JPH0438620A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0438620A JPH0438620A JP14145990A JP14145990A JPH0438620A JP H0438620 A JPH0438620 A JP H0438620A JP 14145990 A JP14145990 A JP 14145990A JP 14145990 A JP14145990 A JP 14145990A JP H0438620 A JPH0438620 A JP H0438620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- protective film
- magnetic layer
- recording medium
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンピュータ、ワープロなどの電子機器の外
部記憶装置として広く用いられている磁気ディスクなど
の磁気記録媒体の製造方法に関する。
部記憶装置として広く用いられている磁気ディスクなど
の磁気記録媒体の製造方法に関する。
通常の連続薄膜媒体で構成される磁気ディスクでは磁性
層をテクスチャと呼ばれる円周状の、表面粗さRaが5
〜20nmである微細溝を加工した非磁性基材上に形成
する。テクスチャはヘッドの粘着防止やディスクの摩擦
係数を低減するなどの友めには不可欠であるが、磁性層
の表面に凹凸を生じるため、ヘッドとの隙間が大きくな
る凹部ではヘッドからの磁界が広がることが知られてい
る。一般に、記録密度を向上させるにはヘッドと磁性層
の隙間はへラドギャップに比べて十分に小さく、且つ、
可能なかぎ9一定していることが望ましく、浮上したヘ
ッドと磁性層との隙間を一定に保つために、微粒子を磁
性層に被着するなどして凹凸を形成する保礁膜などが提
案されている(特開平1−211236号公報)。
層をテクスチャと呼ばれる円周状の、表面粗さRaが5
〜20nmである微細溝を加工した非磁性基材上に形成
する。テクスチャはヘッドの粘着防止やディスクの摩擦
係数を低減するなどの友めには不可欠であるが、磁性層
の表面に凹凸を生じるため、ヘッドとの隙間が大きくな
る凹部ではヘッドからの磁界が広がることが知られてい
る。一般に、記録密度を向上させるにはヘッドと磁性層
の隙間はへラドギャップに比べて十分に小さく、且つ、
可能なかぎ9一定していることが望ましく、浮上したヘ
ッドと磁性層との隙間を一定に保つために、微粒子を磁
性層に被着するなどして凹凸を形成する保礁膜などが提
案されている(特開平1−211236号公報)。
上記従来技術は、粒径が20nm程度の帯電した微粒子
を磁性層に被着させて凹凸を設けるものであるが、粒径
の均一性や被着粒子の分布等に問題がある。′−!た、
磁性層上に設けた凹凸はさらに炭素膜で被覆されるため
、保護膜が粒径に比べて少なくとも二倍程度は厚くなる
ことや、表面凹凸の粗さRaが従来のテクスチャに比べ
て大きくなるなどの問題もある。
を磁性層に被着させて凹凸を設けるものであるが、粒径
の均一性や被着粒子の分布等に問題がある。′−!た、
磁性層上に設けた凹凸はさらに炭素膜で被覆されるため
、保護膜が粒径に比べて少なくとも二倍程度は厚くなる
ことや、表面凹凸の粗さRaが従来のテクスチャに比べ
て大きくなるなどの問題もある。
本発明の目的は、簡単な工程によシ磁性層上に均一なテ
クスチャに相当する、表面組さRaが5〜20nmの凹
凸をもち、膜厚が10nm〜50nmの保護膜を設けた
磁気記録媒体の製造方法を提供することにある・ 〔課題を解決するための手段〕 本発明者等は種々の研究の結果、連続薄膜からなる磁気
記録媒体の電磁変換特性を改善し、且つ、ヘッドの粘着
防止やディスクの摩擦係数の低減により耐久性を向上す
るには、磁性層を被覆する保護膜の表面にテクスチャと
同等の表面粗さで凹凸を設けることが最も効果的である
との知見を得て本発明をなすに至ったもので、上記目的
を造成するために本発明は微細な隙間をもつ障害物を介
して、化学気相成長(CVD)、スパッタリング、イオ
ンビーム蒸着などを行い、非晶質炭素、炭素化合物、珪
素化合物、ホウ素化合物および金属酸化物あるいは金属
窒化物等の材料から成る保護膜を堆積させるか、炭素系
保護膜で被覆した磁性層の表面を酸素プラズマ発生して
エツチングする。
クスチャに相当する、表面組さRaが5〜20nmの凹
凸をもち、膜厚が10nm〜50nmの保護膜を設けた
磁気記録媒体の製造方法を提供することにある・ 〔課題を解決するための手段〕 本発明者等は種々の研究の結果、連続薄膜からなる磁気
記録媒体の電磁変換特性を改善し、且つ、ヘッドの粘着
防止やディスクの摩擦係数の低減により耐久性を向上す
るには、磁性層を被覆する保護膜の表面にテクスチャと
同等の表面粗さで凹凸を設けることが最も効果的である
との知見を得て本発明をなすに至ったもので、上記目的
を造成するために本発明は微細な隙間をもつ障害物を介
して、化学気相成長(CVD)、スパッタリング、イオ
ンビーム蒸着などを行い、非晶質炭素、炭素化合物、珪
素化合物、ホウ素化合物および金属酸化物あるいは金属
窒化物等の材料から成る保護膜を堆積させるか、炭素系
保護膜で被覆した磁性層の表面を酸素プラズマ発生して
エツチングする。
この場合、形成される凹凸はプラズマ反応容器等に設け
た障害物の隙間の形状を反映するもので、表面粗さRa
が5〜20nmの表面を保護膜に形成するには、孔径が
0.1〜10μmの微細な隙間をもつ障害物を基板表面
から0.2 m m以内の位置に設ければよく、障害物
には、テフロン、ポリプロピレン、セルロースなどフィ
ルタ材として知られるポリマのメツシュを用いることが
できるほか、同等の孔径をもつものであれば、金属ワイ
ヤ、ガラスファイバ等ら成るメツシュを用いることもで
きる。また、凹凸状保護膜だけで十分に磁性層を被覆で
きなh場合は、さらに保護膜を設けるか、あるいは、予
め磁性層に保護膜を薄く設けてから凹凸状保護膜を形成
するとよい。
た障害物の隙間の形状を反映するもので、表面粗さRa
が5〜20nmの表面を保護膜に形成するには、孔径が
0.1〜10μmの微細な隙間をもつ障害物を基板表面
から0.2 m m以内の位置に設ければよく、障害物
には、テフロン、ポリプロピレン、セルロースなどフィ
ルタ材として知られるポリマのメツシュを用いることが
できるほか、同等の孔径をもつものであれば、金属ワイ
ヤ、ガラスファイバ等ら成るメツシュを用いることもで
きる。また、凹凸状保護膜だけで十分に磁性層を被覆で
きなh場合は、さらに保護膜を設けるか、あるいは、予
め磁性層に保護膜を薄く設けてから凹凸状保護膜を形成
するとよい。
本発明の磁気記録媒体で形成される保護膜の凹凸はプラ
ズマ反応容器等に設けた障害物の隙間の形状を反映した
もので、障害物の細孔を通してのみ保護膜が堆積、ある
いは、エツチングされるためである。従って、障害物に
、例えば、スクIJ−ンフィルタ等に用いられている均
一で変形がなく、孔径が0.1〜10μmである連続な
ポリマのメツシー等を設ければ、テクスチャに相当する
凹凸を保護膜に形成することができる。
ズマ反応容器等に設けた障害物の隙間の形状を反映した
もので、障害物の細孔を通してのみ保護膜が堆積、ある
いは、エツチングされるためである。従って、障害物に
、例えば、スクIJ−ンフィルタ等に用いられている均
一で変形がなく、孔径が0.1〜10μmである連続な
ポリマのメツシー等を設ければ、テクスチャに相当する
凹凸を保護膜に形成することができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明するO
第2図は、高周波プラズマ中でCVDによシ凹凸状の硬
質炭素保護膜を形成する几めの成膜装置を示す。第S図
は、炭素系保護膜の表面をエツチングして凹凸を設ける
ためのエツチング装置を示す。第1図は、本発明の実施
例を示す磁気記録媒体の断面図を示す。
質炭素保護膜を形成する几めの成膜装置を示す。第S図
は、炭素系保護膜の表面をエツチングして凹凸を設ける
ためのエツチング装置を示す。第1図は、本発明の実施
例を示す磁気記録媒体の断面図を示す。
先ず、第2図を説明する。
本図に示す基板1は、少女くとも、強磁性体を主体とす
る磁性層を積層したディスク状基板で、スペーサ2によ
って高周波電極3に保持される。
る磁性層を積層したディスク状基板で、スペーサ2によ
って高周波電極3に保持される。
マスク4は、孔径が2jImのテフロン製のメツシー5
からなり、メツシュ5から基板1までの距離は0.1m
mである。このプラダ1反応容器に下記の条件でCH4
プラズマを発生したところ、CvDによりメツシュ形状
を反映して、表面粗さR&が約10nmの凹凸をもつ非
晶質炭素から成る保護膜が形成された。
からなり、メツシュ5から基板1までの距離は0.1m
mである。このプラダ1反応容器に下記の条件でCH4
プラズマを発生したところ、CvDによりメツシュ形状
を反映して、表面粗さR&が約10nmの凹凸をもつ非
晶質炭素から成る保護膜が形成された。
反応ガス CH4
雰囲気圧 8.0Pa
投入電力 500W
処理時間 1 min・
以上の実施例では保餓膜を形成するのに、CH4の高周
波プラズマの作用によるCVD法を用りた場合の例で説
明したが、非晶質炭素膜を堆積させることのできる他の
方法のすべてに適用可能である。また、保護膜は、炭素
化合物、珪累化合物、ホウ素化合物、および、金属酸化
物、あるいは、金属窒化物等の材料を用いてもよい。
波プラズマの作用によるCVD法を用りた場合の例で説
明したが、非晶質炭素膜を堆積させることのできる他の
方法のすべてに適用可能である。また、保護膜は、炭素
化合物、珪累化合物、ホウ素化合物、および、金属酸化
物、あるいは、金属窒化物等の材料を用いてもよい。
次に、第3図を説明する。
本図に示す基板8は、少なくとも、強磁性体を主体とす
る磁性層に炭素系保護膜を積層したディスク状基板で、
スペーサ9&Cよシ台座10に保持される。マスク11
は、孔径が2μmのテフロン製のメツシュ12からなる
。基板8とメツシュ120間隔はalmmである。この
プラズマ反応容器に下記の条件で02プラズマを発生し
たとζろ、エツチングによシ炭素系保護膜の表面に凹凸
が形成された。すなわち、 反応ガス 02 雰囲気圧 IZ5Pa 印加電圧 420v 処理時間 30sec なお、上記の実施例に示す酸素プラズマは、直流放電に
より発生したものであるが、交流放電、高周波放電、マ
イクロ波放電など他の放電形式で発生した酸素プラズマ
でも同様の効果が得られることは勿論である。
る磁性層に炭素系保護膜を積層したディスク状基板で、
スペーサ9&Cよシ台座10に保持される。マスク11
は、孔径が2μmのテフロン製のメツシュ12からなる
。基板8とメツシュ120間隔はalmmである。この
プラズマ反応容器に下記の条件で02プラズマを発生し
たとζろ、エツチングによシ炭素系保護膜の表面に凹凸
が形成された。すなわち、 反応ガス 02 雰囲気圧 IZ5Pa 印加電圧 420v 処理時間 30sec なお、上記の実施例に示す酸素プラズマは、直流放電に
より発生したものであるが、交流放電、高周波放電、マ
イクロ波放電など他の放電形式で発生した酸素プラズマ
でも同様の効果が得られることは勿論である。
続いて、第1図について説明する。
本実施例の磁気ディスクは、非磁性基材と、磁性層と、
保護層と、潤滑層とを積層した構造からなる。非磁性基
材はA1製のディスク用基板14と、その上に形成した
N1−Pめっき膜15とからなる。磁性層はcr下地膜
16と、Go−Ni系合金もしくはQ o −Or系合
金の磁性膜17とからなる。保睦層は、第3図あるい#
i第1図に示す装置によシ表面粗さRaが約10nmの
凹凸を設けた硬質炭素膜18からなる。潤滑膜は、フッ
累系潤滑剤19からなる。
保護層と、潤滑層とを積層した構造からなる。非磁性基
材はA1製のディスク用基板14と、その上に形成した
N1−Pめっき膜15とからなる。磁性層はcr下地膜
16と、Go−Ni系合金もしくはQ o −Or系合
金の磁性膜17とからなる。保睦層は、第3図あるい#
i第1図に示す装置によシ表面粗さRaが約10nmの
凹凸を設けた硬質炭素膜18からなる。潤滑膜は、フッ
累系潤滑剤19からなる。
このような磁気ディスクに実際の磁気ヘッドを適用して
耐CSS特性の評価を行ったところ、常に、C8Sサイ
クル三万回以上を耐久し、テクスチャ全役けた同じ膜厚
と層構成からなる磁気ディスクの耐CSS特性を上回る
結果を得た。
耐CSS特性の評価を行ったところ、常に、C8Sサイ
クル三万回以上を耐久し、テクスチャ全役けた同じ膜厚
と層構成からなる磁気ディスクの耐CSS特性を上回る
結果を得た。
本発明によれば、従来のテクスチャに相当する凹凸を容
易に保護膜に形成することができる・また、本発明は、
電磁変換特性を劣化させることなくヘッドの粘着を防止
し、静摩擦係数の低い、耐久性に優れる磁気記録媒体を
提供することができる。
易に保護膜に形成することができる・また、本発明は、
電磁変換特性を劣化させることなくヘッドの粘着を防止
し、静摩擦係数の低い、耐久性に優れる磁気記録媒体を
提供することができる。
第1図は本発明の一実施例を示す磁気記録媒体の断面図
、第2図は高周波プラズマ中でCVDよシ凹凸状の硬質
炭素保展膜を形成するための成膜装置の説明図、第3図
は炭素系保護膜の表面をエツチングして凹凸を設けるた
めのエツチング装置、の説明図である。 1.8・・・・・・基板、2 、9・旧・・スペーサ、
3・旧・・高周波電極、4,11・・・・・・マスク、
5.12・・・・・・メツシュ、6・・・・・・インピ
ーダンス整合回路、7・・・・・・高周波電源、10・
・・・・・台座、13・旧・・高電圧電源、14・・・
・・・ディスク用基板、15・旧・・N1−Pめっき膜
、16・・・・・・Or下地膜、17・旧・・磁性膜、
18・・・・・・硬質炭素膜、19・・・・・・フッソ
系潤滑剤。
、第2図は高周波プラズマ中でCVDよシ凹凸状の硬質
炭素保展膜を形成するための成膜装置の説明図、第3図
は炭素系保護膜の表面をエツチングして凹凸を設けるた
めのエツチング装置、の説明図である。 1.8・・・・・・基板、2 、9・旧・・スペーサ、
3・旧・・高周波電極、4,11・・・・・・マスク、
5.12・・・・・・メツシュ、6・・・・・・インピ
ーダンス整合回路、7・・・・・・高周波電源、10・
・・・・・台座、13・旧・・高電圧電源、14・・・
・・・ディスク用基板、15・旧・・N1−Pめっき膜
、16・・・・・・Or下地膜、17・旧・・磁性膜、
18・・・・・・硬質炭素膜、19・・・・・・フッソ
系潤滑剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性基材の表面に、磁性層を形成する工程と、微
細な隙間をもつ障害物を介して化学気相成長、スパッタ
リング、イオンビーム蒸着等を行い、前記隙間の部分に
対応する前記磁性層の表面に保護膜を堆積する工程とを
含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 2、非磁性基材の表面に、磁性層を形成する工程と、前
記磁性層の表面に炭素系保護膜を形成する工程と、前記
炭素系保護膜の表面に微細な隙間をもつ障害物を設けて
酸素プラズマを作用させて表面に凹凸を設ける工程とを
含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 3、請求項1または2において、前記障害物は孔径が0
.1〜10μmのテフロン、ポリプロピレン、セルロー
ス等から選ばれる連続で均一なポリマのメッシュから成
る磁気記録媒体の製造方法。 4、請求項1または2において、前記非磁性基材上に、
強磁性体を主体とする磁性層と、炭素系薄膜からなる保
護層と、潤滑層とを、順次、積層し、前記保護層に表面
粗さRaが5〜20nmの凹凸を形成する磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14145990A JPH0438620A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14145990A JPH0438620A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0438620A true JPH0438620A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15292387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14145990A Pending JPH0438620A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0438620A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5486276A (en) * | 1992-09-10 | 1996-01-23 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing small magnetic disks from a large disk |
US8995089B2 (en) | 2013-03-01 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method for producing the same |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP14145990A patent/JPH0438620A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5486276A (en) * | 1992-09-10 | 1996-01-23 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing small magnetic disks from a large disk |
US5552203A (en) * | 1992-09-10 | 1996-09-03 | Fujitsu Limited | Magnetic disk having a protective layer of sputtered particles of two differently controlled grain sizes |
US8995089B2 (en) | 2013-03-01 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method for producing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003532251A (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜コーティング方法、それによって製造される製品、および磁気記録媒体感応素子へのその応用 | |
JPH0438620A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0520658A (ja) | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法 | |
CN1085871C (zh) | 磁头及其制造方法 | |
JPH0490125A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
JP3177716B2 (ja) | 面内記録型磁気記録体の製造方法 | |
JPH11256340A (ja) | Dlc膜の成膜方法及びそれにより製造された磁気記録媒体 | |
JPH01105326A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH07225943A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3235345B2 (ja) | 磁気記録ディスクの製造方法 | |
JP2516379B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH1011735A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6022730A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPS63259838A (ja) | 磁性薄膜記録媒体の製造方法および製造装置 | |
JPH02101155A (ja) | 基板への成膜方法及びその装置 | |
JPH08102032A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH01162226A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH09265621A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH03125322A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2001256643A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS581832A (ja) | 垂直磁化記録媒体 | |
JPS615422A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0451889B2 (ja) | ||
JPH01166334A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH043008B2 (ja) |