JPH0438526Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0438526Y2 JPH0438526Y2 JP1987092072U JP9207287U JPH0438526Y2 JP H0438526 Y2 JPH0438526 Y2 JP H0438526Y2 JP 1987092072 U JP1987092072 U JP 1987092072U JP 9207287 U JP9207287 U JP 9207287U JP H0438526 Y2 JPH0438526 Y2 JP H0438526Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- lead
- leads
- tab
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はFET（電界効果型トランジスタ）のリ
ードフレームをタブ端子化してコネクタ内に内蔵
するFETコネクターにおいて、タブ巾寸法を自
在に設計できるリードフレームの打抜き加工形状
に関するものである。
ードフレームをタブ端子化してコネクタ内に内蔵
するFETコネクターにおいて、タブ巾寸法を自
在に設計できるリードフレームの打抜き加工形状
に関するものである。
従来、各種の電気機器に使用されているFET
はプリント配線板などに組み込むのに便利な形態
に設計製作されている。
はプリント配線板などに組み込むのに便利な形態
に設計製作されている。
かかるFETのリードフレームは、第３図に示
すように、銅合金製の帯状材１をプレスにて打抜
き加工して両端に連鎖帯２を残し、両連鎖帯２，
２に「川」の字状に配列されるリードフレーム
３，４及び５を連成し、しかる後に、リードフレ
ーム４上にペレツト付けされた半導体部６とリー
ドフレーム３及び５とはワイヤ７を介して接続さ
れ、半導体６とワイヤ７とは樹脂パツケージによ
りモールドされる。
すように、銅合金製の帯状材１をプレスにて打抜
き加工して両端に連鎖帯２を残し、両連鎖帯２，
２に「川」の字状に配列されるリードフレーム
３，４及び５を連成し、しかる後に、リードフレ
ーム４上にペレツト付けされた半導体部６とリー
ドフレーム３及び５とはワイヤ７を介して接続さ
れ、半導体６とワイヤ７とは樹脂パツケージによ
りモールドされる。
尚、符号８はFETを連続的に流れ作業により
加工するための送り孔である。
加工するための送り孔である。
以上のように製作されるリードフレームには次
のような問題点があつた。
のような問題点があつた。
一般のリード端子は細く、ワイヤーハーネスの
信号線のリレーとして使用する場合には、リード
フレームをそのままリレー端子として使用するこ
とができず、リードフレームの幅寸法を大きくと
る必要があるが、３本のリードフレームの幅寸法
を拡大すると、通常のリードフレームの間隔で
は、形成できない問題があつた。
信号線のリレーとして使用する場合には、リード
フレームをそのままリレー端子として使用するこ
とができず、リードフレームの幅寸法を大きくと
る必要があるが、３本のリードフレームの幅寸法
を拡大すると、通常のリードフレームの間隔で
は、形成できない問題があつた。
又、３本のリードフレームのピツチを広げるこ
とによつて十分な幅の端子を形成することができ
るが、リードフレームの幅も大きなものとなり、
十分な機械的強度を得ようとすれば樹脂パツケー
ジも大きなものとしなければならなく、コネクタ
が肥大化する弊害を生ずる。
とによつて十分な幅の端子を形成することができ
るが、リードフレームの幅も大きなものとなり、
十分な機械的強度を得ようとすれば樹脂パツケー
ジも大きなものとしなければならなく、コネクタ
が肥大化する弊害を生ずる。
本考案はかかる問題点に対してなされたもので
ある。
ある。
本考案はコネクタを肥大化することなく、タブ
端子となるリードフレームの幅寸法を拡大するこ
とにあり、打抜き加工される３つのリードフレー
ムの形状を、並列して配列された３本のリードフ
レームのうち両端のリードフレームに中央のリー
ドフレームより遠ざかる中間部を設け、該中間部
の先端に中央のタブ端子に平行なタブ端子を設け
た形状とし、打抜き加工後に上記中間部を折り曲
げた形状とした。
端子となるリードフレームの幅寸法を拡大するこ
とにあり、打抜き加工される３つのリードフレー
ムの形状を、並列して配列された３本のリードフ
レームのうち両端のリードフレームに中央のリー
ドフレームより遠ざかる中間部を設け、該中間部
の先端に中央のタブ端子に平行なタブ端子を設け
た形状とし、打抜き加工後に上記中間部を折り曲
げた形状とした。
打抜き加工後に中間部を折り曲げることによ
り、タブ端子相互間の距離は所要の寸法に調整で
きるため、リードフレームの先端を幅広のタブ端
子とすることができる。
り、タブ端子相互間の距離は所要の寸法に調整で
きるため、リードフレームの先端を幅広のタブ端
子とすることができる。
本考案の実施例を図面を参照して説明する。
第１図イは帯状在１をプレスにて打抜き加工し
た状態を示し、各リードフレーム９，１０及び１
１は打抜きにより残された連鎖帯２に一端が連結
され平行に配列される。
た状態を示し、各リードフレーム９，１０及び１
１は打抜きにより残された連鎖帯２に一端が連結
され平行に配列される。
そして、両端のリードフレーム９，１１には中
央のリードフレーム１０より遠ざかる方向に延び
る中間部１２，１３が延設され、中間部１２，１
３の先端より中央のリードフレーム１０の先端に
延設されるタブ端子１４に平行なタブ端子１５，
１６が延設される。
央のリードフレーム１０より遠ざかる方向に延び
る中間部１２，１３が延設され、中間部１２，１
３の先端より中央のリードフレーム１０の先端に
延設されるタブ端子１４に平行なタブ端子１５，
１６が延設される。
従つて、各タブ端子１４，１５及び１６は相互
の間隔が大となるため、幅寸法を大きくとること
ができる利点が生じタブ幅を自在に設計すること
ができる。
の間隔が大となるため、幅寸法を大きくとること
ができる利点が生じタブ幅を自在に設計すること
ができる。
そして、第１図ロに示すように、次工程で中間
部１２，１３が略直角に折り曲げられる。
部１２，１３が略直角に折り曲げられる。
その後の工程は、第２図に示すように、中央の
リードフレーム１０上に半導体部６がペレツト付
けされ更に半導体部６とリードフレーム９，１１
とがワイヤ７によつて接続され、第２図イの状態
から第２図ロの状態となる。
リードフレーム１０上に半導体部６がペレツト付
けされ更に半導体部６とリードフレーム９，１１
とがワイヤ７によつて接続され、第２図イの状態
から第２図ロの状態となる。
そして、更に次工程に送られて、各リードフレ
ーム９，１０，１１は樹脂パツケージ１７が被覆
され（第２図ハ参照）、各リードフレーム９，１
０，１１は連鎖帯２より切り離され（第２図ニ参
照）、タブ端子１４，１５，１６はホルダー１８
に嵌挿された後にプラスチツク製のハウジング１
９に挿入され、ハウジング１９とホルダー１８と
によつてFETコネクタとなる（第２図ホ参照）。
ーム９，１０，１１は樹脂パツケージ１７が被覆
され（第２図ハ参照）、各リードフレーム９，１
０，１１は連鎖帯２より切り離され（第２図ニ参
照）、タブ端子１４，１５，１６はホルダー１８
に嵌挿された後にプラスチツク製のハウジング１
９に挿入され、ハウジング１９とホルダー１８と
によつてFETコネクタとなる（第２図ホ参照）。
以上のように、リードフレーム９，１１の先端
に設けられた外方に延びる中間部１２，１３を折
り曲げることにより、中間部１２，１３の先端に
延設されるタブ端子１５，１６がタブ端子１４に
近接して所定の間隔に調整されるため、プレス打
抜き加工時においては各タブ端子の幅を幅広くし
ておくことが可能となつた。
に設けられた外方に延びる中間部１２，１３を折
り曲げることにより、中間部１２，１３の先端に
延設されるタブ端子１５，１６がタブ端子１４に
近接して所定の間隔に調整されるため、プレス打
抜き加工時においては各タブ端子の幅を幅広くし
ておくことが可能となつた。
従つて、FETコネクターをワイヤーハーネス
の信号線のコネクタとして使用することが可能と
なる。
の信号線のコネクタとして使用することが可能と
なる。
第１図及び第２図は本考案の実施例を示し、第
１図は打抜き加工時における各リードフレームの
配列及び形状を示す平面図、第２図はFETコネ
クタの製造過税説明図、第３図は従来例における
リードフレームの配列を示す平面図である。 １……帯状材、２……連鎖帯、６……半導体
部、７……ワイヤ、８……送り孔、９，１０，１
１……リードフレーム、１２，１３……中間部、
１４，１５，１６……タブ端子、１７……樹脂パ
ツケージ、１８……ホルダー、１９……ハウジン
グ、２０……放熱性樹脂。
１図は打抜き加工時における各リードフレームの
配列及び形状を示す平面図、第２図はFETコネ
クタの製造過税説明図、第３図は従来例における
リードフレームの配列を示す平面図である。 １……帯状材、２……連鎖帯、６……半導体
部、７……ワイヤ、８……送り孔、９，１０，１
１……リードフレーム、１２，１３……中間部、
１４，１５，１６……タブ端子、１７……樹脂パ
ツケージ、１８……ホルダー、１９……ハウジン
グ、２０……放熱性樹脂。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 リードフレームに於いて、 (1) 連鎖帯から三本のリードが並列に延在するこ
と、 (2) 前記三本のリードの先端部は、タブ端子とな
ること、 (3) 中央のリードには、半導体載置部が設けられ
ていること、 (4) 両側のリードのそれぞれは、中間部でのみ中
央のリードより遠ざかる方向に延在し、その他
の部分は中央のリードと平行に延在しているこ
と、 (5) 両側のリードのそれぞれは、中間部において
折り曲げられ、折り曲げられた部分の面が相対
向していること、 を特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987092072U JPH0438526Y2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987092072U JPH0438526Y2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201348U JPS63201348U (ja) | 1988-12-26 |
| JPH0438526Y2 true JPH0438526Y2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=30953439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987092072U Expired JPH0438526Y2 (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438526Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081850A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP1987092072U patent/JPH0438526Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081850A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63201348U (ja) | 1988-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6117709A (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH0973928A (ja) | 接続回路用導体およびその製造方法並びに電気接続装置 | |
| JP2000030834A (ja) | 基板用端子及びその製造方法 | |
| JPH0438526Y2 (ja) | ||
| JPS61216354A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JP3081701B2 (ja) | 電子部品の接続構造、電子部品の取付け板、回路板、並びにこれらを用いた組み立て完成品 | |
| JP3723237B2 (ja) | 小型電動機 | |
| JPH056666Y2 (ja) | ||
| JP2679112B2 (ja) | モジュール端子 | |
| JPS6050347B2 (ja) | シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JP3107648B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2737204B2 (ja) | プリント基板 | |
| JPS63207161A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2006155931A (ja) | 端子のメッキ保持方法及びこれを用いた端子 | |
| JP2812085B2 (ja) | Ｉｃリードフレームキャリア | |
| JP2684247B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS642440Y2 (ja) | ||
| JP2563611Y2 (ja) | ピンジャックユニット | |
| JPH021862Y2 (ja) | ||
| JP3019000B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JP2003100813A5 (ja) | ||
| JPS633461B2 (ja) | ||
| JPH0543477Y2 (ja) | ||
| JPS6225857Y2 (ja) | ||
| JPH0387051A (ja) | 面実装型二端子半導体装置 |