JPH02101155A - 基板への成膜方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板への成膜方法及びその装置に関し、例え
ば光ディスクを製造するために利用することができる。

［従来の技術］ 光ディスクは、ポリカーボ第一ト等より成る樹脂基板上
にスパンタリング等を使用して記録膜と保護膜を形成す
ることにより製造されている。この記録膜等を形成する
際、記録膜等の薄膜の剥離を防止したり、貼合せやオー
バーコート膜形成後の密着性を高めたり、寿命を向上さ
せるために、マスキングを行って基板の内外周部に薄膜
材料が付着しないようにしている。従来、このマスキン
グのためのマスクとして、ステンレス、アルミニウム等
より成る金属製マスクが使用されている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の成膜方法及び装置により製造した光ディスクによ
れば、製造時にマスクを配置した近傍で記録再生特性が
急に悪化するという問題点があった。特に、光ディスク
を複数枚同時に製造する場合においては、マスクの形状
、熱容量などの点で周方向を均一にすることができず、
このような問題点の発生が顕著であり、全品均一な特性
を有する製品を製造することが困難であった。

本発明は、例えば光ディスクの製造に通用した場合に記
録再生特性の悪化を防止することができる基板への成膜
方法及びその装置を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、マスクを使用して基板に所要形状の薄膜を形
成する基板への成膜方法において、前記基板の成膜部分
の温度を実質的に均一にしながら薄膜を形成することを
特徴とする。

成膜法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法等を使用することができる。

また、この成膜方法を実施するための、マスクを使用し
て基板に所要形状の薄膜を形成する成膜装置において、
前記マスクを熱伝導率の低い＋Ａ料で形成したことを特
徴とする。

この成膜装置において、マスクは、熱伝導率が具体的に
は２０×１０−１好ましくはｌ０ＸＩＯ４ｃａｌ　／ｓ
ｅｃ／　Ｃｆｌ’Ｃ／　ｃｍ以下の材料で形成するのが
よい。

ごのようなマスクを形成するための熱伝導率の低い材料
として、例えば次のような具体的材料を挙げることがで
きる。下記の材料で単位は、ｃａｌ／ｓｅｃ／　ｃＭ　
°Ｃ／　ｃｍである。

メラミン樹脂・・・７〜１０×１０ ポリエステル・・・１０〜１６Ｘ１０ エポキン樹脂・・・１１〜１９Ｘ１０ ポリ四フツ化エチレン・・・６×１０ ポリアミド・・・５．２〜５．８ＸｌＯポリカーボネー
ト・・・４．６Ｘ１０ なお、マスクとしては、前記熱伝導率の低い合成樹脂で
マスク全体を形成する構成に加えて、マスク全体を熱伝
導率の比較的高い材料で形成した場合には、基板側の面
に熱伝導率の低い材料を積層したり、マスクと接触する
外周部分のみを熱伝導率の低い材料で形成した構成とし
てもよい。更に、断熱層を形成することにより、結果と
して熱伝導率を低くするようにした構成でもよい。

基板の材料としては、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＭ
ＭＣ（ポリメタクリル酸メチル）、ＡＰＯ（アモルファ
スポリオレフィン）、ＰＣ（ポリカーボネート）−ＰＳ
（ポリスチレン）、アルミニウム等の金属を使用するこ
とができる。

［作用］ 従来、例えば光ディスクにおける、マスクが設けられた
近辺に記録再生特性の悪化が生じるのは、薄膜を形成す
る際にマスク近傍の基板とマスクから離れた部分におけ
る基板とに温度差ができ、これが形成された薄膜の特性
に不均一を生じさせるからである。従って、成膜部分の
温度を実質的に均一にしながら薄膜を形成することによ
り、このような場所的な温度差に基づく特性の悪化が生
しるのを防止することが可能になる。

また、この成膜方法を実施するための成膜装置においで
、マスクは熱伝導率の低い材料、具体的にば２０　Ｘ　
１０−４ｃａｌ　／ｓｅｅ／　ｃｆｌ’ｃ／　ｃｍ以下
の材料を使用して形成することにより、断熱効果が高ま
り、成膜時の輻射熱などによるマスクの有する熱や基板
からの熱逃散に基づ（基板への熱的悪影響を回避するこ
とが可能になる。

［実施例コ 本発明を光ディスクの製造に適用した場合の実施例につ
いて説明する。

第１図に示すように、光ディスクの製造においで、成膜
装置であるマグネトロンスパッタリング装置内の基板ホ
ルダー１にポリカーボネート製の光デイスク基板２を装
着し、この基板２上に所要形状の薄膜を形成するための
本実施例に係る外周マスク３と内周マスク４を配置する
。これらの外周マスク３と内周マスク４は、基板２祠料
と同じであり、熱伝導率の低いポリカーボネートで形成
したものである。

次に第２図に示すように、基板２」−に保護膜としての
Ｓｉ　　Ｏ，層５、光磁気記録膜としてのＴｂＦｅ　Ｃ
ｏ層６、保護膜としてのＳｉ　ＯＸ層７の３層を順次ス
パフタリングで形成して光ディスク８を製造する。なお
、バンクグランド圧は、成膜前においては１０−’Ｔｏ
ｒｒ台、成膜時においては１Ｏ−Ｔｏｒｒ台である。

直径８６ｍｍの基板２を使用し、また８１．３〜８６ｍ
ｍまでが覆われる外周マスク３を使用して製造した場合
の光ディスク８について、記録再生装置を用いて直径７
２〜８０ｍｍの部分の最適記録パワーを２ｍｍ毎に測定
した。その結果を第３図の曲線Ａに示す。

また、同じ部分につい°ζ印加磁界強度とカー回転角の
反転の状況から保磁力を測定した。その結果を第４図の
曲線Ｂに示す。なお、第３及び４図でＹ軸は、直径７２
ｍｍにおりる値を１００とした場合の相対値である。

上５較−例− 外周マスクと内周マスクの材料を従来のアルミニウムと
した以外は、上記実施例と同様の装置及び条件で光ディ
スクを製造した。

また、この比較例に係る光ディスクについて、上記実施
例と同様に基板の外周部における最適パワーと保磁力を
測定した。第３図の曲線Ｃは最適パワーを示し、第４図
の曲線１〕は保磁力をそれぞれ示す。

第３図及び第４図に示す測定結果から、実施例と比較例
に係る光ディスクを比較すると、本実施例の光ディスク
は、外周部まで良好な記録特性が維持されているのに対
して、比較例は、外周部近くで急激に特性が悪化してい
ることがわかる。これは、成膜時アルミニウム製マスク
を使用すると、ポリカーボネート製マスクと比べて、熱
伝導率が高いため（ＡＩの熱伝導率は０　、　４８７ｃ
ａｌ　／ｓｅｃ／　ｃｆ’ｃ／　Ｃｍ）　、マスクの熱
が基板ホルダーに伝導し易く、その結果基板の外周部の
温度も下がって基板の温度分布が不均一になることによ
る。

［発明の効果］ 本発明に係る基板への成膜方法及び装置によれば、成膜
時マスク近傍における温度変化を抑えることができ、こ
の結果特性の均一な薄膜を形成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は実施例に係る成膜方法を示す断面図
、第３図は実施例と比較例の光ディスクの最適パワーを
測定した結果を示すグラフ、第４図は実施例と比較例の
光ディスクの保磁力を測定した結果を示すグラフである
。 ２・・・基板、３・・・外周マスク、４・・・内周マス
ク。 出願人　　出光石油化学株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）マスクを使用して基板に所要形状の薄膜を形成す
   る基板への成膜方法において、前記基板の成膜部分の温
   度を実質的に均一にしながら薄膜を形成することを特徴
   とする基板への成膜方法。
2. （２）マスクを使用して基板に所要形状の薄膜を形成す
   る基板への成膜装置において、前記マスクを熱伝導率の
   低い材料で形成したことを特徴とする基板への成膜装置
   。
3. （３）第２請求項において、マスクを熱伝導率が２０×
   １０＾−＾４ｃａｌ／ｓｅｃ／ｃｍ＾２℃／ｃｍ以下の
   材料で形成したことを特徴とする基板への成膜装置。