JPS61114564A - 静電破壊防止機構付きicパツケ−ジ - Google Patents

静電破壊防止機構付きicパツケ−ジ

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JPS61114564A
JPS61114564A JP59236338A JP23633884A JPS61114564A JP S61114564 A JPS61114564 A JP S61114564A JP 59236338 A JP59236338 A JP 59236338A JP 23633884 A JP23633884 A JP 23633884A JP S61114564 A JPS61114564 A JP S61114564A
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JP
Japan
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package
chip
electrostatic breakdown
package body
electrically insulating
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JP59236338A
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Kanze Tanigawa
谷川 侃是
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 産業上の利用分野 本発明は、静電破壊防止機構付きICパッケージに関す
るものである。
従来の技術 TC(半導体集積回路)は1通常、湿気等の雰囲気の影
響を遮断するため、セラミック、アルミナ、プラスチッ
ク等の電気絶縁性パッケージ内に気密封止されたり、電
気絶縁性の樹脂でモールドされたりする。
第3図は、従来の典型的なりIP形TCパッケージにI
Cチップを搭載して結線した状態を例示する部分切り取
り平面図である。所定個数の電極端子2a、2b、2c
・・・2nを備えたセラミック等の電気絶縁性パッケー
ジ本体】内にICチップ3を搭載し、このTCチップ3
内の所定箇所と電極端子間を熱圧着の容易な金線等の電
線4a。
4b、4c・・・4nを用いて接続している。
発明が解決しようとする問題点 上述のような電気絶縁性の【Cパッケージの本体は、製
造工程におけるゴム等電気絶縁性のベルトコンベヤによ
る移送や、ゴム等電気絶縁性の転写ローラーによる製品
名の印刷等の際に、摩擦静電気によって数千ボルトもの
高圧に帯電する場合がある。パッケージ本体の表面に溜
まった電荷は。
パッケージ本体や電極端子が各種装置の金属部分や人体
等に接触した際に放電する。この放電がパッケージ本体
の表面を経て行われる場合にはさほどの不都合はないが
、この種放電路は低抵抗のICチップ内を経て形成され
ることが多く、この場合にはICチップの静電破壊の問
題が生じる。
第4図は、上記ICチップ内を経て形成される放電経路
の一例を示す部分切り取り斜視図である。
パッケージ本体の上面に溜まっていた電荷Qが。
外側電極端子2fの装置金属部分への接触時に。
電極端子28.ICチップ内のpn接合及び電極端子2
fを経て放電し、上記pn接合を破壊する場合を例示し
ている。
最近、ICを構成するトランジスタやダイオード等が小
型化してpn接合の逆耐圧や耐破壊電力が低下するにつ
れて、上記静電破壊の問題がますます深刻になっている
。このような静電破壊現象の詳細については1例えば1
日経エレクトロニクス n o 、341  (198
4年4−23)に掲載された“ICパッケージに帯電し
た静電気がICを破壊”と題する福田等の論文を参照さ
れたい。
発明の構成 問題点を解決するための手段 上記従来技術の問題点を解決する本発明は、電気絶縁性
のパッケージ本体の表面に形成された導電性被覆と、こ
の導電性被覆に連なる電極端子を備えることにより、I
Cチップ内を経由する放電路の形成を防止し、ICチッ
プの放電破壊を防[ヒするように構成されている。
以下2本発明の作用を実施例によって詳細に説明する。
実施例 第1図は2本発明の一実施例の静電破壊防止機構付きI
Cパッケージの構成を示す斜視図である。
このICパッケージは、セラミック、アルミナ。
プラスチック等の電気絶縁性のパッケージ本体lと、こ
のパッケージ本体1の内部に搭載されたICチップの所
定箇所に信号や電源電圧を供給する電極端子2a、2b
、’2c・・・2nを調走たD■P形パッケージである
。電気絶縁性パッケージ1の上面の周辺部には、薄い金
属膜5が形成されている。この金属膜5は、パッケージ
本体1の四隅に形成された4本の静電破壊防止用電極端
子6A、6B、6G及び6Dに電気的に接続されている
。なお、このICパッケージは、左右対称に構成されて
おり、電極端子2g〜2nと静電破壊防止用電極端子6
Cは本体のかげになっている。
パッケージ本体1に形成された全ての電極端子のうち、
四隅の電極端子6A〜6Dが装置の金属部分等に最も接
触し易い。例えば、第1図に示すように、パッケージ本
体1の上面への製品名の印刷の際に電荷Qが発生し、こ
の後静電破壊防止用電極端子6Bが移送装置等の金属部
分に接触したとすれば、上記電荷Qは図中の点線で示す
ように。
金属膜5を経て放電する。この結果、ICチップを経由
する放電路の形成が生じにくくなり、従って静電破壊が
より生じにくくなる。
金属膜5は、パッケージ本体の製造時に、真空蒸着、無
電解メッキ等適宜な方法により形成される。あるいは、
金属膜の代りに、金属粒子を含有する導電性ペーストや
導電性有機材料を印刷や吹き付は等の適宜な方法により
塗布してもよい。金属膜の代りになるものは、その電気
抵抗がパッケージ材料のそれよりも小さいものでありさ
えすれば、適宜なものでよい。
第2図は2本発明の他の実施例の静電破壊防止機構付き
ICパッケージの構成を示す斜視図である。
このICパッケージは、第1図のものと基本的には同様
の構成であるが、以下の2点が異なる。
第1点は、パッケージ本体lの表面に形成される金属膜
が、ICチップに信号や電源電圧を供給するための電極
端子2a〜2nを囲む閉空間を形成している点である。
この結果、上記電極端子2a〜2nを経由する放電路の
形成が、最小の金属膜面積によって有効に防止される。
第2点は、四隅の静電破壊防止用電極端子6A〜6Dが
、ICチップに信号や電源電圧を供給するための電極端
子2a〜2nに比べて、パッケージ本体の側面からより
遠くに突出すると共に、端子の長さも大きくなっている
。この結果、パッケージ本体1に形成された全ての電極
端子のうち。
四隅の電極端子6A〜6Dが対応付けのものよりも装置
の金属部分や人体等に接触し易くなっている。
以上、静電破壊防止用を極端子をパッケージ本体の4隅
に設ける構成を例示したが、これ以外の適宜な箇所に設
置してもよく、また本数も適宜でよい。
静電破壊防止用電極端子は9例えば、プリント基板等に
搭載されたソケットのアース端子内に挿入される。この
際、上記ソケット側にアース端子が用意されていない静
電破壊防止用電極端子については、これらをニッパで切
り取ったり、ハンダ付けを解°除すること等によりパッ
ケージ本体から除去する構成としてもよい。ソケット側
のアース端子と接続された静電破壊防止用電極端子と金
属膜5は、ICパッケージの動作中に生じるおそれのあ
る静電破壊を防止する。また、プリント基板への装着後
においては静電気の発生の危険が小さいと考えられるの
で、プリント基板への装着時に全ての静電破壊防止用端
子をパッケージ本体から除去してしまってもよい。
以上、DIP形のパッケージの場合を例示したが、フラ
ットバック形やTAB形等他のパッケージ形式にも本発
明を適用できる。
発明の効果 以上詳細に説明したように1本発明の静電破壊防止機構
付きICパッケージは、電気絶縁性のパッケージ本体の
表面に形成された導電性被覆と。
この導電性被覆に連なる電極端子を備える構成であるか
ら、ICチップ内を経由する放電路が形成されにくくな
り、従ってICチップの静電破壊が生じにくくなるとい
う効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の斜視図、第2図は本発明の
他の実施例の斜視図、第3図は従来のICパッケージの
部分切り取り平面図、第4図は従来のICパッケージに
おける放電経路の形成を例示する部分切り取り斜視図で
ある。 1・・電気絶縁性のICパッケージ本体、2a。 2b、2c・・・・パッケージ本体1内に搭載されたI
Cチップに信号や電源電圧を供給する電極端子、5・・
金属膜、6A、6B・・6D・・静電破壊防止用電極端
子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  電気絶縁性のパッケージ本体と、該パッケージ本体内
    に搭載されたICチップに連なる電極端子を有するIC
    パッケージにおいて、 前記電気絶縁性のパッケージ本体の表面に形成された導
    電性被覆と、該導電性被覆に連なる電極端子を備えたこ
    とを特徴とする静電破壊防止機構付きICパッケージ。
JP59236338A 1984-11-09 1984-11-09 静電破壊防止機構付きicパツケ−ジ Pending JPS61114564A (ja)

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JP59236338A JPS61114564A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 静電破壊防止機構付きicパツケ−ジ

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JP59236338A JPS61114564A (ja) 1984-11-09 1984-11-09 静電破壊防止機構付きicパツケ−ジ

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JP (1) JPS61114564A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0414316A2 (de) * 1989-08-24 1991-02-27 Philips Patentverwaltung GmbH Integrierte Schaltung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122759A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 Fujitsu Ltd 半導体装置

Patent Citations (1)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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