JPH0466023B2 - - Google Patents

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JPH0466023B2
JPH0466023B2 JP58205994A JP20599483A JPH0466023B2 JP H0466023 B2 JPH0466023 B2 JP H0466023B2 JP 58205994 A JP58205994 A JP 58205994A JP 20599483 A JP20599483 A JP 20599483A JP H0466023 B2 JPH0466023 B2 JP H0466023B2
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Masaomi Sasaki
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0466023B2 publication Critical patent/JPH0466023B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0666Dyes containing a methine or polymethine group
    • G03G5/0668Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
技術分野 本発明は電子写真甚感光䜓に関し、詳しくは感
光局䞭に特定のα−眮換スチルベン化合物を電荷
搬送物質ずしお含有させ機胜分離型感光局ずした
電子写真甚感光䜓に関する。 埓来技術 埓来、電子写真方匏においお䜿甚される感光䜓
の光導電性玠材ずしお甚いられおいるものにセレ
ン、硫化カドミりム、酞化亜鉛などの無機物質が
ある。ここにいう「電子写真方匏」ずは、䞀般に
光導電性の感光䜓をたず暗所で、䟋えばコロナ攟
電によ぀お垯電せしめ、次いで像露光し、露光郚
のみの電荷を遞択的に逞散せしめお静電朜像を
埗、この朜像郚を染料、顔料などの着色材ず高分
子物質などの結合剀ずから構成される怜電埮粒子
トナヌで珟像し可芖化しお画像を圢成するよ
うにした画像圢成法の䞀぀である。 このような電子写真法においお感光䜓に芁求さ
れる基本的な特性ずしおは、(1)暗所で適圓な電䜍
に垯電できるこず、(2)暗所においお電荷の逞散が
少ないこず、(3)光照射によ぀お速やかに電荷を逞
散せしめるこずなどがあげられる。 ずころで、前蚘の無機物質はそれぞれ倚くの長
所をも぀おいるず同時に、さたざたな欠点をも有
しおいるのが事実である。䟋えば、珟圚広く甚い
られおいるセレンは前蚘(1)〜(3)の条件は充分に満
足するが、補造する条件がむずかしく、補造コス
トが高くなり、可撓性がなく、ベルト状に加工す
るこずがむずかしく、熱や機械的の衝撃に鋭敏な
ため取扱いに泚意を芁するなどの欠点もある。硫
化カドミりムや酞化亜鉛は、結合剀ずしおの暹脂
に分散させお感光䜓ずしお甚いられおいるが、平
滑性、硬床、匕匵り匷床、耐摩擊性などの機械的
な欠点があるためにそのたたでは反埩しお䜿甚す
るこずができない。 近幎、これらの無機物質の欠点を排陀するため
にいろいろな有機物質を甚いた電子写真甚感光䜓
が提案され、実甚に䟛されおいるものもある。䟋
えば、ポリ−−ビニルカルバゟヌルず
−トリニトロフルオレン−−オンずからなる
感光䜓米囜特蚱第3484237号明现曞に蚘茉、ポ
リ−−ビニルカルバゟヌルをピリリりム塩系色
玠で増感しおなる感光䜓特公昭48−25658号公
報に蚘茉、有機顔料を䞻成分ずする感光䜓特
開昭47−37543号公報に蚘茉、染料ず暹脂ずから
なる共晶錯䜓を䞻成分ずする感光䜓特開昭47−
10735号公報に蚘茉などである。 発明が解決しようずする課題 これらの感光䜓は優れた特性を有しおおり実甚
的にも䟡倀が高いず思われるものであるが、電子
写真法においお、感光䜓に察するいろいろな芁求
を考慮するず、ただこれらの芁求を十分に満足す
るものが埗られおいないのが実状である。 しかしお、本発明の目的は、先に述べた埓来の
感光䜓ずは異なり、電荷発生物質ず電荷搬送物質
ずを組合せお光導電性を瀺す感光局においお、新
芏な電気搬送物質を甚い、感床等の電子写真法に
おいお芁求される条件を充分満足させ、か぀、補
造が容易でしかも比范的安䟡に行なえ、耐久性に
も優れた電子写真甚感光䜓を提䟛するこずにあ
る。 構 成 本発明者は、倚くの電荷搬送物質に぀いおの研
究、怜蚎を行な぀た結果、䞋蚘䞀般匏 匏䞭、Ar1及びAr2は、眮換もしくは無眮換の
アリヌル基䜆し、同時に無眮換プニル基の堎
合は陀く、又は共同しお環を圢成する基を衚し、
Ar3は、眮換又は無眮換のアリヌレン基を衚し、
R1、R2及びR3は、氎玠原子、眮換もしくは無眮
換のアルキル基又は眮換もしくは無眮換アリヌル
基を衚わし、䞊蚘アリヌル基及びアリヌレン基の
眮換基は、アルコキシ基、プノキシ基、アルキ
ル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、
たたはニトロ基である。は又はの敎数であ
る。 で衚わされるα−眮換スチルベンれン化合物が電
子写真甚感光䜓の機胜分離型感光局における電荷
搬送物質ずしお有効に機胜するこずを芋出した。
本発明はこの知芋に基づいお完成されたものであ
る。 即ち、本発明は導電性支持䜓䞊に電荷発生物質
ず電荷搬送物質ずを組合せお含有する機胜分離型
感光局を蚭けた電子写真甚感光䜓においお、前蚘
電荷搬送物質ずしお䞊蚘の䞀般匏で衚され
るα−眮換スチルベン化合物を甚いたこずを特城
ずするものである。 䞊蚘䞀般匏のR1、R2及びR3におけるア
ルキル基ずしおは、メチル基、゚チル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが
あげられ、眮換アルキル基における眮換基ずしお
はメトキシ基、゚トキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基、ペンチルオキシ基などのアルコキシ基、
プノキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ
基などのアリヌルオキシ基、プニル基、ナフチ
ル基などのアリヌル基、ゞメチルアミノ基、ゞ゚
チルアミノ基、ゞプロピルアミノ基、−メチル
−・゚チルアミノ基などのアルキルアミノ基、
−プニルアミノ基、−ゞプニルアミ
ノ基などのアリヌルアミノ基、ヒドロキシ基、ア
ミノ基などがあげられる。アミノ基䞊の眮換基は
もう぀又はそれ以䞊でもよく、぀以䞊の堎合
は同䞀の基でも異なる基でもよい。眮換アルキル
基の具䜓䟋ずしおは䟋えば、アルコキシアルキル
基、アリヌルオキシアルキル基、アミノアルキル
基、ヒドロキシアルキル基、アラルキル基、アル
キルアミノアルキル基、アリヌルアミノアルキル
基などがあげられる。 たた、Ar1、Ar2、R1、R2及びR3におけるアリ
ヌル基ずしおは炭玠環匏たたは耇玠環匏の単栞た
たは倚栞の芳銙族環残基、曎に具䜓的にはプニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、チ゚ニル基、
ピリゞル基、フリル基、カルバゟリル基あるいは
スチリル基などがあげられ、眮換アリヌル基にお
ける眮換基ずしおはメトキシ基、゚トキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、メ
チル基、゚チル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、ヒドロキシ基、塩玠原子、臭玠原子
などのハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基などが
あげられる。 アリヌル基䞊の眮換基は぀たたはそれ以䞊で
もよく、぀以䞊の堎合には同䞀の基でも異なる
基でもよい。 Ar3のアリヌレン基ずしおは、䞊蚘の炭玠環匏
たたは耇玠環匏の単栞たたは倚栞の芳銙族残基が
あげられ、たた眮換アリヌレン基における眮換基
ずしおは、䞊蚘の眮換アリヌル基における眮換基
があげられる。アリヌレン基における眮換基は
぀たたは぀以䞊でもよく、぀以䞊の堎合は同
䞀の基でも、異なる基でもよい。 Ar1ずAr2ずで共同しお環を圢成するものずし
おは、フルオレン、シクロペンタゞ゚ン、シクロ
ヘキサゞ゚ン、シクロヘキセン、シクロペンテ
ン、むンデン、−ゞプニルむンデン、
5H−ゞベンゟシクロヘプテン、10
11−ゞヒドロ−5H−ゞベンゟシクロ
ヘプテン、キサンテン及びチオキサンテンなどが
あげられる。これらの環は、䞊蚘の眮換基を有し
おもよい。 本発明で甚いられる前蚘䞀般匏で瀺され
るα−眮換スチルベン化合物は、䞋蚘䞀般匏
 匏䞭Ar1及びAr2は前で定矩したずおりである。
は− ―R43Z ここでR4はプニル基又
は䜎玚アルキル基、 はハロゲンむオンを瀺
すで衚されるトリプニルホスホニりム基、あ
るいはトリアルキルホスホニりム塩、又は−PO
OR52ここでR5は䜎玚アルキル基を瀺すで衚
わされるゞアルキル亜燐酞基である で衚される化合物ず䞋蚘䞀般匏 匏䞭、R1、R2、R3、Ar3及びは前で定矩し
たもの同䞀である で衚わされるカルボニル化合物ずを反応させるこ
ずにより埗るこずができる。 䞀般匏で衚わされる化合物は、察応する
ハロメチル化合物ずトリプニルホスフむンある
いはトリアルキルホスホむン、又は亜リン酞トリ
アルキルずを盎接あるいはトル゚ン、キシレン等
の溶媒䞭で加熱する事により容易に補造される。
トリアルキルホスフむンずしおは炭玠数〜の
アルキル基、特に−ブチル基が奜たしい。たた
亜リン酞トリアルキルずしおは炭玠数〜のア
ルキル基、特にメチル基、゚チル基が奜たしい。 こうしお埗られた䞀般匏で衚わされる化
合物ず䞀般匏で衚わされるカルボニル化合
物ずを塩基性觊媒の存圚䞋、宀枩から100℃皋床
の枩床においお反応させる。 塩基性觊媒ずしおは、苛性゜ヌダ、苛性カリ、
ナトリりムアミド、氎玠化ナトリりム及びナトリ
りムメチラヌト、カリりム−−ブトキサむドな
どのアルコラヌトを挙げるこずができる。たた反
応溶媒ずしおは、メタノヌル、゚タノヌル、む゜
プロパノヌル、ブタノヌル、−メトキシ゚タノ
ヌル、−ゞメトキシ゚タン、ビス−メ
トキシ゚チル゚ヌテル、ゞオキサン、テトラヒ
ドロフラン、トル゚ン、キシレン、ゞメチルスル
ホキシド、−ゞメチルホルムアミド、−
メチルピロリドン、−ゞメチル−−むミ
ダゟリゞノンなどを挙げるこずができる。䞭でも
極性溶媒、䟋えば−ゞメチルホルムアミド
及びゞメチルスルホキシドが奜適である。 反応枩床は、(1)䜿甚する溶媒の塩基性觊媒に察
する安定性、(2)瞮合成分䞀般匏及び
の化合物の反応性、(3)前蚘塩基性觊媒の
溶媒䞭における瞮合剀ずしおの反応性によ぀お広
範囲に遞択するこずができる。䟋えば極性溶媒を
甚いる時は、実際には宀枩から100℃、奜たしく
は宀枩から80℃である。しかし、反応時間の短瞮
又は掻性の䜎い瞮合剀を䜿甚する時は高い枩床で
もよい。 こうしお埗られる䞀般匏で衚わされるα
−眮換スチルベン化合物の具䜓䟋を以䞋に䟋瀺す
る。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 以䞋に本発明を添付の図面を参照しながら曎に
詳现に説明する。第図ないし第図は本発明に
係る感光䜓の代衚的な二䟋の断面図であり、そこ
に付された番号では導電性支持䜓、′″は
感光局、は電荷発生物質、は電荷搬送媒䜓又
は電荷搬送局、は電荷発生局を衚わしおいる。 本発明機胜分離型感光局の構成は、この第
図、第図に瀺したごずくに甚いるこずができ
る。 第図における感光䜓は、導電性支持䜓䞊に
電荷発生物質粒子をα−眮換スチルベン化合物
ず結合剀ずからなる電荷搬送媒䜓の䞭に分散せ
しめた感光局′が蚭けられたものである。ここ
でのα−眮換スチルベン化合物は結合剀又は結
合剀及び可塑剀ずずもに電荷搬送媒䜓を圢成
し、䞀方、電荷発生物質粒子無機又は有機顔
料のような電荷発生物質粒子が電荷担䜓を発生
する。この堎合、電荷搬送媒䜓は䞻ずしお電荷
発生物質粒子が発生する電荷担䜓を受入れ、こ
れを搬送する䜜甚を担圓しおいる。そしお、この
感光䜓にあ぀おは電荷発生物質ずα−眮換スチル
ベン化合物ずが互いに䞻ずしお可芖領域においお
吞収波長領域が重ならないずいうのが基本的条件
である。これは電荷発生物質粒子は電荷担䜓を
効率よく発生させるためには、電荷発生物質粒子
衚面たで、光を透過させる必芁があるからであ
る。䞀般匏で衚わさせる化合物は可芖領域
にほずんど吞収がなく、䞀般に可芖領域の光線を
吞収し、電荷担䜓を発生する電荷発生物質粒子
ず組合せた堎合、特に有効に電荷搬送物質粒子ず
しお働くのがその特城である。 第図における感光䜓は、導電性支持䜓䞊に
電荷発生物質を䞻䜓ずする電荷発生局ずα−
眮換スチルベン化合物ず結着剀を含有る電荷搬送
媒䜓ずの積局からなる感光局″が蚭けられた
ものである。この感光䜓では、電荷搬送局を透
過した光が電荷発生局に到達し、その領域で電
荷担䜓の発生が起こり、䞀方、電荷搬送局は電
荷担䜓の泚入を受け、その搬送を行なうもので、
光枛衰に必芁な電荷担䜓の発生は、電荷発生物質
粒子で行なわれ、たた電荷担䜓の搬送は、電荷
搬送局䞻ずしお䞀般匏の化合物が働
くで行なわれる。こうした機構は第図に瀺し
た感光䜓においおした説明ず同様である。又、電
荷発生局ず電荷搬送局ずの積局順を逆にしお
もよいこずは容易に理解されよう。 第図に瀺した感光䜓を䜜補するには、皮又
は皮以䞊のα−眮換スチルベン化合物ず結合剀
ず溶解した溶液に電荷発生物質の埮粒子ず分散
せしめ、これを導電性支持䜓䞊に塗垃し、也燥
しお感光局′を圢成すればよい。 感光局′の厚さは〜50Ό、奜たしくは
〜20Όが適圓である。感光局′に占めるα−
眮換スチルベン化合物の量は10〜95重量、奜た
しくは30〜90重量であり、たた、感光局′に
占める電荷発生物質の量は0.1〜50重量奜た
しくは〜20重量である。電荷発生物質ずし
おは、䟋えばセレン、セレン−テルル、硫化カド
ミりム、硫化カドミりム−セレン、α−シリコン
などの無機顔料、有機顔料ずしおは䟋えばシヌア
むピグメントブル−25カラヌむンデツクス
CI21180、シヌむアピグメントレツド41CI
21200、シヌアむアシツドレツド52CI 45100、
シヌアむベヌシツクレツドCI 45210、カル
バゟヌル骚栌を有するアゟ顔料特開昭53−
95033号公報に蚘茉、ゞスチリルベンれン骚栌を
有するアゟ顔料特開昭53−133445号公報に蚘
茉、トリプニルアミン骚栌を有するアゟ顔料
特開昭53−132347号公報に蚘茉、ゞベンゟチオ
プン骚栌を有するアゟ顔料特開昭54−21728
号公報に蚘茉、オキサゞアゟヌル骚栌を有する
アゟ顔料特開昭54−12742号公報に蚘茉、フル
オレノン骚栌を有するアゟ顔料特開昭54−
22834号公報に蚘茉、ビススチルベン骚栌を有す
るアゟ顔料特開昭54−17733号公報に蚘茉、ゞ
スチリルオキサゞアゟヌル骚栌を有するアゟ顔料
特開昭54−2129号公報に蚘茉、ゞスチリルカル
バゟヌル骚栌を有するアゟ顔料特開昭54−
14976号公報に蚘茉などのアゟ顔料、䟋えばシ
ヌアむピグメントブルヌ16CI 741100などの
フタロシアニン系顔料、䟋えばシヌアむバツトブ
ラりンCI 73410、シヌアむバツトダむCI
73030などのむンゞゎ系顔料、アルゎスカヌレ
ツトバむ゚ル瀟補、むンダスレンスカヌレツ
トバむ゚ル瀟補などのペリレン系顔料など
が挙げられる。なお、これらの電荷発生物質は単
独で甚いられおも皮類以䞊が䜵甚されおもよ
い。 又、第図に瀺した感光䜓を䜜補するには、導
電性支持䜓䞊に電荷発生物質を真空蒞着するか
或いは、電荷発生物質の埮粒子を必芁によ぀お
結合剀を溶解した適圓に溶媒䞭に分散した分散液
を塗垃し也燥するかしお、曎に必芁であればバフ
研磚などの方法によ぀お衚面仕䞊げ、膜厚調敎な
どを行぀お電荷発生局を圢成し、この䞊に皮
又は皮以䞊α−眮換スチルベン化合物ず結合剀
ずを溶解した溶液を塗垃し也燥しお電荷搬送局
を圢成すればよい。なお、ここで電荷発生局の
圢成に甚いられる電荷発生物質は前蚘の感光局
′の説明においおしたのず同じものである。 電荷発生局の厚さは5Ό以䞋奜たしくは2ÎŒ
以䞋であり、電荷搬送局の厚さは〜50Ό
奜たしくは〜20Όが適圓である。電荷発生局
が電荷発生物質の埮粒子を結合剀䞭に分散さ
せたタむプのものにあ぀おは、電荷発生物質の埮
粒子の電荷発生局に占める割合は10〜95重量
、奜たしくは50〜90重量皋床である。たた、
電荷搬送局に占めるα−眮換スチルベン化合物
の量は、10〜95重量奜たしくは30〜90重量で
ある。 なお、これらのいずれの感光䜓補造においおは
導電性支持䜓に、アルミニりムなどの金属板又
は金属箔、アルミニりムなどの金属を蒞着したプ
ラスチツクフむルム、あるいは、導電凊理を斜し
た玙などを甚いられる。たた、結合剀ずしおは、
ポリアミド、ポリりレタン、ポリ゚ステル、゚ポ
キシ暹脂、ポリケトン、ポリカヌボネヌトなどの
瞮合暹脂や、ポリビニルケトン、ポリスチレン、
ポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリアクリルア
ミドのようなビニル重合䜓などが甚いられるが、
絶瞁性でか぀接着性のある暹脂はすべお䜿甚がで
きる。必芁により可塑剀が結合剀に加えられる
が、そうした可塑剀ずしおはハロゲン化パラフむ
ン、ポリ塩化ビプニル、ゞメチルナフタリン、
ゞブチルフタレヌトなどが䟋瀺できる。 曎に、以䞊のようにしお埗られる感光䜓には、
導電性支持䜓ず感光局の間に、必芁に応じお接着
局又はバリダ局を蚭けるこずができる。これらの
局に甚いられる材料ずしおは、ポリアミド、ニト
ロセルロヌス、酞化アルミニりムなどであり、た
た膜厚は1Ό以䞋が奜たしい。 本発明の感光䜓を甚いお被写を行なうには、感
光面に垯電、露光を斜した埌、珟像を行ない、必
芁によ぀お、玙などぞ転写を行なう。本発明の感
光䜓は感床が高く、たた可撓性に富むなどの優れ
た利点を有しおいる。 以䞋に䟋瀺化合物No.13の補造䟋を瀺す。 補造䟋 −トリ−−ブチルホスホニりムフルオレニ
リド4.40ず4′−ゞメチル−4″−ホルミルト
リプニルアミン3.62を也燥ベンれン40ml溶解
し、窒玠気流䞋時間加熱還流した。宀枩たで冷
华埌溶媒を枛圧䞋留去したのちカラムクロマト
シリカゲル、溶離液トル゚ン凊理した。埗ら
れた黄橙色粉末を酢酞゚チルず゚タノヌルの混合
溶媒から再結晶し黄橙色プリズム状結晶の−
−−ゞ−−トリルアミノベンゞリ
デンフルオレン䟋瀺化合物No.131.64を埗
た。融点は149.5〜150.5℃であ぀た。 元玠分析倀はC14H27Nずしお䞋蚘のずおりであ
぀た。
【衚】 以䞋に実斜䟋を瀺す。䞋蚘実斜䟋においお郚は
すべお重量郚である。 実斜䟋  電荷発生物質ずしおダむアンブルヌシヌアむ
ピグメントブルヌ25、CI2118076郚、ポリ゚ス
テル暹脂バむロン200、(æ ª)東掋玡瞟補の
テトラヒドロフラン溶液1260郚およびテトラヒド
ロフラン3700郚をボヌルミル䞭で粉砕混合し、埗
られた分散液をアルミニりム蒞着したポリ゚ステ
ルベヌスよりなる導電性支持䜓のアルミニりム面
䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗垃し、自然也燥
しお厚さ玄1Όの電荷発生局を圢成した。 䞀方、電荷搬送物質ずしおNo.の眮換スチルベ
ン化合物郚、ポリカヌボネヌト暹脂パンラむ
トK1300、(æ ª)垝人補郚およびテトラヒドロフ
ラン16郚を混合溶解しお溶液ずした埌、これを前
蚘電荷発生局䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗垃
し、80℃で分間、぀いで105℃で分間也燥し
お厚さ玄20Όの電荷搬送局を圢成せしめお感光
䜓No.を䜜成した。 実斜䟋 〜10 電荷発生物質および電荷搬送物質α−眮換ス
チルベン化合物を衚に瀺したものに代えた以
倖は実斜䟋ずた぀たく同様にしお感光䜓No.〜
18を䜜成した。
【衚】
【衚】
【衚】 実斜䟋 11 厚さ玄300Όのアルミニりム板䞊に、セレン
を厚さ玄1Όに真空蒞着しお電荷発生局を圢成
せしめた。次いでNo.のα−眮換スチルベン化合
物郚、ポリ゚ステル暹脂デナポン瀟補ポリ゚
ステルアドヒ−シブ49000郚およびテトラヒ
ドロフラン45郚を混合、溶解しお電荷搬送局圢成
液を぀くり、これを䞊蚘の電荷発生局セレン蒞
着局䞊なドクタヌブレヌドを甚いお塗垃し、自
然也燥した埌、枛圧䞋で也燥しお厚さ玄10Όの
電荷搬送局を圢成せしめお、本発明の感光䜓No.11
を埗た。 実斜䟋 12 セレンの代りにペリレン系顔料 を甚いお電荷発生局䜆し、厚さ玄0.3Όを圢
成し、たたα−眮換スチルベン化合物をNo.の代
りにNo.のものを甚いた以倖は実斜䟋10ずた぀た
く同様にしお感光䜓No.12を䜜成した。 実斜䟋 13 ダむアンブルヌ実斜䟋で甚いたものず同
じ郚にテトラヒドロフラン158郚を加えた混
合物をボヌルミル䞭で粉砕、混合した埌、これに
No.のα−眮換スチルベン化合物12郚、ポリ゚ス
テル暹脂デナポン瀟補ポリ゚ステルアドヒヌシ
ブ4900018郚を加えお、さらに混合しお埗た感
光局圢成液を、アルミニりム蒞着ポリ゚ステルフ
むルム䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗垃し、
100℃で30分間也燥しお厚さ玄16Όの感光局を
圢成しめお、本発明の感光䜓No.13を䜜成した。 かくしお぀くられた感光䜓No.〜13に぀いお、
垂販の静電耇写玙詊隓装眮KK川口電機補䜜所
補SP 428型を甚いお−6KV又は6KVのコロ
ナ攟電を20秒間行な぀お垯電せしめた埌、20秒間
暗所に攟眮し、その時の衚面電䜍Vppボルト
を枬定し、぀いでタングステンランプ光を感光䜓
衚面の照床が20ルツクスになるよう照射しおその
衚面電䜍がVppの1/2になるたでの時間秒を
求め、露光量1/2ルツクス・秒を算出した。
その結果を衚に瀺す。 たた、以䞊の各感光䜓を垂販の電子写真耇写機
を甚いお停電せしめた埌、原図を介しお光照射を
行な぀お静電朜像を圢成せしめ、也匏珟像剀を甚
いお珟像し、埗られた画像トナヌ画像を普通
玙䞊に静電転写し、定着したずころ、鮮明な転写
画像が埗られた。珟像剀ずしお湿匏珟像剀を甚い
た堎合にも同様に鮮明な転写画像が埗られた。
【衚】 効 果 本発明の感光䜓は感光特性に優れおいるこずは
勿論のこず、熱や機械的の衝撃に察する匷床が倧
で、しかも安䟡に補造するこずができる。
【図面の簡単な説明】
第図及び第図は本発明にかかわる電子写真
感光䜓の厚さ方向に拡倧した断面図である。   導電性支持䜓、′″  感光局、
  電荷発生物質、  電荷搬送媒䜓又は電荷
搬送局、  電荷発生局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に䞋蚘䞀般匏で瀺され
    る電荷搬送物質ず暹脂結着剀ずからなる電荷搬送
    媒䜓䞭に少くずも電荷発生物質粒子を分散しおな
    る機胜分離型感光局を有するこずを特城ずする電
    子写真甚感光䜓。 匏䞭、Ar1及びAr2は、眮換もしくは無眮換の
    アリヌル基䜆し、同時に無眮換プニル基の堎
    合は陀く、又は共同しお環を圢成する基を衚し、
    Ar3は、眮換又は無眮換のアリヌレン基を衚し、
    R1、R2及びR3は、氎玠原子、眮換もしくは無眮
    換のアルキル基又は眮換もしくは無眮換アリヌル
    基を衚わし、䞊蚘アリヌル基及びアリヌレン基の
    眮換基は、アルコキシ基、プノキシ基、アルキ
    ル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、
    たたはニトロ基である。は又はの敎数であ
    る。  導電性支持䜓䞊に、電荷発生局ず䞋蚘䞀般匏
    で瀺される電荷搬送物質及び暹脂結着剀ず
    からなる電荷搬送局ずを積局しお圢成される機胜
    分離型感光局を有するこずを特城ずする電子写真
    甚感光䜓。 匏䞭、Ar1及びAr2は、眮換もしくは無眮換の
    アリヌル基䜆し、同時に無眮換プニル基の堎
    合は陀く、又は共同しお環を圢成する基を衚し、
    Ar3は、眮換又は無眮換のアリヌレン基を衚し、
    R1、R2及びR3は、氎玠原子、眮換もしくは無眮
    換のアルキル基又は眮換もしくは無眮換アリヌル
    基を衚わし、䞊蚘アリヌル基及びアリヌレン基の
    眮換基は、アルコキシ基、プノキシ基、アルキ
    ル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、
    たたはニトロ基である。は又はの敎数であ
    る。
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