JPH044753B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH044753B2 JPH044753B2 JP57004422A JP442282A JPH044753B2 JP H044753 B2 JPH044753 B2 JP H044753B2 JP 57004422 A JP57004422 A JP 57004422A JP 442282 A JP442282 A JP 442282A JP H044753 B2 JPH044753 B2 JP H044753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- cap
- metal cap
- radio waves
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/261—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their shapes or dispositions
- H10W42/276—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons characterised by their shapes or dispositions the arrangements being on an external surface of the package, e.g. on the outer surface of an encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは半導
体パツケージに内装された半導体チツプから発生
する高周波電波を遮断する手段を設けた、すなわ
ちシールド用金属でパツケージ表面を覆うことに
よつて高周波電波を遮断したパツケージの製造方
法に関する。
体パツケージに内装された半導体チツプから発生
する高周波電波を遮断する手段を設けた、すなわ
ちシールド用金属でパツケージ表面を覆うことに
よつて高周波電波を遮断したパツケージの製造方
法に関する。
(2) 技術の背景
最近の集積技術の進歩に伴い、集積回路はます
ます高密度化すると共に大電力消費の形態をもつ
ようになり、このような集積回路は使用時の頻繁
なスイツチング動作による大電流の通電と遮断に
伴い、高周波電波を発生する。
ます高密度化すると共に大電力消費の形態をもつ
ようになり、このような集積回路は使用時の頻繁
なスイツチング動作による大電流の通電と遮断に
伴い、高周波電波を発生する。
(3) 従来技術と問題点
本願の発明者は、前記高周波電波が集積回路の
周囲に置かれた電気機器（例えばテレビや無線装
置）に悪影響を与え、画面の乱れや信号へのノイ
ズ混入などをもたらすことを確認した。
周囲に置かれた電気機器（例えばテレビや無線装
置）に悪影響を与え、画面の乱れや信号へのノイ
ズ混入などをもたらすことを確認した。
ところで、現在の集積回路を内装するパツケー
ジでは、上述した集積回路の発生する高周波雑音
の他の電気機器への悪影響を防止する対策が全く
施されていないため、早急な雑音遮断方法の開発
が要望されるものである。
ジでは、上述した集積回路の発生する高周波雑音
の他の電気機器への悪影響を防止する対策が全く
施されていないため、早急な雑音遮断方法の開発
が要望されるものである。
例えば、特開昭51−138165号公報によれば、そ
の第２図及び第４図に示されるように、チツプで
発生する熱を放熱するとともに電磁波をシールド
するために、遮蔽板をパツケージの中に埋め込む
構造のものが提案されている。しかし、この構造
では、ワイヤボンテイング前に遮蔽板を設けてお
くことは、ボンテイングをするうえで妨げとなる
ため不可能であり、ボンテイング後に遮蔽板を設
けることは、遮蔽板を保持しながらモールドを行
わねばならない点で極めて困難であり、また、モ
ールド後に遮蔽板をリードフレームと導通をとる
ように埋め込むことも不可能である。
の第２図及び第４図に示されるように、チツプで
発生する熱を放熱するとともに電磁波をシールド
するために、遮蔽板をパツケージの中に埋め込む
構造のものが提案されている。しかし、この構造
では、ワイヤボンテイング前に遮蔽板を設けてお
くことは、ボンテイングをするうえで妨げとなる
ため不可能であり、ボンテイング後に遮蔽板を設
けることは、遮蔽板を保持しながらモールドを行
わねばならない点で極めて困難であり、また、モ
ールド後に遮蔽板をリードフレームと導通をとる
ように埋め込むことも不可能である。
(4) 発明の目的
本発明は集積回路の発生する高周波電波を遮断
し、他の電気機器に雑音による悪影響を与えない
半導体パツケージの製造方法の提供を目的とす
る。
し、他の電気機器に雑音による悪影響を与えない
半導体パツケージの製造方法の提供を目的とす
る。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体集積
回路を内蔵するパツケージに、該パツケージの上
面及び下面に接するようにシールド用金属キヤツ
プを装着し、該金属キヤツプに設けられた突出部
を該パツケージの接地端子に接触させる工程を有
することによつて達成される。
回路を内蔵するパツケージに、該パツケージの上
面及び下面に接するようにシールド用金属キヤツ
プを装着し、該金属キヤツプに設けられた突出部
を該パツケージの接地端子に接触させる工程を有
することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明
する。
する。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す
斜視図と側面図で、これらの図において、１はセ
ラミツクパツケージ、２は接続端子、３は接地端
子を示す。
斜視図と側面図で、これらの図において、１はセ
ラミツクパツケージ、２は接続端子、３は接地端
子を示す。
この実施例においては、シールド用金属キヤツ
プ４をパツケージ１に付着することによつて半導
体チツプが発生する高周波電波を遮断する。
プ４をパツケージ１に付着することによつて半導
体チツプが発生する高周波電波を遮断する。
第１図はシールド用金属キヤツプ４を装着した
状態にあるセラミツクパツケージ１の斜視図で、
キヤツプ４は例えば鉄、ステンレススチール、ア
ルミニウムまたは燐青銅によつて単一体として容
易に形成され得る。
状態にあるセラミツクパツケージ１の斜視図で、
キヤツプ４は例えば鉄、ステンレススチール、ア
ルミニウムまたは燐青銅によつて単一体として容
易に形成され得る。
第２図は第１図に示されるパツケージの矢印方
向から見た側面図で、同図において第１図と同じ
部分は同じ符号を付して示す。
向から見た側面図で、同図において第１図と同じ
部分は同じ符号を付して示す。
第２図を参照すると、シールド用金属キヤツプ
４は凹形状またはコ字形に形成されていて、同図
に矢印で示す方向からパツケージ１に装着され、
パツケージ１の上面Ａ、下面Ｂおよび側面Ｃを覆
う。またキヤツプ４の一端に形成された突出部５
は接地端子３と接続し、キヤツプ４を接地電位に
保ち、キヤツプズレ防止ガイド７は突出し部５と
接地端子３の接触を持続させる働きをする。かか
る接地電位保持によつて、キヤツプ４は静電遮蔽
により半導体チツプの発生する高周波電波および
外部からの高周波電波を完全に遮断する。
４は凹形状またはコ字形に形成されていて、同図
に矢印で示す方向からパツケージ１に装着され、
パツケージ１の上面Ａ、下面Ｂおよび側面Ｃを覆
う。またキヤツプ４の一端に形成された突出部５
は接地端子３と接続し、キヤツプ４を接地電位に
保ち、キヤツプズレ防止ガイド７は突出し部５と
接地端子３の接触を持続させる働きをする。かか
る接地電位保持によつて、キヤツプ４は静電遮蔽
により半導体チツプの発生する高周波電波および
外部からの高周波電波を完全に遮断する。
キヤツプ４の突出部５は、パツケージ１の接地
端子３と大きな接触面を保つて接続し、キヤツプ
４の多少のずれがあつても接地端子３と接触して
キヤツプが接地電位を保てるようばね性をもたせ
てある。キヤツプ４と接地端子３との接続は図示
されている方法以外でも可能であり、キヤツプ４
の多少のずれに対しても接続が保てるものであれ
ばよい。尚、８はパツケージの方向を示す為のイ
ンデツクスである。
端子３と大きな接触面を保つて接続し、キヤツプ
４の多少のずれがあつても接地端子３と接触して
キヤツプが接地電位を保てるようばね性をもたせ
てある。キヤツプ４と接地端子３との接続は図示
されている方法以外でも可能であり、キヤツプ４
の多少のずれに対しても接続が保てるものであれ
ばよい。尚、８はパツケージの方向を示す為のイ
ンデツクスである。
(7) 発明の効果
以上説明した如く、本発明によれば、パツケー
ジ内に装着されている半導体チツプが出す高周波
電波を効率良く遮断することができるため、周辺
電気機器への悪影響を除去することができ、半導
体装置およびその近くに配置された装置の円滑な
運用に効果大である。
ジ内に装着されている半導体チツプが出す高周波
電波を効率良く遮断することができるため、周辺
電気機器への悪影響を除去することができ、半導
体装置およびその近くに配置された装置の円滑な
運用に効果大である。
また、シールド用金属キヤツプは、パツケージ
の完成後に嵌め込むだけでよいので、極めて容易
に製造できる点においても効果大である。
の完成後に嵌め込むだけでよいので、極めて容易
に製造できる点においても効果大である。
第１図および第２図は本発明の第１の実施例を
説明するためのパツケージの斜視図および側面図
である。 １…パツケージ、２…接続端子、３…接地端
子、４…シールド用金属キヤツプ、５…接地端子
接続用突出部、７…キヤツプズレ防止ガイド、８
…パツケージインデツクス。
説明するためのパツケージの斜視図および側面図
である。 １…パツケージ、２…接続端子、３…接地端
子、４…シールド用金属キヤツプ、５…接地端子
接続用突出部、７…キヤツプズレ防止ガイド、８
…パツケージインデツクス。
Claims (1)
- １ 半導体集積回路を内蔵するパツケージに、該
パツケージの上面及び下面に接するようにシール
ド用金属キヤツプを装着し、該金属キヤツプに設
けられた突出部を該パツケージの接地端子に接触
させる工程を有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57004422A JPS58122759A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57004422A JPS58122759A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122759A JPS58122759A (ja) | 1983-07-21 |
| JPH044753B2 true JPH044753B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=11583827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57004422A Granted JPS58122759A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122759A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60121653U (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の外囲器 |
| JPS60180852A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Kyocera Corp | 熱印刷装置 |
| JPS60163751U (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-30 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPS61114564A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Nec Corp | 静電破壊防止機構付きｉｃパツケ−ジ |
| JPS61195067U (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-04 | ||
| JPS6230356U (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-24 | ||
| FR2774810B1 (fr) | 1998-02-10 | 2003-06-06 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur blinde et procede pour sa fabrication |
| TWI540698B (zh) | 2010-08-02 | 2016-07-01 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 半導體封裝件與其製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111325Y2 (ja) * | 1971-11-22 | 1976-03-26 | ||
| JPS51138165A (en) * | 1975-05-23 | 1976-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | Package stracture for thermal resistance and shield |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP57004422A patent/JPS58122759A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58122759A (ja) | 1983-07-21 |
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