JPH0465158A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に使用するリボン状のリードの
構造及びこれを利用した半導体装置の製造方法に関する
ものである、 〔従来の技術〕 第１８ａ図、第１８（ｂ）図、・・・第２３ａ図、第２
３ｂ図は半導体装置の製造に当ってリボン状のリードを
先メッキして、その後に抜き（プレス）を行う従来のプ
ロセスを示すリードを示す本ので、第１８ａ　図第１９
ａ図・・・第２３８図は平面図、第１８ｈ図、第１９ｂ
図・・第２３ｂ図は第１８８図、第１９ａ図・・・第２
３ａ図の右側面図である。図において、（１）はリード
、０）はマスキングテープ、（３）はメッキ液、（４）
はメッキ部（１２）はリード素材である。

次に製造方法について説明する。リード素材（１２）は
第１８ａ図に示すごとくリボン状のものが定尺あるいは
リール状となっている。−船釣にこの種のリード素材（
１２）は溶接を目的として製作される。

次に第１９８図、第１９ｂ図に示すごとく、リード素材
（１２）の先端にあたる部分のみに精度よくメッキを施
す為に、メッキを施さない部分にマスキングテープ（２
）を貼る。次に第２０ａ図、第２０ｂ図に示すごとく、
メッキ液（３）へメッキを施す部分を浸漬する。メッキ
のプロセスによっては、第２０ａ図、第２０ｈ図の工程
をメッキ液（３）を換えて数回繰返す場合もある。これ
によって第２１ａ図、第２１ｂ図に示すごとく、メッキ
が完了する。メッキ部（４）は数μ〜数ｆμ程度であり
、第２０ａ図で述べた様にメッキの種類を変えて、数層
となっているものが一般的である。メッキ部（４）は、
溶接に向く素材、例えばＮ１やＦｐ−Ｎｉ等は半田付性
が悪いので、半田付する箇所が半田付性を向上させる目
的で設けている。

次に第２２ａ図、第２２ｂ図に示すごとく、マスキング
テープ（２）を取り除く。次に第２３ａ図、第２３ｂ図
に示すごとく、所定の形状に抜き（プレス）を行う。メ
ッキ部（４）のエッヂ部は当然メッキはなく、リード素
材（１２）がそのまま呂ている。このプレス後にメッキ
を施す方法もあるが、プレス後はマスキングテープ（２
）の貼付け、剥離時や、取り扱いによりリード（１）が
変形しやすいので一般的ではな四糖５ａ図、第５ｂ図、
第６ａ図・・・第１１ｂ図はリード（１）を使用した従
来の半導体装置の組立ての一例の概略を示すもので、第
５ａ図、第６ａ図・・・第１１ａ図は基板の平面図、第
５ｂ図、第６ｂ図・・・第１１ｂ図はそれぞれ第５ａ図
、第６ａ図・−第１１８図の右側面図である。図におい
て、（１）はリード、（４）はメッキ部、（５）は基板
、（６）は電極、（７１）は予備半田（７２）は追加半
田、（８）はベース、（９）は接着剤、（１０）は外部
電極である。先ず第５ａ図、第５ｂ図に示すごとく、リ
ード（１）を半田付にて接続する為の電極（６）が基板
（５）に形成されている　！ＦｆＡ（６）は半田付性の
より金属で構成されるのが一般的である、次に第６８図
、第６ｂ図に示すごとく半田付の作業性を更によくする
為に予備半田（７１）を、半田付する部分に施しである
。予備半田（７１）は、回路を構成する搭載部品、例え
ばコンデンサや半導体素子を、基板（５）上の電極（６
）でパターンニング回路となっている所定の箇所へ半田
付する際に同時に行なわれることが多い。次に第７ａ図
、第７ｂ図に示すごとく、第２３８図に示すメッキ部（
４）が電ＦＭ（６）の予備半田（７１）の部分に合う様
に夫々固定する。

次に第８ａ図、第８ｂ図に示すごとくコテ等でリード（
１）のメッキ部（４）を加熱しつつ、追加半田（７２）
を供給するっこの目的は熱を伝えるものがコテ等の場合
、表面が酸化している為、酸化皮膜が形成され、熱の伝
導がさまたげられるので、コテ等の先端を一時的に半田
メッキを行い、表面の酸化皮膜を除去しやすい状態にし
て、半田付けする為である。当然、フフツクス等の供給
を行い、作業後には、洗浄にてこれらを除去する。

次に第９ａ図、第９ｂ図に示すごとく、リード（１）の
他端にあたる部分が、溶接しやすい様に所定の曲げ加工
を施す。次に第１０ａ図、第１０ｂ図に示すごとく、リ
ード（１）の固定等に使用していた、タイバ一部を切除
する。図に示すＥ−ＥＫおける断面図を第２４図に示す
。

更に第１１ａ図、第１１ｂ図に示すごとく、基板（５）
をペース（８）に接着剤（９）で接着して、リード（１
）を外部電極（１０）へ溶接する。

第１２図ないし第１７図は第７８図ないし第１１ａ図に
示した工程を詳細に説明したものである。

図において、（１）、　（４）、　　（７１）、　（７
２）　、　（８１〜（１０）は第１１ｂ図に示したもの
と同等である。（１１）はコテである。第５図に示すご
とく基板（５）のリード半田付部に予め予備半田（７１
）を旌したものの所定位置にリード（１）のメッキ部（
４）がくる様にリード（１）を固定する。次に第１３図
に示すごとく追加半田（７２）を供給しつつ熱したコテ
（１１）にて基板（５）側の予備半田（７１）を再溶融
させて、リード（１）のメッキ部（４）と予備半田（７
１）を結合させて、いわゆる半田付を行う。次に第１４
図に示すごとく、次工程の溶接が容易となる様にリード
（１）をフォーミングする。次に第１５図に示すごとく
タイバ一部を切除後、外部電極（１０）とリード（１）
を溶接する。基板（５）はベース（８）に接着剤（９）
にて予め接着しである。第１６図は溶接後の第１０８図
に示すＢ−Ｂにおける断面図で、リードは基板（５）と
の半田付部と、溶接部で固定されている。

〔発明が解決しようとする課題１ 従来の半導体装置の製造方法は以上のように行われてい
るので、第１６図に示す矢印Ａの方向に応力が発生した
場合、半田付部あるいは、溶接部へ力が集中する。特Ｋ
Ｆ部に引き刺しの応力が集中し、リード素材〜メッキ部
間、メッキ部〜半田間、半田〜半田間、半田〜電極間、
電極〜基板間のいづれか一番弱い箇所が引き剥されるが
、−船釣には、リード素材〜メッキ部間が最も弱く、第
１７図に示すごとく、はとんどこの間で剥離が発生する
。リード素材とメッキ部間の密着強度はメッキのプロセ
スで左右されるのでコントロールしにくいう又、矢印Ａ
の方向の応力は、半導体装置の環境温度の変化により、
半導体装置を構成する部材の熱膨張、係数の違いで幌・
ず発生する。従って、この構造の様に先にメッキを施し
たリードの場合、メッキの出来の具合が信頼性を左右す
るなどの問題点があった。

この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、半田接合部へ応力が加わってもリード素材とメ
ッキ部へ応力が加わらず、この間の剥離を防止し、信頼
性の高い半導体装置の製造方法を得ることを目的として
いる。

〔課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置の製造方法は、先メッキのリ
ードのメッキ部端面を半田付面に面する様に成形し、リ
ード上部へ供給する追加半田と、リード下面に電極へ施
しである予備半田が一体化しやすくし、リード先端を半
田で包む構造としたものである。

［作用］ この発明における半導体装置の製造方法はリードの半田
付部の構造としてリードの先端が半田で包まれているの
で、第１６図に示した矢印Ａの方向の応力が加わっても
、リード素材とメッキ界面に応力は加わらず、メッキの
密着度の影昏がリードの引張、強度に反映されず、信頼
性が向上するつ〔実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図ないし第４図において（１）、　（４１〜（６）
　、　　（７１）　。

（８）〜（１０）は第１１ｂ図の従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。

次に製造方法について説明する。

第１図の様にリード（１）の先端を曲げ、先端のメッキ
部（４）の端面が半田付面を向く様に成形しておく。

この状態で第１３図の従来例に示した様に、追加半田（
７２）を行いながら、コテ（１１）等でリード（１）上
面より、加熱すると、追加半田（７２）はリード（１）
上面のメッキ全面にな・み、ついで、基板（５）の１１
１ｇ１８（６）上の予備半田（７１）の再溶融したもの
と、っながり一体化する。この状態を第２図に示す。第
１図にある様にリード（１）の中央に穴を設けておけば
、熱の伝導や、半田の一体化を促進することができる。

第３図は、第２図に示すＣ−Ｃｌ７Ｃおける断面図であ
る。図の様にリード（１）全体が半田に包み込まれてい
るので、第１６図の従来例に示した矢印Ａのようにリー
ド（１）を引張る様な応力は半日〜電極（６）間、［極
（６）〜基板（５）間に加わり、バラツキが多く強度の
弱い、リード素材（１２）〜メッキ部（４）間に加わら
ない構造となる。

第４図は第３図に示す矢印りの方向から見た側面図であ
る。

第２４図の従来例に示した様に’）−ド（１）の素材自
体が予備半田（７１）となじみにくいものであれば、リ
ード（１）の側面はプレスで、素材そのものが露出して
いるものであるから、予備半田（７１）が付着せず、リ
ード（１）の上下面の予備半田（７１）および追加半Ｅ
３　（７２）は一体化しにくい。又、半田そのもの自体
が溶融状態での表面張力が大きいものであるからリード
（１）上面へ追加半田（７２）を行っても、第８図の破
線で示す様にそれ自体がかたまって、しまう。又、追加
半田（７２）をあまり多く行うと半田過多となり、種々
の弊害を引き起すこととなり、好ましくない。

しかしながら、第３図の構造であれば、リード（１）上
面の追加半田（７２）は、リード（１）が曲面である為
、表面張力は少くなり、リード（１）の側面（下方向）
へ流れていく。又、側面も半田付面へ向いている為、上
、下面の半田を隔離する距離も実質短くなり、一体化が
容易となっている。

〔発明の効果〕

以上の様にこの発明によれば、リードの先端部をメッキ
部の端面が半田付面に面する様に成形したので、半田で
リードの先端部を包込む様にすることができ、リードへ
加わる応力がリード素材とメッキの界面に加わらず、メ
ッキの付着強度のバラツキが影響しない為信頼性の高い
半導体装置の製造方法を提供することができる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図はこの発明に係る半導体装置の製造
方法によるリードを基板に接合する状況を、工程を追っ
て示すもので、第１図、第２図は斜視図、第３図は第２
図に示すＣ−Ｃにおける断面図、第４図は第３図に示す
矢印りの方向から見た側面図、第５ａ図、第５ｂ図、第
６ａ図・・−第１１ｂ図は従来の半導体装置の製造方法
によるリードを基板に接合する状況を、工程を追って示
す平面図および側面図、第１２図ないし第１７図は第７
ａ図、第８ａ図・・・第１１ａ図に示した工程を接合１
ケ所について工程を追って示すもので、第１２図ないし
第１５図は斜視図、第１６図は第１０ａ図に示すＢ−Ｂ
における断面図、第１７図はリードの接合の剥離が発生
する状態を示す第１０ａ図のＢ・Ｂにおける断面図、第
１８ａ図、第１８ｂ図、第１９ａ図・・−第２３ｂ図は
従来の半導体装置の製造方法によるリードのメッキから
抜き（プレス）に至る工程を追って示すリードの平面図
および側面図、第２４図は第１０ａ図に示すＥ−Ｅにお
ける断面図である。 図において、（１）はリード、（４）はメッキ部、（５
）は基板、（６）は電極、（７１）は予備半田、（８）
はペース、（１０）は外部電極を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体装置の製造方法において、使用する溶接用のリ
   ボン状のリードの半田付性をよくする為、半田付部にメ
   ッキを形状抜き前に施すことによつて形成した上記リー
   ドのメッキ部の端面を、半田付面に面する様に、成形し
   たリード線を使用することを特徴とする半導体装置の製
   造方法。