JPH0443414A - 発振回路内蔵型集積回路 - Google Patents
発振回路内蔵型集積回路Info
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- JPH0443414A JPH0443414A JP2150529A JP15052990A JPH0443414A JP H0443414 A JPH0443414 A JP H0443414A JP 2150529 A JP2150529 A JP 2150529A JP 15052990 A JP15052990 A JP 15052990A JP H0443414 A JPH0443414 A JP H0443414A
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- oscillation circuit
- oscillation
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- input terminal
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 64
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000010356 wave oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、クロックパルス供給用の発振回路を内蔵した
集積回路に関する。
集積回路に関する。
〔従来の技術]
一般に、マイクロプロセッサ回路や信号処理プロセッサ
回路等の論理回路を内部回路として備えている集積回路
は内部にクロックパルスを供給するための発振回路を内
蔵している。
回路等の論理回路を内部回路として備えている集積回路
は内部にクロックパルスを供給するための発振回路を内
蔵している。
第5図は従来のこの種の発振回路内蔵型集積回路の回路
図を示す。
図を示す。
同図に示すように、図示しない水晶発振子の一方の端子
を接続するための端子及び図示しない外部の発振回路を
接続するための端子を兼用する端子11と、水晶発振子
の他方の端子を接続するための端子12とが設けられて
いる。
を接続するための端子及び図示しない外部の発振回路を
接続するための端子を兼用する端子11と、水晶発振子
の他方の端子を接続するための端子12とが設けられて
いる。
端子11は、PMOS (Pチャネルメタルオキサイド
セミコンダクタ)トランジスタ!3とNMOS(Nチャ
ネルメタルオキサイドセミコンダクタ)トランジスタ1
4とで形成されたインバータ15の入力端子と接続され
ており、端子12は、このインバータ15の出力端子と
接続されている。この端子12は、PMOS)ランジス
タ16及び17とNMOSトランジスタ18及び19と
で形成されている2つのインバータ20及び21を介し
て内部回路22と接続されている。
セミコンダクタ)トランジスタ!3とNMOS(Nチャ
ネルメタルオキサイドセミコンダクタ)トランジスタ1
4とで形成されたインバータ15の入力端子と接続され
ており、端子12は、このインバータ15の出力端子と
接続されている。この端子12は、PMOS)ランジス
タ16及び17とNMOSトランジスタ18及び19と
で形成されている2つのインバータ20及び21を介し
て内部回路22と接続されている。
一方、ゲート電極が接地されているPMOSトランジス
タ23の一端が端子11と接続されており、このPMO
Sトランジスタ23の他端が端子12と接続されている
。ゲート電極に電源電圧Vccが印加されているNMO
8)ランジスタ24の一端が端子11と接続されており
、このNMO8)ランジスタ24の他端が端子12と接
続されている。
タ23の一端が端子11と接続されており、このPMO
Sトランジスタ23の他端が端子12と接続されている
。ゲート電極に電源電圧Vccが印加されているNMO
8)ランジスタ24の一端が端子11と接続されており
、このNMO8)ランジスタ24の他端が端子12と接
続されている。
PMO8)ランジスタ23とNMO8)ランジスタ24
とは等価的に例えば50OKΩ〜IMΩの抵抗として機
能し、端子!■におけるDC(直流)バイアス電圧を定
める。
とは等価的に例えば50OKΩ〜IMΩの抵抗として機
能し、端子!■におけるDC(直流)バイアス電圧を定
める。
インバータ15の入力端子11と出力端子12との間に
水晶発振子が外部接続されるとインバータ15とこの水
晶発振子とにより発振回路が構成されて発振する。この
発振信号が2つのインバータ20及び21により波形整
形されて内部回路22ヘクロツク信号として印加される
。
水晶発振子が外部接続されるとインバータ15とこの水
晶発振子とにより発振回路が構成されて発振する。この
発振信号が2つのインバータ20及び21により波形整
形されて内部回路22ヘクロツク信号として印加される
。
一方、水晶発振子を用いずに、外部から発振信号が端子
11に入力されると、この信号はインバータ11によっ
て反転増幅され、2つのインバータ20及び21により
波形整形された後向部回路22ヘクロック信号として印
加される。
11に入力されると、この信号はインバータ11によっ
て反転増幅され、2つのインバータ20及び21により
波形整形された後向部回路22ヘクロック信号として印
加される。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら上述した従来の発振回路内蔵型集積回路で
は、端子11に入力した外部からの発振信号によりイン
バータ15.2G及び21が作動してしまうので、消費
電力がどうしても大きくなってしまう。
は、端子11に入力した外部からの発振信号によりイン
バータ15.2G及び21が作動してしまうので、消費
電力がどうしても大きくなってしまう。
従って本発明の目的は、消費電力を低減することができ
る発振回路内蔵型集積回路を提供することにある。
る発振回路内蔵型集積回路を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上述の目的は本発明によれば、外部の水晶発振子が接続
可能な第1及び第2の外部接続端子と、第1及び第2の
外部接続端子に入力及び出力が接続されており接続され
る水晶発振子と協働して発振動作を行う発振回路と、第
1及び第2の外部接続端子と独立して設けられておりク
ロックパルスを必要とする内部回路に接続されているク
ロック入力端子とを備えていることにより達成される。
可能な第1及び第2の外部接続端子と、第1及び第2の
外部接続端子に入力及び出力が接続されており接続され
る水晶発振子と協働して発振動作を行う発振回路と、第
1及び第2の外部接続端子と独立して設けられておりク
ロックパルスを必要とする内部回路に接続されているク
ロック入力端子とを備えていることにより達成される。
[作用]
発振回路は、第1及び第2の端子に外部の水晶発振子が
接続されると水晶発振子と協働して発振する。この第2
の端子とクロック入力端子とを接続することにより、こ
のクロックパルスが内部回路に供給される。外部から供
給されるクロックパルスは、クロック入力端子を介して
内部の回路に供給される。この場合第1の端子を電源電
圧供給源に接続し、第2の端子を開放すれば、発振回路
の動作が停止し、その分消費電力を削減できる。
接続されると水晶発振子と協働して発振する。この第2
の端子とクロック入力端子とを接続することにより、こ
のクロックパルスが内部回路に供給される。外部から供
給されるクロックパルスは、クロック入力端子を介して
内部の回路に供給される。この場合第1の端子を電源電
圧供給源に接続し、第2の端子を開放すれば、発振回路
の動作が停止し、その分消費電力を削減できる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例として発振回路内蔵型集積
回路の回路図を示す。
回路の回路図を示す。
同図に示すように、発振回路内蔵型集積回路には、外部
の水晶発振子が接続可能な第1の外部接続端子の一例で
ある入力端子31が設けられている。
の水晶発振子が接続可能な第1の外部接続端子の一例で
ある入力端子31が設けられている。
この入力端子3Iには、PMOSトランジスタ32のゲ
ート電極とNMOSトランジスタ33のゲート電極とが
接続されている。これらPMOSトランジスタ32とN
MOSトランジスタ33とで、インバータ34が形成さ
れている。このインバータ34の出力端子は、外部の水
晶発振子が接続可能な第2の外部接続端子の一例である
出力端子35と接続されている。
ート電極とNMOSトランジスタ33のゲート電極とが
接続されている。これらPMOSトランジスタ32とN
MOSトランジスタ33とで、インバータ34が形成さ
れている。このインバータ34の出力端子は、外部の水
晶発振子が接続可能な第2の外部接続端子の一例である
出力端子35と接続されている。
入力端子31にはさらに、PMOSトランジスタ36の
一端とNMOSトランジスタ37の一端とが接続されて
いる。PMOSトランジスタ36のゲート電極は接地さ
れており、NMOSトランジスタ37のケート電極には
電源電圧Vccが印加されている。PMO8)ランジス
タ36の他端とNMO8)ランンスタ37の他端とがイ
ンバータ34の出力端子と接続されている。このインバ
ータ34の出力端子は出力端子35と接続されている。
一端とNMOSトランジスタ37の一端とが接続されて
いる。PMOSトランジスタ36のゲート電極は接地さ
れており、NMOSトランジスタ37のケート電極には
電源電圧Vccが印加されている。PMO8)ランジス
タ36の他端とNMO8)ランンスタ37の他端とがイ
ンバータ34の出力端子と接続されている。このインバ
ータ34の出力端子は出力端子35と接続されている。
これらインバタ34とPMO8)ランジスタ36とNM
OSトランジスタ37とで、接続された水晶発振子と協
働して発振動作を行う。
OSトランジスタ37とで、接続された水晶発振子と協
働して発振動作を行う。
入力端子31及び出力端子35と独立して設けられたク
ロック入力端子40は、PMOSトランジスタ41のゲ
ート電極とNMOSトランジスタ42のゲート電極と接
続されている。これらPMO8)ランジスタ41とNM
OSトランジスタ42とでインバータ43が形成されて
いる。このクロック入力端子4゜はPMO3)ランジス
タ44の一端と接続されており、クロック入力端子40
はNM′OSトランジスタ45の一端と接続されている
。NMO3)ランジスタ45のゲート電極には、電源電
圧Vccが印加されており、PMOSトランジスタ44
のゲート電極は接地されている。PMO8)ランジスタ
44の他端及びNMO3)ランジスタ45の他端はイン
バータ43の出力端子と接続されている。
ロック入力端子40は、PMOSトランジスタ41のゲ
ート電極とNMOSトランジスタ42のゲート電極と接
続されている。これらPMO8)ランジスタ41とNM
OSトランジスタ42とでインバータ43が形成されて
いる。このクロック入力端子4゜はPMO3)ランジス
タ44の一端と接続されており、クロック入力端子40
はNM′OSトランジスタ45の一端と接続されている
。NMO3)ランジスタ45のゲート電極には、電源電
圧Vccが印加されており、PMOSトランジスタ44
のゲート電極は接地されている。PMO8)ランジスタ
44の他端及びNMO3)ランジスタ45の他端はイン
バータ43の出力端子と接続されている。
インバータ43の出力端子は、PMO3)ランジスタ4
6とNMO3)ランジスタ47とで形成されるインバー
タ48を介して内部回路39に接続されている。
6とNMO3)ランジスタ47とで形成されるインバー
タ48を介して内部回路39に接続されている。
インバータ34の入力端子と出力端子との間に接続され
ているPMO8)ランジスタ36とNMOSトランジス
タ37とはインバータ34の入力バイアス抵抗として機
能する。即ち、インバータ34のゲート電極電圧がV
c c / 2となるように、並列接続されたPMOS
トランジスタ36及びNMOSトランジスタ37の両端
の抵抗値が、例えば500にΩ〜IMΩに設定されてい
る。PMO8)ランジスタ44とNMO3)ランジスタ
45も同様にインバータ43の入力バイアス抵抗として
機能し、抵抗値が約500にΩ〜IMΩとなるように設
定されている。
ているPMO8)ランジスタ36とNMOSトランジス
タ37とはインバータ34の入力バイアス抵抗として機
能する。即ち、インバータ34のゲート電極電圧がV
c c / 2となるように、並列接続されたPMOS
トランジスタ36及びNMOSトランジスタ37の両端
の抵抗値が、例えば500にΩ〜IMΩに設定されてい
る。PMO8)ランジスタ44とNMO3)ランジスタ
45も同様にインバータ43の入力バイアス抵抗として
機能し、抵抗値が約500にΩ〜IMΩとなるように設
定されている。
発振回路38に用いられているインバータ34は、第2
図に示す入出力電圧特性を有している。
図に示す入出力電圧特性を有している。
インバータ34がこのような特性を有しているため、発
振回路38は、水晶発振子が入力端子31及び出力端子
35間に接続されると発振を起こす。
振回路38は、水晶発振子が入力端子31及び出力端子
35間に接続されると発振を起こす。
第1図に示すようにこの発振回路38は、水晶発振子が
接続されてない場合、発振はしないが反転増幅動作状態
となっているため電流が流れる。この発振回路38の入
力端子31へ一定の電圧、例えば電源電圧Vcc(rl
J論理レベル)を印加すると反転増幅動作が停止する。
接続されてない場合、発振はしないが反転増幅動作状態
となっているため電流が流れる。この発振回路38の入
力端子31へ一定の電圧、例えば電源電圧Vcc(rl
J論理レベル)を印加すると反転増幅動作が停止する。
入力端子31に印加される電圧は、電源電圧Vccに限
らず「1コ論理レベルとなればよく、「0」論理レベル
となるような電圧であってもよいことは明らかである。
らず「1コ論理レベルとなればよく、「0」論理レベル
となるような電圧であってもよいことは明らかである。
クロック入力端子40は、発振回路38を発振させる場
合、出力端子35と接続して、この発振回路38の発振
信号を内部回路39へ供給する。このクロック入力端子
40は、外部の発振回路と接続して、発振信号を内部回
路39に供給することも可能である。
合、出力端子35と接続して、この発振回路38の発振
信号を内部回路39へ供給する。このクロック入力端子
40は、外部の発振回路と接続して、発振信号を内部回
路39に供給することも可能である。
2つのインバータ43及び48は外部からクロック入力
端子40に印加された発振信号の波形を整形する波形整
形回路を形成する。インバータ48の出力端子は、マイ
クロプロセッサ回路や信号処理プロセッサ回路等の内部
回路と接続されている。
端子40に印加された発振信号の波形を整形する波形整
形回路を形成する。インバータ48の出力端子は、マイ
クロプロセッサ回路や信号処理プロセッサ回路等の内部
回路と接続されている。
尚、発振回路内蔵型集積回路の内部の発振回路を使用す
る場合は、入力端子31と出力端子35との間に水晶発
振子を接続しかつ出力端子35とクロック入力端子40
を接続する。
る場合は、入力端子31と出力端子35との間に水晶発
振子を接続しかつ出力端子35とクロック入力端子40
を接続する。
第3図は外部の発振回路を接続するときの接続図を示す
。
。
同図に示すように入力端子31に電源電圧Vccを供給
し、出力端子35は開放状態とする。クロック入力端子
40は、AC(交流)結合コンデンサ49を介して、外
部の発振回路、例えば正弦波発振回路50と接続されて
いる。但しこのとき水晶発振子は接続されない。
し、出力端子35は開放状態とする。クロック入力端子
40は、AC(交流)結合コンデンサ49を介して、外
部の発振回路、例えば正弦波発振回路50と接続されて
いる。但しこのとき水晶発振子は接続されない。
AC結合コンデンサ49の容量は、正弦波発振回路50
の発振周波数により異なるが、発振周波数が10〜20
MH2程度である場合には好ましくは数百PFである。
の発振周波数により異なるが、発振周波数が10〜20
MH2程度である場合には好ましくは数百PFである。
次に、本実施例の発振回路内蔵型集積回路の動作を第1
図、第3図及び第4図を参照して説明する。尚、第4図
は第3図における主要な信号を示すタイムチャートを示
す。
図、第3図及び第4図を参照して説明する。尚、第4図
は第3図における主要な信号を示すタイムチャートを示
す。
第1図を参照して発振回路内蔵型集積回路の内部の発振
回路を使用する場合の動作を説明する。
回路を使用する場合の動作を説明する。
同図に示すように、入力端子31と出力端子3Dとの間
に水晶発振子を接続すると発振回路38は発振を起こす
。出力端子35とクロック入力端子4oとを接続すると
この発振回路38による発振信号がインバータ43に入
力される。インバータ43に入力された発振信号は2つ
のインバータ43及び48を介して内部回路39へ供給
される。このとき2つのインバタ43及び48はバッフ
ァとして機能する。
に水晶発振子を接続すると発振回路38は発振を起こす
。出力端子35とクロック入力端子4oとを接続すると
この発振回路38による発振信号がインバータ43に入
力される。インバータ43に入力された発振信号は2つ
のインバータ43及び48を介して内部回路39へ供給
される。このとき2つのインバタ43及び48はバッフ
ァとして機能する。
第3図を参照して発振回路内蔵型集積回路に外部の発振
回路を接続して使用する場合の動作を説明する。
回路を接続して使用する場合の動作を説明する。
同図に示すように、入力端子31に電圧電源電圧Vcc
が印加されると発振回路38は作動を停止し、抵抗体と
して機能する。このとき出力端子35とクロック入力端
子40とは遮断状態となっているので抵抗体としての発
振回路38の出力電圧はクロック入力端子40へ印加さ
れない。
が印加されると発振回路38は作動を停止し、抵抗体と
して機能する。このとき出力端子35とクロック入力端
子40とは遮断状態となっているので抵抗体としての発
振回路38の出力電圧はクロック入力端子40へ印加さ
れない。
一方、外部の発振回路から、振幅がV c c / 2
であり最小電圧が0ボルトの正弦波の発振信号がコンデ
ンサを介してクロック入力端子40に印加される(第4
図(A))。これによりこの正弦波信号から直流分とし
ての電圧V c c / 2が除去される(第4図(B
))。直流分が除去された正弦波信号は2つのインバー
タ43及び48を介して内部回路39に供給される。な
おこのとき2つのインバータ43及び48は波形整形回
路として機能し、正弦波信号は波形整形されて矩形波が
内部回路39に供給される(第4図(C))。
であり最小電圧が0ボルトの正弦波の発振信号がコンデ
ンサを介してクロック入力端子40に印加される(第4
図(A))。これによりこの正弦波信号から直流分とし
ての電圧V c c / 2が除去される(第4図(B
))。直流分が除去された正弦波信号は2つのインバー
タ43及び48を介して内部回路39に供給される。な
おこのとき2つのインバータ43及び48は波形整形回
路として機能し、正弦波信号は波形整形されて矩形波が
内部回路39に供給される(第4図(C))。
従って、外部の発振回路をクロック入力端子40に接続
することができ、内部の発振回路38の作動が停止され
るので、消費電力を低減することができる。
することができ、内部の発振回路38の作動が停止され
るので、消費電力を低減することができる。
尚、本実施例では外部の発振回路として正弦波発振回路
を用いているが、これに限らず外部の発振回路として矩
形波発振回路を用いてもよいっ[発明の効果コ 以上詳細に説明したように本発明は、外部の水晶発振子
が接続可能な第1及び第2の外部接続端子と、第1及び
第2の外部接続端子に入力及び出力が接続されており接
続される水晶発振子と協働して発振動作を行う発振回路
と、第1及び第2の外部接続端子と独立して設けられて
おりクロックパルスを必要とする内部回路に接続されて
いるクロック入力端子とを備えているので、外部の発振
回路からのクロック信号を入力するときに内蔵した発振
回路の作動を停止することができ消費電力を低減するこ
とができる。
を用いているが、これに限らず外部の発振回路として矩
形波発振回路を用いてもよいっ[発明の効果コ 以上詳細に説明したように本発明は、外部の水晶発振子
が接続可能な第1及び第2の外部接続端子と、第1及び
第2の外部接続端子に入力及び出力が接続されており接
続される水晶発振子と協働して発振動作を行う発振回路
と、第1及び第2の外部接続端子と独立して設けられて
おりクロックパルスを必要とする内部回路に接続されて
いるクロック入力端子とを備えているので、外部の発振
回路からのクロック信号を入力するときに内蔵した発振
回路の作動を停止することができ消費電力を低減するこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例として発振回路内蔵型集積回
路の回路図、第2図は入出力電圧特性図、第3図は外部
の発振回路を接続するときの接続図、第4図は第3図に
おける主要な信号を示すタイムチャート、第5図は発振
回路内蔵型集積回路の従来例を示す回路図である。 31・・・・・・入力端子、34.43.48・・・・
・・インバータ、35・・・・・・出力端子、38.5
0・・・・・・発振回路、39・・・・・・内部回路、
40・・・・・クロック入力端子。 4唐人1rA士 船 山 武
路の回路図、第2図は入出力電圧特性図、第3図は外部
の発振回路を接続するときの接続図、第4図は第3図に
おける主要な信号を示すタイムチャート、第5図は発振
回路内蔵型集積回路の従来例を示す回路図である。 31・・・・・・入力端子、34.43.48・・・・
・・インバータ、35・・・・・・出力端子、38.5
0・・・・・・発振回路、39・・・・・・内部回路、
40・・・・・クロック入力端子。 4唐人1rA士 船 山 武
Claims (1)
- 外部の水晶発振子が接続可能な第1及び第2の外部接
続端子と、該第1及び第2の外部接続端子に入力及び出
力が接続されており接続される前記水晶発振子と協働し
て発振動作を行う発振回路と、前記第1及び第2の外部
接続端子と独立して設けられておりクロックパルスを必
要とする内部回路に接続されているクロック入力端子と
を備えていることを特徴とする発振回路内蔵型集積回路
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2150529A JPH0443414A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 発振回路内蔵型集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2150529A JPH0443414A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 発振回路内蔵型集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0443414A true JPH0443414A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15498869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2150529A Pending JPH0443414A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 発振回路内蔵型集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0443414A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990013066A (ko) * | 1997-07-31 | 1999-02-25 | 윤종용 | 수정 발진기를 구비한 반도체 장치 |
US11712727B2 (en) | 2018-07-26 | 2023-08-01 | Noritz Corporation | Bend pipe and method for manufacturing same |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2150529A patent/JPH0443414A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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