JPH0439833B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔背景〕 この発明はテレビカメラに用いられるような撮
像器（イメージヤ）の出力信号を処理する装置、
特に電荷結合装置（以後CCDと呼ぶ）撮像器の
ような固体撮像器の表示画像中に現れることのあ
る低周波数雑音を低減する処理回路に関する。

この発明は例として画像Ａレジスタ、蓄積Ｂレ
ジスタおよび読取りＣレジスタを含むフイールド
転送型のCCD撮像器について説明する。Ａレジ
スタは被写体からの輻射光子エネルギすなわち光
を受ける感光素子のマトリツクスを含み、その輻
射エネルギの強度に比例する電荷が発生されてそ
の累積された電荷がテレビジヨン信号の場合は１
フイールド未満のある時間だけ蓄積される。この
累積電荷は垂直ブランキング期間中にクロツク信
号の制御より列を成してＡレジスタからＢレジス
タに転送される。また水平ブランキング期間中に
は、電荷の１水平線がクロツク信号の制御の下に
Ｃレジスタに並列に移動する。水平テレビジヨン
線の有効部分の間に電荷パケツトがクロツク信号
の制御の下にＣレジスタから直列に読取られ、次
の水平ブランキング期間中に次の水平線がＢレジ
スタからＣレジスタに並列に移動される。結局Ｂ
レジスタに蓄積された全部の線がＣレジスタに移
動し、さらにそれから読取られて、Ｂレジスタか
ら１フイールドが読み取られると、それはＡレジ
スタから累積電荷の他のフイールドを受入れる状
態になつている。こゝに説明する発明はフイール
ド転送型の撮像器に限定されるものではなく、例
えばインターライン転送型の撮像器のような他の
装置にも適合する。

Ｃレジスタの出力信号は同チツプ上の電荷電圧
変換器の浮動拡散域により感知することができ
る。この浮動拡散域から引出された出力信号はそ
の撮像器が形成されている同じチツプ上に集積さ
れて低入力キヤパシタンスを有するMOSFET増
幅器で緩衝される。しかしこのようなCCD製造
工程に合うトランジスタは１／雑音が大きく、
すなわち、単位帯域幅当りの雑音エネルギが周波
数が低いほど大きくなる。特にこの雑音は、直流
から100KHzまでの間で問題で、表示画像に不規
則な水平ストリークやフリツカを生じ、このスト
リークやフリツカは照明の弱いときに眼に見え
る。

その上浮動拡散出力段を持つCCD撮像器はリ
セツト雑音を随伴する。累積電荷のパケツトが感
知された後その浮動拡散域がリセツトされて次の
クロツクパルス中に電荷を受入れる準備をする。
このリセツト雑音は浮動拡散域のリセツトによつ
て生じ、熱的な雑音により変調された導電チヤン
ネルを介してリセツトドレンに現われるまで生じ
る。

浮動拡散出力段を持つCCD撮像器に従来法の
相関２重サンプリング（CDS）を用いると、浮
動拡散域リセツト雑音が極めて少なくなり、低周
波数増幅器雑音がなくなる。可視CCD撮像器に
用いるためのCDS回路が作られたが、これは低
い光レベルの性能を著しく向上した。しかしこの
結果生ずる高周波数雑音は黒基準を変調し、また
その雑音はある方式では低周波雑音に変わること
がある。この発明によれば、CCD撮像装置の低
周波数雑音をさらに低減することができる。

〔発明の概要〕

従つてこの発明は、一般に(1)各線の有効映像部
分が、リセツト期間と互いに交番する画素期間と
で構成されていて、その順次連続する各画素期間
中の画素の光レベルを表わす信号で構成された映
像信号を生成する線走査型撮像器と、(2)その画素
期間相互間のリセツト期間にその映像信号の基準
電位を設定する働きをする第１のクランプ回路
と、(B)上記映像信号の走査線期間の少なくとも一
部であつてその走査線の有効映像部の外側にある
部分の間その映像信号を基準電位に固定する働ら
きをする第２のクランプ回路と、(4)この２つのク
ランプ回路間の交流結合とを含む映像信号発生装
置に関する。各線の有効部の外側の部分の間に起
る雑音が平均黒レベルから外れると、第２のクラ
ンプ回路が交流結合を異常な黒レベルに荷電し
て、２回固定された信号に低周波数の雑音成分を
加えることになる。引伸された低周波数雑音は映
像表示で水平のストリークとして現れる。

この効果を減じるため、この発明によれば、第
１のクランプ回路とAC結合の間に、(1)上記走査
線期間の有効映像部分中は第１のクランプ回路か
らクランプされた映像信号を、(2)その有効映像部
分の外側の線期間中は基準電位を、交互にAC結
合に印加する切換手段が設けられている。第２の
クランプ回路が後者の線期間中このように動作す
ると、その線期間中交流結合にその基準電位を印
加することによる低雑音時中効果があり、従つて
低周波数雑音の発生とそれによる水平ストリーク
が減じられる。

〔詳細な説明〕

第１図において、Ｃレジスタ１は公知の方法で
３レベル多結晶シリコンCCD装置として形成さ
れ、埋込みチヤンネルSSD撮像器のＰ型シリコン
基板３はドープされ、内部を電荷パケツトが転送
される埋込みチヤンネルを画定するｎ型材料５の
チヤンネルを持つようにされている。複数個の電
極７，９，１１はそれぞれ位相固定信号φ₁，φ₂，
φ₃を受ける。この複数個の電極は基板３のほぼ
全長に亘つて左に延びている。各電極の細部は示
されていないが、ブロツク１３で各電極が表され
ている。各電極（例えば７，９，１１）は重なら
ないように図示されているが、３レベル多結晶シ
リコン装置では隣接する電極が重なつていること
に注意すべきである。クロツク信号の制御の下に
各電荷パケツト（図示せず）が右に移動する。例
えば、φ₁が低レベルまたは負になると、その下
の電荷パケツトが殆んど瞬間的に移動して電極９
の下に来る。次のサイクルでφ₂が低レベルにな
るとそのパケツトは殆んど瞬間的にゲート１１の
下に来て、以下同様である。この電荷パケツトの
クロツク制御と移動を第２図についてさらに詳述
する。ゲート１１が低レベルになると、パケツト
が直流バイアスされたゲート１５を通過して
CCDの出力部の浮動拡散域１９に移動する。浮
動拡散域１９はリセツトゲート２１、直流ゲート
１７，２５およびリセツトドレン２７を有する
FETのソース電極として働らく。ドレン２７は
正電位源（図示せず）に接続されて各電荷電圧変
換後にそのFETをリセツトする。ゲート２１は
リセツト信号φ_Rを受け、ゲート１５は直流バイ
アスを受けて拡散域１９を電極７，９，１１のク
ロツク信号から遮蔽する。同様に、ゲート１７，
２５はリセツトクロツク信号がそれぞれ浮動拡散
域１９とリセツトドレン２７に印加されるのを防
ぐ。さらにゲート１５，１７，２５はクロツク信
号およびリセツト信号の不規則雑音が場合によつ
て拡散域１９やドレン２７に供給されるのを防い
でいる。

低い光レベルで使用し得る出力電圧を得るため
には拡散域１９のキヤパシタンスが小さくなけれ
ばならない。従つて出力部２９はMOSFET緩衝
増幅器を備えている。このMOSFET緩衝増幅器
は同チツプ上のMOSFET３１，３３，３５を含
んでいる。浮動拡散域１９は低歪高入力インピー
ダンス用の電流源接続MOSFET３３にソースホ
ロワとして接続されたMOSFET３１のゲートに
結合されている。第１のソースホロワ出力は同様
にチツプ外の受動負荷３７とソースホロワ型に接
続されたMOSFET３５のゲートに結合されてい
る。MOSFET３１，３５のドレンは正電圧源
V_DDに接続され、MOSFET３３のソースとゲー
トは接地されている。MOSFET緩衝増幅器の出
力は抵抗３７を介して前置増幅器Ａ１の入力に接
続されている。抵抗３７はMOSFET緩衝増幅器
の内部抵抗と出力電圧を低下させる分圧器を形成
するため、一般にその抵抗は帯域幅を広くするた
め低くすべきであるが、低過ぎる必要はない。
MOSFET緩衝増幅器に関する問題は、拡散域１
９の低キヤパシタンスが高周波数で高SN比（信
号対雑音比）をもたらすが、その増幅器が大量の
１／雑音を有することである。またCCDの出
力段の他の問題はリセツト雑音で、このリセツト
雑音は浮動拡散域１９のリセツトによつて、熱雑
音で変調された導電チヤンネル５を介してリセツ
トドレン２７に現われる。

チツプの上のMOSFET緩衝増幅器２９の出力
信号は利得約10の前置増幅器Ａ１の入力に印加さ
れる。コンデンサＣ１とトランジスタＱ１がクラ
ンプ回路を形成し、これによつて信号電荷を受け
入れる前に浮動拡散域にリセツト雑音がある間、
次段の増幅器Ａ２の入力の直流電位を接地電位に
戻す。これは一般に次に転送される信号電荷に対
して画素からリセツト雑音を除去する。固定され
た信号は一般にインピーダンス整合のための高イ
ンピーダンス入力およびエミツタホロワを含む増
幅器Ａ２に印加される。信号電荷が浮動拡散域１
９に転送された後、トランジスタＱ２が導通して
信号をサンプリングし、これがコンデンサＣ２に
蓄積される。すなわち、Ｑ２とＣ２がサンプル・
アンド・ホールド回路を形成する。このクランプ
とサンプル・アンド・ホールド動作のサイクルは
各画素ごとに行われる。CDS処理後信号は同様
にコンデンサＣ３とトランジスタＱ３に対するイ
ンピーダンス整合用エミツタホロワを含み得る増
幅器Ａ３に印加される。Ｃ３とＱ３はクランプ回
路を形成し、これによつて水平ブランキング期間
中各線ごとに黒レベルの固定を行う。コンデンサ
Ｃ３とトランジスタＱ３はダイナミツクレンジ調
節、黒レベル再生等に用いる後続の映像処理回路
の一部である。映像出力が交流結合される映像方
式では、各線ごとに黒レベルを固定するために複
数個の黒レベルクランプ回路を用いることがあ
る。映像処理増幅器の後の各段は図示されていな
い。

次に第２図についてCCDおよびCDS処理にお
ける電荷転送をさらに詳細に説明する。第２図は
３相CCDテレビジヨンカメラに関連する各種信
号の波形図である。波形ａ，ｂ，ｃはCCDのＣ
レジスタの電極３つ目ごとに、例えは電極７，
９，１１にそれぞれ印加される。（1/3より僅かに
大きい衝撃係数を持つ）信号φ₁，φ₂，φ₃を示し、
波形ｄは信号電荷が読取られた後浮動拡散域をリ
セツトするために用いるリセツト信号φ_Rを示す。
チツプの出力の映像信号すなわちチツプ上の緩衝
増幅器のMOSFET３５のソースの電圧は波形ｅ
で表され、また画素クランプ信号およびサンプ
ル・アンド・ホールド信号はそれぞれ波形ｆ，
ｇ，で表される。

ある信号レベルを表す電荷パケツト（図示せ
ず）が第１図の電極７の下に蓄積されていると仮
定すると、これは次のように転送される。時点t₁
（第２図）に信号φ₁は高レベルで、電荷パケツト
は電極７の下に蓄積される。このサイクルを一般
化してＣレジスタに沿う電荷転送を説明し得るこ
とに注意すべきである。例えば、t₁ではＣレジス
タ内にある信号電荷パケツトはφ₁ゲートの下に
蓄積されている。時点t₂では信号φ₁，φ₂が高レベ
ル、信号φ₃が低レベルで、従つて電荷パケツト
は電極７，９の下にある。t₃では信号φ₂が高レベ
ル、信号φ₁，φ₃が低レベルで、電極７の下に蓄
積された残りの電荷は電極９の下だけに転送され
る。時点t₄，t₅で表される次のサイクル中に電荷
パケツトが電極１１の下に転送される。t₆で電荷
パケツトは電極１１と浮動拡散域１９の下に配分
される。信号φ₁が高レベルになると、その電荷
パケツトの半分が電極１５を通つて浮動拡散域１
９に移動する。t₇で信号φ₁は高レベル、信号φ₂，
φ₃は低レベルになり、残りの電荷パケツトが電
極１５を通つて移動し、全電荷パケツトが拡散域
上に蓄積される。電極１１からの電荷の転送前に
浮動拡散域１９は波形ｄで示すリセツトパルス５
６によつてリセツトされる。波形ｅで示す浮動拡
散域１９の映像信号はこのリセツトパルス５６で
リセツトされる。信号φ_Rのパルス５６が存在す
るリセツト期間中映像出力はリセツト電位にあ
り、リセツトパルスがなくなると浮動拡散域が容
量的にペデスタル６０の値に駆動される。このリ
セツト動作により浮動拡散域１９に新しい電荷パ
ケツトが転送されるまでにその浮動拡散域の電位
が回復する。クロツクパルスφ₃が負になるにつ
れて（54）、ゲート１１の下にあつた信号電荷パ
ケツトが押されてゲート１５の下の直流障壁電位
を越え、浮動拡散域１９に入る。こうして信号電
荷パケツトが、ゲート１５の下から浮動拡散域１
９に転送されると、それまでペデスタル電位６０
であつた浮動拡散域１９の電位は、電位６０より
も低い或る電位（電荷パケツトの量に応じて決ま
る電位、たとえば第２図ｅでは電位６２）に低下
する。浮動拡散域の電位を回復するMOSFETの
リセツトにより波形ｅのベデスタル６０に若干の
リセツト雑音が導入されるが、このリセツト雑音
は相関２重サンプリングにより効果的に除去され
る。リセツトパルスを受けた後、クランプスイツ
チＱ１が波形ｆで示すパルス６４によつて導通す
る。このクランプパルスの効果は、信号電荷を受
入れる前で浮動拡散域にリセツト雑音が存在する
間、各画素を表わす電位すなわち増幅器Ａ２の入
力の直流電位を接地電位まで戻すことである。信
号電荷が浮動拡散域１９に転送された後、波形ｇ
のサンプル・アンド・ホールド・パルス６６で示
すようにトランジスタＱ２が導通して信号をサン
プリングし、これをコンデンサＣ２に蓄積する。

テレビジョン方式では交流結合を用いるため、
水平出力レジスタ（Ｃレジスタ）を水平ブランキ
ング期間まで過剰走査することによりCCD撮像
器の黒基準が得られる。この黒基準に固定する
と、固体撮像器で光レベルの低いとき表示画像に
低周波数のストリーク雑音が加わる（この低周波
数のストリーク雑音はまた撮像管の場合も生ずる
ことに注意）が、これは黒基準を変調する高周波
数雑音がクランプ回路Ｃ３，Ｑ３によりその線期
間中保持され、それが低周波数ストリークに変換
されるようになるためである。この効果はクラン
プ時定数を増すことにより低減することができ
る。通常線約10本の時定数が用いられるが、これ
は高周波雑音を幅約線10本のストリーク帯に変換
する。クランプ時定数をさらに増すと、カラーカ
メラの測色学的誤差を生ずる。

CCD型その他の形式の固体撮像器は、これに
よると各画素ごとに、すなわち画素クランプ期間
中に黒レベル基準が得られるため、低周波数雑音
の問題を解決する独特の機会を与える。基準電位
への固定はすでにCDS回路で行われているので、
この固定結果を、上記回路よりも後段での各線ご
との固定作用に利用することができる。しかし、
後段での各素ごとの固定作用のために利用するこ
とは、通常の映像増幅器の帯域幅の制限のため実
用的でないことがある。この帯域制限効果は画素
内の細部の逸失を生じ、第２図ｅに示す黒基準ペ
デスタル６０の位置決めを不可能にする。その
上、ここに述べた方法はまた画素クランプだけを
用い、その後の第２の相関画素サンプリングを行
わない方式にも適用することができる。画素クラ
ンプにより各画素に対する黒レベル基準が得られ
る。

第３図に示すように、映像信号は有効テレビジ
ヨン線期間Ａを有し、この期間Ａは暗視野を表し
ている。暗電流は室温で正規の信号の約２％であ
る。期間Ａの映像信号は読取られた後、期間Ｂで
示す過剰走査期間中真の黒レベルまで低下する。
この過剰走査期間中の黒基準は線クランプにより
引伸ばされて上述のように表示画像にストリーク
雑音を与える高周波数雑音を含んでいる。Ｃで示
される振幅の差は画像および蓄積レジスタから集
まつた暗い電流を表わす。この発明によれば、相
関２重サンプリング回路の出力に新しい黒基準が
発生される。この新しい黒基準は雑音が!?かに低
く、後続の各線ごとの直流再生回路に用いて可視
の低周波数雑音のない表示画像を生成することが
できる。

第４図は相関２重サンプリング回路と線周波数
クランプ回路の詳細な回路図である。図中の各素
子の引用数字は他の各図面のものと同一または類
似である。CCDの出力は電位差計１００を介し
て演算増幅器１０２の非反転入力に印加される。
ここで説明する映像方式では、映像信号が上下反
対に処理されさらに出力で反転されることに注意
すべきである。例として演算増幅器１０２はシグ
ネテクス社（Signetics Corporation）のNE5539
型のような広帯域演算増幅器でよい。第４図の回
路では演算増幅器１０２は約10倍の電圧利得を与
える。演算増幅器１０２の出力はコンデンサＣ１
とトランジスタＱ１を含むクランプ回路に印加さ
れる。例としてトランジスタＱ１はSD211型
FETトランジスタでよい。クランプされた信号
はエミツタホロワＱ５に結合されたソースホロワ
Ｑ４の入力側に印加される。例としてソースホロ
ワＱ４用のトランジスタは3N154型FETトラン
ジスタでよく、またエミツタホロワＱ５は
2N4124型バイポーラnpnトランジスタでよい。
エミツタホロワＱ５の出力はトランジスタＱ２と
トランジスタＣ２を含むサンプル・アンド・ホー
ルド回路に印加される。Ｃ２のゲート端子のキヤ
パシタンスはサンプル・アンド・ホールド回路の
蓄積コンデンサとして働らく。例としてトランジ
スタＱ２はSD211型FETトランジスタ、トラン
ジスタＣ２は3N154型FETトランジスタでよい。
このサンプル・アンド・ホールド回路の出力はエ
ミツタホロワＱ６に印加される。例としてトラン
ジスタＱ６は2N4124型バイポーラnpnトランジ
スタでよい。エミツタホロワＱ６の出力はコンデ
ンサＣ３とトランジスタＱ３を含む線周波数クラ
ンプ回路に印加される。

第４図の回路の動作は第１図についてすでに説
明したので、その詳細な説明は繰返さない。第５
図にはこの発明による回路の追加部分の詳細が示
されている。第４図から変形した第５図の回路の
その部分だけを次に詳細に説明する。図中の各素
子の引用数字は各図面のものと同一または類似で
ある。第５図の追加部分は破線で囲まれている。
追加された２つの部分は数字１０４で示されたス
イツチ回路と数字１０６で示された可変レベルク
ランプ回路を含んでいる。

エミツタホロワＱ６の出力には２つのアナログ
スイツチＱ８，Ｑ９が追加されている。このスイ
ツチはＨで示される水平ブランキングパルスで制
御され、Ｑ８が水平ブランキングパルスに従つて
切換えられ、Ｑ９はインバータ１０８を介して伝
送された反転した水平ブランキングパルスで切換
えられる。水平ブランキング期間中トランジスタ
Ｑ８は遮断バイアスされ、トランジスタＱ９は導
通バイアスされてエミツタホロワである出力トラ
ンジスタＱ１０のベースを接地する。有効水平線
中は上記動作と相補的な動作となり、すなわちＱ
８が導通してＱ９が遮断する。従つてＱ８は有効
水平線中導通して映像信号をエミツタホロワＱ６
のエミツタからエミツタホロワＱ１０を介して線
周波数クランプ回路Ｃ３，Ｑ３に送られる。例と
してトランジスタＱ８とＱ９はSD211型FETト
ランジスタ、トランジスタＱ１０は2N4124型バ
イポーラnpnトランジスタでよい。

スイツチ１０４の他にクランプレベル回路１０
６が追加されている。画素クランプトランジスタ
Ｑ１のソースの電圧は回路１０６の低インピーダ
ンス相補トランジスタ対Ｑ１１，Ｑ１２を用いて
調節することができる。従つてＱ１のドレンの点
ｘとＱ９のドレンの点ｙの間の偏倚電圧を調節し
て２つの点に実効基準電位を生成する。動作時に
ダイオードＤ１，Ｄ２は入力が０のとき、すなわ
ち電位差計Ｒ１の出力がほぼ０のときトランジス
タＱ１１とＱ１２を僅かに導通させるように設定
されている。このバイアスで、入力の振れにより
一方のトランジスタがその遮断点近傍に来たとき
他方のトランジスタが導通し始める。この装置を
通る零入力電流はダイオードと出力トランジスタ
のエミツタ・ベース接合の相対電圧降下によりダ
イオードをバイアスする電流によつて制御され
る。入力が零でなければ、２つのトランジスタの
一方だけが電流を供給しており、このトランジス
タは本質的に非導通のトランジスタにより装荷さ
れたエミツタホロワである。npnトランジスタＱ
１１が導通すると、npnトランジスタＱ１２が遮
断し、その選もまた同様である。このようにして
有効線期間ペデスタルは画素クランプ回路により
設定される。

画素クランプ回路の可変電圧源は、出力をＱ１
のドレン電極に結合され、非反転入力が電位差計
Ｒ１の可動接点に接続された電圧ホロワ接続の演
算増幅器のような当業者に公知の他の回路によつ
て構成することもできる。

第５図に示す追加部分によれば、ブランキング
期間中の映像出力は真の黒基準で、実際上無雑音
である。従つてこの結果表示画像に低周波数雑音
を加えずに各線ごとの直流再生に交流結合を用い
ることができる。Ｑ１のドレン端子ｘとＱ１０の
ベース端子ｙは直流結合されていることに注意す
べきである。この回路から得られる映像出力を第
６図に示す。図から判るように水平ブランキング
期間Ｄの間信号は実際上無雑音であるが、これに
対し第３図では雑音が含まれている。この映像処
理法によると一般に低周波数雑音や引伸ばされた
黒レベル期間の雑音がない画像が得られる。この
回路構成は画素ごとに黒レベル基準が得られる任
意の撮像器に適合することに注意すべきである。

第２図の波形は理想化したものであつて、
CCD撮像器の信号の実際の波形を余りよく表し
ていないことを理解すべきである。第７図はオツ
シロスコープに取付けたカメラで撮影した読取り
クロツク周波数8MHzのCCD影像器からの信号の
実際の軌跡を示す。

一ばん上の軌跡ａはチツプ上の浮動拡散緩衝増
幅器の出力の映像信号を表わし、ピーク５８は波
形ｂに示されるようにリセツトパルス５６を受入
れたときの映像信号を示す。ペデスタルは数字６
０で表されている。この映像信号は軌跡６２ａで
示される白信号レベルと軌跡６２ｂで示される黒
信号レベルの２レベルを表している。波形ｃはク
ロツクφ₃のパルス５４を表わし、波形ｄはサン
プル・アンド・ホールド・パルス６６を表わし、
波形ｅは画素クランプパルス６４を表わす。

カラー画像を表わす信号の発生には１個、２個
または３個の撮像器を要することがあることは当
業者に自明なことはいうまでもない。１技法によ
れば、入射光の赤、緑、青の成分を光学プリズム
その他の分光手段により分離し、それぞれ赤、
緑、青用の各別の３個の撮像器上に結像させる。

この発明の技術範囲内で他の多くの実施例が可
能なことが判る。例えば、第５図のペデスタル調
節回路１０６を簡単な分圧器のような他の技法で
代用することもできる。また第５図のスイツチＱ
８，Ｑ９を他の装置で置換することも考えられ、
例えばスイツチＱ８を適当な値の抵抗で置換する
か、Ｑ９を抵抗で置換することもできる。その
上、Ｑ１のソースを接地し、ペデスタル制御回路
１０６をＱ９のソースに結合することもできる。
この発明の原理はまた３相CCD撮像器以外の装
置例えば２相または４相の撮像器やその他の固体
撮像器に適用することもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図はCCD撮像器のＣレジスタの出力段と
それに結合されたCDS（相関２重サンプリング）
回路の部分ブロツク回路図、第２図は第１図の撮
像器と回路における電荷転送を説明する一般的タ
イミング図、第３図および第６図はこの発明の説
明に用いるテレビジヨン信号の一部を示す図、第
４図は第１図の回路の一部の詳細図、第５図はこ
の発明の原理によりCCD撮像器から信号を回復
するための信号処理回路の回路図、第７図はオツ
シロスコープに表示されたCCD撮像器からの信
号の写真から作られた詳細タイミング図である。 １……CCD撮像器、Ｃ１，Ｑ１……第１のク
ランプ回路、Ｃ３，Ｑ３……第２のクランプ回
路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 各線ごとの映像信号であつて、その各線の有
   効映像部分が、各線期間内でリセツト期間と互い
   に交番する一連の各画素期間に生じる各画素の光
   レベルを表わしている形態を有する、映像信号を
   供給する撮像器と；上記リセツト期間中、上記映
   像信号の基準電位を設定するように働く第１のク
   ランプ手段と；上記映像信号の線期間の一部であ
   つて上記有効映像部分の外側にある部分の間、上
   記映像信号を基準電位にクランプするように働く
   第２のクランプ手段と；上記両クランプ手段相互
   間の交流結合手段と；を含み、 更に、上記第１のクランプ手段と上記交流結合
   手段の間には、上記交流結合手段に対して、上記
   線期間の上記有効映像部分の間は上記第１のクラ
   ンプ手段からクランプされた映像信号を、また上
   記有効映像部分の外側の線部分の間は基準電位
   を、交互に印加するスイツチング手段を含み、上
   記第２のクランプ手段は、上記有効映像部分の外
   側の線部分の間動作することを特徴とする映像信
   号発生装置。