JPS59106118A - 薄板変形装置 - Google Patents
薄板変形装置Info
- Publication number
- JPS59106118A JPS59106118A JP57215410A JP21541082A JPS59106118A JP S59106118 A JPS59106118 A JP S59106118A JP 57215410 A JP57215410 A JP 57215410A JP 21541082 A JP21541082 A JP 21541082A JP S59106118 A JPS59106118 A JP S59106118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- thin plate
- wafer
- vertically movable
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、シリコンウェハ、ノ＜プルウェア％ 。
セラミック基板、プリント基板等の薄板を露光する方法
および装置に関するものである。
および装置に関するものである。
Ｃ従来技術〕
本発明は、基材の表面に形成されたレジスト被膜にζマ
スクに形成されたパターンを転写する際、マスクの形状
に合せて基材を変形させるための薄板変形装置に関する
ものである。
スクに形成されたパターンを転写する際、マスクの形状
に合せて基材を変形させるための薄板変形装置に関する
ものである。
たとえば、集積回路（Ｉ Ｃ＝ Ｉｎｔｅｙａｔｅｄ
Ｃ’１ｒｃｔｔｉｔ、）あるいは大規模集積回路（Ｌ
Ｓ Ｉ ＝ Ｌａｒｇｅ ＳｃａｌｅＩｎｔａｇｒａｔ
ｅｄ ｃｉｒｃｔｂｉｔ ）等は、シリコン製の薄板（
ウェハ）上にレジスト被膜を形成し、このレジスト被膜
に、マスクに形成された所要のパターンを転写し、転写
されたパターンに従ってエツチング、イオン注入等の処
理をくり返し行なうことにより、所要の回路を持つよう
に製造される前記ＬＳＩ等においては、集積度をより向
上させるために、回路を構成する線の巾が１μｍもしく
はそれ以下の微細なパターンを形成することが要求され
ている。そして、このような要求を満すために、前記パ
ターンの転写に軟Ｘａｌを用いることが提案されている
。
Ｃ’１ｒｃｔｔｉｔ、）あるいは大規模集積回路（Ｌ
Ｓ Ｉ ＝ Ｌａｒｇｅ ＳｃａｌｅＩｎｔａｇｒａｔ
ｅｄ ｃｉｒｃｔｂｉｔ ）等は、シリコン製の薄板（
ウェハ）上にレジスト被膜を形成し、このレジスト被膜
に、マスクに形成された所要のパターンを転写し、転写
されたパターンに従ってエツチング、イオン注入等の処
理をくり返し行なうことにより、所要の回路を持つよう
に製造される前記ＬＳＩ等においては、集積度をより向
上させるために、回路を構成する線の巾が１μｍもしく
はそれ以下の微細なパターンを形成することが要求され
ている。そして、このような要求を満すために、前記パ
ターンの転写に軟Ｘａｌを用いることが提案されている
。
このような軟Ｘ線を用いたＸ線露光装置がいくつか提案
されているが、軟Ｘ線を用いた場合軟Ｘ線の発生源から
ウェハ上に形成されたレジスト被膜に到達するまでの間
での減衰が大きいことが知られている。
されているが、軟Ｘ線を用いた場合軟Ｘ線の発生源から
ウェハ上に形成されたレジスト被膜に到達するまでの間
での減衰が大きいことが知られている。
このため、Ｘ発生のにおける軟Ｘ線の発生線量を大きく
したり、マスクを軟Ｘ線が透過し易い材料で形成し、か
つマスクの厚さを極力薄くするなど、多くの改良が行な
われている。
したり、マスクを軟Ｘ線が透過し易い材料で形成し、か
つマスクの厚さを極力薄くするなど、多くの改良が行な
われている。
マスクを薄くすると、それだけマスクの機械的な強度が
低下するため、大きなマスクを作れなくなる。このため
、ＬＳ１１個〜数個分のマスクを作り、１個分づつパタ
ーンを転写してはウェハを１個分づつ移動させるステッ
プアンドリピート式の転写方法が提案されている。しか
し、マスクが薄くなると、マスク自体を平らにすること
は困難である。
低下するため、大きなマスクを作れなくなる。このため
、ＬＳ１１個〜数個分のマスクを作り、１個分づつパタ
ーンを転写してはウェハを１個分づつ移動させるステッ
プアンドリピート式の転写方法が提案されている。しか
し、マスクが薄くなると、マスク自体を平らにすること
は困難である。
一方、軟Ｘ線は、発生源から放射状に広がりながら直進
する。また、軟Ｘ線の発生源は、対陰極に照射される電
子ビームの径に対応する大きさを持っている。このため
、発生源からマスクを進りウェハ上のレジスト被膜に達
する軟Ｘ線の到達位置に、発生源の大きさに対応する差
を生じ、はけを生じたり、マスクパターンの直下から若
干ズした位置を照射するシフトを生じる。
する。また、軟Ｘ線の発生源は、対陰極に照射される電
子ビームの径に対応する大きさを持っている。このため
、発生源からマスクを進りウェハ上のレジスト被膜に達
する軟Ｘ線の到達位置に、発生源の大きさに対応する差
を生じ、はけを生じたり、マスクパターンの直下から若
干ズした位置を照射するシフトを生じる。
一方、マスクには、マスク製作上の誤差、露光時の温度
上昇による歪、くり返し使用するマスクでは、その経時
変化による盃、マスクを露光装置に数付ける際のチャッ
キングによる変形・マスクの自重による歪、マスクの上
下面に加わる気圧の差による歪など、多くの好ましくな
い影響が与えられる。また、ウェハにも、ウェハ製作上
の変形、露光装置に取付ける際のチャッキングによる変
形、エツチング、イオン注入等のプロセス中に発生する
変形など、多くの好ましくない影響が与えられる。
上昇による歪、くり返し使用するマスクでは、その経時
変化による盃、マスクを露光装置に数付ける際のチャッ
キングによる変形・マスクの自重による歪、マスクの上
下面に加わる気圧の差による歪など、多くの好ましくな
い影響が与えられる。また、ウェハにも、ウェハ製作上
の変形、露光装置に取付ける際のチャッキングによる変
形、エツチング、イオン注入等のプロセス中に発生する
変形など、多くの好ましくない影響が与えられる。
したかって、１μ７ｎもしくはそれより狭い巾の回路パ
ターンを転写を行なうには、露光する部分のウェハの表
面を、マスクから投写されるパターンが最も良い状態で
受光し得るように変形させることが必要である。
ターンを転写を行なうには、露光する部分のウェハの表
面を、マスクから投写されるパターンが最も良い状態で
受光し得るように変形させることが必要である。
このような要求に応える装置として、たとえば、Ｉ Ｂ
Ｍ ＨＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕ、ｒｅ
ｔｊｕ、１ｌｅｆ、ｔｎ （Ｖｏｌ ｉ ５應１０Ｍ
ａｒｃｈ １９７５ ） ｉＣｒＦＬＡＴＮＥＳＳ Ｃ
０ＮＴＲ０ＬＬＥＩ）ＷＡＦＥＲＣＬＡＭＰＩＮＧ Ｐ
ＥＤＥＳＴＡＬ」が提案されている。
Ｍ ＨＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕ、ｒｅ
ｔｊｕ、１ｌｅｆ、ｔｎ （Ｖｏｌ ｉ ５應１０Ｍ
ａｒｃｈ １９７５ ） ｉＣｒＦＬＡＴＮＥＳＳ Ｃ
０ＮＴＲ０ＬＬＥＩ）ＷＡＦＥＲＣＬＡＭＰＩＮＧ Ｐ
ＥＤＥＳＴＡＬ」が提案されている。
すなわち、真空吸着用の穴を形成した台（ｃＬｙｔＭＰ
ＩＮＧ ＰＥＤＥＳＴＡＬ ）にピエゾ素子を配置した
ものである。そして、前記台上にウエノ１を載せて真空
吸着した状態でその表面の複数の点の高さをセンサで検
出し、その結果に基づいて前記ピエゾ素子に所要の電圧
を印加して、ウェハの裏面を押上げてその表面を水平に
するように構成されている。
ＩＮＧ ＰＥＤＥＳＴＡＬ ）にピエゾ素子を配置した
ものである。そして、前記台上にウエノ１を載せて真空
吸着した状態でその表面の複数の点の高さをセンサで検
出し、その結果に基づいて前記ピエゾ素子に所要の電圧
を印加して、ウェハの裏面を押上げてその表面を水平に
するように構成されている。
しかし、このような装置においては、ピエゾ素子でウエ
ニケ押し上げると、台とウェハの間にギャップが形成さ
れ、真空によるウェハの保持力が弱くなると共に、前記
キャップを流れる気流によってウェハに滑りが発生し易
いなどの欠点がある。また、ピエゾ素子をウェハ全面に
均−に配置しなければウェハな水平もしくは所要の形状
に変形させることができない。このため、たとえば、４
インチウェハの全面Ｋ １０ ｒｒｖｎ間隔でピエゾ素
子を配置する場合には、１０５個のピエゾ素子が、５イ
ンチウェハでは１４９個のピエゾ素子が必要になる。同
様に、ピエゾ素子の駆動手段も、ピエゾ素子と同じ数だ
け必要になる。そして、前記駆動手段は、通常ピエゾ素
子にＯ〜６５０Ｖまでの電圧を印加する必要があり小形
化が技術的に困難である。したがって、多数の駆動手段
を露光装置に装備することも技術的に困難であ、す、装
置が必要以上に大形化するだけでなく、高価になるなど
の欠点がある。
ニケ押し上げると、台とウェハの間にギャップが形成さ
れ、真空によるウェハの保持力が弱くなると共に、前記
キャップを流れる気流によってウェハに滑りが発生し易
いなどの欠点がある。また、ピエゾ素子をウェハ全面に
均−に配置しなければウェハな水平もしくは所要の形状
に変形させることができない。このため、たとえば、４
インチウェハの全面Ｋ １０ ｒｒｖｎ間隔でピエゾ素
子を配置する場合には、１０５個のピエゾ素子が、５イ
ンチウェハでは１４９個のピエゾ素子が必要になる。同
様に、ピエゾ素子の駆動手段も、ピエゾ素子と同じ数だ
け必要になる。そして、前記駆動手段は、通常ピエゾ素
子にＯ〜６５０Ｖまでの電圧を印加する必要があり小形
化が技術的に困難である。したがって、多数の駆動手段
を露光装置に装備することも技術的に困難であ、す、装
置が必要以上に大形化するだけでなく、高価になるなど
の欠点がある。
本発明の目的は、ウェハの保持力を低下させることなく
、かつ、ピエゾ素子の駆動手段の数を１回の露光時に作
動させるべきピエゾ素子の数と同数にし、露光装置の小
形化、露光精度の向上を可能にした薄板変形装置を提供
するにある。
、かつ、ピエゾ素子の駆動手段の数を１回の露光時に作
動させるべきピエゾ素子の数と同数にし、露光装置の小
形化、露光精度の向上を可能にした薄板変形装置を提供
するにある。
一ヒ記目的を達成するため、本発明においてはチャック
ケースのウェハ載置面にダイヤフラム式のチャックを配
置し、このチャックの下面を多数の上下動素子で支える
と共に真空吸引してチャックの下面を上下動素子の上端
に密着させ前記上下動素子のうち、諸元領域とその外周
にある上下動素子を、駆動手段に切替接続するようにし
たことを特徴とする。
ケースのウェハ載置面にダイヤフラム式のチャックを配
置し、このチャックの下面を多数の上下動素子で支える
と共に真空吸引してチャックの下面を上下動素子の上端
に密着させ前記上下動素子のうち、諸元領域とその外周
にある上下動素子を、駆動手段に切替接続するようにし
たことを特徴とする。
なお、上下動素子６１は、ウェハ６全体が傾斜している
場合に、１もしくは２個の上下動素子３１を作動させて
、全体ケ水平にするＴこめのものである。その駆動方法
は前記上下動素子２４と同様に、Ｃ’ＰＵ４１の指令に
よって行なえばよい。
場合に、１もしくは２個の上下動素子３１を作動させて
、全体ケ水平にするＴこめのものである。その駆動方法
は前記上下動素子２４と同様に、Ｃ’ＰＵ４１の指令に
よって行なえばよい。
以下、本発明の一実施例を図面にしたがって説明する。
第１図は１本発明による薄板変形装置を適用する軟Ｘ線
露光装置の一例を示すものである。
露光装置の一例を示すものである。
図において、ベース１の上には、中火ＫＸＹテーブル２
と、その両側にウェハ平坦度検出器ろおよびマスク平坦
度検出器４が配置されている前記ＸＹテーブル２の上に
は、薄板変形装置５が配置され、平坦度の検出を終った
ウェハ６を載置固定する。このウェハ６の上方には、平
坦度の検出を終ったマスク７が微小な間隙ｙで対向配置
される。マスク７の上方には、アライメント検出器８が
配置され、このアライメント検出器８の出力に連動して
ＸＹテーブル２が移動して、マスク７とウェハ６の位置
合せ２行なうそして、マスク７とウェハ６の位置合せが
終ると、薄板変形装置５が作動し、ウエノ１６を所要の
形状に変形させる。さらにマスク７の上方には、軟Ｘ線
発生装置９が設置され、軟Ｘ線発生装置９で発生された
軟Ｘ線が、マスク７を通してウェハ６上に照射される。
と、その両側にウェハ平坦度検出器ろおよびマスク平坦
度検出器４が配置されている前記ＸＹテーブル２の上に
は、薄板変形装置５が配置され、平坦度の検出を終った
ウェハ６を載置固定する。このウェハ６の上方には、平
坦度の検出を終ったマスク７が微小な間隙ｙで対向配置
される。マスク７の上方には、アライメント検出器８が
配置され、このアライメント検出器８の出力に連動して
ＸＹテーブル２が移動して、マスク７とウェハ６の位置
合せ２行なうそして、マスク７とウェハ６の位置合せが
終ると、薄板変形装置５が作動し、ウエノ１６を所要の
形状に変形させる。さらにマスク７の上方には、軟Ｘ線
発生装置９が設置され、軟Ｘ線発生装置９で発生された
軟Ｘ線が、マスク７を通してウェハ６上に照射される。
このとき、ウェハ６上に、軟Ｘ線に反応するレジスタ被
膜が形成されていると、マスク７に形成されたパターン
をレジスト被膜上に転写することができる。
膜が形成されていると、マスク７に形成されたパターン
をレジスト被膜上に転写することができる。
第２図は、本発明による薄板変形装置５の一例を示すも
ので、同図において、環状の固定ベース１１は、ＸＹテ
ーブルに載置固定される。このベース１１の中央に位置
するように配置されたベース１２は、１２０度間隔で配
置された３個の板はね１５によって、前記固定ベース１
１［結合されている。前記ベース１２上に形成された環
状の溝に装着された０ １Ｊング１４上には、上端に環
状のフランジ１５ヲ形成した中空のケース１６が載置固
定され、ベース１２とケース１６の間の気密を保持する
ようになっている。前記フランジ１５の上端面の内向縁
側には、真空吸着用の環状の溝１７が形成されている。
ので、同図において、環状の固定ベース１１は、ＸＹテ
ーブルに載置固定される。このベース１１の中央に位置
するように配置されたベース１２は、１２０度間隔で配
置された３個の板はね１５によって、前記固定ベース１
１［結合されている。前記ベース１２上に形成された環
状の溝に装着された０ １Ｊング１４上には、上端に環
状のフランジ１５ヲ形成した中空のケース１６が載置固
定され、ベース１２とケース１６の間の気密を保持する
ようになっている。前記フランジ１５の上端面の内向縁
側には、真空吸着用の環状の溝１７が形成されている。
この溝１７を覆うようにフランジ１５上に載置された可
撓性を有する鋼、アルミステンレス、りん青銅、別等の
０４〜３調の金属薄板、または０．７ｍｍ程度のガラス
薄板で形成されたダイヤフラム式のチャック１８は、前
記溝１７に供給される真空によ−て吸着固定されろ。前
記チャック１８の上面には、機械加工の他エノチンク（
Ｓｉ薄板の場合）等によって浅い溝が形成され、この溝
を介してウェハを薄板に真空吸着するようになっている
。前記ケース１６の側面には貫通穴１９が形成されてい
る。この貫通穴１９に嵌、合する環状の枠１９の外周に
形成された溝には、Ｕ １１ング２０がはめ込まれ、枠
１９ヲクース１６に取付げたとき、ケース１６と枠１９
の間の気密を保持するようになっている。前記枠１９の
中央は、前記ベース１２とケース１６およびチャック１
８で形成される空間と、この空間を通り前記チャック１
８の表面の溝と、前記溝１７にそれぞれ真空圧を供給す
るための複数の配管（図示省略）と、後述するピエゾ素
子に電圧を印加するための複数の配線（図示省略）が貫
通し、かつ、残った空間は充填材２１によって埋られ、
気密状態を保持するようになっている。前記枠１９の外
側面には、前記配管および配線を支持するブラケット２
２が固定されている。一方、前記枠１９の内側に位置す
るように、前記配線および配管を支持するブラケット２
３が、前記ベース１２に立設されている前記ベース１２
上には、多数の上下動素子２４（４インチウェハの全面
に１０調間隔で配置する場合ｉｃはｉｏｓ個、以下１０
５個の場合で説明する。）が所定の配列で配置されてい
る。この上下動素子２４は、前記ベース１２に固定され
たチャンネル状のケース２５と、ケース２５の下端に形
成されたねじ穴にねじ込まれた調整用のねじ２６と、ケ
ース２５の上端に形成されたねじ穴にねじ込まれた変位
量取出し用のチップ２７と、このねじ２６およびチップ
２７に接する一対の鋼球２８の間に支持されたピエゾ素
子２９とによって構成されている。
撓性を有する鋼、アルミステンレス、りん青銅、別等の
０４〜３調の金属薄板、または０．７ｍｍ程度のガラス
薄板で形成されたダイヤフラム式のチャック１８は、前
記溝１７に供給される真空によ−て吸着固定されろ。前
記チャック１８の上面には、機械加工の他エノチンク（
Ｓｉ薄板の場合）等によって浅い溝が形成され、この溝
を介してウェハを薄板に真空吸着するようになっている
。前記ケース１６の側面には貫通穴１９が形成されてい
る。この貫通穴１９に嵌、合する環状の枠１９の外周に
形成された溝には、Ｕ １１ング２０がはめ込まれ、枠
１９ヲクース１６に取付げたとき、ケース１６と枠１９
の間の気密を保持するようになっている。前記枠１９の
中央は、前記ベース１２とケース１６およびチャック１
８で形成される空間と、この空間を通り前記チャック１
８の表面の溝と、前記溝１７にそれぞれ真空圧を供給す
るための複数の配管（図示省略）と、後述するピエゾ素
子に電圧を印加するための複数の配線（図示省略）が貫
通し、かつ、残った空間は充填材２１によって埋られ、
気密状態を保持するようになっている。前記枠１９の外
側面には、前記配管および配線を支持するブラケット２
２が固定されている。一方、前記枠１９の内側に位置す
るように、前記配線および配管を支持するブラケット２
３が、前記ベース１２に立設されている前記ベース１２
上には、多数の上下動素子２４（４インチウェハの全面
に１０調間隔で配置する場合ｉｃはｉｏｓ個、以下１０
５個の場合で説明する。）が所定の配列で配置されてい
る。この上下動素子２４は、前記ベース１２に固定され
たチャンネル状のケース２５と、ケース２５の下端に形
成されたねじ穴にねじ込まれた調整用のねじ２６と、ケ
ース２５の上端に形成されたねじ穴にねじ込まれた変位
量取出し用のチップ２７と、このねじ２６およびチップ
２７に接する一対の鋼球２８の間に支持されたピエゾ素
子２９とによって構成されている。
そして、前記ケース２５の上方には溝６０が形成され、
ケース２５の上端が弾性変形し易いように構成されてい
る。また、前記ピエゾ素子２９は、前記配線に接続され
ている。前記固定ベース１１には、前記板ばね１３に対
応して１２０度間隔で３個の上下動素子ろ１が配置され
ている。この上下動素子３１は、前記固定ベース１１に
固定されたＵ字状のケース５２と、一端がケース３２の
上端に固定され、かつ溝６６によって弾性変形可能に形
成された変位取出用のチップ６４と、ケース３２の下端
に形成されたねじ穴にねじ込まれた調整用のねじ６５と
、チップ３４とねじ６５の間に一対の鋼球３６を介して
支持されたピエゾ素子６７とによって構成されている。
ケース２５の上端が弾性変形し易いように構成されてい
る。また、前記ピエゾ素子２９は、前記配線に接続され
ている。前記固定ベース１１には、前記板ばね１３に対
応して１２０度間隔で３個の上下動素子ろ１が配置され
ている。この上下動素子３１は、前記固定ベース１１に
固定されたＵ字状のケース５２と、一端がケース３２の
上端に固定され、かつ溝６６によって弾性変形可能に形
成された変位取出用のチップ６４と、ケース３２の下端
に形成されたねじ穴にねじ込まれた調整用のねじ６５と
、チップ３４とねじ６５の間に一対の鋼球３６を介して
支持されたピエゾ素子６７とによって構成されている。
そして、チップ３４が、その上端に載置された鋼球３８
によって、前記ケース１６のフランジ１５に配置された
ブラケット６９ヲ支えることによって、ケース１６ヲ支
持てるような構成になっている。したがって、上下動素
子６１が作動すると、チャック１８の全体の傾斜を変え
ることができる。また、ベース１２とケース１６および
。
によって、前記ケース１６のフランジ１５に配置された
ブラケット６９ヲ支えることによって、ケース１６ヲ支
持てるような構成になっている。したがって、上下動素
子６１が作動すると、チャック１８の全体の傾斜を変え
ることができる。また、ベース１２とケース１６および
。
チャック１８で形成される空間に真空圧を供給すると、
チャック１８が大気圧に押され前記上下動素子２４のチ
ップ２７に接触するまで押下げられ、上下動素子２４に
よって支・えられる。したがってチャック１８Ｖ？：ウ
ェハが吸着支持されているため。
チャック１８が大気圧に押され前記上下動素子２４のチ
ップ２７に接触するまで押下げられ、上下動素子２４に
よって支・えられる。したがってチャック１８Ｖ？：ウ
ェハが吸着支持されているため。
ウェハもチャック１８にならって変形される。
第３図は、第２図における上下動素子２４の駆動回路の
一例を示すもので、同図において・Ｃ゛ＰＵ４１は、第
１図に示したウェハ平坦度検出器６およびマスク平坦度
検出器４に接続され、各検出器６，４の検出データを記
憶し、かつ、上下動素子２４によるウェハ６の変形量、
すなわち上下動素子２４のピエゾ素子２９に印加すべき
電圧乞求める。Ｃ’ＰＵ４１に接続された出力ポート４
２は、ＣＰＵ４１の指令に基づいて、作動させるべき上
下動素子２４の選択信号と、各上下動素子２４に印加す
べき電圧のティジタル値を発振する。
一例を示すもので、同図において・Ｃ゛ＰＵ４１は、第
１図に示したウェハ平坦度検出器６およびマスク平坦度
検出器４に接続され、各検出器６，４の検出データを記
憶し、かつ、上下動素子２４によるウェハ６の変形量、
すなわち上下動素子２４のピエゾ素子２９に印加すべき
電圧乞求める。Ｃ’ＰＵ４１に接続された出力ポート４
２は、ＣＰＵ４１の指令に基づいて、作動させるべき上
下動素子２４の選択信号と、各上下動素子２４に印加す
べき電圧のティジタル値を発振する。
出力ポート４２に接続されたデコーダ４５は、出力ポー
ト４２から印加される選択信号に基づいて、ステップア
ンドリピート回数に対応して予じめ設定された区画（実
施例では１２１メ分）を指定すするための信号を発振す
る。デコーダ４３に接続されたラッチ回路４４は、デコ
ーダ４６から印加される信号をラッチする。ラッチ回路
４４ＶＣ接続されたバッファ回路４５ば、ランチ回路４
４から印加された信号に基づいて、ＯＲ回路４６ヲ介し
て作動させるべきピエゾ素子２９のスイッチング回路（
後述）に作動信号を印加する。一方、出力ポート４２に
接続された２５個のルｑコンバータ４７Ａ〜４７Ｙには
、Ｃ’ＰＵ４１の演算結果に基つくディジタル信号が印
加される。高圧電源４８と〃Δコンバ−タ４７Ａ〜４７
Ｙに接続された２５個のアンプ４９Ａ〜４９Ｙは、高圧
電源４７から印加される電圧からＤ／Ａコンバータ４７
Ａ〜４７Ｆから印加されるアナログ信号に基づいて所要
の電圧を取出す。前記アンプ４９Ａ〜４９ＹＶ？：は、
それぞれ複数個のピエゾ素子２９と、各ピエゾ素子２９
に接続されたトランジスタで形成されるスイッチ回路５
０が並列に接続されている。このスイッチ回路５０には
、前記バッファ回路４５から発信された作動信号５１が
印加される。そして、作動信号５１が印加されたスイッ
チ回路５０が作動すると、そのスイッチ回路５０に接続
されたピエゾ素子２９ニ、アンプ４９Δ〜４９Ｆからの
電圧が印加される。
ト４２から印加される選択信号に基づいて、ステップア
ンドリピート回数に対応して予じめ設定された区画（実
施例では１２１メ分）を指定すするための信号を発振す
る。デコーダ４３に接続されたラッチ回路４４は、デコ
ーダ４６から印加される信号をラッチする。ラッチ回路
４４ＶＣ接続されたバッファ回路４５ば、ランチ回路４
４から印加された信号に基づいて、ＯＲ回路４６ヲ介し
て作動させるべきピエゾ素子２９のスイッチング回路（
後述）に作動信号を印加する。一方、出力ポート４２に
接続された２５個のルｑコンバータ４７Ａ〜４７Ｙには
、Ｃ’ＰＵ４１の演算結果に基つくディジタル信号が印
加される。高圧電源４８と〃Δコンバ−タ４７Ａ〜４７
Ｙに接続された２５個のアンプ４９Ａ〜４９Ｙは、高圧
電源４７から印加される電圧からＤ／Ａコンバータ４７
Ａ〜４７Ｆから印加されるアナログ信号に基づいて所要
の電圧を取出す。前記アンプ４９Ａ〜４９ＹＶ？：は、
それぞれ複数個のピエゾ素子２９と、各ピエゾ素子２９
に接続されたトランジスタで形成されるスイッチ回路５
０が並列に接続されている。このスイッチ回路５０には
、前記バッファ回路４５から発信された作動信号５１が
印加される。そして、作動信号５１が印加されたスイッ
チ回路５０が作動すると、そのスイッチ回路５０に接続
されたピエゾ素子２９ニ、アンプ４９Δ〜４９Ｆからの
電圧が印加される。
上記の構成において、たとえば、第４図に示すように、
チャック１８に支持されたウェハ６を１２の区画（１１
〜（踵に分けて露光する場合について説明する。なお、
上下動素子２４はチャック１８の下に配置されている。
チャック１８に支持されたウェハ６を１２の区画（１１
〜（踵に分けて露光する場合について説明する。なお、
上下動素子２４はチャック１８の下に配置されている。
そして、１回の露光の際には各露光範囲ｆｌ）〜―）Ｋ
ついて、それぞれ、露光範囲の外周を含む２５個の上下
動素子２４を作動させ、露光範囲内の変形状態が、その
周囲の未変形部分から影響を受けないように１．ている
。
ついて、それぞれ、露光範囲の外周を含む２５個の上下
動素子２４を作動させ、露光範囲内の変形状態が、その
周囲の未変形部分から影響を受けないように１．ている
。
また、１０５個の上下動素子２４と、それらを駆動する
２５個のアンプ４９Ａ〜４９Ｙは、第５図に示すように
対応する。すなわち、１０５個の上下動素子２４を１へ
１０９（但し８＋’６ｓ９４ｓ１０２は欠番）で示し１
．２５個のアンプ４９Ａ〜４９ＹをＡ〜Ｙで示すと、区
画（ＴＩの場合、上下動素子１はアンプＣで駆動される
。同様に、上下動素子２はアンプＤで、３−Ｅ、 ４−
Ａ、 ５−Ｂ、 ９−Ｅ。
２５個のアンプ４９Ａ〜４９Ｙは、第５図に示すように
対応する。すなわち、１０５個の上下動素子２４を１へ
１０９（但し８＋’６ｓ９４ｓ１０２は欠番）で示し１
．２５個のアンプ４９Ａ〜４９ＹをＡ〜Ｙで示すと、区
画（ＴＩの場合、上下動素子１はアンプＣで駆動される
。同様に、上下動素子２はアンプＤで、３−Ｅ、 ４−
Ａ、 ５−Ｂ、 ９−Ｅ。
１０−Ｉ・・・・・・４４−Ｕ、４５−Ｖが各々対応す
る。また、区画（ＩＩＩの場合は、５−Ｅ、 ４’−Ａ
、 ５−Ｂ６−（、’ 、 ７−Ｊ）、１１−１．１
２−．７”・・・・・・４６−ＪＦ。
る。また、区画（ＩＩＩの場合は、５−Ｅ、 ４’−Ａ
、 ５−Ｂ６−（、’ 、 ７−Ｊ）、１１−１．１
２−．７”・・・・・・４６−ＪＦ。
４７−Ｘが各々対応する。第６図このよつｌＬ関係を模
式的に示すもので、ノ（ツファ４５からＩの作動信号５
１が発掘されると、アンプ４９Ａに接続された上下動素
子２４の４番目のピエゾ素子２９（Ｐ４）と、アンプ４
９Ｂに接続された上下動素子２４０５番目のピエゾ素子
２９（Ｐ５）と、・・・・・・、アンプ４９Ｙに接続さ
れた上下動素子の４３番目のピエゾ素子２９（Ｐｄ２）
が作動すること？示している。
式的に示すもので、ノ（ツファ４５からＩの作動信号５
１が発掘されると、アンプ４９Ａに接続された上下動素
子２４の４番目のピエゾ素子２９（Ｐ４）と、アンプ４
９Ｂに接続された上下動素子２４０５番目のピエゾ素子
２９（Ｐ５）と、・・・・・・、アンプ４９Ｙに接続さ
れた上下動素子の４３番目のピエゾ素子２９（Ｐｄ２）
が作動すること？示している。
このようにして、ＣＰＵ５１から区画指定信号とその区
画において各アンプ４９Ａ〜４９Ｙから出すべき電圧の
ディジタル信号が発振されろと、露光領域とその周辺の
２５個の上下動素子２４カー作動して、ウェハ６の露光
領域を所要の形状に変形させることができる。
画において各アンプ４９Ａ〜４９Ｙから出すべき電圧の
ディジタル信号が発振されろと、露光領域とその周辺の
２５個の上下動素子２４カー作動して、ウェハ６の露光
領域を所要の形状に変形させることができる。
なお５本薄板変形装置は、Ｘ線露光装置の細光式露光装
置にもそのまま適用できる。
置にもそのまま適用できる。
上下動素子はピエゾ素子の他、電磁力、流体機械的変形
等例でもよい。
等例でもよい。
以上詳述した通り本発明によれば、ドライノ（と上下動
素子とを切換えスイッチを介して接続し、ドライバによ
って上下動素子を駆動し薄板を変形させる変形機構２設
け、切換スイッチによってドライバと上下動素子との接
続を切り換え、上記変位機構欠露光部分に変位させるよ
うにしたので、露光部分の変形に必要十分な数のドライ
バだけでよく、従来のものに比べてその数を大巾に減ら
すことができ、駆動装置の実装スペースを充分確保する
ことができ、装置全体が小型化されてコスト低減されろ
と共Ｋ、駆動装置の実装スペースに充分余裕があるので
、上下動素子の配列密度をさらに高めることカζ可能と
なって、より精度の高い露光が可能となり、ますます小
型化される時代の趨勢に充分応えることができるなど、
その効果は犬なるものカ；ある。
素子とを切換えスイッチを介して接続し、ドライバによ
って上下動素子を駆動し薄板を変形させる変形機構２設
け、切換スイッチによってドライバと上下動素子との接
続を切り換え、上記変位機構欠露光部分に変位させるよ
うにしたので、露光部分の変形に必要十分な数のドライ
バだけでよく、従来のものに比べてその数を大巾に減ら
すことができ、駆動装置の実装スペースを充分確保する
ことができ、装置全体が小型化されてコスト低減されろ
と共Ｋ、駆動装置の実装スペースに充分余裕があるので
、上下動素子の配列密度をさらに高めることカζ可能と
なって、より精度の高い露光が可能となり、ますます小
型化される時代の趨勢に充分応えることができるなど、
その効果は犬なるものカ；ある。
ちなみに上下動素子（ドライノくの数）を、従来のもの
と比較すると次のようになる。従来の数をＡ、本願をＮ
′とすると Ｎ＝（−７：、＋’ｓ）２ ここで Ｐ：上下動素子の配列ピッチ Ｈ：マスクの大きさ ３５ニステツプアンドリピートの回数 ０２周辺制御のための数 ４インチウエノ・でＪｉ−−２とし、Ｓを変えてＮとＮ
′を計算すると次の表になる。
と比較すると次のようになる。従来の数をＡ、本願をＮ
′とすると Ｎ＝（−７：、＋’ｓ）２ ここで Ｐ：上下動素子の配列ピッチ Ｈ：マスクの大きさ ３５ニステツプアンドリピートの回数 ０２周辺制御のための数 ４インチウエノ・でＪｉ−−２とし、Ｓを変えてＮとＮ
′を計算すると次の表になる。
ＳＮ Ｎ’ ＡＩ −Ｎ’４
４９ ２５ ２４５
６５ ２５ ４［１１２１
０５２５８０ ２１１５６２５１２８
４９ ２５ ２４５
６５ ２５ ４［１１２１
０５２５８０ ２１１５６２５１２８
第１図は本発明の薄板変形装置を利用するＸ線露光装置
の一例を示す斜視図、第２図は本発明による薄板変形装
置の一実施例を示す精面部分断面図、第３図は第２図に
示す薄板変形装置の駆動回路の一例を示すブロック線図
、第４図はウェハと上下動素子の位置関係を示す平面図
第５図は上下動素子とその駆動回路との対応を示す平面
図、第６図は上下動素子とその駆動回路の対応を示す模
式図である。 ５・・・薄板変形装置、 ６・・・ウェハ、 ７・・・マスク、 ９・・・軟Ｘ線発生装置。 １日・・・ダイヤフラム式チャック、 ２４・・・ウェハ変形用上下動素子、 ５１・・・全体傾斜調整用上下動素子、２９ 、５７・
・・ピエゾ素子。 仲ヌ（〕 り千（２ ／８ 才ｉ（い ８３− ラＬ！−廻
の一例を示す斜視図、第２図は本発明による薄板変形装
置の一実施例を示す精面部分断面図、第３図は第２図に
示す薄板変形装置の駆動回路の一例を示すブロック線図
、第４図はウェハと上下動素子の位置関係を示す平面図
第５図は上下動素子とその駆動回路との対応を示す平面
図、第６図は上下動素子とその駆動回路の対応を示す模
式図である。 ５・・・薄板変形装置、 ６・・・ウェハ、 ７・・・マスク、 ９・・・軟Ｘ線発生装置。 １日・・・ダイヤフラム式チャック、 ２４・・・ウェハ変形用上下動素子、 ５１・・・全体傾斜調整用上下動素子、２９ 、５７・
・・ピエゾ素子。 仲ヌ（〕 り千（２ ／８ 才ｉ（い ８３− ラＬ！−廻
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 真空吸着された薄板を、その吸着面側から押上げ
て変形させる薄板変形装置において、ベースと、 このベースに支持された中空のケースと。 このケースの上端に支持され、かつ上面に吸着用の溝を
形成したダイヤスラム式のチャックと、 前記ベースとケースおよびチャックによって構成された
気密空間内の所定の位置に所定の間隔で配置された多数
の上下動素子と、 この上下動素子を選択的に作動させる駆動手段とを設げ
たことを特徴とする薄板変形装置。 ２ 上記上下動素子が、 ピエゾ素子と、 ピエゾ素子に付設され、その上端部が弾性変形可能に形
成されたケースと。 このケースの上端に固定された変位量取出用のチップか
ら成り、このチップの先端がチャックの下面と接するよ
うにしたことを特徴とする特許ｍ青求の範囲第１項記載
の薄板変形装置。 ６、 ベースの外側に配置された環状の固定ベースと、
この固定ベース上の３個所に配置された上下動素子とを
設け、６個の上下動素子で薄板変形装置を支えると共に
、固定ベースとベースの間を板ばねで結合したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄板変形装置。 ４、 ダイヤフラム式のチャックが、エツチングにより
形成された吸着溝と。 吸着溝と裏面を貫通する穴と、 から成り、裏面から吸着溝へ真空を通してウェハをチャ
ックすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄板変形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215410A JPS59106118A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 薄板変形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57215410A JPS59106118A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 薄板変形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59106118A true JPS59106118A (ja) | 1984-06-19 |
Family
ID=16671859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57215410A Pending JPS59106118A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | 薄板変形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59106118A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666291A (en) * | 1985-04-17 | 1987-05-19 | Hitachi, Ltd. | Light-exposure apparatus |
| EP0268203A2 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Anordnung zur Änderung des Abbildungsmassstabes in der Röntgenlithografie |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
| JPS56130738A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Method and device for exposure |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57215410A patent/JPS59106118A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54120585A (en) * | 1978-01-23 | 1979-09-19 | Western Electric Co | Method of placing and smoothing substrate wafer having front and rear surfaces |
| JPS56130738A (en) * | 1980-03-19 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Method and device for exposure |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4666291A (en) * | 1985-04-17 | 1987-05-19 | Hitachi, Ltd. | Light-exposure apparatus |
| EP0268203A2 (de) * | 1986-11-18 | 1988-05-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Anordnung zur Änderung des Abbildungsmassstabes in der Röntgenlithografie |
| US4887282A (en) * | 1986-11-18 | 1989-12-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for changing the imaging scale in X-ray lithograph |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0077559B1 (en) | Wafer surface contouring device | |
| JPS6349892B2 (ja) | ||
| JP3634563B2 (ja) | 露光方法および装置並びにデバイス製造方法 | |
| US4539695A (en) | X-Ray lithography system | |
| EP0360272B1 (en) | Stepper for circuit pattern formation | |
| JP2003332411A (ja) | 基板保持装置及び露光装置 | |
| JPS59106118A (ja) | 薄板変形装置 | |
| JP2002305138A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| US20040025322A1 (en) | Waffle wafer chuck apparatus and method | |
| JPH0445969B2 (ja) | ||
| JP2005012009A (ja) | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置 | |
| Bohlen et al. | Electron-beam proximity printing—a new high-speed lithography method for submicron structures | |
| JPS6279647A (ja) | 薄板変形装置およびプロキシミティ露光装置 | |
| JP3634539B2 (ja) | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 | |
| US6381005B1 (en) | Mask holding device, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2005268675A (ja) | 微細パターン形成装置および半導体デバイス製造方法 | |
| JPH0147007B2 (ja) | ||
| JPH08293455A (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP2002260566A (ja) | 荷電ビーム装置 | |
| JPH04129209A (ja) | 露光装置 | |
| US20040140436A1 (en) | Transfer method and apparatus, exposure method and apparatus, method of manufacturing exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JPS6330781B2 (ja) | ||
| JPS6097359A (ja) | 投影形露光装置 | |
| JPS6074527A (ja) | マスク装着方法及び装置 | |
| JPH0414211A (ja) | Ｘ線露光方法及びｘ線露光装置 |