JPH0465863A - 半導体外囲器 - Google Patents

半導体外囲器

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Publication number
JPH0465863A
JPH0465863A JP2178920A JP17892090A JPH0465863A JP H0465863 A JPH0465863 A JP H0465863A JP 2178920 A JP2178920 A JP 2178920A JP 17892090 A JP17892090 A JP 17892090A JP H0465863 A JPH0465863 A JP H0465863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
blade
substrate
heat
piezoelectric
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP2178920A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Aoki
登 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP2178920A priority Critical patent/JPH0465863A/ja
Publication of JPH0465863A publication Critical patent/JPH0465863A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、半導体チップを支持し、かつ冷却する半導
体外囲器に関する。
(従来の技術) 半導体チップは発熱体であるため、電子機器中において
、この半導体チップを支持し冷却する装置が必要となる
。例えば、論理回路を含む超LSIは、収納する回路規
模か大きいために発熱量も大きく、ピングリッドアレイ
パッケージと呼ばれる半導体外囲器によって支持されて
いる。
第6図は、従来のピングリッドアレイパッケージを示す
断面図である。
発熱体としての半導体チップ1は、多層配線を施したセ
ラミック基板2上に設置され、このセラミック基板2に
多数の端子ピン3が埋設されている。半導体チップ1は
、ワイヤ4を用いてワイヤボンディングにより端子ピン
3と電気的に接続される。また、半導体チップ1は、下
部接続部材5および上部接続部材6を介してヒートシン
ク7に連接される。このヒートシンク7には多数のフィ
ン8が形成され、このフィン8を通して、半導体チップ
1にて発生した熱か大気中に放散される。
(発明が解決しようとする課題) 上述のようなセラミックピングリッドアレイパッケージ
では、ヒートシンク7のフィン8へ、図示しない送風機
等を用いて強制風を送る必要がある。あるいは、送風機
を設置しない場合には、フィン8の面積を大きくしなけ
ればならない。
ところが、半導体チップ1を内蔵する電子機器等の小型
化の要請に伴い送風機を設置できない場合、あるいは送
風機を設置できても充分な流路設計ができず、ヒートシ
ンク7のフィン8へ−様な冷却風を供給できない場合、
さらには送風機1を設置しない場合にフィン8を大型化
し得るに足る充分なスペースを確保できない場合には、
放熱効果が不充分となるおそれがある。
この発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、
送風機を設置できない狭隘な場所でも放熱効果を向上さ
せることかできる半導体外囲器を提供することを目的と
する。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) この発明は、半導体チップを設置可能とし多数の端子ピ
ンか埋設された外囲部と、この外囲部および上記半導体
チップに連接されて上記半導体チップからの熱を大気中
へ放散するヒートシンクと、を有して構成され、上記ヒ
ートシンクは、上記外囲部に固着されるとともに上記半
導体チップに直接接触可能に設けられた熱導入部と、こ
の熱導入部に取り付けられた圧電ファンとを備えて成り
、上記圧電ファンは、基板の基部に圧電部材が貼着され
、上記基板の先端部が振動可能なブレードとして機能す
ることを特徴とするものである。
(作用) したがって、この発明に係る半導体外囲器によれば、ヒ
ートシンクを構成する圧電ファンのブレードが振動して
風を起こすので、半導体チップからの熱は、このブレー
ドが起こす風によってブレードより効率よく放熱され、
放熱効果が向上する。
しかも、半導体チップがヒートシンクの熱導入部に直接
接触可能に構成されるので、半導体チップおよびヒート
シンク間の接触熱抵抗を著しく低減できる。この結果、
半導体外囲器の放熱効果をより一層向上させることがで
きる。
(実施例) 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図はこの発明に係る半導体外囲器の第1実施例が適
用されたピングリッドアレイパッケージを半導体チップ
等と共に示し、第2図における■−■線に沿う断面図で
ある。
ピングリッドアレイパッケージ10は、中央部に凹部1
3が形成された外囲部としてのセラミック基板11と、
このセラミック基板11の凹部13に配設されたヒート
シンク12と、を有して構成される。このヒートシンク
12は、後に後述する如く、熱導入部14および圧電フ
ァン15を有して構成され、この熱導入部14がセラミ
ック基板11に直接固着される。
セラミック基板ll内には多層配線が施され、各配線が
多数の端子ピン16に電気的に接続される。
これらの端子ピン16は、セラミック基板11の第1図
における下面に植設されて、回路基板の端子に接続され
る。
上記ヒートシンク12の熱導入部14の第1図における
下面に、半導体チップ17の背面(回路面と反対側の面
)が接着される。この半導体チップ17は、ワイヤ18
を用いて、セラミック基板11内の多層配線にワイヤボ
ンディングにより電気的に接続される。
上記セラミック基板11はへ12o3セラミック、Si
CセラミックあるいはAlNセラミック等のように、絶
縁性に富み、かつ熱伝導性の良好なセラミック材から構
成される。また、セラミック基板11の凹部13はキャ
ップ14によって覆われ、この凹部13内にガスが封入
される。キャップ19はセラミック基板11にシールウ
ェルドされてガスの漏洩が防止され、半導体チップ17
はこの凹部13内のガスによって防湿される。
さて、ヒートシンク12は、前述のように熱導入部19
および圧電ファン15を備えて構成され、圧電ファン1
5は一般的なヒートシンクのフィンに相当し、後述のブ
レード22が放熱部となる。
この圧電ファン15は、第2図に示すように、熱導入部
14の周方向例えば4ケ所から放射状に延出して配置さ
れる。各圧電ファン15は、基板20の基部、つまり熱
導入部14の近傍に圧電部材としての圧電セラミックス
21が貼着されて構成される。この圧電セラミックス2
1は、基板20の表面および裏面に貼着されて、バイモ
ルフ構造に構成される。基板20の先端部が、振動可能
なブレード22となる。
このブレード22は基板20の幅方向に延びて幅広に形
成され、基板20の基部よりも面積大に形成される。ま
た、基板20と圧電セラミックス21との間に、図示し
ない交流電圧が印加される。
この交流電圧の周波数は、ブレード22の固有振動数と
路間−に設定される。なお、符号23は、各圧電ファン
15を熱導入部14に固定するためのフィン押えである
上記基板20および熱導入部14はCu−W合金、Cu
合金あるいはA1合金等の熱伝導性の良好な材料から構
成される。このうち、熱導入81に14は、さらにセラ
ミック基板11と熱膨張率の近い特質を有する金属が選
定される。熱導入部14とセラミック基板11との接着
は、両者の中間的な熱膨張係数を持った金属により化学
的に融合させる。
次に、作用・効果を説明する。
半導体チップ17からの熱は、ヒートシンク12の熱導
入部14を経て、ヒートシンク12の圧電ファン15へ
至る。圧電ファン15の圧電セラミックス21は金属に
比べて熱伝導率が極めて低いので、この部分からの放熱
は殆ど無く、ブレード22から放熱される。
この状態で、圧電ファン15の基板20および圧電セラ
ミックス21間に交流電圧を印加すると、圧電セラミッ
クス21が伸縮し、基板20は熱導入部14の軸方向に
屈曲運動する。この基板20の屈曲運動によりブレード
22が振動する。ブレード22の振動数は、上記交流電
圧の周波数と−致し、この交流電圧の周波数はブレード
22部の固有振動数と略同程度であるので、ブレード2
2は共振し、大きく振動する。このブレード22の振動
により、各圧電ファン15のブレード22近傍に、第1
図矢印Aで示す空気流(風)が形成される。この空気流
(風)は、各圧電ファン15のブレード22において一
様に発生し、約2〜3m/秒の風速となる。
このように、ヒートシンク12の放熱部としてのブレー
ド22の表面および裏面に一様に空気流が形成され、こ
の空気流が約2〜3m/秒の風速を有するので、従来の
ピングリッドアレイパッケージ(第5図)におけるヒー
トシンク7のように放熱部(フィン8)が振動しないも
のに比べ、極めて大きな放熱効果を発揮できる。
特に、ブレード2またる基板2oの先端部は、基板20
の基部よりも幅広で面積大に形成されているので、振動
する放熱部の面積が大きくなり、放熱効果を一層向上さ
せることができる。
また、半導体チップ17がヒートシンク12の熱導入部
14の下面に直接固着されるので、半導体チップ17お
よび熱導入部14間の接触熱抵抗を著しく低減できる。
つまり、半導体チップ17にて発生した熱は、ヒートシ
ンク12の熱導入部14へ直接伝熱され、このため、ピ
ングリッドアレイパッケージ10の放熱効果をより一層
向上させることができる。
また、上述のように放熱効果が大きいので、同一程度の
放熱効果を発揮させるために、ヒートシンク12の放熱
面(ブレード22)の面積を小さくできる。この結果、
ヒートシンク12を小型化でき、送風機等の設置できな
い狭隘な場所でも、このヒートシンク12を備えたピン
グリッドアレイパッケージ10を設置できる。
このように、ヒートシンク12を小型化できるので、ヒ
ートシンク12の消費電力も送風機の場合に比べ著しく
節約でき、ひいてはピングリッドアレイパッケージ10
を取り付けた電子機器の小型化および節電も達成できる
さらに、従来のピングリッドアレイパッケージ(第5図
)では、自然対流を用いてヒートシンク7を機能させる
場合に、フィン8の延在方向が垂直になるように設定す
る必要がある。これに対し、この第1実施例のヒートシ
ンク12を備えたピングリッドアレイパッケージ10で
は、ヒートシンク12の圧電ファン15がブレード22
に−様な風を発生させるので、ヒートシンク12の設置
方向を考慮する必要がなく、半導体チップ17を固定し
たピングリッドアレイパッケージ10(ピングリッドア
レイ)をどのような方向に取り付けることもできる。
第3図および第4図は、この発明に係る半導体外囲器の
第2および第3実施例をそれぞれ適用したピングリッド
アレイパッケージを示す平面図である。これらの第2お
よび第3実施例において、前記第1実施例と同様な部分
は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
第2実施例のピングリッドアレイパッケージ30が第1
実施例のピングリッドアレイパッケージ1′0と異なる
のは、ヒートシンク31の圧電ファン32を構成する基
板33の形状である。つまり、基板33は、熱導入部1
4の側(基部)から先端部へ向って、その幅が漸次拡大
して形成される。
したがって、この第2実施例の場合にも前記第1実施例
と同様の効果を奏し、特にブレード34として機能する
基板33の先端部が基板33の基部より面積大に形成さ
れたので、放熱面積か増し、放熱効果を増大させること
ができる。
第3実施例におけるピングリッドアレイパッケージ40
では、ヒートシンク41の圧電ファン42を構成する基
板43は、圧電セラミックス21が固着された基部と、
ブレード44として機能する先端部とがほぼ同一幅に形
成される。したがって、この第3実施例では、放熱効果
は第1および第2実施例に比べて低いものの、その他の
点ではこれらの実施例と同様な効果を奏する。
なお、第1〜第3実施例では、熱導入部14の軸方向に
一段の圧電ファン15,32.42が配置され、この1
段が4枚の圧電ファン15. 32゜42から構成され
るものにつき説明したが、熱導入部14に2段以上の圧
電ファン15. 32. 42を取り付けてもよく、ま
た各段を5枚以上の圧電ファン15.32.42で構成
してもよい。
さらに、上記第1〜第4実施例によれば、各圧電ファン
15,32.42の基板20. 33. 43がそれぞ
れ別々に分離しているものにつき説明したが、1枚の金
属板を正面略十字形状とし、この金属板の各放射状片を
各圧電ファン15. 32゜42の基板20,33.4
3とするように構成してもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る半導体外囲器によれば、
半導体チップを設置可能とし、多数の端子ピンが埋設さ
れた外囲部と、この外囲部および上記半導体チップに連
接されて上記半導体チップからの熱を大気中へ放散する
ヒートシンクと、を有して構成され、上記ヒートシンク
の圧電ファンは、基板の基部に圧電部材が貼着され、上
記基板の先端が振動可能なブレードとして機能するよう
構成されたことから、半導体チップにて発生した熱をブ
レードが起こす風によって効率よく放熱できる。しかも
、上記ヒートシンクの熱導入部が上記半導体チップに直
接接触可能に設けられたことから、これら半導体チップ
にて発生した熱を効率よく上記ヒートシンクへ伝熱でき
る。これらの結果、送風機等を設置できない狭隘な場所
でも、半導体外囲器の放熱効果をより一層向上させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る半導体外囲器の第1実施例が適
用されたピングリッドアレイパッケージを半導体チップ
等と共に示し、第2図におけるI−■線に沿う断面図、
第2図は第1図における■矢視図、第3図および第4図
はこの発明に係る半導体外囲器の第2および第3実施例
がそれぞれ適用されたピングリッドアレイパッケージを
示す平面図、第5図は従来のピングリッドアレイパッヶ
−ジを半導体チップ等と共に示す断面図である。 10・・・ピングリッドアレイパッケージ、11・・・
セラミック基板、12−・・ヒートシンク、14・・・
熱導入部、15・・・圧電ファン、16・・・端子ピン
、17・・・半導体チップ、20・・・基板、21・・
・圧電セラミックス、22・・・ブレード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップを設置可能とし多数の端子ピンが埋設され
    た外囲部と、この外囲部および上記半導体チップに連接
    されて上記半導体チップからの熱を大気中へ放散するヒ
    ートシンクと、を有して構成され、上記ヒートシンクは
    、上記外囲部に固着されるとともに上記半導体チップに
    直接接触可能に設けられた熱導入部と、この熱導入部に
    取り付けられた圧電ファンとを備えて成り、上記圧電フ
    ァンは、基板の基部に圧電部材が貼着され、上記基板の
    先端部が振動可能なブレードとして機能することを特徴
    とする半導体外囲器。
JP2178920A 1990-07-06 1990-07-06 半導体外囲器 Pending JPH0465863A (ja)

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JP2178920A JPH0465863A (ja) 1990-07-06 1990-07-06 半導体外囲器

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7061161B2 (en) * 2002-02-15 2006-06-13 Siemens Technology-To-Business Center Llc Small piezoelectric air pumps with unobstructed airflow
US7714433B2 (en) * 2007-03-09 2010-05-11 Intel Corporation Piezoelectric cooling of a semiconductor package

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