10 | 1984-05-10 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungstransistor-modul |
DE3406538A1 (de) * | 1984-02-23 | 1985-08-29 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung |
-
1985
- 1985-08-08 DE DE19853528427 patent/DE3528427A1/de active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1930440A1 (de) * | 1968-06-18 | 1970-01-02 | Westinghouse Brake & Signal | Halbleitervorrichtung mit mehreren Anschluessen |
DE3127458A1 (de) * | 1981-07-11 | 1983-02-03 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Elektrische verbindungslasche fuer halbleiterbauelemente |
DE3232157A1 (de) * | 1982-08-30 | 1984-03-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiter-modul |
DE3241508A1 (de) * | 1982-11-10 | 1984-05-10 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungstransistor-modul |
DE3406538A1 (de) * | 1984-02-23 | 1985-08-29 | Bbc Brown Boveri & Cie | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Prospekt: Triac, SCR and Diac Chips, Technical Data T-1064, Teccor Electronics Inc. * |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0292848A3 (en) * | 1987-05-23 | 1990-09-26 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Semiconductor power module and method of manufacturing it |
EP0292848A2 (de) * | 1987-05-23 | 1988-11-30 | Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung des Moduls |
US5001545A (en) * | 1988-09-09 | 1991-03-19 | Motorola, Inc. | Formed top contact for non-flat semiconductor devices |
US4935803A (en) * | 1988-09-09 | 1990-06-19 | Motorola, Inc. | Self-centering electrode for power devices |
EP0362547A1 (de) * | 1988-09-09 | 1990-04-11 | Motorola, Inc. | Leistungsvorrichtung mit selbstzentrierender Elektrode |
EP0358077A2 (de) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Motorola, Inc. | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0358077A3 (de) * | 1988-09-09 | 1991-04-03 | Motorola, Inc. | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US4994412A (en) * | 1990-02-09 | 1991-02-19 | Motorola Inc. | Self-centering electrode for power devices |
WO1998012745A1 (de) * | 1996-09-18 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Stromanschluss für leistungshalbleiterbauelement |
US6175148B1 (en) | 1996-09-18 | 2001-01-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrical connection for a power semiconductor component |
EP0966038A2 (de) * | 1998-06-15 | 1999-12-22 | Ford Motor Company | Bonden von Leistungshalbleiteranordnungen |
EP0966038A3 (de) * | 1998-06-15 | 2001-02-28 | Ford Motor Company | Bonden von Leistungshalbleiteranordnungen |
EP3336881A1 (de) * | 2016-12-19 | 2018-06-20 | Nexperia B.V. | Halbleiterbauelement und verfahren mit clipanordnung im ic-paket |
US10825757B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-11-03 | Nexperia B.V. | Semiconductor device and method with clip arrangement in IC package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3528427C2 (de) | 1989-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4000089C2 (de) | ||
EP0149232A2 (de) | Halbleiterbauelement mit einem metallischen Sockel | |
DE3009295A1 (de) | Halbleiterbaustein | |
DE19709295A1 (de) | Halbleiterbaugruppe | |
DE2639979B2 (de) | Halbleiterbaueinheit | |
DE8816922U1 (de) | Gehäuse für eine Halbleiteranordnung | |
DE2932369A1 (de) | Montage- und verbindungseinheit mit zuleitungen fuer elektronische schaltkreise | |
DE1956501C3 (de) | Integrierte Schaltungsanordnung | |
EP1169736B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE1958684A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE3528427C2 (de) | ||
DE2817480A1 (de) | Hybridschaltung, die mit einer halbleiterschaltung versehen ist | |
DE3243689C2 (de) | ||
DE3322674A1 (de) | Kondensator | |
DE2454605C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
EP0163163A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leistungshalbleitermodulen mit isoliertem Aufbau | |
DE2147607C3 (de) | Halbleitereinrichtung | |
WO2004073013A2 (de) | Elektronisches bauteil mit halbleiterchip und verfahren zur herstellung desselben | |
DE4300516C2 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE1514562B2 (de) | Anordnung zur herstellung eines halbleiter-bauelementes | |
DE2615758A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer anordnung fuer das packen monolithisch integrierter schaltungen | |
DE3127458C2 (de) | ||
DE2249209A1 (de) | Leiterrahmen zur verwendung in gehaeusen fuer halbleiterbauelemente | |
EP0484756A2 (de) | Widerstandsanordnung in SMD-Bauweise | |
EP0193128A2 (de) | Filmmontierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8101 | Request for examination as to novelty | ||
8105 | Search report available | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BBC BROWN BOVERI AG, 6800 MANNHEIM, DE |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ASEA BROWN BOVERI AG, 6800 MANNHEIM, DE |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |