JPH01162226A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01162226A JPH01162226A JP32166587A JP32166587A JPH01162226A JP H01162226 A JPH01162226 A JP H01162226A JP 32166587 A JP32166587 A JP 32166587A JP 32166587 A JP32166587 A JP 32166587A JP H01162226 A JPH01162226 A JP H01162226A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
（従来の技術）
回転磁気ヘッドを利用し、直接磁気記録層表面を摺動す
る磁気ヘッドにより記録再生を行う方法が、短波長信号
を狭トラツク化し、高密度磁気記録を行う上で最も適し
ているが、より短波長信号の記録再生となると、磁気記
録層の平滑化だけでは不十分で、磁気記録層の変更が必
要となり、特に強磁性金属薄膜の実用化が待たれている
（特公昭５８−９１号公報、特公昭５７−２９７７０号
公報等参照）。
る磁気ヘッドにより記録再生を行う方法が、短波長信号
を狭トラツク化し、高密度磁気記録を行う上で最も適し
ているが、より短波長信号の記録再生となると、磁気記
録層の平滑化だけでは不十分で、磁気記録層の変更が必
要となり、特に強磁性金属薄膜の実用化が待たれている
（特公昭５８−９１号公報、特公昭５７−２９７７０号
公報等参照）。
かかるタイプの磁気記録媒体は、高分子フィルム（特開
昭５９−１２１６３１号公報、特開昭５９−８４９２７
号公報等参照）上に、電子ビーム蒸着法により、Ｃｏ−
Ｎｉ等を酸素中で斜め蒸着して磁気記録層を形成しく特
公昭５７−２９７７０号公報、特公昭５７−１９４９３
号公報、特開昭５５−１２５４７号公報等参照）、潤滑
剤層や保護層を真空蒸着法やプラズマ重合法や溶液塗布
法にて形成しく特開昭６０−６３７１１号公報、特開昭
６０−５７５３５号公報、特開昭６１−２２０１１８号
公報、特開昭６１−１２６６２７号公報等参照）、所定
の形状幅に加工され、ａｉ気ディスクや磁気テープとし
て用いられる。
昭５９−１２１６３１号公報、特開昭５９−８４９２７
号公報等参照）上に、電子ビーム蒸着法により、Ｃｏ−
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剤層や保護層を真空蒸着法やプラズマ重合法や溶液塗布
法にて形成しく特開昭６０−６３７１１号公報、特開昭
６０−５７５３５号公報、特開昭６１−２２０１１８号
公報、特開昭６１−１２６６２７号公報等参照）、所定
の形状幅に加工され、ａｉ気ディスクや磁気テープとし
て用いられる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記した強磁性金属薄膜を磁気記録層と
する磁気記録媒体は、インタフェース上の耐久性にかか
わる諸問題は勿論、保存の信頼性の確保が必要であるが
、従来の製法で得られた磁気記録媒体は、高温高温での
磁気特性の変化が場所により不均一なため、改善が望ま
れていた。
する磁気記録媒体は、インタフェース上の耐久性にかか
わる諸問題は勿論、保存の信頼性の確保が必要であるが
、従来の製法で得られた磁気記録媒体は、高温高温での
磁気特性の変化が場所により不均一なため、改善が望ま
れていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、広い面積
にわたり均一な磁気特性の安定性を確保できる磁気記録
媒体の製造方法を提供するものである。
にわたり均一な磁気特性の安定性を確保できる磁気記録
媒体の製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、高分子フィルム上に形成した柱状微粒子
からなる強磁性金属薄膜を凸に。
の製造方法は、高分子フィルム上に形成した柱状微粒子
からなる強磁性金属薄膜を凸に。
曲率３０ｍ以下で保持しながら真空内で表面処理するも
のである。
のである。
（作 用）
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成によ
り、柱状粒子の隙間も処理されるようになることから、
高温高温での磁気特性の変化が小さくなり、かつ均一性
も改善される。
り、柱状粒子の隙間も処理されるようになることから、
高温高温での磁気特性の変化が小さくなり、かつ均一性
も改善される。
（実施例）
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は、本発明を実施するのに用いた表面処理装置
の要部構成図である。図で、１は強磁性金属薄膜を配し
た高分子フィルムで、これを処理基板と呼ぶ。２は巻出
し軸、３は巻取り軸、４はローラＡ、５はローラＢ、６
はイオンガン。
する。図は、本発明を実施するのに用いた表面処理装置
の要部構成図である。図で、１は強磁性金属薄膜を配し
た高分子フィルムで、これを処理基板と呼ぶ。２は巻出
し軸、３は巻取り軸、４はローラＡ、５はローラＢ、６
はイオンガン。
７はイオンシャワー、８は真空槽、９は真空排気系、１
０は遮蔽板である。ここで、ローラＡ４は曲率半径３０
ｍ以下になるように構成され、処理面積を大きくとるた
めに、複数ローラで構成するのが好ましい。処理基板１
は、高分子フィルム側かローラＡ４面に接するように通
す。
０は遮蔽板である。ここで、ローラＡ４は曲率半径３０
ｍ以下になるように構成され、処理面積を大きくとるた
めに、複数ローラで構成するのが好ましい。処理基板１
は、高分子フィルム側かローラＡ４面に接するように通
す。
処理基板は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポ
リフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド等の高分
子フィルム上に、直接または微粒子塗布層を配してから
Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ−Ｆｅｚ Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃｏ−０
、Ｇｏ−Ｔｉ、 Ｇｏ−Ｔａ、 Ｃｏ−Ｍｏ、 Ｃｏ−
Ｖ、 Ｃｏ−Ｂ、 Ｇｏ−Ｎｉ−０゜Ｇｏ−Ｎｂ−Ｃｒ
等の強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着法。
リフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド等の高分
子フィルム上に、直接または微粒子塗布層を配してから
Ｃｏ−Ｎｉ、 Ｃｏ−Ｆｅｚ Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃｏ−０
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Ｖ、 Ｃｏ−Ｂ、 Ｇｏ−Ｎｉ−０゜Ｇｏ−Ｎｂ−Ｃｒ
等の強磁性金属薄膜を電子ビーム蒸着法。
高周波スパッタリング法等により形成したもので、強磁
性金属薄膜は柱状微粒子からなるもので、厚み０．０３
μｍから０．３μ蔵の範囲のものが処理に適している。
性金属薄膜は柱状微粒子からなるもので、厚み０．０３
μｍから０．３μ蔵の範囲のものが処理に適している。
処理は、酸素イオンビーム照射、グロー放電処理等の真
空自処理であり、更に詳しく具体的な例について述べる
。
空自処理であり、更に詳しく具体的な例について述べる
。
直径を変えたローラＡを配置し、直径１ｍの円筒キャン
に沿わせて、３ Ｘ １０−’ （Ｔｏｒｒ）の酸素中
で、ＣｏＮｘ（Ｃｏ ： ８０ｗｔ％）を最小入射角４
０度となる条件で電子ビーム蒸着し、 ０．１μｍのＣ
ｏ−Ｎｉ−０膜を厚み１１７７１１のポリエチレンテレ
フタレートフィルム（長さ５０００ｍ、幅５０ａｎ）上
に形成した処理基板を酸素イオンシャワー処理を行った
。酸素イオンビームのエネルギーは２３（ＫｅＶ）とし
た。
に沿わせて、３ Ｘ １０−’ （Ｔｏｒｒ）の酸素中
で、ＣｏＮｘ（Ｃｏ ： ８０ｗｔ％）を最小入射角４
０度となる条件で電子ビーム蒸着し、 ０．１μｍのＣ
ｏ−Ｎｉ−０膜を厚み１１７７１１のポリエチレンテレ
フタレートフィルム（長さ５０００ｍ、幅５０ａｎ）上
に形成した処理基板を酸素イオンシャワー処理を行った
。酸素イオンビームのエネルギーは２３（ＫｅＶ）とし
た。
処理した基板は、８ミリ幅にスリットし、任意抽出し、
２０点測定し、平均値（て）と偏移（Ｒ）を調べた。振
動試料型磁力計を用い、６０℃、９０％ＲＨに１５日間
放置する前後の磁気特性を調べた結果より、てとＲをだ
した。
２０点測定し、平均値（て）と偏移（Ｒ）を調べた。振
動試料型磁力計を用い、６０℃、９０％ＲＨに１５日間
放置する前後の磁気特性を調べた結果より、てとＲをだ
した。
条件と特性を表にまとめて示す。
ψ１ 飽和磁束密度の減少率（％）で示した。
峠 この場合、ローラ数は１個である。
曲率が３０ｍｍ以下が好ましいのは、薄膜の厚みが０．
３μＩまでの範囲で十分な効果を得ようとした時で、０
．０３μｍの場合は、曲率は５０ｍでも効果は確認でき
ているが、磁気記録層として用いられる厚み範囲をカバ
ーできる条件としたからである。
３μＩまでの範囲で十分な効果を得ようとした時で、０
．０３μｍの場合は、曲率は５０ｍでも効果は確認でき
ているが、磁気記録層として用いられる厚み範囲をカバ
ーできる条件としたからである。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、広い面積にわたり磁気
特性の安定性についての均一な確保ができるという優れ
た効果がある。
特性の安定性についての均一な確保ができるという優れ
た効果がある。
図は本発明の製造方法を実施するのに用いた表面処理装
置の一例の要部構成図である。 １・・・処理基板、 ４・・・ローラＡ（曲率３０ａ
ｍ以下）、 ７・・・イオンシャワー。 特許出願人 松下電器産業株式会社 １・・偲埋１１板 ４・・ローラ Ａ Ｃｈｑ ３０ｍｍ以下）７・・・
イ＾ンシ賃フー
置の一例の要部構成図である。 １・・・処理基板、 ４・・・ローラＡ（曲率３０ａ
ｍ以下）、 ７・・・イオンシャワー。 特許出願人 松下電器産業株式会社 １・・偲埋１１板 ４・・ローラ Ａ Ｃｈｑ ３０ｍｍ以下）７・・・
イ＾ンシ賃フー
Claims (1)
- 高分子フィルム上に形成した柱状微粒子からなる強磁性
金属薄膜を凸に、曲率３０ｍｍ以下で保持しながら真空
内で表面処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32166587A JPH01162226A (ja) | 1987-12-19 | 1987-12-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32166587A JPH01162226A (ja) | 1987-12-19 | 1987-12-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162226A true JPH01162226A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18135042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32166587A Pending JPH01162226A (ja) | 1987-12-19 | 1987-12-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01162226A (ja) |
-
1987
- 1987-12-19 JP JP32166587A patent/JPH01162226A/ja active Pending
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