JPH047024B2 - - Google Patents
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- JPH047024B2 JPH047024B2 JP18261781A JP18261781A JPH047024B2 JP H047024 B2 JPH047024 B2 JP H047024B2 JP 18261781 A JP18261781 A JP 18261781A JP 18261781 A JP18261781 A JP 18261781A JP H047024 B2 JPH047024 B2 JP H047024B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、少なくとも2値の情報を記録し、そ
の情報に応じて照射された光ビームに対して異な
つた反射光を生じさせる光デイスクメモリの記録
再生装置に関するものである。
の情報に応じて照射された光ビームに対して異な
つた反射光を生じさせる光デイスクメモリの記録
再生装置に関するものである。
[従来技術]
一般に光デイスクメモリの一つとして磁気カー
効果を有する光学式磁気メモリ(以下、光磁気デ
イスクとも称す)があるが、その光学式磁気メモ
リは所望の情報を磁気的に書き込み、その書き込
まれた情報を光学的に読出すことが可能であり、
書き替え可能な大容量メモリとして最近注目され
始めている。
効果を有する光学式磁気メモリ(以下、光磁気デ
イスクとも称す)があるが、その光学式磁気メモ
リは所望の情報を磁気的に書き込み、その書き込
まれた情報を光学的に読出すことが可能であり、
書き替え可能な大容量メモリとして最近注目され
始めている。
従来の光学式磁気メモリ及びその記録再生装置
の一例を第1図に示す。最初に光学式磁気メモリ
の記録再生装置1の記録装置Aについて説明す
る。
の一例を第1図に示す。最初に光学式磁気メモリ
の記録再生装置1の記録装置Aについて説明す
る。
半導体レーザSL1から放射されたレーザ光は、
拡大レンズL1によつて平行光線にされ、全反射
鏡M1によつて光路が変換される。さらに、この
レーザ光は偏光ビームスプリツタ2及び四分の波
長板3を通過し、対物レンズL2によつて光磁気
デイスク4上に集光されスポツト5を形成する。
光磁気デイスク4では、このスポツト5の部分の
みが集光により加熱され、前に記録されていた磁
化が消去される。その後コイル6によつて印加さ
れた磁界の方向にスポツト5のみが再磁化され新
しい情報が記録される。
拡大レンズL1によつて平行光線にされ、全反射
鏡M1によつて光路が変換される。さらに、この
レーザ光は偏光ビームスプリツタ2及び四分の波
長板3を通過し、対物レンズL2によつて光磁気
デイスク4上に集光されスポツト5を形成する。
光磁気デイスク4では、このスポツト5の部分の
みが集光により加熱され、前に記録されていた磁
化が消去される。その後コイル6によつて印加さ
れた磁界の方向にスポツト5のみが再磁化され新
しい情報が記録される。
光磁気デイスク4はそのガラス基板4a上にア
モルフアスGbTbFe合金膜層4bを積層してお
り、回転軸4cを中心に等速回転される。光磁気
デイスク4により反射したレーザ光は、再び四分
の波長板3を通過することにより、その偏光面が
入射光に対し90度回転する。このため、反射光
は、偏光ビームスプリツタ2によつて入射光から
分離され、さらに円筒レンズL3を通過した後、
フオトダイオードD1によつてフオーカスエラー
信号FE1に変換される。このフオーカスエラー
信号FE1により対物レンズL2が制御され、常
に、光磁気デイスク4上に正しくスポツト5が形
成される。なお、半導体レーザSL1は、書き込
み時のみ発光するようにレーザ駆動装置7によつ
て制御される。
モルフアスGbTbFe合金膜層4bを積層してお
り、回転軸4cを中心に等速回転される。光磁気
デイスク4により反射したレーザ光は、再び四分
の波長板3を通過することにより、その偏光面が
入射光に対し90度回転する。このため、反射光
は、偏光ビームスプリツタ2によつて入射光から
分離され、さらに円筒レンズL3を通過した後、
フオトダイオードD1によつてフオーカスエラー
信号FE1に変換される。このフオーカスエラー
信号FE1により対物レンズL2が制御され、常
に、光磁気デイスク4上に正しくスポツト5が形
成される。なお、半導体レーザSL1は、書き込
み時のみ発光するようにレーザ駆動装置7によつ
て制御される。
次にこの記録再生装置1の再生装置Bについて
説明する。半導体レーザSL2から放射されたレ
ーザ光は、拡大レンズL4によつて平行光線にさ
れ、回折格子8により3本のレーザ光に分割さ
れ、さらに偏光子9で直線偏光にされる。ここ
で、第1図において偏光子9以降のレーザ光B
1,B2,B3が回折格子8で分割された3本の
レーザ光に対応する。中央のレーザ光B1は、情
報信号とフオーカスエラー信号に用いられ、両側
のレーザ光B2,B3は、トラツキング信号に用
いられる。
説明する。半導体レーザSL2から放射されたレ
ーザ光は、拡大レンズL4によつて平行光線にさ
れ、回折格子8により3本のレーザ光に分割さ
れ、さらに偏光子9で直線偏光にされる。ここ
で、第1図において偏光子9以降のレーザ光B
1,B2,B3が回折格子8で分割された3本の
レーザ光に対応する。中央のレーザ光B1は、情
報信号とフオーカスエラー信号に用いられ、両側
のレーザ光B2,B3は、トラツキング信号に用
いられる。
3本のレーザ光は、レンズL5及び対物レンズ
L6によつて絞られ、光磁気デイスク4上に3つ
のスポツトを形成する。なお、レンズL5と対物
レンズL6の間には、光路変換用の全反射鏡M2
と、光磁気デイスク4からの反射光を取り出すた
めのハーフミラーH1が配置されている。
L6によつて絞られ、光磁気デイスク4上に3つ
のスポツトを形成する。なお、レンズL5と対物
レンズL6の間には、光路変換用の全反射鏡M2
と、光磁気デイスク4からの反射光を取り出すた
めのハーフミラーH1が配置されている。
光磁気デイスク4には、磁化の方向に対応して
情報“0”又は“1”が記録されている。光磁気
デイスク4上に記録されている情報の読み出しに
は、光磁気デイスク4面からの反射光の偏光面の
回転方向が磁性体の磁化の方向によつて異なるい
わゆるカー効果を利用している。この偏光面回転
成分のみを検出するために、ハーフミラーH1か
ら取り出された反射光は、ハーフミラーH2によ
つて2方向へ分割される。一方のレーザ光に対し
ては、検光子A1は、情報“1”の反射光のみを
通過させ、もう一方のレーザ光に対しては、検光
子A2は、情報“0”の反射光のみを通過させる
ようにしてある。
情報“0”又は“1”が記録されている。光磁気
デイスク4上に記録されている情報の読み出しに
は、光磁気デイスク4面からの反射光の偏光面の
回転方向が磁性体の磁化の方向によつて異なるい
わゆるカー効果を利用している。この偏光面回転
成分のみを検出するために、ハーフミラーH1か
ら取り出された反射光は、ハーフミラーH2によ
つて2方向へ分割される。一方のレーザ光に対し
ては、検光子A1は、情報“1”の反射光のみを
通過させ、もう一方のレーザ光に対しては、検光
子A2は、情報“0”の反射光のみを通過させる
ようにしてある。
従つて、この両方の反射光をそれぞれ、フオト
ダイオードD2及びD3で検出し、情報信号IS1
を差動増幅器AMP1で取り出すことにより光磁
気デイスク4に記憶されている“0”又は“1”
の情報を再生することができる。同時に、検光子
A2の後に円筒レンズL7を置くことによりフオ
トダイオードD3からフオーカスエラー信号FE
2が得られる。また、レーザ光B2の反射光をシ
リコンブリユーセルS1,S2で検出し、その出
力差を差動増幅器AMP2で取り出すことにより
トラツキングエラー信号TES1が得られる。ト
ラツキングはこのトラツキングエラー信号TES
1によつて対物レンズL6を光磁気デイスク4の
半径方向に移動させて行う。
ダイオードD2及びD3で検出し、情報信号IS1
を差動増幅器AMP1で取り出すことにより光磁
気デイスク4に記憶されている“0”又は“1”
の情報を再生することができる。同時に、検光子
A2の後に円筒レンズL7を置くことによりフオ
トダイオードD3からフオーカスエラー信号FE
2が得られる。また、レーザ光B2の反射光をシ
リコンブリユーセルS1,S2で検出し、その出
力差を差動増幅器AMP2で取り出すことにより
トラツキングエラー信号TES1が得られる。ト
ラツキングはこのトラツキングエラー信号TES
1によつて対物レンズL6を光磁気デイスク4の
半径方向に移動させて行う。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、このような、光学式磁気メモリの記録
再生装置には次のような欠点がある。即ち、光学
系の部品点数が多く光軸調整などに多くの時間を
要すると共に光学系部品のミスアライメントによ
るエラーも発生しやすい。さらに、各光学系の部
品における光の反射などによる光損失も大きい。
また、再生装置において、光磁気デイスク4面か
らの反射光がハーフミラーH1を通して、半導体
レーザSL2に戻るため、光出力の変化など半導
体レーザSL2の動作が不安定となり、エラーや
S/N比の悪化を生じる。
再生装置には次のような欠点がある。即ち、光学
系の部品点数が多く光軸調整などに多くの時間を
要すると共に光学系部品のミスアライメントによ
るエラーも発生しやすい。さらに、各光学系の部
品における光の反射などによる光損失も大きい。
また、再生装置において、光磁気デイスク4面か
らの反射光がハーフミラーH1を通して、半導体
レーザSL2に戻るため、光出力の変化など半導
体レーザSL2の動作が不安定となり、エラーや
S/N比の悪化を生じる。
[発明の目的]
本発明の目的は、前記従来の欠点を解決し、光
サーキユレータを用いることにより、光学系全体
の構成を簡素化し、安定した信号の再生を行うこ
とが可能な光デイスクメモリ記録再生装置を提供
することである。
サーキユレータを用いることにより、光学系全体
の構成を簡素化し、安定した信号の再生を行うこ
とが可能な光デイスクメモリ記録再生装置を提供
することである。
[実施例]
以下、本発明を具体化した実施例について第2
図乃至第3図を参照しながら詳細に説明する。
図乃至第3図を参照しながら詳細に説明する。
第2図はその実施例の光デイスクメモリ及びそ
の記録再生装置の概略構成を示す。半導体レーザ
SL3から放射されたレーザ光は拡大レンズL1
0によつて平行光線となり、さらに音響光学光偏
光子11により3方向へ変更される。レンズL1
1を通して光サーキユレータ12の第1のポート
PAへ入射される。この光サーキユレータ12は、
半導体レーサSL3より照射され第1のポートPA
を介して入射したレーサ光を直線偏光にして第2
のポートPBを介して光磁気デイスク4に出射す
る。第2のポートPBから出射されたレーザ光は、
対物レンズL12によつて光磁気デイスク面4上
に焦点を結び3つのスポツトを形成する。
の記録再生装置の概略構成を示す。半導体レーザ
SL3から放射されたレーザ光は拡大レンズL1
0によつて平行光線となり、さらに音響光学光偏
光子11により3方向へ変更される。レンズL1
1を通して光サーキユレータ12の第1のポート
PAへ入射される。この光サーキユレータ12は、
半導体レーサSL3より照射され第1のポートPA
を介して入射したレーサ光を直線偏光にして第2
のポートPBを介して光磁気デイスク4に出射す
る。第2のポートPBから出射されたレーザ光は、
対物レンズL12によつて光磁気デイスク面4上
に焦点を結び3つのスポツトを形成する。
光磁気デイスク面4による反射光は、対物レン
ズL12を通つた後、光サーキユレータ12の第
2のポートPBへ入射し、第3のポートPCから出
射される。このとき、偏光面の回転角は、保存さ
れているので、磁気カー効果によつて生じた偏光
面の回転成分も忠実に伝達される。また、第2の
ポートPBへ入射した光磁気デイスク面4からの
反射光が直接第1のポートPAから出射して半導
体レーザSL3に戻ることがないため半導体レー
ザSL3の動作の不安定化やS/N比の悪化など
を防ぐことができる。光サーキユレータ12の第
3のポートPCから出射された3本の反射光はハ
ーフミラーH3によつて2方向へ分割される。
ズL12を通つた後、光サーキユレータ12の第
2のポートPBへ入射し、第3のポートPCから出
射される。このとき、偏光面の回転角は、保存さ
れているので、磁気カー効果によつて生じた偏光
面の回転成分も忠実に伝達される。また、第2の
ポートPBへ入射した光磁気デイスク面4からの
反射光が直接第1のポートPAから出射して半導
体レーザSL3に戻ることがないため半導体レー
ザSL3の動作の不安定化やS/N比の悪化など
を防ぐことができる。光サーキユレータ12の第
3のポートPCから出射された3本の反射光はハ
ーフミラーH3によつて2方向へ分割される。
以下、信号の再生は、第1図に示す従来例と同
じように行われ、3本の反射光は、検光子A3,
A4及び円筒レンズL13を通してそれぞれフオ
トダイオードアレイD4,D5で受光され、差動
増幅器AMP3の出力として情報信号IS2、フオ
ーカスエラー信号FE3、差動増幅器AMP4の出
力としてトラツキングエラー信号TES2が得ら
れる。
じように行われ、3本の反射光は、検光子A3,
A4及び円筒レンズL13を通してそれぞれフオ
トダイオードアレイD4,D5で受光され、差動
増幅器AMP3の出力として情報信号IS2、フオ
ーカスエラー信号FE3、差動増幅器AMP4の出
力としてトラツキングエラー信号TES2が得ら
れる。
再生時には、レーザ駆動装置13によつて、光
磁気デイスク面4上のレーザスポツト部15の温
度が記録温度以下であり、かつS/N比が大きく
なるようにレーザ出力が制御される。また、音響
光学光偏光子11には、音響光学光偏光子駆動装
置14によつて超音波が印加されて、レーザ光は
3方向へ変更されており、中央のレーザ光B1は
情報信号IS2及びフオーカスエラー信号FE3の
検出に、両端のレーザ光B2,B3はトラツキン
グエラー信号TES2の検出に用いられる。この
情報信号IS2を読み出すことにより光磁気デイス
ク4上の任意の番地をアクセスすることができ
る。
磁気デイスク面4上のレーザスポツト部15の温
度が記録温度以下であり、かつS/N比が大きく
なるようにレーザ出力が制御される。また、音響
光学光偏光子11には、音響光学光偏光子駆動装
置14によつて超音波が印加されて、レーザ光は
3方向へ変更されており、中央のレーザ光B1は
情報信号IS2及びフオーカスエラー信号FE3の
検出に、両端のレーザ光B2,B3はトラツキン
グエラー信号TES2の検出に用いられる。この
情報信号IS2を読み出すことにより光磁気デイス
ク4上の任意の番地をアクセスすることができ
る。
記録時には、記録番地をアクセスした後、レー
ザ駆動装置13によつてレーザ出力がパルス状に
増大され光磁気デイスク4上のレーザスポツト部
15が記録温度以上に加熱される。同時にコイル
16によつて書き込まれる情報に対応する方向に
磁界が印加され、新しい情報が書き込まれる、こ
のとき音響光学光偏光子11には、超音波は印加
されないため、レーザ光は偏光されず中央のレー
ザ光B1のみで書き込みが行われる。書き込みが
終了すると同時に再生状態となり、トラツキング
が引き続き行われる。すなわち、この記録・再生
装置では、書き込みがパルス的に行われるので、
書き込みと書き込みとの間に、トラツキングエラ
ー信号TES2を読み出すことができ、安定なト
ラツキングを行うことができる。なお、フオーカ
シングは、中央のレーザ光B1を利用しているの
で記録再生を通して絶えず行われている。
ザ駆動装置13によつてレーザ出力がパルス状に
増大され光磁気デイスク4上のレーザスポツト部
15が記録温度以上に加熱される。同時にコイル
16によつて書き込まれる情報に対応する方向に
磁界が印加され、新しい情報が書き込まれる、こ
のとき音響光学光偏光子11には、超音波は印加
されないため、レーザ光は偏光されず中央のレー
ザ光B1のみで書き込みが行われる。書き込みが
終了すると同時に再生状態となり、トラツキング
が引き続き行われる。すなわち、この記録・再生
装置では、書き込みがパルス的に行われるので、
書き込みと書き込みとの間に、トラツキングエラ
ー信号TES2を読み出すことができ、安定なト
ラツキングを行うことができる。なお、フオーカ
シングは、中央のレーザ光B1を利用しているの
で記録再生を通して絶えず行われている。
なお、第2図において第2のポートPBから出
射するレーザ光は、実際は紙面の手前から向う側
に出射しているが、わかり易くするためレーザ光
B1,B2,B3、レンズL12、コイル16及
び光磁気デイスク4は一点鎖線A−A線から展開
した状態で図示する。
射するレーザ光は、実際は紙面の手前から向う側
に出射しているが、わかり易くするためレーザ光
B1,B2,B3、レンズL12、コイル16及
び光磁気デイスク4は一点鎖線A−A線から展開
した状態で図示する。
次に光サーキユレータ12の構成について詳細
に説明する。第3図aは光サーキユレータ12の
概略断面図であり、第3図bは第3図aを下方よ
り見た概略図である。
に説明する。第3図aは光サーキユレータ12の
概略断面図であり、第3図bは第3図aを下方よ
り見た概略図である。
この光サーキユレータ12は偏光分離合成用の
ルチルプリズム31,32,33,34,35、
フアラデー回転ガラス36,37及び水晶旋光子
38とから構成され、フアラデー回転ガラス3
6,37には、外部から直流磁界が印加されてい
る。フアラデー回転ガラス36,37及び水晶旋
光子38における光の偏光面の回転角はそれぞれ
45度である。また、偏光面の回転方向は、水晶旋
光子38では光の進行方向によらず一定である
が、フアラデー回転ガラス36,37では光の進
行方向によつて逆になる。従つて第3図におい
て、左から右へ通過する光に対しては、フアラデ
ー回転ガラス36,37と水晶旋光子38による
偏光面の回転が打消し合い偏光面の回転は生じな
い。しかし右から左へ通過する光に対しては、逆
に偏光面の回転が加え合わさり90度の偏光面回転
が生じる。なお、フアラデー回転ガラス36,3
7は、小型化するために光路反射型とし、反射面
には反射膜39がコーテイングされている。ルチ
ルプリズムは、一軸異方性の光学結晶であり、ル
チルプリズム31〜35の光学軸の方向はすべて
同じであり、第3図において紙面に垂直な方向で
ある。また、各ルチルプリズム31〜35はその
相互の間に10〜30μm程度の空気層をはさんで互
いに固定されている。偏光分離はこのルチルプリ
ズムと空気層との境界におけるブリユースタ角の
条件と全反射を利用する。第3図においては、角
度θが常光に対するブリユースタ角となつてい
る。
ルチルプリズム31,32,33,34,35、
フアラデー回転ガラス36,37及び水晶旋光子
38とから構成され、フアラデー回転ガラス3
6,37には、外部から直流磁界が印加されてい
る。フアラデー回転ガラス36,37及び水晶旋
光子38における光の偏光面の回転角はそれぞれ
45度である。また、偏光面の回転方向は、水晶旋
光子38では光の進行方向によらず一定である
が、フアラデー回転ガラス36,37では光の進
行方向によつて逆になる。従つて第3図におい
て、左から右へ通過する光に対しては、フアラデ
ー回転ガラス36,37と水晶旋光子38による
偏光面の回転が打消し合い偏光面の回転は生じな
い。しかし右から左へ通過する光に対しては、逆
に偏光面の回転が加え合わさり90度の偏光面回転
が生じる。なお、フアラデー回転ガラス36,3
7は、小型化するために光路反射型とし、反射面
には反射膜39がコーテイングされている。ルチ
ルプリズムは、一軸異方性の光学結晶であり、ル
チルプリズム31〜35の光学軸の方向はすべて
同じであり、第3図において紙面に垂直な方向で
ある。また、各ルチルプリズム31〜35はその
相互の間に10〜30μm程度の空気層をはさんで互
いに固定されている。偏光分離はこのルチルプリ
ズムと空気層との境界におけるブリユースタ角の
条件と全反射を利用する。第3図においては、角
度θが常光に対するブリユースタ角となつてい
る。
まず、第1のポートPAから入射した光aは、
ルチルプリズム31と32との境界で、常光成分
a1と異常光成分a2に分かれる。すなわち異常
光成分a2は、無反射で境界で全反射され光吸収
剤40で吸収されるが、常光成分a1は、ブリユ
ースタ角で入射するので、ルチルプリズム32中
を通過する。この常光成分a1は、フアラデー回
転ガラス36及び水晶旋光子38を通るが前述し
たように偏光面は回転しない。さらに常光成分a
1はルチルリズム34及び35の境界を無反射で
通り抜け、ルチルプリズム35によつて光路を90
度曲げられ第2のポートPBから出射する。従つ
て、第1のポートPAから入射した光は、その常
光成分a1のみ、すなわち直線偏光となつて第2
のポートPBから出射される。従つて、入射光が
楕円偏光であつても、直線偏光に変換されるの
で、偏光子等を新たに設ける必要がない。さら
に、常に特定方向に偏光した直線偏光に変換する
ため、光源が不安定でも常にデイスク面に照射さ
れる光の偏光面が同じになる。
ルチルプリズム31と32との境界で、常光成分
a1と異常光成分a2に分かれる。すなわち異常
光成分a2は、無反射で境界で全反射され光吸収
剤40で吸収されるが、常光成分a1は、ブリユ
ースタ角で入射するので、ルチルプリズム32中
を通過する。この常光成分a1は、フアラデー回
転ガラス36及び水晶旋光子38を通るが前述し
たように偏光面は回転しない。さらに常光成分a
1はルチルリズム34及び35の境界を無反射で
通り抜け、ルチルプリズム35によつて光路を90
度曲げられ第2のポートPBから出射する。従つ
て、第1のポートPAから入射した光は、その常
光成分a1のみ、すなわち直線偏光となつて第2
のポートPBから出射される。従つて、入射光が
楕円偏光であつても、直線偏光に変換されるの
で、偏光子等を新たに設ける必要がない。さら
に、常に特定方向に偏光した直線偏光に変換する
ため、光源が不安定でも常にデイスク面に照射さ
れる光の偏光面が同じになる。
次に、光磁気デイスク4による反射光のうちの
第2のポートPBを介して入射した光bは、ルチ
ルプリズム34及び35の境界において常光成分
b1と異常光成分b2に分けられる。常光成分b
1は、そのままルチルプリズム34を通り抜け、
異常光成分b2は、ルチルプリズム35内で再び
全反射した後、水晶旋光子38及びフアラデー回
転ガラス37を通過することによつて偏光面が90
度回転する。また常光成分b1も同様に水晶旋光
子38及びフアラデー回転ガラス36を通過する
ことによつて偏光面が90度回転する。従つて光線
b1は、異常光に、光線b2は、常光に変換され
る。このため、光線b1はルチルプリズム31及
び32の境界で全反射し、さらにルチルプリズム
32及び33の境界で全反射する。一方、光線b
2は、ルチルプリズム32及び33の境界を無反
射で通り抜けるので、光線b1とb2はルチルプ
リズム32,33の境界で再び合成され、第2の
ポートPBへ入射したときの偏光状態を90度回転
した状態で保つたまま第3のポートPCから出射
される。この光サーキユーレータ12は、常光成
分b1と異常光成分b2との光路が等距離になる
ように構成されている。
第2のポートPBを介して入射した光bは、ルチ
ルプリズム34及び35の境界において常光成分
b1と異常光成分b2に分けられる。常光成分b
1は、そのままルチルプリズム34を通り抜け、
異常光成分b2は、ルチルプリズム35内で再び
全反射した後、水晶旋光子38及びフアラデー回
転ガラス37を通過することによつて偏光面が90
度回転する。また常光成分b1も同様に水晶旋光
子38及びフアラデー回転ガラス36を通過する
ことによつて偏光面が90度回転する。従つて光線
b1は、異常光に、光線b2は、常光に変換され
る。このため、光線b1はルチルプリズム31及
び32の境界で全反射し、さらにルチルプリズム
32及び33の境界で全反射する。一方、光線b
2は、ルチルプリズム32及び33の境界を無反
射で通り抜けるので、光線b1とb2はルチルプ
リズム32,33の境界で再び合成され、第2の
ポートPBへ入射したときの偏光状態を90度回転
した状態で保つたまま第3のポートPCから出射
される。この光サーキユーレータ12は、常光成
分b1と異常光成分b2との光路が等距離になる
ように構成されている。
すなわち、この実施例においては、記録装置及
び再生装置のレーザ装置及び光学系を共通に用い
ることにより構成が簡素になるが、記録装置・再
生装置それぞれに本発明を用いてもよい。、更に
本実施例の記録装置においては再生装置のトラツ
キング信号を利用できるためランダムアクセスが
可能となり、任意の記録位置への記録が正確に実
行可能となる。
び再生装置のレーザ装置及び光学系を共通に用い
ることにより構成が簡素になるが、記録装置・再
生装置それぞれに本発明を用いてもよい。、更に
本実施例の記録装置においては再生装置のトラツ
キング信号を利用できるためランダムアクセスが
可能となり、任意の記録位置への記録が正確に実
行可能となる。
なお、この光デイスクメモリ記録再生装置の構
成は、上記の実施例に示したものに限らず音響光
学光偏光子の代わりに、回折格子やビームスプリ
ツタを用いることも可能である。光サーキユレー
タにおいても、偏光分離及び合成にルチルプリズ
ム以外の光学異方性結晶を用い、プリズムの形状
を変えてポート配置も任意の位置にすることがで
きる。また、フアラデー回転ガラスは光路反射型
以外の形状でもよく、フアラデー回転ガラスの代
わりにYIGなどの磁気光学結晶を用いること、さ
らに水晶旋光子の代わりに半波長板を用いること
も可能である。
成は、上記の実施例に示したものに限らず音響光
学光偏光子の代わりに、回折格子やビームスプリ
ツタを用いることも可能である。光サーキユレー
タにおいても、偏光分離及び合成にルチルプリズ
ム以外の光学異方性結晶を用い、プリズムの形状
を変えてポート配置も任意の位置にすることがで
きる。また、フアラデー回転ガラスは光路反射型
以外の形状でもよく、フアラデー回転ガラスの代
わりにYIGなどの磁気光学結晶を用いること、さ
らに水晶旋光子の代わりに半波長板を用いること
も可能である。
[発明の効果]
以上のように、本発明による光デイスクメモリ
記録再生装置は、一方向から入力した光ビームに
対してはその偏光面を保持して伝送し、他方向か
ら入力した光ビームに対してはその偏光面を90゜
回転させて伝送する偏光面保持回転手段と、前記
光ビーム照射装置より照射された光を入射するた
めの第一ポートと、前記第一ポートから入射した
光を互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光の光ビ
ームに分離し、その一方を一方向から前記偏光面
保持回転手段へ伝送する伝送経路と、前記光検出
装置に光ビームを出射するための第三ポートと、
他方向から前記偏光面保持回転手段を通つて伝送
された互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光の光
ビームを合成させて前記第三ポートへ伝送する伝
送経路と、を有する第一プリズム部と、光ビーム
を前記光磁気デイスクメモリ上に出射し、且つ、
光磁気デイスクメモリからの反射光を入射するた
めの第二ポートと、一方向からの前記偏光面保持
回転手段を通つて伝送された光ビームを前記第二
ポートへ伝送する伝送経路と、前記第二ポートか
ら入射した光磁気デイスクメモリからの反射光を
互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光の光ビーム
に分離してそれぞれを他方向から前記偏光面保持
回転手段へ伝送する伝送経路と、を有する第二プ
リズム部とが一体化して形成されている光サーキ
ユレータを用いていることにより、光学部品点検
を減らすことができ、光軸調整を容易にし、光学
系のミスアライメントによるエラー発生を減少さ
せるとともに、光デイスクメモリ面からの反射光
が半導体レーザへ戻ることを防ぐことにより、動
作不安定化やS/N比の悪化を防ぎ、極めて安定
で優れた再生が得られる。
記録再生装置は、一方向から入力した光ビームに
対してはその偏光面を保持して伝送し、他方向か
ら入力した光ビームに対してはその偏光面を90゜
回転させて伝送する偏光面保持回転手段と、前記
光ビーム照射装置より照射された光を入射するた
めの第一ポートと、前記第一ポートから入射した
光を互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光の光ビ
ームに分離し、その一方を一方向から前記偏光面
保持回転手段へ伝送する伝送経路と、前記光検出
装置に光ビームを出射するための第三ポートと、
他方向から前記偏光面保持回転手段を通つて伝送
された互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光の光
ビームを合成させて前記第三ポートへ伝送する伝
送経路と、を有する第一プリズム部と、光ビーム
を前記光磁気デイスクメモリ上に出射し、且つ、
光磁気デイスクメモリからの反射光を入射するた
めの第二ポートと、一方向からの前記偏光面保持
回転手段を通つて伝送された光ビームを前記第二
ポートへ伝送する伝送経路と、前記第二ポートか
ら入射した光磁気デイスクメモリからの反射光を
互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光の光ビーム
に分離してそれぞれを他方向から前記偏光面保持
回転手段へ伝送する伝送経路と、を有する第二プ
リズム部とが一体化して形成されている光サーキ
ユレータを用いていることにより、光学部品点検
を減らすことができ、光軸調整を容易にし、光学
系のミスアライメントによるエラー発生を減少さ
せるとともに、光デイスクメモリ面からの反射光
が半導体レーザへ戻ることを防ぐことにより、動
作不安定化やS/N比の悪化を防ぎ、極めて安定
で優れた再生が得られる。
第1図は従来の光学式磁気メモリ及びその記録
再生装置の概略構成図、第2図は本発明を具体化
した実施例の光学式磁気メモリ及びその記録再生
装置の概略構成図、第3図は本発明に係わる光サ
ーキユレータの概略構成図である。 図中、SL3は半導体レーザ、4は光磁気デイ
スク、12は光サーキユレータ、PAは第1のポ
ート、PBは第2のポート、PCは第3のポート、
A3,A4は検光子、D4,D5はフアトダイオ
ード、AMP3は差動増幅器である。
再生装置の概略構成図、第2図は本発明を具体化
した実施例の光学式磁気メモリ及びその記録再生
装置の概略構成図、第3図は本発明に係わる光サ
ーキユレータの概略構成図である。 図中、SL3は半導体レーザ、4は光磁気デイ
スク、12は光サーキユレータ、PAは第1のポ
ート、PBは第2のポート、PCは第3のポート、
A3,A4は検光子、D4,D5はフアトダイオ
ード、AMP3は差動増幅器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくとも2値の情報を記録し、照射された
光ビームに対して情報に応じて異なる偏光面を有
する反射光を生じさせる光磁気デイスクメモリ
と、 光ビームを照射する光ビーム照射装置と、 前記光磁気デイスクメモリに記録されている情
報に応じて異なる偏光面を有する反射光を検出し
対応する電気信号に偏光する光検出装置と、 一方向から入力した光ビームに対してはその偏
光面を保持して伝送し、他方向から入力した光ビ
ームに対してはその偏光面を90゜回転させて伝送
する偏光面保持回転手段と、 前記光ビーム照射装置より照射された光を入射
するための第一ポートと、前記第一ポートから入
射した光を互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光
の光ビームに分離し、その一方を一方向から前記
偏光面保持回転手段へ伝送する伝送経路と、前記
光検出装置に光ビームを出射するための第三ポー
トと、他方向から前記偏光面保持回転手段を通つ
て伝送された互いに偏光面が垂直な二つの直線偏
光の光ビームを合成させて前記第三ポートへ伝送
する伝送経路と、を有する第一プリズム部と、 光ビームを前記光磁気デイスクメモリ上に出射
し、且つ、光磁気デイスクメモリからの反射光を
入射するための第二ポートと、一方向からの前記
偏光面保持回転手段を通つて伝送された光ビーム
を前記第二ポートへ伝送する伝送経路と、前記第
二ポートから入射した光磁気デイスクメモリから
の反射光を互いに偏光面が垂直な二つの直線偏光
の光ビームに分離してそれぞれを他方向から前記
偏光面保持回転手段へ伝送する伝送経路と、を有
する第二プリズム部とからなり、 第一ポートから入射した光を互いに偏光面が垂
直な二つの直線偏光の光ビームに分離し、その一
方をその偏光面を保持して第二ポートから光磁気
デイスクメモリへ照射し、第二ポートから入射し
た光磁気デイスクメモリからの反射光を互いに偏
光面が垂直な二つの直線偏光の光ビームに分離
し、それぞれの偏光面をそれぞれ90゜回転させた
後、再び合成させて前記第三ポートから照射する
光サーキユレータと、 を備えたことを特徴とする光デイスクメモリ記録
再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18261781A JPS5883348A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 光学式磁気メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18261781A JPS5883348A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 光学式磁気メモリ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1481887A Division JPS62259248A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光磁気メモリ記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5883348A JPS5883348A (ja) | 1983-05-19 |
JPH047024B2 true JPH047024B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=16121414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18261781A Granted JPS5883348A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 光学式磁気メモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5883348A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62259248A (ja) * | 1987-01-23 | 1987-11-11 | Brother Ind Ltd | 光磁気メモリ記録再生装置 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP18261781A patent/JPS5883348A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5883348A (ja) | 1983-05-19 |
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