JPH0469979A - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

Ｓ産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表７ｊＳ装貿等の平面デイスプレィと用
いられるアクティブマトリクスの製造方法に関する。 〔従来■抄術〕 液晶表示装置用アクティブマトリクスに用いられる薄膜
トランジスタの例は、Ｊａ声ｎＤ（む〕１す“８９ｐ５
１０−５１５と示されるようなものがあり、一画素分の
平面図を第２図に、その薄膜トランジスタ部の断面スを
第３図に、その製造工程を第４図に示す。 図において、ガラス基板等の絶縁性基板１ＦＫ、クロム
（Ｃｒ　）等の金属膜からなるゲート電極２とシリコン
窒化膜等からなるゲートＰ縁膜５と、非晶質ンリコン膜
等からなる半導体膜４と、クロム中アルミニュウム（＾
１）等の金属膜からなるドレインｔ’ｓ及びソース電極
６と、酸化インジウムと酸化錫による透明導電層からな
る純素電極７と、シリコン窒化膜等からなる保［［８が
、順次、形成されている。　アク７イブマ〉リクスでＬ
゛６　ター・ト［％　２　Ｆｉ走★］＠９Ｋ、ドレイン
電極５は信号線１０に、ソース電極６Ｆｉ沿、晶→・、
人・の−力の電極となるｉ＋１＋＋稟電極７Ｋ、それぞ
れ接続されている３ごの構成で、一般、と、画素電極に
Ｆｉ酸化イ；・′ジウムと酸化錫、２）透明導電膜が用
いられ、信号線やドレイン電極、ン・−スミ極ｌＣは、
配線Ｃ）低損わｉ’、、　イ）、’、’、’、。 が容易なアル、ミニラム膜が用いられ１いる。？°れち
Ｏ膜の成員温度ｔ」１、前に形成し一〇いる半導体算に
ダメ・〜ジを鳥、ｔないために、・〜・般ｉ’ｃ、２ｎ
Ｄ’［＋以下にされている。オた、これら電極や配、線
の微細加工ＫＦｉ、有機溶剤が不必要で取扱いが答ぶな
４・ジ壓レジストが用いられている。 （、発明が解決（、ようとするａ題〕 上記従来技術は、アク７イブマ）　ＩＪクスの電極＋配
線１ｃ用いる金属薄膜の丁ッグング性に“ついて考慮さ
れでいない、と（Ｋ、透明導電膜ｔよ低温で成膜り、九
場冶、膜質が不拘〜になりやすい、オＡ１、透明４ｍ膜
のコ。ツづ一ンダ液はｉ′導体膜べ“配置順Ｃダメージ
を与えるような強度の７ｘツブング性ｔもりものＦｉ弔
いるこ′とが丁」ないたｌ〕、どうし７１、−透刷轟電
遁■）Σ、）・チング残りが牛Ｉン襲仁いや　こｚ”。 透明導電膜のｒ−ｖ４ング残りに、ユ、：””、’、’
、’、）”’：４透明導覧膜と信号・駅が短絡する！、
工）常圧開票、７）”；’ｔ　−を、・、も制御で舞ｒ
′、ア゛り・）イブマトリクス基板−不３ととなる。１
′″、ｑ、）たン〉、アク７パイブ・トトリク・ζ基板
り）ｉ令歩留りが悪くなる２いうル（１訪うＥあ−・埼
・・。 本発明化）ｌｊ的ｉ−、ｔ、送別導電Ａυブーツ・・彎
グ残杓に↓る信号線、！麟ｊ索電極・′２）短絡を岬゛
１（製造歩憧′りの高いつフラ′イブ・７・ｌ−１ｊり
４ス基嶽の製造ｊ１法を提供す２”２ことＩＣあ）”輸 〔駄訪を解法ｒるｔ：めの１・段：〕 透明導電膜のコツ岬ング残りに↓る信牲線１シ１素電極
０短絡管防止、するために、本発明は透明導電＃１ｑ１
１）膜質を・・均一・で９“Ｉライングが宕易な膜にす
るか、透明導電膜Ｑ２じツｆング液に強度のものを用い
ることが考えられるが、前述のような条件下で！［Ｌい
、イ、こて、透明導電膜り膜質が変化［，５°τ′も、
イぎ号線及び画素電極形成任に、、　７”／Ｌカリ性泪
宥にＫ　ｉ９　ｆｉ　＋、。１、１　　〒　　Ｏｙ剛１
ヒ還　メ４、　　除去−す　る　ｌ　−〉　約−し、た
。 〔作用、１ 信号像のアルミ、：、ラム膜と透明導電膜に）工τ

【〕
膜を、電気ｒ１に接続（，７で、アルカリ性浴卒・中に
浸漬すると、両名り間で酸化還：、７１．．反応が起こ
る。これを利用Ｌ２、透明導電膜を還元、除去すること
にした。この方法では、透明導電膜の膜質が変化［。 ても、アルミニラＡＭとｌ″ｒＯ溪が電気釣に接続され
、アルカリ性浴液中に浸漬されているかぎり、酸化還元
反応が起こるため、ＩＴＯ膜を還元、除去することがで
きる。 〔実施例〕 本発明の実施例を第１図によシ説明する。第１図は、本
発明を実施したアクティブマトリクス■薄膜トランジス
タ部の断面構遺全製造１枳順に木したものである。 （１）透明ガラス基板等Ｏ絶縁性基＆１上に、クロム勢
の６属膜をスパッタリング法によシ成誂”する１次いで
１通常のホトエッチングエ、程によ抄、ゲート電極２の
パターンを形成する。（＆）。 （２）グラズト・ＣＶ’Ｄ法くよね、ゲートＦ！ｍ膜や
層１Ｖ１絶縁寥２、し、で用いる１、・ｌ　：：ｆｆン
窒化員（夕’ｉｊ、ｃｃｍＮｉ？、ｒｉｄ＠）からなる
ゲート絶縁漠５と、ｆ、４体！及び２１閣給ｌＩ＆膜と
し、て用いる非晶質−ンＩＪ　、ｌニア　７貢４（ａｍ
ｏｒｐｈｏｕｌｌ　Ｓｉ、”、、、、ｉ癖、）ｎ　、↓
又７ａ−３ｉｆｉと巧ぶ）と、電極部コンタ、クトとし
、て用いるリン（Ｐ）ｔドーピングし、１ａ−３ｉ膜（
ｎ　−ｔ７ｐａ　＆　−３１膜、以下ｎ、”　ａ−３！
、　ｌ［と貯ぶ、図、りくせず）とを反応室（２”）真
空を破るζ６となく、順次、連続成膜す払（い、（５）
通常のホトリングラフイエ程とドライコツチングにより
、ａ　−９ｉ膜を素子分離１，２、生導体膜４の°アイ
ランドを形成する。（Ｃ）。 （４）ドレイ／電極、ノー・スミ極及び信号線と１１で
用いるＣｒ・膜２１及びｌ’膜２２金、ベノ（ブタリン
グ法により、順次、成膜ｔ゛る。（ｄ、）。 （５）　：ｉ！ｓ常のホトエツチング工程に：より、　
　Ａｌ＄とＣｒ１１ｓのエツチングを行い、薄膜トラン
ジスタのドレイン電極５とソース電極Ａ及び信号表（図
示せず）を形成する。 次いで、薄膜トラン外スタＯチャネル上の！１”＆−３
ｉ膜をドライエブザン・グ等て隘″）、％　ｌ、１、薄
１１１・ランジスタを得る。（ｇ）。 （６）アクティブマドＩＪクス２）創業電極を形成する
ため、酸化スズと酸化インジウムから４・る透明導ｆｉ
裏７　Ｃ１（Ｉｚ（ｉｆｆｉ、、ｕｚ　Ｔｊ、、ｈ　Ｑ
ｚｊ、、ｃｌ、ｓ、　　、１３下ＩＴＯ膜トＦＬＧ；）
ｆスパッタリング法で成Ｌｌ”２．　　（ｆ）。 （７）通算のホトＪ、ツザングコニ程に、！、す、レジ
スト３１を血布、ｇ光、現像、　　］：ＴＯ膜ｌＯの、
】、ツヴングを省ｉうユ　この時、１ＴＯ膜Ｃ）：Ｘ−
ツサングが良好に行われずｊ”ツブンダ残抄７１が生じ
、−１素電極と信号線の関（図で］・、ｊ画１素電椿フ
゛とドし・、イ；／電極５０間、本実施例では信号線の
　・部を・ドし・イン電極と１−で利用し、ている（ｇ
−３）で知絡１゜７．＋コトヲ考濾し１、ポジ型レジス
トの現像液に一分間浸漬する。本工程において、工〒０
膜とＡ７膜を電気的に接続して。、アルカリ性溶液中に
両名を浸漬するとＡ／ｉｌｌでは酸化片、応が起こり、
１〒Ｏ農でＦｉ還元反応が起こる。このため、画素電極
７と信号線の間で蚊絡を生じさせ゛てい九丁ブチング残
殺のｒＴｏ膜は速力４、除去されるゆ　この鋭、レジ、
ストの除去を行い、１素電極７■バヂ　ン麿得已。 （シ）５゜ （８）：・・　ノ、Ｚン窒化膿ち・Ｋ、：る麟”！ｈ　
ラ８′パ４．夕の１呆り慢８を形成し１１、°７り−・
イン′・・トリクス遅、番こが冗成する。（）））、 本実ル＠ごＣ−３ＩＴＯ＠の、ツ　ツーて／グ残９を・
とノ２ｔする乏イ）に、室温］でポジ型し・〉゛ストの
埃、像液に“二分間＃［Ｌ、、六が、′ｆｇ−沿は、１
・Ｉ（が′１２１又１−ζ、）ン゛ＡカＩＪ　ｆ！ｉ：
溶液、時間１・よし１秒以ト、であれば：い９ｊｙ　東
を・　、よ　リ　４り花Ｉ　Ｋ　−ｆ　　之゛ｊ　ｔ　
めにｊ・ま、　　Ｉ　　Ｔ　　ｆｉｉ）　ｊネ　１・パ
１−司　１、Ａ！’膜の表面積を、（きくするり７が良
い。 壕、た、本実施例Ｃは」“Ｔ　（１）袋（ｚ）：＝　ン
峰ソゲ残りＯ〜ム・、〕程とレジスト除去・Ｊ程を別々
Ｋｌ、邊、が、］ＩＴＯＢｉｓのエツチング用レジ７、
ベトの現像体、し・・シスト栓面を露光す゛ることによ
り、工〒０膜の一ゴブ・ブング残りの除去工程とレジス
ト除去：］、程を・同時にすることもできる。 〔発明ｅ）効果［］ ４光明によれば、１τＯ膜ｅ〉膜質にかかわらで、−Ｉ
集電極とイ舛号？ＩＭ関２．）知終を・１−にさ柑２）
１丁（〕噂のエツチング残しを除去することができるＺ
）で、アクティブマトリクス基板の製造歩留り全高Ｘ）
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明だよるアクティブマトリクス基板の−
ｓ、施例の製造、〕−程の１、明図、第２図及び第３図
は１従来：の７クフイブマ）　ＩＪクス基板グ）〜・部
分を示す干面及び断面図％第４図は、従、来υアクティ
ブマトリクス基板の製造工程の説明図である。 １・・・ＩＰ２縁性縁板基板・・・ター・上電極、５・
・・ゲート絶＊膜、４・・・半導体膜、５・・・ドレイ
ン電極、６・・・ソース電極、７・・・画素電極、ト・
・保誦膜、９川走査耐、１１０・・・信号線、２１・・
・Ｃｒ膜、２２・・・＾ｌ膜、３１・・・レジスト、７
ｏ・−・１！ＯＮ、７１川エッチ残りしたｒＴｏｇ。 第　１１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲー
   ト電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲ
   ート絶縁膜上に前記ゲート電極に対向して形成された半
   導体膜と、前記半導体膜上に形成されたドレイン電極及
   びソース電極とからなる薄膜トランジスタをスイッチン
   グ素子とし、前記各薄膜トランジスタの前記ゲート電極
   を走査線に、前記ドレイン電極を信号線に、前記ソース
   電極を画素電極にそれぞれ接続したアクティブマトリク
   スにおいて、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記信号線及び前
   記画素電極を形成後にアルカリ性溶液中に浸漬して、前
   記画素電極と信号線間を短絡させて残った画素電極膜の
   エッチング残りを除去することを特徴とするアクティブ
   マトリクス基板の製造方法。