JPH0436349B2 - - Google Patents

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JPH0436349B2
JPH0436349B2 JP57227918A JP22791882A JPH0436349B2 JP H0436349 B2 JPH0436349 B2 JP H0436349B2 JP 57227918 A JP57227918 A JP 57227918A JP 22791882 A JP22791882 A JP 22791882A JP H0436349 B2 JPH0436349 B2 JP H0436349B2
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JP
Japan
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circuit
voltage
comparison
logic
logic circuit
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JP57227918A
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JPS59119284A (ja
Inventor
Masao Shimizu
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Advantest Corp
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Advantest Corp
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は論理回路の機能試験を行なう論理回
路試験装置に関し特に被試験論理回路に不良があ
つたときの不良の要因を解析する論理回路の不良
解析装置に関する。
〈発明の背景〉 論理回路の機能試験を行なうにあたつては、論
理回路試験装置より論理回路試験用パターンを被
試験論理回路に印加しその結果得られた被試験論
理回路からのデータが所定の値であるか否かを判
定することにより不良解析をするようにしてい
る。
このような論理回路の不良解析装置の従来の構
成例を第1図に示す。第1図において101は被
試験論理回路を示し、試験時に電圧比較回路10
2,103に出力データ104を印加する。電圧
比較回路102,103は基準電圧入力端子10
5,106から入力された基準電圧と被試験論理
回路101の出力104との電圧比較を、端子1
07から印加されたストローブパルスのタイミン
グで行ない、比較結果を次にストローブパルスが
入力されるまで保持する。
108はAND回路であり、端子109より入
力される期待値データが「1」のとき、電圧比較
回路102で比較した結果を、OR回路110を
介してレジスタ111に印加する。112は
AND回路であり、端子109より入力される期
待値データが「0」のとき、電圧比較回路103
で比較した結果を、OR回路110を介してレジ
スタ111に印加する。
レジスタ111はOR回路110より印加され
た比較結果を端子107より印加されたストロー
ブパルスを遅延回路113により遅らせたタイン
グにより取り込む。114はレジスタ111に取
り込まれた比較結果を格納する記憶回路である。
電圧比較回路102,103に印加される基準
電圧は、被試験論理回路の出力電圧が「1」であ
るか「0」であるかの基準を定めるものであり、
例えば被試験論理回路の出力電圧が「1」である
事を示す最小電圧を「1」を定めるる基準電圧と
し、被試験論理回路の出力電圧が「0」であるこ
とを示す最大電圧を「0」を定めるための基準電
圧としている。
第2図は第1図に示す不良解析装置の動作を説
明するためのタイムチヤートである。試験時にお
いて電圧比較回路102,103に被試験論理回
路101からの出力電圧104が印加されると、
電圧比較回路102はストローブパルス107の
タイミングで「1」を検出する基準電圧105と
の比較が行なわれ(201,202)、電圧比較
回路103はストローブパルス107のタイミン
グで「0」を検出する基準電圧106との比較が
行なわれる(203,204)。
論理回路試験装置の試験パターン発生器(図示
せず)からは、ストローブパルス107に同期し
て端子109より期待値パターンが印加され、期
待値パターンが「1」のとき電圧比較回路102
の比較結果と期待値パターンとをAND回路10
8で論理比較し、期待値パターンが「0」のとき
電圧比較回路103の比較結果と期待値パターン
の反転信号とをAND回路112で論理比較する。
AND回路108,112の出力はOR回路11
0に与えられ、このためOR回路110の出力信
号117には期待値109が「0」のときの比較
結果205,206、期待値が「1」のときの比
較結果207,208があらわれる。この例では
ハイレベルの信号205,208により、被試験
論理回路からの出力データが期待値と不一致であ
つたこと、すなわち不良であることを示してい
る。出力信号117は遅延回路113で遅延され
たストローブパルス118のタイミングでレジス
タ111に取り込まれ、その取り込まれた比較結
果を示す信号119は記憶回路114に格納され
る。
このように従来の論理回路の不良解析装置にお
いては、期待値パターンにより電圧比較回路10
2,103で比較した結果を選択して論理比較し
て、その結果を記憶回路に取り込むようにしてい
た。このため被試験論理回路からの出力電圧が2
つの基準電圧の間の値である場合には、他の場合
の不良との区別ができなかつた。
すなわち第3図において被試験論理回路からの
出力電圧が基準電圧105と106の中間の電圧
になること(305,306)がある場合の従来
の不良解析装置の動作を示している。中間の電圧
の信号305,306により、電圧比較回路10
2の出力115は、信号305,306が基準電
圧105よりも低いため高レベルとなり(30
0,302)、電圧比較回路103の出力116
は信号305,306が基準電圧106よりも高
いため高レベルとなる(301,303)。
しかし期待値が「0」のときはAND回路10
8が閉じられ、期待値「1」のときはAND回路
112が閉じられるため、信号300及び信号3
03はOR回路110に伝達されず、したがつて
記憶回路114に取り込まれない。すなわち被試
験論理回路からの信号104中の信号305は、
期待値「0」のときは基準電圧105よりも高い
電圧の信号304と区別されず、信号306は期
待値が「1」のときは基準電圧106よりも低い
電圧の信号307と区別されない。
このように従来の論理回路の不良解析装置にお
いては、被試験論理回路からの出力電圧の「1」
「0」の判定をすることはできるが、出力電圧が
「1」と「0」の中間の値であることを判定する
ことができない。最近の論理回路素子には出力端
子あるいは入出力端子が論理「1」あるいは論理
「0」を出力すると共に論理回路素子の機能に応
じて高インピーダンス状態になるものが多く、こ
の高インピーダンス状態についても試験をする必
要がある。
被試験論理回路の出力が高インピーダンス状態
のときの出力電圧は、その出力に接続されている
負荷回路によつて決まり、通常「0」のレベルと
「1」のレベルの中間の電圧となる。したがつて
従来の不良解析装置によれば、高インピーダンス
状態であることが判定できず、論理「1」又は
「0」でないことによる不良と高インピーダンス
状態であることとを区別することができないとい
う欠点があつた。
〈発明の的〉 この発明は上記の欠点を除去して、被試験論理
回路の出力電圧が論理「1」と「0」の決定をす
るための2つの基準電圧の間にある事を検出で
き、したがつて被試験論理回路の出力が高インピ
ーダンス状態である場合の判定をすることができ
る論理回路の不良解析装置を提供しようとするも
のである。
〈発明の概要〉 この発明は期待値パターンと論理比較した比較
結果の他に、2組の電圧比較回路からの比較結果
もあわせて記憶回路に格納し、これら格納された
比較結果と期待値情報とを用いて、判定手段によ
り被試験論理回路の出力状態を判定するようにし
ている。従つて被試験論理回路の出力が論理的に
不良であるか否かの解析に加え、その出力が論理
「0」と「1」の中間の状態、すなわち被試験論
理回路の出力が高インピーダンス状態であるか否
かの検出をすることが可能である。
〈発明の実施例〉 この発明による論理回路の不良解析装置の一実
施例を第4図に示す。第4図において401〜4
19は第1図における101〜119と同じ機能
を有する。図中420は電圧比較回路402で基
準電圧405と被試験論理回路の出力とを比較し
た結果を、遅延回路413を介して遅れたストロ
ープパルスのタイミングで取り込むレジスタであ
る。421は同様に、電圧比較回路403で比較
した結果を、遅延回路413を介して遅れたスト
ローブパルスのタイミングで取り込むレジスタを
示す。レジスタ420、レジスタ421に取り込
まれた比較結果は、レジスタ411に取り込まれ
た期待値との論理比較の結果とともに同時に記憶
回路414に印加され格納される。
430はデータプロセツサであり、記憶回路4
14に格納された比較結果を読み出し、これらの
データと期待値情報に基づいて、被試験論理回路
より出力されるデータの論理が期待値パターンと
不一致のときの被試験論理回路の出力電圧が、基
準電圧405と基準電圧406の中間にあるか否
かを判定する。
第5図は第4図に示すこの発明による論理回路
の不良解析装置の動作を説明するためのタイムチ
ヤートである。試験時において、被試験論理回路
401より出力が電圧比較回路402,403に
印加される。電圧比較回路402では論理「1」
を判定するための高電位基準電圧405との比較
がストローブパルス407のタイミングで行なわ
れ、電圧比較回路403では論理「0」を判定す
るための低電位基準電圧406との比較がストロ
ーブパルス407のタイミングで行なわれる。
電圧比較回路402からは、基準電圧405よ
り被試験論理回路の出力電圧が高いときは「0」
が出力され(501)、低いときは「1」が出力
される(502,503)。電圧比較回路403
からは、基準電圧406より被試験論理回路の出
力電圧がが高いときは「1」が出力され(50
4,505)低いときは「0」が出力される
((506)。電圧比較回路402,403からの
比較結果は、AND回路408,412において
期待値パターンにより選択されて論理比較され、
その比較結果はストローブパルス407の遅延回
路413により遅れた信号418によるタイミン
グでレジスタ411に取り込まれ、記憶回路41
4に印加される。(507,508)。
同時に電圧比較回路402,403で比較され
た結果は、遅延されたストローブパルス418に
よりレジスタ420,421に取り込まれ、記憶
回路414に印加される(509,510)。
このようにして記憶回路414に格納された比
較結果はデータプロセツサ430により読み出さ
れ、被試験論理回路の不良解析がおこなわれる。
データプロセツサ430はレジスタ411から記
憶回路414に印加された信号419により被試
験論理回路の出力の論理が期待値と不一致であつ
たことを判定し、さらにレジスタ420,421
から印加された信号422,423により、期待
値と不一致であつたときの被試験論理回路の出力
電圧が、基準電圧よりも大または小、あるいは2
つの基準電圧の中間であつたかを判定する。
すなわち期待値が「0」であつてかつ論理が不
一致であつた場合、電圧比較回路402において
比較した結果が「1」であれば被試験論理回路の
出力が基準電圧405と基準電圧406の中間で
あつたことが判定でき(第5図522)、また電
圧比較回路402において比較した結果が「0」
であれば基準電圧405よりも大であつたことが
判定できる(521)。また期待値が「1」であ
つてかつ論理が不一致であつた場合には、電圧比
較回路403において比較した結果が「1」であ
れば被試験論理回路の出力電圧が基準電圧405
と406の中間であつたことが判定でき(52
3)、電圧比較回路403において比較した結果
が「0」であれば出力電圧は基準電圧406より
小であつたことが判定できる(524)。
〈発明の効果〉 このようにこの発明によれば被試験論理回路の
出力電圧が2つの基準電圧の中間にある場合を検
出することができるため、被試験論理回路の出力
端子が高インピーダンス状態にあることを判定す
ることができる。したがつて出力端子あるいは入
出力端子が論理「1」あるいは論理「0」を出力
するとともに、その機能に応じて高インピーダン
ス状態となるような論理回路素子の試験をするこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の論理回路の不良解析装置の構成
を示すブロツク図、第2図は第1図の不良解析装
置の動作を説明するためのタイムチヤート、第3
図は第1図の不良解析装置において2つの基準電
圧の中間の出力電圧が印加された場合の動作を説
明するためのタイムチヤート、第4図はこの発明
による論理回路の不良解析装置の一実施例を示す
ブロツク図、第5図は第4図に示すこの発明によ
る論理回路の不良解析装置の動作を説明するため
のタイムチヤートである。 101,401…被試験論理回路、102,1
03,402,403…電圧比較回路、108,
112,408,412…AND回路、110,
410…OR回路、113,413…遅延回路、
111,411,420,421…レジスタ、1
14,414…記憶回路、430…データプロセ
ツサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 論理回路の機能試験を行う論理回路試験装置
    において、 A 被試験論理回路より出力されるデータと基準
    電圧の比較を行なう2組の電圧比較回路と、 B この電圧比較回路からの比較結果と期待値パ
    ターンの比較を行なう論理比較回路と、 C この論理比較回路からの比較結果と上記電圧
    比較回路からの比較結果とを格納する記憶回路
    と、 D この記憶回路に格納された結果により、期待
    値パターンと不一致の時の被試験論理回路の出
    力の状態が上記2組の電圧比較回路に与えられ
    た2組の基準電圧の中間にあるか否かを判定す
    る判定手段と、 を有することを特徴とする論理回路の不良解析装
    置。
JP57227918A 1982-12-27 1982-12-27 論理回路の不良解析装置 Granted JPS59119284A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57227918A JPS59119284A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 論理回路の不良解析装置

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JP57227918A JPS59119284A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 論理回路の不良解析装置

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JPS59119284A JPS59119284A (ja) 1984-07-10
JPH0436349B2 true JPH0436349B2 (ja) 1992-06-15

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ID=16868334

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JP57227918A Granted JPS59119284A (ja) 1982-12-27 1982-12-27 論理回路の不良解析装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54136181A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Agency Of Ind Science & Technol Test method for semiconductor memory unit of tri-state output

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54136181A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Agency Of Ind Science & Technol Test method for semiconductor memory unit of tri-state output

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JPS59119284A (ja) 1984-07-10

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