JPH0465862A - 半導体外囲器 - Google Patents

半導体外囲器

Info

Publication number
JPH0465862A
JPH0465862A JP90178919A JP17891990A JPH0465862A JP H0465862 A JPH0465862 A JP H0465862A JP 90178919 A JP90178919 A JP 90178919A JP 17891990 A JP17891990 A JP 17891990A JP H0465862 A JPH0465862 A JP H0465862A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
blade
piezoelectric
substrate
heat
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP90178919A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Aoki
登 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP90178919A priority Critical patent/JPH0465862A/ja
Publication of JPH0465862A publication Critical patent/JPH0465862A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、半導体チップを支持し、かつ冷却する半導
体外囲器に関する。
(従来の技術) 半導体チップは発熱体であるため、電子機器中において
、この半導体チップを支持し冷却する装置か必要となる
。例えば、論理回路を含む超LSIは、収納する回路規
模か大きいために発熱量も大きく、ピングリッドアレイ
パッケージと呼ばれる半導体外囲器によって支持されて
いる。
第6図は、従来のピングリッドアレイパッケージを示す
断面図である。
発熱体としての半導体チップ1は、多層配線を施したセ
ラミック基板2上に設置され、このセラミック基板2に
多数の端子ピン3が埋設されている。半導体チップ1は
、ワイヤ4を用いてワイヤボンディングにより端子ピン
3と電気的に接続される。また、半導体チップ1は、下
部接続部材5および上部接続部材6を介してヒートシン
ク7に連接される。このヒートシンク7には多数のフィ
ン8か形成され、このフィン8を通して、半導体チップ
1にて発生した熱か大気中に放散される。
(発明か解決しようとする課題) 上述のようなセラミックピングリッドアレイパッケージ
では、ヒートシンク7のフィン8へ、図示しない送風機
等を用いて強制風を送る必要がある。あるいは、送風機
を設置しない場合には、フィン8の面積を大きくしなけ
ればならない。
ところが、半導体チップ1を内蔵する電子機器等の小型
化の要請に伴い送風機を設置できない場合、あるいは送
風機を設置できても充分な流路設計ができず、ヒートシ
ンク7のフィン8へ−様な冷却風を供給できない場合、
さらには送風機1を設置しない場合にフィン8を大型化
し得るに足る充分なスペースを確保できない場合には、
放熱効果が不充分となるおそれがある。
この発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、
送風機を設置できない狭隘な場所でも放熱効果を向上さ
せることかできる半導体外囲器を提供することを目的と
する。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) この発明は、半導体チップを設置可能とし多数の端子ピ
ンが埋設された外囲部と、この外囲部および上記半導体
チップに接続部材を介して連接されて上記半導体チップ
からの熱を大気中へ放散するヒートシンクと、を有して
構成され、上記ヒートシンクは、上記接続部材に固着さ
れた熱導入部と、この熱導入部に取り付けられた圧電フ
ァンとを備えて成り、上記圧電ファンは、基板の基部に
圧電部材が貼着され、上記基板の先端部が振動可能なブ
レードとして熱を放散する機能を有することを特徴とす
るものである。
(作用) したがって、この発明に係る半導体外囲器によれば、ヒ
ートシンクを構成する圧電ファンのブレードが振動して
風を起こすので、半導体チップからの熱は、このブレー
ドが起こす風によってブレードより効率よく放熱され、
放熱効果が向上する。
(実施例) 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図はこの発明に係る半導体外囲器の第1実施例か適
用されたピングリッドアレイパッケージを半導体チップ
等と共に示し、第2図におけるI−■線に沿う断面図で
ある。
ピングリッドアレイパッケージ10は、外囲部としての
セラミック基板11と、このセラミック基板11の中央
部に設置された接続部材12と、この接続部材12に接
着されたヒートシンク13と、を有して構成される。
セラミック基板11の中央部には凹部14が形成され、
上記接続部材12は、この凹部14に配設される。また
、セラミック基板11内には多層配線が施され、各配線
が多数の端子ピン15に電気的に接続される。これらの
端子ピン15は、セラミック基板11の第1図における
下面に植設されて、回路基板の端子に接続される。
上記接続部材12の第1図における下面に、半導体チッ
プ16の背面(回路面と反対側の面)か接着される。こ
の半導体チップ16は、ワイヤ17を用いて、セラミッ
ク基板11内の多層配線にワイヤボンディングにより電
気的に接続される。
上記セラミック基板11はAf1203セラミック、S
iCセラミックあるいはINセラミック等のように、絶
縁性に富み、かつ熱伝導性の良好なセラミック材から構
成される。また、接続部材12はCu−W合金、その他
のCu合金あるいはCu単体金属等から構成され、熱伝
導性が良好であると共に、セラミック基板11と熱膨張
率が近い金属が選択される。
また、セラミック基板11の凹部14はキャップ18に
よって覆われ、この凹部14内にガスが封入される。キ
ャップ18はセラミック基板11にシールウェルドされ
てガスの漏洩が防止され、半導体チップ16はこの凹部
14内のガスによって防湿される。
さて、ヒートシンク13は熱導入部19および圧電ファ
ン20を備えて構成され、熱導入部19が接続部材12
に直接接着される。また、圧電ファン20は一般的なヒ
ートシンクのフィンに相当し、後述のブレード23が放
熱部となる。
この圧電ファン20は、第2図に示すように、熱導入部
19の周方向例えば4ケ所から放射状に延出して配置さ
れる。各圧電ファン20は、基板21の基部、つまり熱
導入部19の近傍に圧電部材としての圧電セラミックス
22が貼着されて構成される。この圧電セラミックス2
2は、基板21の表面および裏面に貼着されて、バイモ
ルフ構造に構成される。基板21の先端部が、振動可能
なブレード23となる。
このブレード23は基板21の幅方向に延びて幅広に形
成され、基板21の基部よりも面積大に形成される。ま
た、基板21と圧電セラミックス22との間に、図示し
ない交流電圧が印加される。
この交流電圧の周波数は、ブレード23の固有振動数と
路間−に設定される。なお、符号24は、各圧電ファン
20を熱導入部19に固定するための基板押えである。
上記基板21および熱導入部19はCu−W合金、Cu
合金あるいはA1合金等の熱伝導性の良好な材料から構
成される。また、熱導入部19を接続部材12に接着す
る接着剤は、半導体チップ16を接続部材12に接着す
る接着剤と同様に、熱伝導性の良好な特性を有するもの
、例えば東芝シリコーン社製シリコングリース(YG6
260)か用いられる。
次に、作用・効果を説明する。
半導体チップ16からの熱は、接続部材12およびヒー
トシンク13の熱導入部19を経て、ヒートシンク13
の圧電ファン20へ至る。圧電ファン20の圧電セラミ
ックス22は金属に比べて熱伝導率か極めて低いので、
この部分からの放熱は殆ど無く、ブレード23から放熱
される。
この状態で、圧電ファン20の基板21および圧電セラ
ミックス22間に交流電圧を印加すると、圧電セラミッ
クス22か伸縮し、基板21は熱導入部19の軸方向に
屈曲運動する。この基板21の屈曲運動によりブレード
23か振動する。ブレード23の振動数は、上記交流電
圧の周波数と−致し、この交流電圧の周波数はブレード
23部の固有振動数と略同程度であるので、ブレード2
3は共振し、大きく振動する。このブレード23の振動
により、各圧電ファン20のブレート23近傍に、第1
図矢印Aで示す空気流(風)か形成される。この空気流
(風)は、各圧電ファン20のブレード23において一
様に発生し、約2〜3m/秒の風速となる。
このように、ヒートシンク13の放熱部としてのブレー
ド23の表面および裏面に一様に空気流が形成され、こ
の空気流が約2〜3m/秒の風速を有するので、従来の
ピングリッドアレイパッケージ(第6図)におけるヒー
トシンク7のように放熱部()オン8)が振動しないも
のに比べ、極めて大きな放熱効果を発揮できる。
特に、ブレード23たる基板21の先端部は、基板21
の基部よりも幅広で面積大に形成されているので、振動
する放熱部の面積か大きくなり、放熱効果を一層向上さ
せることができる。
また、ヒートシンク13の熱導入部19は接続部材12
を介してセラミック基板11に連接され、セラミック基
板11に直接接着されていないので、このセラミック基
板11との間で熱膨張率の相違を考慮する必要がない。
この結果、熱伝導率を考慮して熱導入部19の材質を決
定すればよいので、この熱導入部19の熱伝導性を良好
にてきる。
また、上述のように放熱効果が大きいので、同一程度の
放熱効果を発揮させるために、ヒートシンク13の放熱
面(ブレード23)の面積を小さくてきる。この結果、
ヒートシンク13を小型化でき、送風機等の設置できな
い狭隘な場所でも、このヒートシンク13を備えたピン
グリッドアレイパッケージ10を設置できる。
このように、ヒートシンク13を小型化できるので、ヒ
ートシンク13の消費電力も送風機の場合に比べ著しく
節約でき、ひいてはピングリッドアレイパッケージ10
を取り付けた電子機器の小型化および節電も達成できる
さらに、従来のピングリッドアレイパッケージ(第6図
)では、自然対流を用いてヒートシンク7を機能させる
場合に、フィン8の延在方向か垂直になるように設定す
る必要がある。これに対し、この第1実施例のヒートシ
ンク13を備えたピングリッドアレイパッケージ10で
は、ヒートシンク13の圧電ファン20がブレード23
に−様な風を発生させるので、ヒートシンク13の設置
方向を考慮する必要がなく、半導体チップ16を固定し
たピングリッドアレイパッケージ10(ピングリッドア
レイ)をどのような方向に取り付けることもできる。
第3図は、この発明に係る半導体外囲器の第2実施例が
適用されたピングリッドアレイパッケージを半導体チッ
プと共に示す断面図である。この第2実施例において、
前記第1実施例と同様な部分は、同一の符号を付すこと
により説明を省略する。
この第2実施例のピングリッドアレイパッケージ30が
前記第1実施例のピングリッドアレイパッケージ10と
異なるのは、接続部材の構成である。つまり、この第2
実施例では、接続部材は上部接続部材31および下部接
続部材32から構成される。上部接続部材31は平板形
状であり、この接続部材31の下面に下部接続部材32
が接着され、この下部接続部材32の下面に半導体チッ
プ16の背面が貼着される。上部接続部材31は、凹部
14を臨むセラミック基板11に架は渡されるようにし
て固着され、この上部接続部材31の上面にヒートシン
ク13の熱導入部19が接着される。半導体チップ16
、上部接続部材31、下部接続部材32および熱導入部
19を接着する接着剤は、熱伝導′性の良好なものが選
択される。また、上部接続部材31および下部接続部材
32はCu合金、Cu−W合金等あるいはCu単体金属
から構成され、このうち上部接続部材31は、セラミッ
ク基板11と熱膨張率の近い材質が選択される。
この第2実施例においても、前記第1実施例と同様な効
果を奏し、特にヒートシンク13の熱導入部19が上部
接続部材31および下部接続部材32を介してセラミッ
ク基板11に連接されたので、熱導入部19はセラミッ
ク基板11との熱膨張率を考慮せず、熱伝導性の良好な
材質を選択できる。
第4図および第5図は、この発明に係る半導体外囲器の
第3および第4実施例をそれぞれ適用したピングリッド
アレイパッケージを示す平面図である。これらの第3お
よび第4実施例において、前記第1実施例と同様な部分
は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
第3実施例のピングリッドアレイパッケージ40が第1
実施例のピングリッドアレイパッケージ10と異なるの
は、ヒートシンク41の圧電ファン42を構成する基板
43の形状である。つまり、基板43は、熱導入部19
の側(基部)から先端部へ向って、その幅が漸次拡大し
て形成される。
したがって、この第3実施例の場合にも前記第1実施例
と同様の効果を奏し、特にブレード44として機能する
基板43の先端部が基板43の基部より面積大に形成さ
れたので、パッケージ上の面積を有効に利用でき、放熱
面積が増し、放熱効果を増大させることができる。
第4実施例におけるピングリッドアレイパッケージ50
では、ヒートシンク51の圧電ファン52を構成する基
板53は、圧電セラミックス22が固着された基部と、
ブレード54として機能する先端部とがほぼ同一幅に形
成される。したがって、この第4実施例では、放熱効果
は第1〜第3実施例に比べて低いものの、その他の点で
はこれらの実施例と同様な効果を奏する。
なお、第1〜第4実施例では、熱導入部19の軸方向に
一段の圧電ファン20,42.52が配置され、この−
段が4枚の圧電ファン20.42゜52から構成される
ものにつき説明したが、熱導入部22に2段以上の圧電
ファン20. 42. 52を取り付けてもよく、また
各段を5枚以上の圧電ファン20.42.52で構成し
てもよい。
さらに、上記第1〜第4実施例によれば、各圧電ファン
20,42.52の基板2i、  43. 53がそれ
ぞれ別々に分離しているものにつき説明したか、1枚の
金属板を正面略十字形状とし、この金属板の各放射上片
を各圧電ファン20. 42゜52の基板21,43.
53とするように構成してもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る半導体外囲器によれば、
半導体チップを設置可能とし、多数の端子ピンが埋設さ
れた外囲部と、この外囲部および上記半導体チップに接
続部材を介して連接されて上記半導体チップからの熱を
大気中へ放散するヒートシンクと、を有して構成され、
上記ヒートシンクの圧電ファンは、基板の基部に圧電部
材が貼着され、上記基板の先端が振動可能なブレードと
して機能するよう構成されたことから、半導体チップに
て発生した熱をブレードが起こす風によって効率よく放
熱できる。この結果、送風機等を設置できない狭隘な場
所でも、半導体外囲器の放熱効果を向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る半導体外囲器の第1実施例が適
用されたピングリッドアレイパッケージを半導体チップ
等と共に示し、第2図におけるII線に沿う断面図、第
2図は第1図における■矢視図、第3図はこの発明に係
る半導体外囲器の第2実施例が適用されたピングリッド
アレイパッケージを半導体チップ等と共に示す断面図、
第4図および第5図はこの発明に係る半導体外囲器の第
3および第4実施例かそれぞれ適用されたピングリッド
アレイパッケージを示す平面図、第6図は従来のピング
リッドアレイパッケージを半導体チップ等と共に示す断
面図である。 10・・・ピングリッドアレイパッケージ、11・・・
セラミック基板、12・・・接続部材、13・・・ヒー
トシンク、15・・・端子ピン、16・・・半導体チッ
プ、19・・・熱導入部、20・・・圧電ファン、21
・・・基板、22・・・圧電セラミックス、23・・・
ブレード。 第2II $61!1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体チップを設置可能とし多数の端子ピンが埋設さ
    れた外囲部と、この外囲部および上記半導体チップに接
    続部材を介して連接されて上記半導体チップからの熱を
    大気中へ放散するヒートシンクと、を有して構成され、
    上記ヒートシンクは、上記接続部材に固着された熱導入
    部と、この熱導入部に取り付けられた圧電ファンとを備
    えて成り、上記圧電ファンは、基板の基部に圧電部材が
    貼着され、上記基板の先端部が振動可能なブレードとし
    て熱を放散する機能を有することを特徴とする半導体外
    囲器。
JP90178919A 1990-07-06 1990-07-06 半導体外囲器 Pending JPH0465862A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90178919A JPH0465862A (ja) 1990-07-06 1990-07-06 半導体外囲器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP90178919A JPH0465862A (ja) 1990-07-06 1990-07-06 半導体外囲器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0465862A true JPH0465862A (ja) 1992-03-02

Family

ID=16056944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP90178919A Pending JPH0465862A (ja) 1990-07-06 1990-07-06 半導体外囲器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0465862A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003071132A2 (en) * 2002-02-15 2003-08-28 Siemens Technology-To-Business Center, Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7742299B2 (en) * 2008-05-09 2010-06-22 Intel Corporation Piezo fans for cooling an electronic device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003071132A2 (en) * 2002-02-15 2003-08-28 Siemens Technology-To-Business Center, Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7061161B2 (en) 2002-02-15 2006-06-13 Siemens Technology-To-Business Center Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7282837B2 (en) 2002-02-15 2007-10-16 Siemens Technology-To-Business Center Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
WO2003071132A3 (en) * 2002-02-15 2007-12-21 Siemens Tech To Business Ct Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7358649B2 (en) 2002-02-15 2008-04-15 Siemens Technology-To-Business Center, Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7417359B2 (en) 2002-02-15 2008-08-26 Siemens Technology-To-Business Center, Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7742299B2 (en) * 2008-05-09 2010-06-22 Intel Corporation Piezo fans for cooling an electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2938704B2 (ja) 集積回路パッケージ
JP2901835B2 (ja) 半導体装置
JPH06310883A (ja) 内部リブ付一体型ヒートシンクと両面部品分布を有する可とうプリント配線基板とを含む電子モジュール
JPH0465862A (ja) 半導体外囲器
JPH08204070A (ja) 電子部品の冷却構造
JPH0465863A (ja) 半導体外囲器
JPH0773122B2 (ja) 封止型半導体装置
JPH02181957A (ja) ヒートシンク
JP2002026214A (ja) 電子部品冷却装置
JPH03182397A (ja) Icカード
JPH06252299A (ja) 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板
JP2961976B2 (ja) ヒートシンク付半導体パッケージ
JPH0983165A (ja) 電子機器冷却装置
JP2919313B2 (ja) プリント配線基板及びその実装方法
JPH0799272A (ja) 電子回路実装体
JPH09226280A (ja) カードモジュール
JP2001110955A (ja) 放熱部材及び放熱電子部品
JP2008288379A (ja) 半導体パッケージ
JPH0465864A (ja) ヒートシンク
JPH04196345A (ja) 金属基板の構造
JPH04219966A (ja) 半導体素子
JPH07231055A (ja) モジュール構造
JP3714808B2 (ja) 半導体装置
JPH03250794A (ja) 半導体装置
JPH0832187A (ja) モジュール基板及びそれを用いた電子装置