JPH045015B2 - - Google Patents
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- JPH045015B2 JPH045015B2 JP11658683A JP11658683A JPH045015B2 JP H045015 B2 JPH045015 B2 JP H045015B2 JP 11658683 A JP11658683 A JP 11658683A JP 11658683 A JP11658683 A JP 11658683A JP H045015 B2 JPH045015 B2 JP H045015B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は2−シアノ−4−アルキルフエノール
のエステル誘導体に関するもので、負の誘電異方
性を有する新規な液晶化合物及びそれを含有する
液晶組成物に係わるものである。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したもので、その表示様式によ
つてTN型(ねじれネマチツク型)、DS型(動的
散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型など各種の
方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶物質の
性質は異なる。いずれの液晶物質も水分、空気、
熱、光等に安定であることが必要であることは共
通しており、又、室温を中心として出来るだけ広
い温度範囲で液晶相を示すものが求められてい
る。現在のところ単一化合物ではこの様な条件を
満たす物質はなく、数種の液晶化合物や非液晶化
合物を混合して得られる液晶組成物を使用してい
る。 最近、特にカラー液晶表示方法の一方式である
ゲスト・ホスト型液晶表示素子が注目される様に
なつて来た。これは液晶と色素の混合物を使用す
るもので、ポジ型のゲスト・ホスト型表示素子に
は負の誘電異方性を有する液晶が使用され、その
液晶の構成成分としていろいろな特性、例えば相
溶性のよい誘電異方性が負の液晶化合物が求めら
れている。 本発明の目的はこの様な用途に適した相溶性が
良く、負の誘電異方性を示し、ネマチツク−透明
点が高い新規な液晶化合物及びその組成物を提供
することにある。 即ち、本発明は一般式 (上式中R及びR′はそれぞれ炭素数1〜10の
アルキル基であり、又
のエステル誘導体に関するもので、負の誘電異方
性を有する新規な液晶化合物及びそれを含有する
液晶組成物に係わるものである。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び
誘電異方性を利用したもので、その表示様式によ
つてTN型(ねじれネマチツク型)、DS型(動的
散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型など各種の
方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶物質の
性質は異なる。いずれの液晶物質も水分、空気、
熱、光等に安定であることが必要であることは共
通しており、又、室温を中心として出来るだけ広
い温度範囲で液晶相を示すものが求められてい
る。現在のところ単一化合物ではこの様な条件を
満たす物質はなく、数種の液晶化合物や非液晶化
合物を混合して得られる液晶組成物を使用してい
る。 最近、特にカラー液晶表示方法の一方式である
ゲスト・ホスト型液晶表示素子が注目される様に
なつて来た。これは液晶と色素の混合物を使用す
るもので、ポジ型のゲスト・ホスト型表示素子に
は負の誘電異方性を有する液晶が使用され、その
液晶の構成成分としていろいろな特性、例えば相
溶性のよい誘電異方性が負の液晶化合物が求めら
れている。 本発明の目的はこの様な用途に適した相溶性が
良く、負の誘電異方性を示し、ネマチツク−透明
点が高い新規な液晶化合物及びその組成物を提供
することにある。 即ち、本発明は一般式 (上式中R及びR′はそれぞれ炭素数1〜10の
アルキル基であり、又
【式】は
【式】もしくは
【式】のいずれ
かであることを示す。)
で表わされる、2−シアノ−4−アルキルフエノ
ールのエステル誘導体及びそれを含有することを
特徴とする液晶組成物である。 本発明の化合物は高い透明点を有し、例えば本
発明の化合物の一つである4−(トランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)ビフエニリル−4′−カ
ルボン酸−2−シアノ−4−ヘブチルフエニルエ
ステルの結晶−ネマチツク点(以下、C−N点と
略記する)は74.2℃、ネマチツク−透明点(以
下、N−I点と略記する)は246.5℃と広い温度
範囲で液晶相を示し、これを液晶組成物の1成分
として加えることによりその液晶組成物の粘度を
それほど高くせずに透明点を上げることが出来
る。又本発明の化合物の誘電異方性値(以下、△
εと略記する)は−3程度であるので他のネマチ
ツク液晶と混合することにより、ゲスト・ホスト
型表示素子用に使用できる負の誘電異方性を有す
る液晶組成物を得ることが出来る。又誘電異方性
が正のものと組合わせることにより二周波型表示
素子に用いることが出来る。 次に本発明の化合物の製造法を示す。 式(1)で
ールのエステル誘導体及びそれを含有することを
特徴とする液晶組成物である。 本発明の化合物は高い透明点を有し、例えば本
発明の化合物の一つである4−(トランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)ビフエニリル−4′−カ
ルボン酸−2−シアノ−4−ヘブチルフエニルエ
ステルの結晶−ネマチツク点(以下、C−N点と
略記する)は74.2℃、ネマチツク−透明点(以
下、N−I点と略記する)は246.5℃と広い温度
範囲で液晶相を示し、これを液晶組成物の1成分
として加えることによりその液晶組成物の粘度を
それほど高くせずに透明点を上げることが出来
る。又本発明の化合物の誘電異方性値(以下、△
εと略記する)は−3程度であるので他のネマチ
ツク液晶と混合することにより、ゲスト・ホスト
型表示素子用に使用できる負の誘電異方性を有す
る液晶組成物を得ることが出来る。又誘電異方性
が正のものと組合わせることにより二周波型表示
素子に用いることが出来る。 次に本発明の化合物の製造法を示す。 式(1)で
【式】が
【式】である
エステル誘導体を製造する方法を示すと、4−ア
ルキルテルフエニル−4″−カルボン酸(化合物
())を塩化チオニルと反応させ酸クロリド(化
合物())とし、ピリジンの存在下で2−シア
ノ−4−アルキルフエノールと反応させ、目的の
4−アルキルテルフエニル−4″−カルボン酸−2
−シアノ−4−アルキルフエニルエステル(化合
物())を製造することが出来る。 式(1)で−
ルキルテルフエニル−4″−カルボン酸(化合物
())を塩化チオニルと反応させ酸クロリド(化
合物())とし、ピリジンの存在下で2−シア
ノ−4−アルキルフエノールと反応させ、目的の
4−アルキルテルフエニル−4″−カルボン酸−2
−シアノ−4−アルキルフエニルエステル(化合
物())を製造することが出来る。 式(1)で−
【式】が
【式】であ
るエステル誘導体を製造する方法を示すと、4−
(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)ビフ
エニリル−4′−カルボン酸(化合物())を塩
化チオニルと反応させ酸クロリド(化合物())
とし、ピリジンの存在下で2−シアノ−4−アル
キルフエノールと反応させ、目的の4−(トラン
ス−4−アルキルシクロヘキシル)ビフエニリル
−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−アルキルフ
エニルエステル(化合物())を製造すること
が出来る。 以上を化学式で示すと、 (R及びR′は前記に同じである) 以下実施例により本発明の化合物につき更に詳
細に説明する。 実施例 1 4−ペンチルテルフエニル−4″−カルボン酸
−2−シアノ−4−ヘプチルフエニルエステル
(化合物()でRがn−C5H11、R′がn−
C7H15であるもの)の製造 4−ペンチルテルフエニル−4″−カルボン酸
(化合物())0.96gを塩化チオニル10mlと共に
80℃に加熱した。反応液は2時間で均一になり、
更に1時間反応を続けた。次いで過剰の塩化チオ
ニルを減圧下にて留去して結晶の酸塩化物(化合
物())が残つた。別に2−シアノ−4−ヘプ
チルフエノール0.64gをピリジン5mlに溶かして
おき、これにトルエン10mlに溶かした前記の酸塩
化物(化合物())を振り混ぜながら加えた。
反応後一晩放置してからトルエン50mlを加え水に
あけた。層状に分離したトルエン層を6N塩酸、
2N水酸化ナトリウム溶液次いで水で洗滌し、最
後に無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。次い
でトルエンを減圧下で留去して結晶物を得、それ
を酢酸エチルで再結晶し目的物である4−ペンチ
ルテルフエニル−4″−カルボン酸−2−シアノ−
4−ヘプチルフエニルエステル(化合物())
0.76g(収率50.1%)を得た。このもののC−N
点は66.4℃、N−I点は220.2℃であつた。 実施例 2 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフエニリル−4′−カルボン酸−2−シア
ノ−4−ヘプチルフエニルエステル(化合物
()でRがn−C5H11、R′がn−C7H15である
もの)の製造 実施例1に準じた方法で、4−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)ビフエニリル−4′−
カルボン酸(化合物())1.17gと2−シアノ
−4−ヘプチルフエノール0.77gより、4−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビフエニ
リル−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−ヘプチ
ルフエニルエステル(化合物())1.01g(収
率55.3%)を得た。このもののC−N点は74.2
℃、N−I点は246.5℃であつた。 実施例 3(使用例) エステル系のネマチツク液晶組成物(チツソ(株)
製リクソンFN−45)のN−I点は63.4℃、△ε
は−0.9、20℃における粘度は18.5cpである。該
混合物に市販の色素(西独メルク社製G−224)
を1重量%添加したものを、対向透明電極の間隔
が10μmのセルに封入してゲスト・ホストセルを
作り、そのしきい電圧を測定したところ3.80Vで
あつた。 次に本発明の化合物である4−ペンチルテルフ
エニル−4″−カルボン酸−2−シアノ−4−ヘプ
チルフエニルエステル5重量%及び4−(トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビフエニリル
−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−ヘプチルフ
エニルエステル10重量%を前記液晶組成物(FN
−45)85重量%と混合した液晶組成物を調製し
た。該組成物のN−I点は84.9℃、△εは−1.2、
20℃における粘度は31.7cpで、これに先と同じく
色素G−224を1重量%添加したものを、前述と
同じセルに封入したゲスト・ホスト型液晶セルを
作つてそのしきい電圧を測定したところ3.26Vと
大きく低下した。
(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)ビフ
エニリル−4′−カルボン酸(化合物())を塩
化チオニルと反応させ酸クロリド(化合物())
とし、ピリジンの存在下で2−シアノ−4−アル
キルフエノールと反応させ、目的の4−(トラン
ス−4−アルキルシクロヘキシル)ビフエニリル
−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−アルキルフ
エニルエステル(化合物())を製造すること
が出来る。 以上を化学式で示すと、 (R及びR′は前記に同じである) 以下実施例により本発明の化合物につき更に詳
細に説明する。 実施例 1 4−ペンチルテルフエニル−4″−カルボン酸
−2−シアノ−4−ヘプチルフエニルエステル
(化合物()でRがn−C5H11、R′がn−
C7H15であるもの)の製造 4−ペンチルテルフエニル−4″−カルボン酸
(化合物())0.96gを塩化チオニル10mlと共に
80℃に加熱した。反応液は2時間で均一になり、
更に1時間反応を続けた。次いで過剰の塩化チオ
ニルを減圧下にて留去して結晶の酸塩化物(化合
物())が残つた。別に2−シアノ−4−ヘプ
チルフエノール0.64gをピリジン5mlに溶かして
おき、これにトルエン10mlに溶かした前記の酸塩
化物(化合物())を振り混ぜながら加えた。
反応後一晩放置してからトルエン50mlを加え水に
あけた。層状に分離したトルエン層を6N塩酸、
2N水酸化ナトリウム溶液次いで水で洗滌し、最
後に無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。次い
でトルエンを減圧下で留去して結晶物を得、それ
を酢酸エチルで再結晶し目的物である4−ペンチ
ルテルフエニル−4″−カルボン酸−2−シアノ−
4−ヘプチルフエニルエステル(化合物())
0.76g(収率50.1%)を得た。このもののC−N
点は66.4℃、N−I点は220.2℃であつた。 実施例 2 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフエニリル−4′−カルボン酸−2−シア
ノ−4−ヘプチルフエニルエステル(化合物
()でRがn−C5H11、R′がn−C7H15である
もの)の製造 実施例1に準じた方法で、4−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)ビフエニリル−4′−
カルボン酸(化合物())1.17gと2−シアノ
−4−ヘプチルフエノール0.77gより、4−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビフエニ
リル−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−ヘプチ
ルフエニルエステル(化合物())1.01g(収
率55.3%)を得た。このもののC−N点は74.2
℃、N−I点は246.5℃であつた。 実施例 3(使用例) エステル系のネマチツク液晶組成物(チツソ(株)
製リクソンFN−45)のN−I点は63.4℃、△ε
は−0.9、20℃における粘度は18.5cpである。該
混合物に市販の色素(西独メルク社製G−224)
を1重量%添加したものを、対向透明電極の間隔
が10μmのセルに封入してゲスト・ホストセルを
作り、そのしきい電圧を測定したところ3.80Vで
あつた。 次に本発明の化合物である4−ペンチルテルフ
エニル−4″−カルボン酸−2−シアノ−4−ヘプ
チルフエニルエステル5重量%及び4−(トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)ビフエニリル
−4′−カルボン酸−2−シアノ−4−ヘプチルフ
エニルエステル10重量%を前記液晶組成物(FN
−45)85重量%と混合した液晶組成物を調製し
た。該組成物のN−I点は84.9℃、△εは−1.2、
20℃における粘度は31.7cpで、これに先と同じく
色素G−224を1重量%添加したものを、前述と
同じセルに封入したゲスト・ホスト型液晶セルを
作つてそのしきい電圧を測定したところ3.26Vと
大きく低下した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式中R及びR′はそれぞれ炭素数1〜10の
アルキル基であり、又【式】は 【式】もしくは【式】のいずれ かであることを示す。) で表わされる2−シアノ−4−アルキルフエノー
ルのエステル誘導体。 2 一般式 (上式中RおよびR′はそれぞれ炭素数1〜10
のアルキル基であり、又【式】は 【式】もしくは【式】のいずれ かであることを示す。) で表わされる2−シアノ−4−アルキルフエノー
ルのエステル誘導体を含有することを特徴とする
液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658683A JPS608251A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658683A JPS608251A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608251A JPS608251A (ja) | 1985-01-17 |
| JPH045015B2 true JPH045015B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=14690797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11658683A Granted JPS608251A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 2−シアノ−4−アルキルフエノ−ルのエステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608251A (ja) |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11658683A patent/JPS608251A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS608251A (ja) | 1985-01-17 |
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