JPH0447979B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0447979B2 JPH0447979B2 JP58206413A JP20641383A JPH0447979B2 JP H0447979 B2 JPH0447979 B2 JP H0447979B2 JP 58206413 A JP58206413 A JP 58206413A JP 20641383 A JP20641383 A JP 20641383A JP H0447979 B2 JPH0447979 B2 JP H0447979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- wiring
- opening
- vertical wiring
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H10W90/00—
-
- H10W72/07251—
-
- H10W72/20—
-
- H10W90/297—
-
- H10W90/722—
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206413A JPS6098654A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206413A JPS6098654A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098654A JPS6098654A (ja) | 1985-06-01 |
| JPH0447979B2 true JPH0447979B2 (index.php) | 1992-08-05 |
Family
ID=16522951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206413A Granted JPS6098654A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6098654A (index.php) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215834A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Nec Corp | 多層配線 |
| JPS62219954A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-28 | Fujitsu Ltd | 三次元icの製造方法 |
| US6809421B1 (en) | 1996-12-02 | 2004-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multichip semiconductor device, chip therefor and method of formation thereof |
| JP4110390B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004342990A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP5526529B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2014-06-18 | 株式会社ニコン | 積層半導体装置及び積層半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58206413A patent/JPS6098654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6098654A (ja) | 1985-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5961045A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6321351B2 (index.php) | ||
| JPH04137723A (ja) | 半導体積層基板の製造方法 | |
| JPH0447980B2 (index.php) | ||
| JPH0447979B2 (index.php) | ||
| JPH04280456A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01259546A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05849B2 (index.php) | ||
| JPS59182538A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0346977B2 (index.php) | ||
| JP2666427B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02205339A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04245662A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0522390B2 (index.php) | ||
| JPS59168640A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2554339B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3158486B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3189320B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0570301B2 (index.php) | ||
| JPH0482222A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS59149030A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH01120047A (ja) | 結晶薄膜の製造方法 | |
| JPS63293948A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
| JPS6034034A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60244047A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |