KR950005593B1 - 이미지 센서용 ic - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

이미지 센서용 IC

제1도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 이미지센서 칩을 도시하는 회로도.

제2도는 제1도의 이미지센서 칩으로 형성된 밀착형 이미지 센서의 동작을 도시하는 타이밍도.

제3도는 본 발명의 제2의 실시예에 의한 밀착형 이미지센서용 IC를 도시하는 회로도.

제4도는 제3도의 밀착형 이미지센서용 IC를 다수개 직렬로 접속한 회로도.

제5도는 제3도의 밀착형 이미지센서용 IC의 구동 타이밍챠트.

제6도는 제3도의 밀착형 이미지센서용 IC를 다수개 직렬로 접속한 경우의 구동 타이밍 챠트.

제7도는 종래의 이미지센서 칩을 도시하는 회로도.

제8도는 제7도의 이미지센서 칩으로 형성된 밀착형 이미지센서를 도시하는 블록도.

제9도는 제7도의 이미지센서 칩의 동작을 도시하는 타이밍도.

제10도는 제8도의 밀착형 이미지센서의 동작을 도시하는 타이밍도.

제11도는 제10도의 일부를 확대해서 도시하는 타이밍도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 포토 셀 3 : 신호라인

4 : 채널 선택스위치 5 : 스위치 구동회로

12 : 칩 선택 스위치 16 : 더미 포토 셀

17 : 더미 선택 스위치 19 : 구동부

22 : 제어부

본 발명은, 예를 들면 이미지정보를 리드하는 이미지 스캐너의 리드부로서 사용되는 밀착형 이미지센서용 IC에 관한 것이다.

제7도는 예를 들면, 미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤 카달로그(명칭 미쯔비시 밀착 이미지센서 No. H-CO274-B 본 9 00 7(ROD)발행일 1990. 7페이지 20)에 개시된 종래의 이미지 센서 칩을 도시하는 회로도이고, 이 이미지센서 칩은 예를 들면 집적회로(IC)등에 의해서 형성되어 있다.

도면에서(1)은 도시를 생략한 원고 등에서의 반사광을 수광하고, 그 강약을 전기신호로 변환해서 화상정보를 생성하는 포토 셀이며, 각각이 예를 들면 포토 트랜지스터로써 구성되어 직선상에다 수개 배열되어 있다. (2)는 이 포토셀(1)에 공급되는 전원이 입력되는 전극 패드이다.

(3)은 이들 각 포토 셀(1)에서 각각의 화상정보의 신호가 송출되는 신호라인이다. (4)는 각 포토 셀(1)에 대응해서 마련되고, 대응하는 포토 셀(1)을 이 신호라인(3)에 선택 접속하는, 예를 들면 N채널 MOS형 트랜지스터에 의한 채널 선택 스위치이다.

(5)는 이 채널 선택스위치(4)를 1채널씩 순차 구동해 가는 스위치 구동회로로서의 시프트 레지스터이다. (6)은 이 시프트 레지스터(5)내를 순차 시프트되는 시프트 신호가 입력되는 전극 패드이고, (7)은 시프트 레지스터(5)의 클럭펄스가 입력되는 전극 패드이다.

(8)은 시프트 레지스터(5)를 순차 시프트된 시프트신호를 다음단의 이미지센서 칩의 시프트신호로 되도록 성형하는 플립플롭이고, (9)는 성형된 시프트신호가 출력되는 전극 패드이다. (10)은 전극 패드(6)에 입력된 시프트 신호에 의해 세트되어 플립플롭(3)의 출력에 의해 리세트되는 플립플롭이다.

(11)은 신호라인(3)의 화상정보를 외부로 송출하기 위한 전극 패드이고, (12)는 플립플롭(10)의 출력에 따라서 포토 셀(1)의 어느것인가가 구동되어 있는 기간만 신호라인(3)을 이 전극패드(11)에 접속하는 칩선택 스위치이다.

(13)은 클럭펄스에 따라서 신호라인(3)을 정기적으로 GND(0V)에 접속하는 리세트 스위치이고, (14)는 GND(0V)가 인가되는 전기패드이다. 또한, 이 리세트 스위치(13) 및 상기 칩 선택 스위치(12)도, 예를 들면 N채널 MOS형 트랜지스터로 구성되어 있다.

또한, 제8도는 이 이미지센서 칩으로 형성되는 밀착형 이미지 센서를 도시하는 블록도이고, (15)가 그 이미지센서 칩이다. 도시하는 바와 같이, 다수개의 이미지센서 칩(15)가 직선 상에 배열되어 각각의 전극패드(6)과 (9)로 캐스캐이드로 접속되고, 선두의 이미지센서 칩(15)의 전극 패드(6)에는 단자 SIO에서 최초의 시프트신호가 입력되어 있다.

또, 각 이미지센서 칩(15)의 전극 패드(7)은 병렬로 접속되어 단자 CLK0에서 클럭펄스가 공급되고, 병렬로 접속된 전극패드(11)에서는 각각 이미지센서 칩(15)의 포토 셀(1)에서의 화상정보가 단자 SIG0으로 출력된다.

다음에 동작에 대해서 설명한다. 여기서 제9도는 각 이미지 센서 칩(15)의 동작을 도시하는 타이밍도이다. 도면중, SI는 상기 시프트신호, CLK는 클럭펄스이며, SIG는 화상정보의 신호이다.

선두의 이미지센서 칩(15)에서는 단자 SI0에서 공급된 최초의 시프트신호 SI 및 단자 CLK0에서 공급된 클럭펄스 CLK를 전극패드(6) 및 (7)에서 받는다. 이 시프트신호 SI는 클럭펄스 CLK의 1주기분의 펄스폭을 갖고 있고, 클럭펄스 CLK의 하강에지로 시프트 레지스터(5)내에 페치된다.

시프트 레지스터(5)내에 페치된 시프트신호 SI는 클럭펄스 CLK에 동기해서 시프트레지스터(5)내의 각 플립플롭을 순차 전송한다. 따라서, 시프트 레지스터(5)에서는 각 채널 선택 스위치(4)에 대해서 순차 구동신호가 공급되고, 채널 선택 스위치(4)에 대해서 순차 구동신호가 공급되고, 채널 선택 스위치(4)는 1채널씩 순번으로 열려간다.

또한, 시프트 레지스터(5)내를 순차 전송하고, 이 시프트 레지스터(5)를 빠져나온 시프트신호 SI는 플립플롭(8)에 보내진다. 플립플롭(8)에서는 그것을 다음단의 이미지센서칩(15)의 시프트 신호로 되도록 성형하여 신호 SO로서 전극 패드(9)에서 출력한다.

한편, 채널 선택스위치(4)가 1채널씩 순번으로 열려가면, 대응하는 채널 선택 스위치(4)가 열린 포토 셀(1)에서 생성된 화상정보의 신호 SIG가 공통의 신호 라인(8)상에 순차 송출되어간다.

여기서, 플립플롭(10)은 전극 패드(6)으로 입력된 시프트신호 SI에 의해서 세트되고, 플립플롭(8)에서 출력되는 신호에 의해서 리세트되는 것이기 때문에 그 사이 칩 선택 스위치(12)온 상태로 있다.

따라서, 각 포토 셀(1)에서 신호 라인(8)상에 송출된 화상 정보의 신호 SIG는 이 칩 선택 스위치(12)를 거쳐서 전극 패드(11)에서 외부의 단자 SIGO으로 출력된다. 일련의 포토 셀(1)의 선택이 끝나고 시프트 레지스터(5)에서 리시프트신호 SI가 플립플롭(8)로 인도되고, 그 출력에 의해서 플립플롭(10)이 리세트되면 칩 선택 스위치(12)는 오프상태로 된다.

또한, 리세트 스위치(13)은 전극 패드(14)에 인가되는 GND(0V)와 신호라인(3) 사이에 마련되어 있고, 클럭펄스 CLK의 하이레벨의 타이밍에서 온으로 된다. 이것에 의해서, 화상정보의 신호 SIG를 출력한 직후의 포토 셀(1)의 이미터를 일단 GND(0V)레벨까지 끌어내려 이 포토 셀(1)을 강제적으로 리세트상태로 하고 있다.

이하, 다음단의 이미지센서 칩(15)는 전단의 이미지센서 칩(15)에서의 신호 SO를 시프트신호 SI로 하고, 단자 SLKO에서의 클럭펄스 CLK를 받아서 똑같이 동작한다.

이와 같이 동작하는 이미지센서 칩(15)를 다수개 배열해서 구성한 밀착형 이미지센서의 각 단자의 신호의 시간관계를 제10도에 도시한다. 도시하는 바와 같이 이 밀착형 이미지센서에서 단자 SIGO으로 출력되는 1라인분의 출력신호는 화상 정보가 포함되는 화상신호부와 화상정보를 포함하지 않는 블랭킹부로 분리된다.

제11도는 제10도의 A로 지정한 부분을 확대해서 도시하는 타이밍도이며, 도면중의 VB는 블랭킹부에서 화상정보의 신호가 출력되는 타이밍에서 나타나는 레벨이다. 이 레벨 VB는 신호라인(3)이 고임피던스로 되어 있기 때문에 제8도에 점선으로 나타낸 부유용량 CF등에 의해서 좌우되어 부정의 값을 취한다.

또한, 관련기술로서, 일본국 특허공개공보소화 63-76667호 및 특허공개공보평성 1-183257호가 있다.

종래의 이미지센서 칩은 이상과 같이 구성되어 있으므로, 블랭킹부에서 출력되는 레벨 VB의 값이 부정으로 되고, 출력신호내에 기준으로 되는 레벨이 존재하지 않고, 따라서 암출력의 기준을 절대값으로 정하지 않으면 안되고, 온도 또는 전압등의 외적요인으로 일어나는 변동에 의해 레벨이 변하고, 그것에 따라서 화질이 변화하며, 더 나아가서는 화질을 저하시킨다는 문제점이 있었다.

또한, 종래의 밀착형 이미지센서용 IC는 이상과 같이 구성되어 있으므로, 외부에 마련한 화상신호 정형용의 콘덴서의 잔존전하를 강제적으로 제거할 수 있는 스위치가 없고, 그 결과 그 잔존전하의 영향을 받아서 화상신호가 부정확하게 되어 버리기 때문에 콘덴서의 잔존전하를 강제적으로 제거할 수 있는 스위치를 접속하지 않으면 안되고, 그 스위치를 기판상에 설치하기 위한 스페이스의 확보 및 코스트업에 관계되는 등의 과제가 있었다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해서 이루어진 것으로 밀착형 이미지센서의 출력신호의 블랭킹부에 암출력의 기준 레벨을 발생하는 이미지센서 칩을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 과제를 해소하기 위해서 이루어진 것으로, 내부에 콘덴서의 잔존전하를 강제적으로 제거하기 위한 스위치를 마련하는 것에 의해 잔존전하 제거용의 스위치를 외부에 마련하는 것을 필요없게 해서 코스트의 저감을 도모함과 동시에 기판상에 스위치 설치용의 여분인 스페이스를 확보할 필요가 없는 밀착형 이미지센서용 IC를 제공하는 것이다.

본 발명에 관한 이미지센서 칩은 원고 등에서의 반사광의 강약을 전기신호로 변환해서 화상정보를 생성하는 포토셀과 동등하게 구성되고, 그 센서부의 창이 차광된 더미 포토셀, 이 더미 포토셀과 포토셀에서의 각 화상정보의 신호가 송출되는 신호라인을 선택 접속하는 더미 선택스위치, 포토셀의 구동기간이 종료한 후, 더미 선택 스위치를 계속적으로 구동하는 신호를 생성하는 구동부 및 외부에서 부여되는 조건에 따라서 구동부가 출력하는 신호의 유효/무효를 제어하는 제어부를 부가한 것이다. 또, 본 발명에 관한 밀착형 이미지센서용 IC는 화상신호 출력 단자와 접지 단자 사이에 클럭펄스의 레벨 변화에 따라서 개폐를 반복하는 스위치를 마련한 것이다.

본 발명에서의 더미 선택 스위치는 외부에서의 조건에 의한 제어부의 제어에 의해서 유효로 된 구동부가 출력하는 신호에 의해서 밀착형 이미지센서의 각 포토셀의 구동기간이 종료한 후, 센서부의 창이 차단된 더미 포토셀을 신호라인에 계속적으로 접속하는 것에 의해 밀착형 이미지센서의 출력신호의 블랭킹부로 암출력의 기준레벨을 출력할 수 있는 이미지센서 칩을 실현한다.

또, 본 발명에서의 밀착형 이미지센서용 IC는 화상신호 출력단자와 접지단자 사이에 클럭펄스의 레벨변화에 따라서 개폐를 반복하는 스위치를 마련한 것에 의해 화상신호 정형용의 콘덴서에 잔존하는 전하가 강제적으로 제거된다.

본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로 명확하게 될 것이다.

이하 본 발명의 구성에 대해서 실시예와 함께 설명한다.

또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 붙이고 그 반복적인 설명은 생략한다.

[실시예 1]

이하, 본 발명의 제1의 실시예를 도면에 따라서 설명한다. 제1도에서 (1)은 포토셀, (2), (6), (7), (9), (11) 및 (14)는 전극패드, (3)은 신호라인, (4)는 채널 선택스위치, (5)는 스위치 구동회로로서의 시프트 레지스터, (8) 및 (10)은 플립플롭, (12)는 칩 선택 스위치, (13)은 리세트스위치이고, 제7도에 동일부호를 붙인 종래의 그들과 동일 또는 해당 부분이기 때문에 상세한 설명은 생략한다.

(16)은 상기 포토셀(1)과 동등하게 구성되며, 그 센서부가 차광된 더미 포토셀이고, (17)은 이 더미 포토셀(16)을 상기 신호라인(3)에 선택적으로 접속하는, 예를 들면 N채널 MOS형 트랜지스터에 의한 더미 선택 스위치이다.

(18)은 다수의 해당 이미지센서 칩으로 형성되는 밀착형 이미지센서에 공급되는 최초의 시프트신호가 그대로 입력되는 전극패드이다. (19)는 각 포토셀(1)의 구동기간이 종료한 후, 더미 선택 스위치(17)을 계속적으로 구동하는 신호를 생성하는 구동부로서의 플립플롭이다.

(20)은 밀착형 이미지센서의 최종단에 접속된 이미지센서 칩의 그것에만 GND(0V)가 입력되는 전극패드이고, (21)은 이 전극패드(20)에 접속된 풀업저항이다. (22)는 외부에서 이 전극패드(20)에 부여되는 GND(0V)의 유무에 따라서 플립플롭(19)가 출력하는 신호의 유효/무효를 제어하는 제어부로서의 논리회로이다.

(23)은 이 논리회로(22)의 출력과 상기 플립플롭(10)의 출력의 논리합에 따라서 상기 칩 선택 스위치(12)의 온/오프를 제어하는 논리회로이다.

다음에 동작에 대해서 설명한다. 여기서 제2도는 이와 같이 구성된 다수개의 이미지센서 칩으로 형성된 밀착형 이미지센서의 동작을 도시하는 타이밍도이다.

도면에서, SI0 및 CLK0은 이 밀착형 이미지센서에 부여되는 최초의 시프트신호 및 클럭펄스이고, Qn은 플립플롭(8)이 출력하는 신호, SW5는 더미 포토셀(16)에 입력되는 신호, SIG0은 이 밀착형 이미지센서의 출력신호이다.

화상정보의 신호의 발생 동작은 종래의 경우와 다르지 않으므로 설명은 생략한다. 각 단의 이미지센서 칩에서는 최종의 포토셀(1)의 동작이 종료하면, 플립플롭(8)에서 출력되는 신호 Qn에 의해서 플립플롭(19)가 세트된다.

이때, 최종단을 제외한 각 이미지센서 칩의 전극패드(20)에는 GND(0V)가 인가되어 있지 않고, 논리회로(22)는 풀업저항(21)에서의 전압으로 오프상태로 되어 있다. 따라서, 세트된 플립플롭(19)에서 출력되는 신호는 무효로 되고, 더미 선택 스위치(17)은 온 상태로는 되지 않아 더미 포토셀(16)의 출력이 신호라인(8)에 송출되는 일은 없다.

한편, 최종단의 이미지센서 칩에서는 전극패드(20)에 GND(0V)가 인가되어 있기 때문에 논리회로(22)가 온상태로 되어 있다. 따라서 최종의 포토셀(1)의 동작종료에 의해서 세트된 플립플롭(19)에서의 신호는 유효로 되어 신호 SW5로서 더미 선택 스위치(17)로 보내진다.

이것에 의해서 더미 선택 스위치(17)은 온상태로 되고, 더미 포토셀(16)이 출력하는 신호가 암출력의 기준 레벨로서 신호라인(3)에 페치되다. 또, 논리회로(22)가 출력하는 신호는 논리회로(23)을 거쳐서 칩 선택스위치(12)에도 보내져 그것을 온상태로 한다.

이 상태는 최초의 시프트신호 SI0가 재차 입력되어 플립플롭(19)가 리세트되기까지, 즉 블랭킹의 기간중 계속한다. 따라서, 밀착형 이미지센서의 출력신호 SIG0의 블랭킹부에는 이 암출력의 기준레벨이 계속해서 송출된다.

[실시예 2]

또한, 상기 실시예에서는 채널 선택 스위치를 스위치 구동 회로의 동작에 따라서 좌측에서 순번으로 1채널씩 온/오프하는 것을 설명했지만, 1채널씩의 온/오프 동작이면, 순서는 같지 않아도 좋다. 이것은 스위치 구동회로의 접속을 변경하는 것으로 용이하게 실현할 수 있다.

[실시예 3]

또, 상기 실시예에서는 포토셀에 포토 트랜지스터를 사용하고, 각 스위치에 N채널 MOS형 트랜지스터를 사용한 경우에 대해서 설명했지만, 포토셀에 포토 다이오드 등의 다른 수광소자를 사용해도, 또, 각 스위치로서 P채널 MOS형 트랜지스터 또는 바이폴라트랜지스터등의 다른 스위치 소자를 사용해도 좋고, 어느 경우에는 상기 실시예와 마찬가지의 효과를 나타낸다.

[실시예 4]

이하, 본 발명의 제4의 실시예를 도면에 따라서 설명한다. 제3도는 본 발명의 4실시예에 의한 밀착형 이미지센서용 IC를 도시하는 회로도이며, 도면에서 종래의 것과 동일부호는 동일 또는 해당부분을 나타내는 것이므로 설명을 생략한다. (50)은 SIG 단자(11)과 GND단자(14) 사이에 접속되고 클럭펄스 CLK의 레벨변화("H"레벨 또는 "L"레벨)에 따라서 개폐를 반복하는 스위치이다.

다음에 동작에 대해서 설명한다.

시프트 레지스터군(5)가 개시펄스에 의해 기동되는 것에 의해, 각 채널 선택스위치(4a)∼(4d), (17)을 순차 온 오프 제어해서 각 포토셀(1a)∼(1d), (16)에서 화상신호를 SIG단자(11)에서 출력시키는 점에 대해서는 종래의 것과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.

여기서 제4도는 밀착형 이미지센서용 IC를 다수개 직렬로 접속한 회로도이며, 이 회로에서의 콘덴서 CL의 역할로서는 각 밀착형 이미지센서용 IC(51), (52), (53)의 SIG단자(11)에서 출력되는 화상신호(제5도 참조)를 SIG(19)단자에서 추출할 때, 제6도에 도시하는 바와 같은 적분파형으로 정형하는 것이다.

그러나, 종래에의 설명에 기재한 바와 같이, 시프트 레지스터군(5)의 동작이 종료한 시점, 즉 각 포토셀(1)에서 출력되는 화상신호를 전부 SIG단자(11)에서 출력한 시점에서 칩선택 스위치(12)가 열린 상태로 되기 때문에, 그 열린 상태로 된 후는 스위치(10)에 의한 기능(화상신호를 강제적으로 GND전위로 내린다)이 발휘되지 않게 되어 화상신호를 적분파형으로 했을 때에 잔존전하를 강제적으로 제거할 수 없게 되어 버려서 정확한 화상신호가 얻어지지 않게 된다.

그래서, 콘덴서의 잔존전하를 강제적으로 제거하도록, SIG단자(11)과 GND(14)사이에(밀착형 이미지센서용 IC내부) 클럭펄스 CLK의 H의 타이밍에서 닫게되는 스위치(50)을 마련하고 있다. 이것에 의해, 제6도에 도시하는 바와 같이 정확한 화상신호가 얻어지도록 된다.

여기서, 스위치(50)은 다른 스위치(12), (13)등과 동일한 프로세스로 제조되기 때문에 스위치(20)의 부가에 의한 코스트업은 거의 없다. 또, 밀착형 이미지센서용 IC는 통상 다수개를 나란하게 사용하기 때문에 스위치(50)은 병렬 동시에 동작하는 것으로 되어 ON저항도 병렬갯수에 비례해서 낮게 되어가고, 화상출력의 응답성을 높이는 작용으로 된다.

또한, 상기 실시예에서는 포토셀(1)로서 포토 트랜지스터를 사용하는 것은 설명했지만, 포토 다이오드를 사용해도 좋다.

또, 상기 실시예에서는 스위치(50)으로서 N채널 MOS를 사용한 것을 설명했지만, P채널 MOS를 사용해도 좋다.

또, 상기 실시예에서는 채널 선택 스위치(4)를 시프트 레지스터군(5)의 동작에 추종시켜 좌에서 순차로(4a)→(17)개폐 제어하는 예를 설명했지만, 다른 순번으로 개폐 제어하도록 시프트 레지스터군(5)의 접속을 바꾸어도 좋다.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 외부에서의 조건에 의한 제어부의 제어에 의해서 유효로 된 구동부에서의 신호에 의해서 밀착형 이미지센서의 각 포토셀의 구동기간이 종료한 후, 센서부의 창이 차광된 더미 셀을 신호 라인에 계속적으로 접속하도록 구성했으므로, 밀착형 이미지센서의 출력신호의 블랭킹부에 암출력의 기준 레벨을 계속적으로 출력하는 것이 가능하게 되고, 온도, 전압등의 외적 변동에 용이하게 추수할 수 있고, 안정된 화질이 얻어지는 밀착형 이미지센서를 구성할 수 있는 이미지센서 칩이 얻어지는 효과가 있다.

또, 본 발명에 의하면 화상신호 출력단자와 접지 단자 사이에 클럭펄스의 레벨 변화에 따라서 개폐를 반복하는 스위치를 마련했으므로, 화상신호 정형용의 콘덴서에 잔존하는 전하가 강제적으로 제거되기 때문에, 잔존전하 제거용의 스위치를 외부에 마련하는 일이 불필요하게 되고, 결과로서 코스트의 저감을 도모할 수 있음과 동시에 기판상에 스위치 설치용의 여분인 스페이스를 확보할 필요가 없게 되는 등의 효과가 있다.

이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경가능한 것은 물론이다.

Claims (6)

1. 직선상에 배열되고, 원고등에서의 반사광의 강약을 전기 신호로 변환해서 화상정보를 생성하는 다수의 포토셀(1), 상기 각 포토셀에서 각각의 화상정보의 신호가 송출되는 신호라인(3), 상기 각 포토셀마다 마련되고, 대응하는 상기 포토셀을 상기 신호라인에 선택 접속하는 채널 선택 스위치(4), 상기 채널 선택 스위치를 1채널씩 순차 구동해 가는 스위치 구동회로(5), 상기 신호 라인을 상기 포토셀의 구동기간만 외부에 접속하는 칩 선택 스위치(12), 상기 포토셀과 동등하게 구성되고, 그 센서부의 창이 차광된 더미 포토셀(16), 상기 더미 포토셀을 상기 신호라인에 선택 접속하는 더미 선택 스위치(17), 상기 포토셀의 구동기간 종료후, 상기 더미 선택 스위치를 계속적으로 구동하는 신호를 생성하는 구동부(19) 및 상기 구동부가 출력하는 신호의 유효/무효를 외부에서 부여되는 조건에 따라서 제어하는 제어부(22)를 구비한 이미지센서 집적 회로.
2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 포토셀은 포토 트랜지스터 또는 포토다이오드로 이루어진 이미지센서 집적회로.
3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 각각의 스위치는 N채널 또는 P채널 MOS형 트랜지스터로 이루어진 이미지 센서 집적회로.
4. 광을 검지하면 전류를 출력하는 다수의 포토 셀(1), 상기 각 포토셀의 전류출력부에 각각 접속된 채널 선택 스위치(4), 개시신호에 의해 기동되고 상기 각 포토셀이 출력하는 전류를 순차 공통의 신호라인(3)을 거쳐 화상신호 출력단자에서 출력하도록 상기 각 채널 선택 스위치를 순차 클럭펄스의 주기에 맞춰서 온 오프 제어하는 시프트 레지스터군(5), 상기 신호 라인상에 삽입되고 상기 시프트 레지스터군이 동작 중에만 닫힌 상태로되는 칩 선택 스위치(12) 및 상기 화상신호 출력단자와 접지단자 사이에 접속되고 상기 클럭펄스의 레벨 변화에 따라서 개폐를 반복하는 스위치(50)를 구비한 밀착형 이미지센서 집적회로.
5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 포토셀은 포토 트랜지스터 또는 포토 다이오드로 이루어진 이미지센서 집적회로.
6. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 각각의 스위치는 N채널 또는 P채널 MOS형 트랜지스터로 이루어진 이미지센서 집적회로.