JPH03168948A - 光磁気記録媒体の成膜方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の成膜方法Info
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- JPH03168948A JPH03168948A JP30654689A JP30654689A JPH03168948A JP H03168948 A JPH03168948 A JP H03168948A JP 30654689 A JP30654689 A JP 30654689A JP 30654689 A JP30654689 A JP 30654689A JP H03168948 A JPH03168948 A JP H03168948A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、レーザー光を含む各種波長のエネルギー線に
よって情報の記録・再生・消去などを行なう光磁気記録
媒体の成膜方法に関する．
よって情報の記録・再生・消去などを行なう光磁気記録
媒体の成膜方法に関する．
従来、耐食性に問題のある光磁気記録層をボリカーボネ
ートやその他有機樹脂基板上に成膜する場合に、光磁気
記録層が形成されない領域を設けるために、内周マスク
および外周マスクによりその部分をマスクし、その後、
スパッタリングにより光磁気記録層を成膜している。こ
れらのマスクの材料としては、金属材科が用いられ、特
に真空中での放出ガス量．の少ない材料であるＳＵＳや
ＡＩ２合金が使用される．また、これらのマスクは膜の
均一性をできるだけ広い範囲にわたって得るために、基
板に直接接触するように設計されていた．このようなマ
スクを用い、成膜しようとすると、これらのマスクの装
着時に樹脂基板の成膜される領域に傷をつけて外観を損
なったり、状況によってはその傷から光磁気記録層の腐
食が発生するといった問題があった．また、基板とマス
クが直接接触するために、基板からの脱ガスが不十分と
なり、マスク近傍の膜質が低下し、腐食しやすくなると
いう問題も発生していた． これらを解決するために、樹脂基板に傷をつけないよう
に有機材科よりなるスベーザーをマスクと基板の間に介
在させ、傷の発生を抑制する方法が取られている。スベ
ーサーとしては真空中での放出ガス量の少ない弗素樹脂
製（例えばテフロン製）のものが使用されている。 これにより傷の発生はほとんど回避されるものの５これ
ら有磯材料は、金属に比べ放出ガス量が多く、依然とし
て先磁気記録層あるいは保護層、下引層は膜中に不純物
が多い、緻密で無い、等の膜質の低下を来していた． 本発明の目的は、光磁気記録層、下引層および保護層が
成膜される基板」二に傷をつけず、高温高湿環境下にお
いても、腐食が発生しない光磁気記緑媒体を提供するこ
とにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成可能な本発明は、 内周および外周マスクを取り付け、基板上にスパッタリ
ングにより成膜する際に、前記内周および外周マスクの
端部な、基板に直接接触しない段差形状とし、金属材科
よりなることを特徴とする光磁気記録媒体の成膜方法で
ある。 以下に、本発明の光磁気記録媒体の成膜方法を詳細に説
明する。 第１図は、本発明に用いる内周マスクおよび外周マスク
の一態様を示す模式的断面図である。図中、ａは段差に
相当するギャップの長さであり，ｂはマスク端部から内
側に入る長さである。 一般に、光磁気記録層、下引層および保護層はスバッタ
法で作製される。スバッタ粒子は基板に対してほとんど
垂直に入射するが、スバッタ圧が高いと衝突により基板
に対して斜めに入射する割合が高くなり、スバッタ粒子
がマスクの内側に入り込むために、膜付けしなくてもよ
い領域まで膜付けされてしまう。例えば、真空中におけ
るスバッタ粒子であるＮ２分子の平均６由行程βについ
ては、下記式により与えられる。 Ｐ 〔但し、Ｐは真空度（Ｔｏｒｒ）］ ５ＸｌＯ−’という定数は、分子の穐類によって多少只
なるがオーダーは変わらない９平均自由行程ｇはスバッ
タ時の圧力と反比例するために、Ｐ；ＩＱ”’Ｔｏｒｒ
とすると、この時の分子の平均自由行程はｆｆ＝０．５
ｃｍである。通常、スバッタは１０−”Ｔｏｒｒより低
い真空度、ｉｏ−３〜１０”２Ｔｏｒｒで行なわれるた
めにβは０．５ｃｍより長くなる．すなわち０．５ｃｎ
＋より小さくなければ、スバツタ粒子がマスクの内側に
入り込むために、膜付けしなくてもよい領域まで膜付け
されてしまう。 したがって、ａの値としてはできるだけ小さいほうが良
く、装着時の精度を考慮して、０．３〜０．５ｍｍの範
囲が好ましい。ｂの値ヒしては大きいほうが効果がある
ものの、マスクの加工精度を考慮すると１〜３ｍｍの範
囲が好ましい。 また、マスクは一体加工したものでなくても良く、段差
を形成する部分が金属でできたスベーサーでも良い。 マスクを構成する金属材料としては、ＳＯＳ ３０４、
Ａ１等、真空装置に使用されているような材料が好まし
い。しかし、スベーサーに相当する部分についてはＩｎ
等の柔らかい金属でも良い。 ［実施例］ 以下実施例により、本発明を具体的に説明する。 実施例ｌ 内周マスクヒして、外径φ４６ｖｎ， ａ ＝ ０．
３ｍｍｂ＝２ｍｎ＋、外周マスクヒして、内径φ １２
６ｍｍ、ａ ＝０．３ｍｍ ， ｂ ＝ ２ｍｍのもの
をそれぞれアルミ材にて作製した。このマスクを用いて
、 １３０ｍｍのポリカーボネート基板上に下引層とし
て、ＳｉＮ （膜厚５００入）を形成し、この下引層
の上に光磁気記録層として読み出し層のＧｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏを４００入、記録層のＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏを４００人の
厚さに成形した後、この記録層の上に下地層を形成した
ときと同じ方法により、ＳｉＮからなる無機誘電体保護
層を７００人の厚さに形成した。その後、接着剤を用い
て、保護用のＰＣ基板と貼り合せて先磁気記録媒体を得
た。 比較例１ 第２図に示すように、内周マスクおよび外周マスクのａ
の値をＯとし、マスク端部が基板に直接接触するように
した以外は実施例ｌと同様にしてマスクを作製し、光磁
気記録媒体を作製した。 比較例２ 第３図に示すように、内周マスクに厚さ０．３ｍｍ，直
径φ４ ５ｍｍのテフロン製のスベーサ−６を介して取
り付けた以外は比較例ｌと同様にして光磁気記録媒体を
作製した。 実施例１、比較例１および比較例２により、それぞれｌ
Ｏ枚の光磁気記録媒体を作製した。それぞれの初期の外
観を比較すると、実施例１および比較例２のものは膜の
付着箇所には傷が見られず良好であったが、比較例ｌの
ものは膜とマスクの境界付近に傷が数カ所認められた。 また、上記の光磁気記録媒体を８０℃、９０％の環境下
に１０００時間放置した後、それぞれの外観を調べたと
ころ、実施例ｌにより作製したものは膜の境界付近にも
、その他の部分にも腐食の発生は認められなかったが、
比較例ｌのものは傷の部分からあるいはその他の部分か
ら腐食が起こっており、比較例２のものは、傷がないに
もかかわらず、内周の膜の境界付近に腐食箇所がいくつ
か認められた．以下にその発生頻度を示す。１か所でも
腐食の見られたものをカウントした。 実施例２ 内周マスクに厚さ０． ３ｍｍ，直径φ４２ｍｍのアル
ミ箔製のスベーサーを介して取り付けた以外は実施例１
と同様にして光磁気記録媒体を作製した．初期外観は膜
の付着箇所には傷が見られず良好であった．また、上記
の光磁気記録媒体を８０℃、９０％の環境下に１０００
時間放置した後、外観を調べたところ、膜の境界付近に
も、その他の部分にも腐食の発生は認められなかった 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の光磁気記録媒体の成膜方
法により、傷が付かず、外観が良好で、腐食の発生しな
い媒体の提供が可能となった．
ートやその他有機樹脂基板上に成膜する場合に、光磁気
記録層が形成されない領域を設けるために、内周マスク
および外周マスクによりその部分をマスクし、その後、
スパッタリングにより光磁気記録層を成膜している。こ
れらのマスクの材料としては、金属材科が用いられ、特
に真空中での放出ガス量．の少ない材料であるＳＵＳや
ＡＩ２合金が使用される．また、これらのマスクは膜の
均一性をできるだけ広い範囲にわたって得るために、基
板に直接接触するように設計されていた．このようなマ
スクを用い、成膜しようとすると、これらのマスクの装
着時に樹脂基板の成膜される領域に傷をつけて外観を損
なったり、状況によってはその傷から光磁気記録層の腐
食が発生するといった問題があった．また、基板とマス
クが直接接触するために、基板からの脱ガスが不十分と
なり、マスク近傍の膜質が低下し、腐食しやすくなると
いう問題も発生していた． これらを解決するために、樹脂基板に傷をつけないよう
に有機材科よりなるスベーザーをマスクと基板の間に介
在させ、傷の発生を抑制する方法が取られている。スベ
ーサーとしては真空中での放出ガス量の少ない弗素樹脂
製（例えばテフロン製）のものが使用されている。 これにより傷の発生はほとんど回避されるものの５これ
ら有磯材料は、金属に比べ放出ガス量が多く、依然とし
て先磁気記録層あるいは保護層、下引層は膜中に不純物
が多い、緻密で無い、等の膜質の低下を来していた． 本発明の目的は、光磁気記録層、下引層および保護層が
成膜される基板」二に傷をつけず、高温高湿環境下にお
いても、腐食が発生しない光磁気記緑媒体を提供するこ
とにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成可能な本発明は、 内周および外周マスクを取り付け、基板上にスパッタリ
ングにより成膜する際に、前記内周および外周マスクの
端部な、基板に直接接触しない段差形状とし、金属材科
よりなることを特徴とする光磁気記録媒体の成膜方法で
ある。 以下に、本発明の光磁気記録媒体の成膜方法を詳細に説
明する。 第１図は、本発明に用いる内周マスクおよび外周マスク
の一態様を示す模式的断面図である。図中、ａは段差に
相当するギャップの長さであり，ｂはマスク端部から内
側に入る長さである。 一般に、光磁気記録層、下引層および保護層はスバッタ
法で作製される。スバッタ粒子は基板に対してほとんど
垂直に入射するが、スバッタ圧が高いと衝突により基板
に対して斜めに入射する割合が高くなり、スバッタ粒子
がマスクの内側に入り込むために、膜付けしなくてもよ
い領域まで膜付けされてしまう。例えば、真空中におけ
るスバッタ粒子であるＮ２分子の平均６由行程βについ
ては、下記式により与えられる。 Ｐ 〔但し、Ｐは真空度（Ｔｏｒｒ）］ ５ＸｌＯ−’という定数は、分子の穐類によって多少只
なるがオーダーは変わらない９平均自由行程ｇはスバッ
タ時の圧力と反比例するために、Ｐ；ＩＱ”’Ｔｏｒｒ
とすると、この時の分子の平均自由行程はｆｆ＝０．５
ｃｍである。通常、スバッタは１０−”Ｔｏｒｒより低
い真空度、ｉｏ−３〜１０”２Ｔｏｒｒで行なわれるた
めにβは０．５ｃｍより長くなる．すなわち０．５ｃｎ
＋より小さくなければ、スバツタ粒子がマスクの内側に
入り込むために、膜付けしなくてもよい領域まで膜付け
されてしまう。 したがって、ａの値としてはできるだけ小さいほうが良
く、装着時の精度を考慮して、０．３〜０．５ｍｍの範
囲が好ましい。ｂの値ヒしては大きいほうが効果がある
ものの、マスクの加工精度を考慮すると１〜３ｍｍの範
囲が好ましい。 また、マスクは一体加工したものでなくても良く、段差
を形成する部分が金属でできたスベーサーでも良い。 マスクを構成する金属材料としては、ＳＯＳ ３０４、
Ａ１等、真空装置に使用されているような材料が好まし
い。しかし、スベーサーに相当する部分についてはＩｎ
等の柔らかい金属でも良い。 ［実施例］ 以下実施例により、本発明を具体的に説明する。 実施例ｌ 内周マスクヒして、外径φ４６ｖｎ， ａ ＝ ０．
３ｍｍｂ＝２ｍｎ＋、外周マスクヒして、内径φ １２
６ｍｍ、ａ ＝０．３ｍｍ ， ｂ ＝ ２ｍｍのもの
をそれぞれアルミ材にて作製した。このマスクを用いて
、 １３０ｍｍのポリカーボネート基板上に下引層とし
て、ＳｉＮ （膜厚５００入）を形成し、この下引層
の上に光磁気記録層として読み出し層のＧｄ−Ｆｅ−Ｃ
ｏを４００入、記録層のＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏを４００人の
厚さに成形した後、この記録層の上に下地層を形成した
ときと同じ方法により、ＳｉＮからなる無機誘電体保護
層を７００人の厚さに形成した。その後、接着剤を用い
て、保護用のＰＣ基板と貼り合せて先磁気記録媒体を得
た。 比較例１ 第２図に示すように、内周マスクおよび外周マスクのａ
の値をＯとし、マスク端部が基板に直接接触するように
した以外は実施例ｌと同様にしてマスクを作製し、光磁
気記録媒体を作製した。 比較例２ 第３図に示すように、内周マスクに厚さ０．３ｍｍ，直
径φ４ ５ｍｍのテフロン製のスベーサ−６を介して取
り付けた以外は比較例ｌと同様にして光磁気記録媒体を
作製した。 実施例１、比較例１および比較例２により、それぞれｌ
Ｏ枚の光磁気記録媒体を作製した。それぞれの初期の外
観を比較すると、実施例１および比較例２のものは膜の
付着箇所には傷が見られず良好であったが、比較例ｌの
ものは膜とマスクの境界付近に傷が数カ所認められた。 また、上記の光磁気記録媒体を８０℃、９０％の環境下
に１０００時間放置した後、それぞれの外観を調べたと
ころ、実施例ｌにより作製したものは膜の境界付近にも
、その他の部分にも腐食の発生は認められなかったが、
比較例ｌのものは傷の部分からあるいはその他の部分か
ら腐食が起こっており、比較例２のものは、傷がないに
もかかわらず、内周の膜の境界付近に腐食箇所がいくつ
か認められた．以下にその発生頻度を示す。１か所でも
腐食の見られたものをカウントした。 実施例２ 内周マスクに厚さ０． ３ｍｍ，直径φ４２ｍｍのアル
ミ箔製のスベーサーを介して取り付けた以外は実施例１
と同様にして光磁気記録媒体を作製した．初期外観は膜
の付着箇所には傷が見られず良好であった．また、上記
の光磁気記録媒体を８０℃、９０％の環境下に１０００
時間放置した後、外観を調べたところ、膜の境界付近に
も、その他の部分にも腐食の発生は認められなかった 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の光磁気記録媒体の成膜方
法により、傷が付かず、外観が良好で、腐食の発生しな
い媒体の提供が可能となった．
第１図は本発明による内周マスクおよび外周マスクを取
り付けた光磁気記録媒体用基板の模式的断面図、第２図
および第３図は従来例によるマスクを取り付けた光磁気
記録媒体用基板の模式的断面図である． ｌ・・・本発明になる内周マスク ２・・・本発明になる外周マスク ３・・・光磁気記録媒体用基板 ４・・・従来例になる内周マスク ５・・・従来例になる外周マスク ６・・・スペーサ−
り付けた光磁気記録媒体用基板の模式的断面図、第２図
および第３図は従来例によるマスクを取り付けた光磁気
記録媒体用基板の模式的断面図である． ｌ・・・本発明になる内周マスク ２・・・本発明になる外周マスク ３・・・光磁気記録媒体用基板 ４・・・従来例になる内周マスク ５・・・従来例になる外周マスク ６・・・スペーサ−
Claims (3)
- １．内周および外周マスクを取り付け、基板上にスパッ
タリングにより成膜する際に、前記内周および外周マス
クの端部を、基板に直接接触しない段差形状とし、金属
材料よりなることを特徴とする光磁気記録媒体の成膜方
法。 - ２．基板が有機樹脂材料で構成されていることを特徴と
する請求項１記載の成膜方法。 - ３．マスクの段差形成部分が金属製のスペーサーである
ことを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30654689A JPH03168948A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 光磁気記録媒体の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30654689A JPH03168948A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 光磁気記録媒体の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03168948A true JPH03168948A (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=17958342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30654689A Pending JPH03168948A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 光磁気記録媒体の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03168948A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413381B1 (en) | 2000-04-12 | 2002-07-02 | Steag Hamatech Ag | Horizontal sputtering system |
| WO2001079580A3 (en) * | 2000-04-12 | 2002-07-04 | Steag Hamatech Ag | Apparatus and method for handling and masking a substrate |
| WO2006009103A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP30654689A patent/JPH03168948A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413381B1 (en) | 2000-04-12 | 2002-07-02 | Steag Hamatech Ag | Horizontal sputtering system |
| WO2001079580A3 (en) * | 2000-04-12 | 2002-07-04 | Steag Hamatech Ag | Apparatus and method for handling and masking a substrate |
| WO2006009103A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2006-01-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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