JPH04137526U - 光記録体の基板ホルダ - Google Patents

光記録体の基板ホルダ

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JPH04137526U
JPH04137526U JP4064291U JP4064291U JPH04137526U JP H04137526 U JPH04137526 U JP H04137526U JP 4064291 U JP4064291 U JP 4064291U JP 4064291 U JP4064291 U JP 4064291U JP H04137526 U JPH04137526 U JP H04137526U
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JP
Japan
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substrate
optical recording
recording medium
substrate holder
film
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Pending
Application number
JP4064291U
Other languages
English (en)
Inventor
浩貴 田中
美津雄 宮崎
Original Assignee
京セラ株式会社
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光記録媒体の成膜層の特性に影響を及ぼす脱
ガスを効率的に行いうる光記録体の基板ホルダを提供す
ることを目的とする。 【構成】 本考案の光記録体の基板ホルダは、基板載置
面に通気孔を設けたことを特徴とし、これにより、基板
からの発生ガスを従来よりいっそう効率的に排出するこ
とができ、基板上に形成される成膜層に特性上悪影響を
及ぼすガスの混入が極力防止される。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、光記録媒体を基板上に形成するのに際し、基板を保持する光記録体 の基板ホルダに関する。
【0002】
【従来の技術とその問題点】
CD−ROM、追記型光ディスク、及び書き換え可能型光ディスク等の光記録 媒体を形成する場合、図4に示すように、真空ポンプPに連結された排気室C内 にディスク状の基板1を基板ホルダHに載置し、排気室C内を充分に減圧した後 、窒化ケイ素や金属等のターゲットTをRFやDC電源を用いてスパッタリング して、基板1上に所望の光記録媒体を成膜する。ここで、基板ホルダHは、基板 1を載置する支持台H1と、これに固定され基板1の外周部を取り囲む枠H2等 とから構成される。
【0003】 基板1を基板ホルダHに載置した状態で光記録媒体を成膜する場合、基板1の 内周及び外周付近は、それぞれ支持台H1や枠H2などに覆われた状態であるた め非成膜部となる。従来、光記録媒体の成膜の際に、この非成膜部から発生した ガスが非成膜部の近傍に位置する光記録媒体の成膜層へ混入することを防止する ために、基板1の外周側面1aから発生したガスが基板ホルダHを通じて、真空 ポンプPによって排気されるように、枠H2に通気孔H2aを開口した基板ホル ダHが提案されている(特開平2-273345号公報等参照)。
【0004】 また、成膜層を形成する際に記録領域(データを書き込む領域)の最外周と基 板1の非成膜部との距離を遠ざけることにより、成膜層へ流れ込むガスの悪影響 を回避してきた。
【0005】
【従来技術の課題】
しかしながら、支持台H1に固定する側の基板1の非成膜面1bから発生する ガスは、排気装置による脱ガスが抑制されるため、上記従来の装置では脱ガスが 不十分となり、やはり光記録媒体の成膜層へのガスの混入を避けることはできず 、成膜層における記録領域の特性を著しく損なうので問題である。さらに、成膜 層が基板1の端面にまで及ぶと端面はオーバーコートされない箇所であるので、 腐食の原因となり、この腐食の影響が記録領域にも及び商品価値が低下する。
【0006】 また、基板1の支持台H1に固定する側の非成膜面1bからの発生ガスの流出 量は、基板1の側面1aから発生するガスよりも量が多く、従来はこれからのガ スの一部のみが通気孔H2aから排気されていたにすぎなかった。
【0007】
【考案の目的】
そこで、本考案は上記問題点を解消し、成膜層の特性に影響を及ぼす脱ガスを 効率的に行いうる光記録体の基板ホルダを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本考案の光記録体の基板ホルダは、基板載置面に 通気孔を設けたことを特徴とする。
【0009】
【作用】
本考案の基板ホルダは、基板載置面に通気孔を有するので、基板からの発生ガ スを従来より一層効率的に排出することができ、基板上に形成される光記録媒体 の成膜層の特性に悪影響を及ぼすガスの混入が極力防止される。
【0010】
【実施例】
本考案に係る実施例を詳細に説明する。 本案装置の基本的な構成は図2に示した従来の基板ホルダHと同様であり説明 を省略する。従来のものと異なる点は、従来では枠H2に通気孔を設けるのに対 し、本案装置では図1に示すように、支持台H1の基板載置面H1aに通気孔H 1bを設けた点である。ここで、この通気孔H1bは径約4 mmのものを複数個を 配置し、特に基板ホルダHが基板1の端面と近接している箇所に数多く設けてい る。さらに、基板1の光記録媒体の非成膜部から発生したガスが真空ポンプP側 へ効率よく排気されるように、載置面H1aに対し垂直方向へ開孔している。な お、基板1は外径約86mmのポリカーボネート基板である。
【0011】 上記のように通気孔H1bを設けることにより、非成膜面1aから発生したガ スの排気が充分かつ効率的に行われ、成膜層にガスが流れ込み不純物が混入する ことが極力防止できた。
【0012】 次に、本案装置により従来装置と比較して効率よくガスの排気を行うことがで き、優れた特性の光記録体が提供できることを、図2及び図3の結果に基づいて 説明する。
【0013】 ここで、光記録体の半径方向(基板1の中心からの距離)の反射率の分布は、 光磁気ディスク用の電気特性測定装置を用いて測定した結果である。なお、反射 率の出力電圧は反射光の絶対値を示し、径方向の反射率の差が大きいほど反射率 の基本スペックから外れることになる。
【0014】 また、保磁力の分布はカー効果測定装置を用いて測定した結果である。なお、 径方向の保磁力の差が大きいほど保磁力の基本スペックから外れることになる。
【0015】 図2から明らかなように、従来装置で作製した光記録体は、その反射率を示す 出力電圧の最大と最小との差は140mV であり、半径位置が約38mm以上となると大 幅に減少したのに対し、本案装置で作製したものは出力電圧の最大と最小との差 は45mVにすぎず、半径位置にほとんど依存せずほぼ一定の反射率を示す結果とな った。
【0016】 また、図3から明らかなように、保磁力においても従来装置で作製したものは 基板1の中心付近と外周付近は保磁力が大きく低下し、その最大と最小との差は 約3.0kOeもあった。一方、本案装置で作製したものは、保磁力の最大と最小の差 は約0.2kOeであり、半径位置にほとんど依存せずほぼ一定の保持力を有するもの であった。
【0017】 以上の結果により、基板1の支持台H1に固定する側の非成膜面からの発生ガ スの流出量は、基板1の側面1aから発生するガスよりも量が多く、従来はこれ からのガスの一部のみが通気孔H2aから排気されていたにすぎなかったことが 判明した。
【0018】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案の光記録体の基板ホルダは、基板載置面に通気孔 を有するので、基板からの発生ガスを従来よりいっそう効率的に排出することが でき、従来よりも光記録体の半径位置における反射率及び保磁力の分布が均一化 され、特性の極めてすぐれた光記録体を提供できる。
【0019】 また、従来のように基板の最外周と光記録媒体を形成した記録領域の最外周と の距離を狭める必要がなく、信頼性の高い光記録体を容易に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る基板ホルダの概略断面図である。
【図2】従来装置と本案装置のそれぞれで作製した光記
録体の半径位置における反射率の分布を示す。
【図3】従来装置と本案装置のそれぞれで作製した光記
録体の半径位置における保磁力の分布を示す。
【図4】従来の基板ホルダの概略断面図である。
【符号の説明】
1 ・・・ 基板 C ・・・ 排気室 H ・・・ ホル
ダ H1 ・・・ 支持台 H1a・・・ 基板
載置面 H1b・・・ 通気孔 H2 ・・・ 枠 H2a・・・ 通気孔 P ・・・ 真空
ポンプ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光記録媒体を基板上に被着させることに
    よって光記録体を形成するのに際し、前記基板を載置し
    て保持させる基板ホルダであって、該基板ホルダはその
    基板載置面に通気孔が設けられていることを特徴とする
    光記録体の基板ホルダ。
JP4064291U 1991-05-31 1991-05-31 光記録体の基板ホルダ Pending JPH04137526U (ja)

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JP4064291U JPH04137526U (ja) 1991-05-31 1991-05-31 光記録体の基板ホルダ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9214371B2 (en) 2011-02-10 2015-12-15 Tokyo Electron Limited Thermal treatment apparatus and thermal treatment method

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JPS57121234A (en) * 1981-01-20 1982-07-28 Matsushita Electronics Corp Plasma processing and device thereof
JPS61294812A (ja) * 1985-06-24 1986-12-25 Hitachi Ltd 気相浮上エピタキシヤル成長装置
JPS63143970A (ja) * 1986-12-09 1988-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板載置台
JPH02273345A (ja) * 1989-04-13 1990-11-07 Nec Corp 光ディスク媒体成膜装置

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