JPH0437604B2 - - Google Patents

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JPH0437604B2
JPH0437604B2 JP58056089A JP5608983A JPH0437604B2 JP H0437604 B2 JPH0437604 B2 JP H0437604B2 JP 58056089 A JP58056089 A JP 58056089A JP 5608983 A JP5608983 A JP 5608983A JP H0437604 B2 JPH0437604 B2 JP H0437604B2
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switching
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JP58056089A
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English (en)
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JPS59182626A (ja
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Hiromi Kusakabe
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04HBROADCAST COMMUNICATION
    • H04H40/00Arrangements specially adapted for receiving broadcast information
    • H04H40/18Arrangements characterised by circuits or components specially adapted for receiving
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/52Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
    • H03C1/54Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
    • H03C1/542Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
    • H03C1/545Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/603Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors with coupled emitters
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Stereo-Broadcasting Methods (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はスイツチング回路に係り、特に低電
圧動作化を図つたものに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、音響機器等を含む電子機器一般に広く適
用可能なスイツチング回路として第1図に示すよ
うに構成されたものが知られている。
すなわち、これはいわゆるGEゼニス方式と称
されるFMステレオ放送受信用のマルチプレツク
ス(MPX)デコーダのうち低電圧用に適用され
た場合であり、後述するダブリーバランス回路に
用いられる定電流源11,12はそれぞれI1,I2
なる直流分およびi,kiなる被スイツチング信号
としての交流分を含んでいる。ここで、kは図示
しないマトリクス回路によつて入力コンポジツト
信号に応じた交流電流iに対して定電流源12で
加算する比例定数であり、上述したGEゼニス方
式によるコンポジツト信号から左右信号の有効な
分離度を得るために導入された係数である。詳し
くは雑誌「ラジオ技術、1971年12月号ページ
269270」等の文献に紹介されている。
また、14は再生された副搬送波電圧V1の信
号源であり、その周波数は38kHzである。この副
搬送波電圧V1がスイツチング信号として両ベー
ス間に供給される差動対トランジスタ20,21
はそれらの共通エミツタに定電流源13を有して
いて、スイツチング信号用負荷抵抗24,25が
結合されたそれらの各コレクタに第2図aに示し
たような出力波形を生じる。この出力波形は上記
V1が理想的な方形波であつたとしても、トラン
ジスタによる遅延や浮遊容量等の影響によつてな
まつてしまうために、図示の如く波高値が電源1
5の電位Vccとなる台形波状(但し実線がトラン
ジスタ21側で、破線がトランジスタ20側)と
なるのが普通である。
そして、ダブリーバランス回路構成の二対の差
動対トランジスタ16,17,18,19はそれ
らの各共通コレクタ(但し16と18ならびに1
7と19)に出力用負荷抵抗22,23が結合さ
れていて、それらの各共通ベース(但し16と1
9ならびに17と18)に上述の台形波状出力が
スイツチング信号として供給されることにより、
上記定電流源11,12に結合されたそれらの各
共通エミツタ(但し16と17ならびに18と1
9)をスイツチングの遷移点として第2図bに示
すようなくさび状に電位降下した波形Aを生じ
る。
この現象により、上述した定電流源11,12
にかかる電圧は瞬間的にくさび状に低下する点が
存在することになる。
このため、電源電圧が低下するにつれて通常は
トランジスタで構成される定電流源11,12の
動作に必要なバイアス電圧が不足して動作不良を
招来してしまう。
従つて、第1図のスイツチング回路は低電圧用
とはいいながらも、一定の限界があつた。
なお、第2図bにおける波形Bは同図aの2つ
の波形のうち双方の大なる部分を合成したもので
あり、上述の波形Aの波高値は波形Bの波高値よ
り所定電位VFだけ降下した電位となつている。
ここで、VFはトランジスタのベース・エミツタ
間電圧である。
〔発明の目的〕
そこで、この発明は以上のような点に鑑みてな
されたもので、簡単な構成で可及的に低電圧動作
化を図り得るように改良した極めて良好なスイツ
チング回路を提供することを目的としている。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明によるスイツチング回路
は、ダブリーバランス回路を構成する二対の差動
対トランジスタの各共通エミツタに被スイツチン
グ信号に対応した交流分と所定の直流分を供給す
る二対の電流源と、前記二対の差動対トランジス
タの各共通ベースに対し少なくともいずれか一方
が必ず電源電位と略同電位となるスイツチング信
号を供給する回路手段とを具備してなることを特
徴としている。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき
詳細に説明する。
すなわち、第3図において16,17,18,
19は第1図の場合と同様の定電流源11,12
および出力用負荷抵抗22,23を有してなるダ
ブリーバランス回路構成の二対の差動対トランジ
スタであつて、それらの各共通ベース(但し、1
6と19ならびに17と18)にスイツチング信
号中継用トランジスタ31,32を介してスイツ
チング信号源となる4ビツトリングカウンタ33
からのQ1出力ならびにQ3から第4図a,bに示
す如く、双方が共に“0”レベルとなる期間が存
在するように互いの位相がずれた間欠信号が供給
される如くなされている。
なお、第3図中24,25はスイツチング信号
用負荷抵抗であり、15はVccなる電位を与える
電源であり、34は上記リングカウンタ33を駆
動するためのクロツクパルスを供給する信号源で
ある。
而して、以上の構成においてリングカウンタ3
3のQ1出力ならびQ3出力が“1”レベルのとき
に対応するスイツチング信号中継用のトランジス
タ31または32がオン状態になることにより、
スイツチング信号用負荷抵抗24または25に電
圧降下を生じることになる。
また、Q1出力ならびにQ3出力が共に“0”レ
ベルのときは、スイツチング信号中継用トランジ
スタ31,32は共にオフ状態となり、双方のコ
レクタ電位は電源15の電位Vccに略等しくなつ
ている。
第5図aはかかるスイツチング信号中継用トラ
ンジスタ31,32のコレクタ波形(但し実線は
トランジスタ31側で、破線がトランジスタ32
側)を示している。
つまり、この波形からも分るように、スイツチ
ング信号中継用トランジスタ31,32に対し、
双方が必ず共にオフ状態となる期間を設けること
により、必ずいずれか一方のコレクタ波形が電源
15の電位Vccと略同電位になるようにすること
ができる。
これによつて、かかるスイツチング信号中継用
トランジスタ31,32の各コレクタ出力をスイ
ツチング信号としてスイツチング作用を営むダブ
リーバランス回路構成の二対の差動対トランジス
タ16,17,18,19に各共通エミツタ(但
し16と17ならびに18と19)の波形は、第
5図bにように電源電位Vccからトランジスタの
ベースエミツタ間電圧VFを差し引いたVcc−VF
る電位以下にはいかなる状態でも降下することが
ない。
つまり、従来のように瞬間的にくさび状に電位
降下することがないから、電源電圧が低下しても
定電流源11,12に必要なバイアス電圧が不足
するようなことがなく、それだけ低電圧動作化を
図ることができるようになるものである。
第6図は以上のようなスイツチング回路のスイ
ツチング関数を図式的に示したもので、スイツチ
ング信号中継用トランジスタ31,32が共にオ
フ状態となる期間では、ダブリーバランス回路構
成の二対のトランジスタ16,17,18,19
がバランスする状態にあたるので、そのときに流
れる電流は半分ずつに分流することになる。
つまり、これを詳しくみてみるに、例えば定電
流源11の電流I1+iは一方の差動対トランジス
タ16,17がバランスしているので、出力用負
荷抵抗22および23に対し0.5ずつ分流するこ
とになる。そこで、ダブリーバランス回路の片側
のみを考えると第6図に示したようなスイツチン
グ関数が得られるものである。
この場合、バランス期間を図示の如く一般的に
τとし周期をTとすればスイツチング関数f(t)
次式のようになる。
f(t)=1/2+2/π{(cosπτ/T)sinωt+(
1/3cos3πτ/T)sinωt+(1/5cos5πτ/T)
sinωt+……} これは便宜上のために第5次高調波までを示し
たものであつて、基本波sinωt、第3次高調波
sin3ωtおよび第5次高調波sin5ωtの各レベルはそ
れぞれcosπτ/T、1/3cos3πτ/Tおよび1/5c
os5πτ/Tと なつている。これらとτ/Tとの関係を示したの
が第7図である。
そして、第7図において各余弦曲線が横軸をよ
ぎる点は、その該当する高調波成分が零になる
τ/Tを示している。例えばτ/Tを1/10にする
と第5次成分が且つ1/6にすると第3次成分がそ
れぞれ零となり、基本波成分はそれほど変化しな
い。
ところで、FMステレオ放送受信用のMPXデ
コーダ用の場合は、隣接チヤンネルによる副搬送
波の3倍近辺(38kHz×3=114kHz)の妨害成分
をバーデイノイズと称して高域除去フイルタ等を
挿入して対策している。
しかるに、この発明によるスイツチング回路を
用いて上述したようにτ/T=1/6にすると、上
記バーデイノイズをかなり軽減することができ
る。
なお、この発明は上記し且つ図示した実施例の
みに限定されることなく、この発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々の変形や適用が可能であること
は言う迄もない。
例えば、以上の実施例では用いるトランジスタ
としてNPNの場合について示したが、これを
PNPとして各定電流源や電源の極性を反転して
実施してもよいものである。
〔発明の効果〕
従つて、以上詳述したようにこの発明によれ
ば、簡単な構成で可及的に低電圧動作化を図り得
るように改良した極めて良好なるスイツチング回
路を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来のスイツチング回路の構
成説明図とそれの動作を説明するための各部波形
図であり、第3図乃至第5図はこの発明に係るス
イツチング回路の一実施例を示す構成説明図とそ
れの動作を説明するための各部の波形図であり、
第6図、第7図は同じくスイツチング関数を図式
的に示す図とそれのバランス期間と高調波レベル
との関係を示す図である。 11,12……定電流源、15……電源、16
〜19,31,32……トランジスタ、22〜2
5……抵抗、33……リングカウンタ、34……
信号線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ダブリーバランス回路を構成する二対の差動
    対トランジスタと、これら二対の差動対トランジ
    スタの各共通エミツタに被スイツチング信号に対
    応した交流分と所定の直流分を供給する二対の電
    流源と、前記二対の差動対トランジスタの各共通
    ベースに対し少なくともいずれか一方が必ず電源
    電位と略同電位となるスイツチング信号を供給す
    る回路手段とを具備してなることを特徴とするス
    イツチング回路。
JP58056089A 1983-03-31 1983-03-31 スイッチング回路 Granted JPS59182626A (ja)

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US4590433A (en) 1986-05-20
JPS59182626A (ja) 1984-10-17
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