JPH0447452B2 - - Google Patents
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- JPH0447452B2 JPH0447452B2 JP26585A JP26585A JPH0447452B2 JP H0447452 B2 JPH0447452 B2 JP H0447452B2 JP 26585 A JP26585 A JP 26585A JP 26585 A JP26585 A JP 26585A JP H0447452 B2 JPH0447452 B2 JP H0447452B2
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- shaped
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- mask
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 claims description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000805 Pig iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野:
本発明はリトグラフイー系に関し、詳細にはX
線リトグラフイー系に使用するための新規の改善
されたマスクリングアセンブリに関する。本発明
の概念により形成されたX線リトグラフイー系は
種々の可能な用途のうちICパターン複製に使用
するためとくに適する。
線リトグラフイー系に使用するための新規の改善
されたマスクリングアセンブリに関する。本発明
の概念により形成されたX線リトグラフイー系は
種々の可能な用途のうちICパターン複製に使用
するためとくに適する。
本出願はX線陽極アセンブリ“X−ray
Anode Assembly”の名称による米国特願第号
(代理人整理番号MI−3205)、X線リトグラフイ
ー系“X−ray Lithography system”の名称に
よる米国特願第号(代理人整理番号(MI−3052)
およびX線マスクリングアセンブリおよびその製
造装置“An X−ray Mask Ring Assembly
and Apparatus for Making Same”の名称に
よる米国特願第号(代理人整理番号MI−3167)
と密接に関連する。これらすべての特願は本出願
と同日出願で同じ出願人による。これらの特願に
含まれる開示もここに参照される。
Anode Assembly”の名称による米国特願第号
(代理人整理番号MI−3205)、X線リトグラフイ
ー系“X−ray Lithography system”の名称に
よる米国特願第号(代理人整理番号(MI−3052)
およびX線マスクリングアセンブリおよびその製
造装置“An X−ray Mask Ring Assembly
and Apparatus for Making Same”の名称に
よる米国特願第号(代理人整理番号MI−3167)
と密接に関連する。これらすべての特願は本出願
と同日出願で同じ出願人による。これらの特願に
含まれる開示もここに参照される。
従来の技術:
X線リトグラフイーは近接パターン製造技術で
ある。金パターンX線マスクはマスクに密に近接
して保持されるレジスト被覆したウエハを露光す
るため軟X線を選択的に吸収および透過するため
使用される。X線マスク自体は剛性マウントリン
グによつて支持されるBN、SiCまたはTiの薄い
基板からなる。金マスク吸収体パターンは基板に
析出した厚さ7000Åの金フイルムのエツチングに
より、または特殊な低応力金メツキ法により形成
される。
ある。金パターンX線マスクはマスクに密に近接
して保持されるレジスト被覆したウエハを露光す
るため軟X線を選択的に吸収および透過するため
使用される。X線マスク自体は剛性マウントリン
グによつて支持されるBN、SiCまたはTiの薄い
基板からなる。金マスク吸収体パターンは基板に
析出した厚さ7000Åの金フイルムのエツチングに
より、または特殊な低応力金メツキ法により形成
される。
7Å軟X線は真空室内にいつしよに配置した高
出力源、水冷回転陽極および電子銑によつて発生
させる。X線は中空円錐形電子ビームを陽極の回
転するタングステン表面へ集束することによつて
発生する。円筒形の高出力電子銑により小直径の
スポツトに発生したX線がこのスポツトを通過す
るようにすることができる。X線放射のこの発散
円錐は次に薄いベリリウム真空窓を通つてヘリウ
ムを充てんした露光室へ入る。マスクとウエハは
露光室へ挿入する前に近接して位置合せされ、露
光の間にその位置が維持される。
出力源、水冷回転陽極および電子銑によつて発生
させる。X線は中空円錐形電子ビームを陽極の回
転するタングステン表面へ集束することによつて
発生する。円筒形の高出力電子銑により小直径の
スポツトに発生したX線がこのスポツトを通過す
るようにすることができる。X線放射のこの発散
円錐は次に薄いベリリウム真空窓を通つてヘリウ
ムを充てんした露光室へ入る。マスクとウエハは
露光室へ挿入する前に近接して位置合せされ、露
光の間にその位置が維持される。
現在まで提案されたマスクリングアセンブリは
かなり好結果を有するけれど、本発明により後述
のようにこのような系が改善される。
かなり好結果を有するけれど、本発明により後述
のようにこのような系が改善される。
この分野の関連特許にはとくに米国特許第
3743842号、第3892973号、第4037111号、第
4085329号、第4185202号、第4187431号、第
4215192号、第4238682号、第4301237号および第
4335313号が含まれる。
3743842号、第3892973号、第4037111号、第
4085329号、第4185202号、第4187431号、第
4215192号、第4238682号、第4301237号および第
4335313号が含まれる。
発明が解決しようとする問題点:
したがつて本発明の目的はX線リトグラフイー
系に使用する間、許容しうる歪限界内でその位置
に保持しうる新規の改善されたマスクリングアセ
ンブリを得ることである。
系に使用する間、許容しうる歪限界内でその位置
に保持しうる新規の改善されたマスクリングアセ
ンブリを得ることである。
問題点を解決するための手段:
要約すれば本発明のこの目的および他の目的は
マスクリング、位置合せカートリツジ上にこのマ
スクリングを除去可能にマウントするための多数
の可動マウント(Kinematic mounts)を有し、
この可動マウントがそれぞれたとえば円錐形また
は球形シート(seat)部材のようなロート状シー
トおよびたとえば球形でありうる対応するボール
形部材を有し、この部材の1つがマスクリングの
部材であり、他の部材が位置合せカートリツジに
マウントされることにより達成される。本発明の
1実施例によればこの部材を互いに保持するため
真空装置が備えられる。本発明の他の実施例によ
ればボール形部材を位置合せカートリツジ上にマ
ウントするため半径方向に弾性のたわみ装置が備
えられる。
マスクリング、位置合せカートリツジ上にこのマ
スクリングを除去可能にマウントするための多数
の可動マウント(Kinematic mounts)を有し、
この可動マウントがそれぞれたとえば円錐形また
は球形シート(seat)部材のようなロート状シー
トおよびたとえば球形でありうる対応するボール
形部材を有し、この部材の1つがマスクリングの
部材であり、他の部材が位置合せカートリツジに
マウントされることにより達成される。本発明の
1実施例によればこの部材を互いに保持するため
真空装置が備えられる。本発明の他の実施例によ
ればボール形部材を位置合せカートリツジ上にマ
ウントするため半径方向に弾性のたわみ装置が備
えられる。
以下の詳細な説明をよりよく理解しうるよう
に、かつ本発明の当業界に対する貢献をよりよく
評価しうるように、本発明の多数の重要な特徴を
広範囲に概観した。後述の本発明の付加的特徴は
特許請求の範囲第2〜9項および第11項に記載
される。当業者は開示が基礎とする概念を本発明
の種々の目的を実施するための他のアセンブリを
設計するための基礎として容易に使用することが
できる。それゆえ特許請求の範囲は本発明の精神
および範囲から離れない同等のアセンブリを改善
するものであることは重要である。
に、かつ本発明の当業界に対する貢献をよりよく
評価しうるように、本発明の多数の重要な特徴を
広範囲に概観した。後述の本発明の付加的特徴は
特許請求の範囲第2〜9項および第11項に記載
される。当業者は開示が基礎とする概念を本発明
の種々の目的を実施するための他のアセンブリを
設計するための基礎として容易に使用することが
できる。それゆえ特許請求の範囲は本発明の精神
および範囲から離れない同等のアセンブリを改善
するものであることは重要である。
実施例:
第1図は真直な円形マスクリング10を示し、
その上面にマスク薄膜12が緊張される。このリ
ングの底面にたとえば円錐形または球形シート1
4のような3つの離れたロート状シートが配置さ
れる。マスクリングはたとえばチタンまたはパイ
レツクスのような任意の適当な材料から製造され
る。シートはリング内に設置される。
その上面にマスク薄膜12が緊張される。このリ
ングの底面にたとえば円錐形または球形シート1
4のような3つの離れたロート状シートが配置さ
れる。マスクリングはたとえばチタンまたはパイ
レツクスのような任意の適当な材料から製造され
る。シートはリング内に設置される。
マスクの歪みの原因となる大きい応力およびそ
れに伴う歪みを避けるため、マスクリングの3つ
の円錐形シートの位置は非常に狭い機械的公差た
とえば約0.0051mm(0.0002インチ)程度に維持し
なければならない。
れに伴う歪みを避けるため、マスクリングの3つ
の円錐形シートの位置は非常に狭い機械的公差た
とえば約0.0051mm(0.0002インチ)程度に維持し
なければならない。
マスクパターンはマスク薄膜12に適当な手段
たとえば電子ビームによりエツチされる。電子ビ
ーム装置は位置合せのためリング10の上面およ
びノツチまたはロツド16を使用する。これらの
同じ参照手段がマスクリングアセンブリの製造に
も使用され、それによつて参照位置の連続性が得
られる。
たとえば電子ビームによりエツチされる。電子ビ
ーム装置は位置合せのためリング10の上面およ
びノツチまたはロツド16を使用する。これらの
同じ参照手段がマスクリングアセンブリの製造に
も使用され、それによつて参照位置の連続性が得
られる。
第2図は第3図に参照的に18で示す位置合せ
カートリツジにマスクリング10を除去可能にマ
ウントするための可動マウントを示す。とくに3
つのこのようなマウントが使用される。各マウン
トはロート状シート14および対応するたとえば
球形でありうるボール形部材20を含む。第2図
に示す実施例ではロート状シート14は円錐形で
ある。円錐角は有利な位置合せ処理が特定の方向
に得られるように決定される。たとえば直線的円
筒を使用すればすべての水平または横のアライン
メントがあり、垂直のアランイメントはない。平
らな表面を使用すればすべて垂直アラインメント
があり、水平または横のアラインメントはない。
図示の実施例で円錐角は約60゜であり、それによ
つて臨界的水平すなわちXおよびY方向アライン
メントが優先する。
カートリツジにマスクリング10を除去可能にマ
ウントするための可動マウントを示す。とくに3
つのこのようなマウントが使用される。各マウン
トはロート状シート14および対応するたとえば
球形でありうるボール形部材20を含む。第2図
に示す実施例ではロート状シート14は円錐形で
ある。円錐角は有利な位置合せ処理が特定の方向
に得られるように決定される。たとえば直線的円
筒を使用すればすべての水平または横のアライン
メントがあり、垂直のアランイメントはない。平
らな表面を使用すればすべて垂直アラインメント
があり、水平または横のアラインメントはない。
図示の実施例で円錐角は約60゜であり、それによ
つて臨界的水平すなわちXおよびY方向アライン
メントが優先する。
円錐形シート部材をカートリツジによつて支持
し、ボール部材をマスクリングによつて支持しう
るけれど、第2図は反対を示し、すなわちシート
はリングに、ボールはカートリツジに配置され
る。
し、ボール部材をマスクリングによつて支持しう
るけれど、第2図は反対を示し、すなわちシート
はリングに、ボールはカートリツジに配置され
る。
第2図に明らかなようにボール形部材20はポ
スト22たとえば24で摩擦溶接により固定的に
結合される。孔または通路26がボールおよびポ
ストにたとえば放電加工される。通路26の外側
端部28は真空源に接続され、内側端部は円錐ま
たはシート14とボール20の間の空間または室
に接続される。これはシールされた室であり、し
たがつて真空はシートをボールへ繰返し可能の正
確な力で引付けるために役立つ。円錐形または球
形シートをVブロツクの代りに使用しうることは
有利である。というのはシートはボールとの組合
せで小さいシールされた室を形成し、この室へ真
空がシートを正確な繰返し可能の力で引付けるた
め適用されるからである。この力はX線リトグラ
フイー系に必要な種々の作業を通して維持され
る。所望により正圧を通路26の端部28に適用
し、シート14に対する分離力を得ることができ
る。これはクリーニングの目的で使用することも
できる。ポスト22は半径方向に弾性のたわみ装
置32の孔へたとえば圧力嵌めすることによりカ
ートリツジに固定的に結合される。
スト22たとえば24で摩擦溶接により固定的に
結合される。孔または通路26がボールおよびポ
ストにたとえば放電加工される。通路26の外側
端部28は真空源に接続され、内側端部は円錐ま
たはシート14とボール20の間の空間または室
に接続される。これはシールされた室であり、し
たがつて真空はシートをボールへ繰返し可能の正
確な力で引付けるために役立つ。円錐形または球
形シートをVブロツクの代りに使用しうることは
有利である。というのはシートはボールとの組合
せで小さいシールされた室を形成し、この室へ真
空がシートを正確な繰返し可能の力で引付けるた
め適用されるからである。この力はX線リトグラ
フイー系に必要な種々の作業を通して維持され
る。所望により正圧を通路26の端部28に適用
し、シート14に対する分離力を得ることができ
る。これはクリーニングの目的で使用することも
できる。ポスト22は半径方向に弾性のたわみ装
置32の孔へたとえば圧力嵌めすることによりカ
ートリツジに固定的に結合される。
次に第3図によればマスクリング10はカート
リツジ18にマウントして示され、この場合シー
ト14はボール20に支持される。各ボール22
はカートリツジ18内の共通の板34に半径方向
に弾性のたわみ装置32を介して支持される。す
なわち3つのボールおよび3つの円錐が使用さ
れ、それによつてマスクリングをその正確な位置
に最小の変形および適当な力で保持するため真空
を使用することができる。しかし3つの円錐を使
用する事実から過大拘束が生じ、そのためボール
を半径方向に弾性することが必要であり、それに
よつて拘束のない適当な可動支持が達成される。
弾性たわみ装置32はこの目的に役立つ。
リツジ18にマウントして示され、この場合シー
ト14はボール20に支持される。各ボール22
はカートリツジ18内の共通の板34に半径方向
に弾性のたわみ装置32を介して支持される。す
なわち3つのボールおよび3つの円錐が使用さ
れ、それによつてマスクリングをその正確な位置
に最小の変形および適当な力で保持するため真空
を使用することができる。しかし3つの円錐を使
用する事実から過大拘束が生じ、そのためボール
を半径方向に弾性することが必要であり、それに
よつて拘束のない適当な可動支持が達成される。
弾性たわみ装置32はこの目的に役立つ。
さらに第3図によればカートリツジの関連部材
は共通の板34をカートリツジボデー38へ接続
するためのねじ装置36を含む。共通板34はX
線パターンのマスクリングに対する配置誤差を調
節するためX、Y方向および垂直軸を中心とする
回転方向に調節可能である。X線パターンは非常
に正確に製造できるけれど、この正確に製造した
パターンの位置は高度の精度でセツトし得ない。
この系内の調節から逸脱しないように粗または前
位置合せ装置が備えられる。これは共通板34の
配置によつて実施される。さらにカートリヅジは
ウエハ42を支持するためのウエハチヤツク40
を有する。垂直たわみロツド44はウエハチヤツ
ク40の下部に結合され、レバー縮小機構46は
垂直たわみロツド44を調節ノブ47と結合す
る。3つの離れた垂直たわみロツドがウエハの微
調節およびその2方向の傾斜の制御ならびにマス
ク位置に対する近接ギヤツプを制御するため配置
される。さらに半径方向または水平たわみロツド
48がレバー縮小機構50に接続され、この機構
はこの目的のため備えた調節ノブ52によつて制
御される。3つの離れた水平たわみロツドはその
XおよびY方向の横の制御およびマスクに対し垂
直軸を中心に回転するウエハの微調整を制御する
ため備えられる。
は共通の板34をカートリツジボデー38へ接続
するためのねじ装置36を含む。共通板34はX
線パターンのマスクリングに対する配置誤差を調
節するためX、Y方向および垂直軸を中心とする
回転方向に調節可能である。X線パターンは非常
に正確に製造できるけれど、この正確に製造した
パターンの位置は高度の精度でセツトし得ない。
この系内の調節から逸脱しないように粗または前
位置合せ装置が備えられる。これは共通板34の
配置によつて実施される。さらにカートリヅジは
ウエハ42を支持するためのウエハチヤツク40
を有する。垂直たわみロツド44はウエハチヤツ
ク40の下部に結合され、レバー縮小機構46は
垂直たわみロツド44を調節ノブ47と結合す
る。3つの離れた垂直たわみロツドがウエハの微
調節およびその2方向の傾斜の制御ならびにマス
ク位置に対する近接ギヤツプを制御するため配置
される。さらに半径方向または水平たわみロツド
48がレバー縮小機構50に接続され、この機構
はこの目的のため備えた調節ノブ52によつて制
御される。3つの離れた水平たわみロツドはその
XおよびY方向の横の制御およびマスクに対し垂
直軸を中心に回転するウエハの微調整を制御する
ため備えられる。
このように本発明によりX線リトグラフイー用
の新規の改善されたマスクリングアセンブリが得
られ、このアセンブリは使用の間最小の応力およ
び歪みをリングに負荷しながら許容しうる歪みの
限界内でその場に剛性を保持することができ、こ
の制御された歪みはすべての自由度に高度に再現
可能であり、このアセンブリは電子ビーム装置お
よび方法に適する。
の新規の改善されたマスクリングアセンブリが得
られ、このアセンブリは使用の間最小の応力およ
び歪みをリングに負荷しながら許容しうる歪みの
限界内でその場に剛性を保持することができ、こ
の制御された歪みはすべての自由度に高度に再現
可能であり、このアセンブリは電子ビーム装置お
よび方法に適する。
特殊な実施例を説明したけれど、特許請求の範
囲によつてのみ制御される本発明の思想および範
囲から離れることなく種々の改善をなしうること
は当業者には明らかである。
囲によつてのみ制御される本発明の思想および範
囲から離れることなく種々の改善をなしうること
は当業者には明らかである。
第1図はマスクリングを下から見た平面図、第
1a図は第1図の1a−1aの線断面図、第2図
は第1図のマスクリングを位置合せカートリツジ
にマウントするための可動マウントの垂直断面
図、第3図は位置合せカートリツジにマウントし
たマスクリングアセンブリの垂直断面図である。 10……マスクリング、12……マスク、14
……シート、20……ボール、22……ポスト、
32……たわみ装置、34……共通板、38……
カートリツジボデー、40……ウエハチヤツク、
44,48……たわみロツド。
1a図は第1図の1a−1aの線断面図、第2図
は第1図のマスクリングを位置合せカートリツジ
にマウントするための可動マウントの垂直断面
図、第3図は位置合せカートリツジにマウントし
たマスクリングアセンブリの垂直断面図である。 10……マスクリング、12……マスク、14
……シート、20……ボール、22……ポスト、
32……たわみ装置、34……共通板、38……
カートリツジボデー、40……ウエハチヤツク、
44,48……たわみロツド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスクリング; このマスクリングを位置合せカートリツジ上に
除去可能にマウントするための多数の可動マウン
ト を有し、 この可動マウントがそれぞれロート状シート部
材および対応するボール形部材を有し、この部材
の1つがマスクリングに配置され、他の部材が位
置合せカートリツジ上にマウントされている ことを特徴とするX線リトグラフイー用のマスク
リングアセンブリ。 2 ボール形部材が位置合せカートリツジにマウ
ントされ、ロート状シート部材がマスクリングに
設けられている特許請求の範囲第1項記載のアセ
ンブリ。 3 多数の可動マウントが互いに120゜離れた3つ
のマウントからなる特許請求の範囲第1項記載の
アセンブリ。 4 各ボール形部材がそれを貫通してそれぞれの
ロート形シート部材へ拡がる流体通路を有する特
許請求の範囲第1項記載のアセンブリ。 5 位置合せカートリツジ上に他の部材をマウン
トするために半径方向に弾性のたわみ装置を有す
る特許請求の範囲第1項記載のアセンブリ。 6 ロート形シート部材が円錐形シート部材であ
る特許請求の範囲第1項記載のアセンブリ。 7 各円錐形シートが60゜の頂角を有する特許請
求の範囲第6項記載のアセンブリ。 8 ロート形シート部材および対応するボール形
部材がそれぞれその間にシールした室を形成する
ように協力作用し、さらにこのアセンブリがこれ
らの部材をいつしよに保持するため、この室に真
空を形成する装置を有する特許請求の範囲第1項
記載のアセンブリ。 9 マスクリングがその周縁に位置合せノツチを
有する特許請求の範囲第1項記載のアセンブリ。 10 マスクリング; 位置合せカートリツジ上にこのマスクリングを
除去可能にマウントするための互いに120゜離れた
3つの可動マウント を有し、 この可動マウントがそれぞれマスクリングの部
材として円錐形シートを有し、各円錐形シートが
60゜の円錐角を有し、 可動マウントがそれぞれ対応するボール形部材
およびこのボール形部材のそれぞれを位置合せカ
ートリツジにマウントするための半径方向に弾性
のたわみ装置を有し、 各円錐形シートおよびその対応するボール形部
材がその間にシールした室を形成するように協力
作用し、これらの部材を互いに保持するようにこ
の室内に真空を形成するため、ボール形部材がそ
れを貫通して円錐形シートまで拡がる流体通路を
有する ことを特徴とするX線リトグラフイー用のマスク
リングアセンブリ。 11 各ボール形部材がポストへ摩擦溶接され、
このポストが半径方向に弾性のたわみ装置へ固定
的に結合されている特許請求の範囲第10項記載
のアセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US568776 | 1984-01-06 | ||
US06/568,776 US4534047A (en) | 1984-01-06 | 1984-01-06 | Mask ring assembly for X-ray lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60160618A JPS60160618A (ja) | 1985-08-22 |
JPH0447452B2 true JPH0447452B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=24272694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60000265A Granted JPS60160618A (ja) | 1984-01-06 | 1985-01-07 | X線リトグラフイー用のマスクリングアセンブリ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4534047A (ja) |
JP (1) | JPS60160618A (ja) |
DE (1) | DE3435019A1 (ja) |
GB (1) | GB2152704B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4610020A (en) * | 1984-01-06 | 1986-09-02 | The Perkin-Elmer Corporation | X-ray mask ring and apparatus for making same |
JPS62151783A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-06 | 東芝機械株式会社 | 高精度移動テ−ブル装置 |
US4758091A (en) * | 1986-11-20 | 1988-07-19 | Ateo Corporation | Pattern generator part holder |
DE4242565C1 (de) * | 1992-12-16 | 1994-03-17 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Justage von Halbleiterscheiben zueinander |
US5608773A (en) * | 1993-11-30 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device |
JP3244894B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法 |
JP3278312B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2002-04-30 | キヤノン株式会社 | マスク、マスク支持方法、マスク支持機構、並びにこれを用いた露光装置やデバイス製造方法 |
US6109574A (en) * | 1996-01-05 | 2000-08-29 | Cymer, Inc. | Gas laser chamber/optics support structure |
US5863017A (en) * | 1996-01-05 | 1999-01-26 | Cymer, Inc. | Stabilized laser platform and module interface |
JP3243168B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | 原版保持装置およびこれを用いた露光装置 |
US6717159B2 (en) * | 2000-10-18 | 2004-04-06 | Nikon Corporation | Low distortion kinematic reticle support |
US20030098965A1 (en) * | 2001-11-29 | 2003-05-29 | Mike Binnard | System and method for supporting a device holder with separate components |
US20040080730A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Michael Binnard | System and method for clamping a device holder with reduced deformation |
US20060016061A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Gad Shelef | Kinematic mounting system |
US20060232837A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Gad Shelef | Reduced error kinematic mount |
US7173779B2 (en) * | 2005-04-19 | 2007-02-06 | Gizmonies, Inc. | Kinematic mount having connectors with beveled edges |
KR102499977B1 (ko) | 2016-07-13 | 2023-02-15 | 삼성전자주식회사 | 접착 테이프 부착 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB922868A (en) * | 1958-10-13 | 1963-04-03 | Leonard David Evans | Accurate location systems for repetitive positioning in image reproduction processes |
US3743842A (en) * | 1972-01-14 | 1973-07-03 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray lithographic apparatus and process |
US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
US4085329A (en) * | 1976-05-03 | 1978-04-18 | Hughes Aircraft Company | Hard X-ray and fluorescent X-ray detection of alignment marks for precision mask alignment |
US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
DE2723902C2 (de) * | 1977-05-26 | 1983-12-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Parallelausrichtung und Justierung der Lage einer Halbleiterscheibe relativ zu einer Bestrahlungsmaske bei der Röntgenstrahl-Fotolithografie |
US4185202A (en) * | 1977-12-05 | 1980-01-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | X-ray lithography |
US4215192A (en) * | 1978-01-16 | 1980-07-29 | The Perkin-Elmer Corporation | X-ray lithography apparatus and method of use |
US4238682A (en) * | 1979-05-03 | 1980-12-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High-power X-ray source |
US4301237A (en) * | 1979-07-12 | 1981-11-17 | Western Electric Co., Inc. | Method for exposing substrates to X-rays |
US4335313A (en) * | 1980-05-12 | 1982-06-15 | The Perkin-Elmer Corporation | Method and apparatus for aligning an opaque mask with an integrated circuit wafer |
-
1984
- 1984-01-06 US US06/568,776 patent/US4534047A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-09-24 DE DE19843435019 patent/DE3435019A1/de active Granted
- 1984-10-01 GB GB08424770A patent/GB2152704B/en not_active Expired
-
1985
- 1985-01-07 JP JP60000265A patent/JPS60160618A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8424770D0 (en) | 1984-11-07 |
US4534047A (en) | 1985-08-06 |
DE3435019C2 (ja) | 1993-08-26 |
DE3435019A1 (de) | 1985-07-18 |
GB2152704A (en) | 1985-08-07 |
GB2152704B (en) | 1987-04-23 |
JPS60160618A (ja) | 1985-08-22 |
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