JPH0467245B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に磁気記録された信号
を交流消去する磁気消去ヘツドに関し、特に消去
効率の向上を図つた磁気消去ヘツドに関する。

〔背景技術とその問題点〕

従来、たとえばビデオテープレコーダ（以下
VTRという）用の消去ヘツドとして用いられて
いる回転型磁気消去ヘツドは、フライングイレー
ズヘツドと称され、磁気記録媒体である磁気テー
プに磁気記録された信号を記録トラツク毎に交流
消去している。このような磁気消去ヘツドは、一
般的に、第１図Ａに示すように、非磁性材料のギ
ヤツプスペーサ１を介して、金属酸化物磁性材料
であるフエライトコア素片２，３が接合されるこ
とで形成されている。スパツタ等の手段により配
されるこのギヤツプスペーサ１は、消去ヘツドの
ギヤツプ間隔ｔを与えるものである。また、消去
ヘツドには、トラツキング動作を行なう消去ヘツ
ドに対する矢印Ｘの磁気テープ相対移動方向の逃
げ側に、巻線穴４が形成されている。この巻線穴
４に巻線されるコイルには、たとえば5MHz程度
の消去周波数の信号が供給される。そして、ギヤ
ツプ部に飽和磁界が発生し、磁気テープの相対移
動に伴い、磁気テープに加わる磁界が飽和磁界よ
り徐々に小さくなつてゆくことにより、磁気テー
プ上の残留磁化がゼロに収斂され、磁気テープに
磁気記録された信号の交流消去が行なわれる。と
ころで、コア素片２，３として用いられている金
属酸化物磁性材料のフエライトは、電気抵抗は大
きいが、飽和磁束密度Bsが5000ガウス程度であ
り、ギヤツプ部より発生し得る磁界強度が、メタ
ルテープ等の高い抗磁力Hcを有する磁気テープ
に記録されている信号を消去するには不充分であ
る。

第１図Ｂは、第１図Ａの磁気消去ヘツドのギヤ
ツプ部周辺での磁界強度分布を、テープ相対移動
方向距離を横軸に取り示したものである。

ところで、磁気テープに記録される信号の高密
度化が要求されてくるに従い、残留磁束密度Br
の高いメタルテープ等の磁気テープが使用される
ようになり、それとともに消去効率の高い磁気消
去ヘツドが必要となつてきている。そこで、磁気
消去ヘツドを構成する一対のコア素片に飽和磁束
密度Bsの高い材料であるセンダスト等を用いて、
ギヤツプ部より発生する磁界強度を高めることも
考えられる。このセンダストは飽和磁束密度Bs
が9000ガウス程度と高い。しかし、センダストは
電気抵抗が小さいことにより、コア素片にセンダ
ストを用いたとしても渦電流損が大きく発熱が多
いため、消去効率が上がらないという問題点があ
る。

このように、たとえばVTRの回転型消去ヘツ
ドとして用いられる従来の磁気消去ヘツドは、高
い抗磁力Hcを有するメタルテープ等の磁気テー
プに記録されている信号を消去するには消去効率
が不充分であるという問題点があつた。

〔発明の目的〕

そこで、本発明はこのような実情に鑑み提案さ
れたものであり、高い抗磁力Hcを有する磁気記
録媒体であるたとえばメタルテープ等の磁気テー
プに磁気記録された信号を消去するのに適した高
い消去効率を持つ磁気消去ヘツドを提供すること
を目的とする。

〔発明の概要〕

この目的を達成するために本発明の磁気消去ヘ
ツドは、軟磁性材料より成る一対のコア素片の磁
気ギヤツプ形成面側に、上記軟磁性材料より高い
飽和磁束密度を有する軟磁性材料薄膜をそれぞれ
形成し、この一対のコア素片を非磁性材料のギヤ
ツプスペーサを介して接合する磁気消去ヘツドに
おいて、磁気記録媒体進入側のコア素片に形成さ
れた上記磁性材料薄膜の膜厚は磁気記録媒体逃げ
側のコア素片に形成された上記磁性材料薄膜の膜
厚より厚いことを特徴とする。

〔実施例〕

まず、本発明の一実施例の説明に先立ち本発明
の前提となる技術の説明を行なう。

第２図Ａはこの技術によつて構成される磁気消
去ヘツドを示している。この磁気消去ヘツドは、
フエライトコア素片２，３で形成される消去ヘツ
ドに対して、キヤツプスペーサ１の両側部分にの
み、センダスト等の高飽和磁束密度あるいは高透
磁率を有する互いに等しい膜厚ａの磁性膜を接着
あるいはスパツタ等により配している。

第２図Ａに示す構成とすることで、第２図Ｂに
その特性を示すようにキヤツプ部よりは充分な磁
界強度を得ることができる。しかし、第２図Ｂに
示すようにこの消去ヘツドは、磁界強度の分布が
急峻であることすなわち磁気テープ相対移動方向
の逃げ側での磁界強度の分布（図中にｇで示す領
域）が急峻であることにより、消去ヘツドのコイ
ルに供給される消去周波数の信号が磁気テープに
記録されたり、磁気テープ上に磁気記録されてい
る消去されるべき信号がこの消去周波数成分をバ
イアスとして再記録されてしまうという欠点を有
している。

つぎに、上述の技術の問題点を解決する本発明
の一実施例を図面に基づき説明する。

第３図は、本発明に係る磁気消去ヘツドの外観
斜視図を示し、また第４図は、その要部斜視図を
示している。この磁気消去ヘツドは、たとえば
VTR用の回転型消去ヘツドとして用いられ、磁
気記録媒体であるたとえば磁気テープに磁気記録
された信号を記録トラツク毎に、たとえば5MHz
の消去周波数の信号により交流消去している。と
ころで、上記磁気消去ヘツドは、一対のコア素片
１０，１１が軟磁性材料であるたとえばマンガン
ジンクフエライト（Mn−Znフエライト）で構成
され、またトラツキング動作を行なう消去ヘツド
に対する矢印Ｘの磁気テープ相対移動方向の逃げ
側のコア素片１１には巻線穴１２が形成されてい
る。この巻線穴１２には、消去用の信号が供給さ
れるコイルが巻線される。

また、一対のコア素片１０，１１の磁気ギヤツ
プ形成面側には、コア素片１０，１１を構成する
たとえばMn−Znフエライトよりも高い飽和磁束
密度Bsあるいは高い透磁率を有する軟磁性材料
のたとえばいわゆるセンダストよりなる磁性材料
薄膜１３，１４がスパツタ等の手段を用いて形成
されている。磁気テープ相対移動方向の進入側の
コア素片１０側に形成される上記薄膜１３の膜厚
ｅは、磁気テープ相対移動方向の逃げ側のコア素
片１１側に形成される上記薄膜１４の膜厚ｆより
も厚くすなわちｅ＞ｆに形成されている。この実
施例では、膜厚ｅをたとえば3μｍに、膜厚ｆを
たとえば1μｍとしている。ところで、磁性材料
薄膜１３，１４が形成された上記コア素片１０，
１１は、非磁性材料のたとえば二酸化シリコン
SiO₂のスパツタ膜よりなるギヤツプスペーサ１
５を介して、非磁性材料のガラス１６を用い融着
接合される。このギヤツプスペーサ１５は、磁気
ギヤツプのギヤツプ間隔ｔを与えるものであり、
このギヤツプ部より消去磁界が発生する。

このように構成された上記磁気消去ヘツドは、
ギヤツプ部より発生する消去磁界の磁界強度が高
く、またこの磁界の強度分布が第５図Ａに示され
るようになり、磁気テープ相対移動方向距離につ
いてのこの磁界強度分布がギヤツプ形成位置に対
して非対称となつている。すなわち、磁気テープ
相対移動方向の逃げ側方向での強度分布（図中ｈ
で示す領域）が、緩やかな傾斜を描くような分布
となつている。この第５図Ａは、縦軸に磁界強度
を、横軸にテープ相対移動方向距離を取つてい
る。また、第５図Ａと対応するような位置関係に
ある第５図Ｂは、第４図の−線断面図であ
る。ところで、磁界強度が上記逃げ側において緩
やかなスロープを描くような分布となるのは、ギ
ヤツプスペーサ１５の両側に配される上記磁性材
料薄膜１３，１４の内、上記逃げ側に配される薄
膜１４の膜厚ｆが進入側の薄膜１３の膜厚ｅより
も薄く形成されていることにより、高飽和磁束密
度材料のこの薄膜１４が先に磁気飽和を起こすこ
とに起因している。

このように、本発明によれば、コア素片１０，
１１よりも高飽和磁束密度を有する磁性材料薄膜
１３，１４をギヤツプスペーサ１５の両側に配し
磁気ギヤツプ部より発生する磁界強度を高くする
とともに、磁気テープ相対移動方向逃げ側に配さ
れる薄膜１４の膜厚を薄膜１３に比べて薄い形成
することにより、磁界強度の分布を上記逃げ側方
向に緩やかなスロープを描くようにしている。こ
のため、メタルテープのような高い抗磁力Hcを
有する磁気テープに磁気記録された信号を消去す
るのに充分な磁界強度を得ることができるととも
に、より逃げ側に延在する磁界強度分布によつ
て、消去周波数の信号が磁気テープに記録される
ようなことはなく、消去周波数成分をバイアスと
して磁気テープ上に磁気記録された消去されるべ
き信号が再記録されるようなことはない。すなわ
ち、緩やかな傾斜状の磁界強度分布によつて、磁
気テープに加えられる磁界が、テープの相対移動
に伴つて飽和磁界より徐々に小さくなつてゆき、
磁気テープ上の残留磁化が徐々にゼロに収斂され
るようになる。

ところで、コア素片１０，１１の磁性材料とし
てMn−Znフエライトの他に、ニツケルジンクフ
エライト（Ni−Znフエライト）等を用いてもよ
い。また、磁性材料薄膜１３，１４の高飽和磁束
密度材料としては、鉄−アルミニウム−シリコン
系（Fe−Al−Si系）の上述のいわゆるセンダス
トの他に、Ｍ−Ｘで示される非晶質材料を用いて
もよい。ここで、ＭはFe，Co（コバルト）、Niで
あり、ＸはたとえばSi、Ｂ（ほう素）Ｐ（リン）、
Ｃ（カーボン）等であり、具体的には上記非晶質
材料として、Fe−Co−Si−Ｂ系の磁性材料が上
げられる。

また、上記磁性材料薄膜１３，１４の膜厚は、
上記進入側に配される薄膜１３を1μｍから5μｍ
とするのがよく、上記逃げ側に配される薄膜１４
を薄膜１３の1/3以下とし、0.1μｍ以上とするの
がよい。これは、薄膜１３の膜厚が5μｍ以上で
あると、コア素片１０，１１であるフエライトと
融着結合用のガラス１６との熱膨張係数の違いに
より接合時に割れが生じたり、膜の剥離が生じて
しまうためであり、1μｍ以下であるとギヤツプ
形成部分に高飽和磁束密度材料を配する効果が失
われる。また、薄膜１４の膜厚を薄膜１３の1/3
以下とするのは、上述の磁界強度分布に非対称性
を持たせるためであり、0.1μｍ以上とするのは磁
気テープ相対移動方向逃げ側での磁界強度分布を
緩やかなスロープ状にするため必要である。

なお、本発明の磁気消去ヘツドは、VTR用の
回転型消去ヘツドとして用いるのみならず、固定
型消去ヘツドとして用いるようにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、一対のコア素片を構成する磁性材料の飽和磁
束密度よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料
薄膜を、ギヤツプスペーサの両側に配し、磁気記
録媒体であるたとえば磁気テープ相対移動方向の
逃げ側の上記薄膜の膜厚を進入側の薄膜の膜厚よ
りも薄く形成するようにしている。これにより、
たとえばメタルテープのような高い抗磁力Hcを
有する磁気テープに記憶されている信号を消去す
るのに充分な磁界強度を得ることができるととも
に、より逃げ側に傾斜を持つような磁界強度分布
によつて、消去周波数の信号が磁気テープに記録
されるようなことはなく、この消去周波数成分が
バイアスとなり消去されるべき信号が再び磁気テ
ープ上に記録される再記録が起こるようなことは
ない。

このように、本発明によつて、高い消去効率を
持つ磁気消去ヘツドを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａは従来の磁気消去ヘツドの概略断面
図、第１図Ｂは第１図Ａの磁気消去ヘツドの磁界
強度分布を示す特性図、第２図Ａは本発明の前提
となる技術によつて構成される消去ヘツドの概略
断面図、第２図Ｂは第２図Ａの磁気消去ヘツドの
磁界強度分布を示す特性図、第３図は本発明に係
る磁気消去ヘツドの外観斜視図、第４図は第３図
の磁気消去ヘツドの要部斜視図、第５図Ａは第３
図の磁気消去ヘツドの磁界強度分布を示す特性
図、第５図Ｂは第４図の−線断面図である。 １０，１１……コア素片、１２……巻線穴、１
３，１４……磁性材料薄膜、１５……ギヤツプス
ペーサ、１６……ガラス、Ｘ……磁気テープ相対
移動方向。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 軟磁性材料より成る一対のコア素片の磁気ギ
   ヤツプ形成面側に、上記軟磁性材料より高い飽和
   磁束密度を有する軟磁性材料薄膜をそれぞれ形成
   し、この一対のコア素片を非磁性材料のギヤツプ
   スペーサを介して接合する磁気消去ヘツドにおい
   て、磁気記録媒体進入側のコア素片に形成された
   上記磁性材料薄膜の膜厚は磁気記録媒体逃げ側の
   コア素片に形成された上記磁性材料薄膜の膜厚よ
   り厚いことを特徴とする磁気消去ヘツド。