JPS59119284A - 論理回路の不良解析装置 - Google Patents

論理回路の不良解析装置

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JPS59119284A
JPS59119284A JP57227918A JP22791882A JPS59119284A JP S59119284 A JPS59119284 A JP S59119284A JP 57227918 A JP57227918 A JP 57227918A JP 22791882 A JP22791882 A JP 22791882A JP S59119284 A JPS59119284 A JP S59119284A
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Masao Shimizu
雅男 清水
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は論理回路の機能試験を行なう論理回路試験装
置(こ関し特に被試験論理回路に不良があったときの不
良の要因を解析する論理回路の不良解析装置をこ関する
〈発明の背景〉 論理回路の機能試験を行なう(こあたっては、論理回路
試験装置より論理回路試験用パターンを被試験論理回路
に印加しその結果得られた被試験論理回路からのデータ
が所定の値であるか否かを判定すること(こより不良解
析をするようにしている。
このような論理回路の不良解析装置の従来の構成例を第
1図番こ示す。第1図において101は被試験論理回路
を示し、試験時に電圧比較回路102.103に出力デ
ータ104を印加する。電圧比較回路102.103は
基準電圧入力端子105.106から入力された基準電
圧と被試験論理回路101の出力104との電圧比較を
、端子107から印加されたストローブパルスのタイミ
ングで行ない、比較結果を次にストロープノくルスが入
力されるまで保持する。
108はAND回路であり、端子109より入力される
期待値データが「1」のとき、電圧比較回路102で比
較した結果を、OR回路110を介してレジスタ10」
こ印加する。112はAND回路であり、端子109よ
り人力される期待値データが「0」のとき、電圧比較回
路103で比較した結果を、OR回路110を介してレ
ジスタ111 G、n 印加する。
レジスタ111はOR回路110より印加された比較結
果を端子107まり印加されたストローブパルスを遅延
回路113(こより遅らせた夕・1ミングをこより取り
込む。114はレジスタ1114こ取り込まれた比較結
果を格納する記憶回路である。
電圧比較回路102.101こ印加される基準電圧は、
被試験論理回路の出力電圧が「1」であるか「0」であ
るかの基準を定めるものであり、例えば被試験論理回路
の出力電圧が「1」である事を示す最小電圧を「1」を
定め色基準電圧とし、被試験論理回路の出力電圧が「0
」であることを示す最大電圧を「0」を定めるための基
準電圧としている。
第2は目上第1図(こボす不良解析装置の動作を説明す
るためのタイムチャートである。試験時において電圧比
較回路102.103に被試験論理回路101からの出
力電圧104が印加されると、電圧比較回路102はス
トローブパルス107のタイミングで「1」を検出する
基準電圧105との比1咬が行なわれ(201,202
) 、電圧比較回路103はストローブパルス107の
タイミングで「0」を検出する基準電圧106との比較
が行なわれる(203.204)。
論理回路試験装置の試験パターン発生器(図示せず)か
らは、ストローブパルス107番こ同期して端子109
より期待値パターンが印加され、期待値パターンが「1
」のとき電圧比較回路102の比較結果と期待値パター
ンとをAND回路108で論理比較し、期待値パターン
が「0」のとき電圧比較回路103の比較結果と期待値
パターンの反転信号とをAN’D回路112で論理比較
する。
ANL) 回路tos、112ノ出力Ji OR回路1
10に万一えられ、このためOR回路110の出力信号
117Gこは期待値109が「0」のときの比較結果2
05.2067期待値が「1」のときの比較結果207
.208があられれる。この例では)Sイレベルの信号
205.208+こより、被試験論理回路からの出力デ
ータが期待値と不一致であったこと、すなわち不良であ
ることを示している。出力信号117は遅延回路113
で遅延されたストローブパルス1.18のタイミングで
レジスタ111(こ取り込まれ、その取り込まれた比較
結果を示す信号119は記憶回路114(こ格納される
このようGこ従来の論理N路の不良解析装置昏こおいて
は、期待値パターン(こより電圧比較回路102.10
3で比較した結果を選択して論理比較して、その結果を
記憶回路(こ取り込むようGこしていた。このため被試
験論理回路からの出力電圧が2つの基準電圧の間の値で
ある場合(こは、他の場合の不良との区別ができなかっ
た。
すなわち第3図において被試験論理回路からの出力電圧
が基準電圧105と106の中間の電圧Qこなること(
305,306)がある場合の従来の不良解析装置の動
作を示している。中間の電圧の信号305.306&こ
より、電圧比較回路102の出力115は、信号305
.306が基準電圧105よりも低いため高レベルとな
り(300,302)、電圧比較回路103の出力11
6は信号305.306が基準電圧106よりも高いた
め高レベルとなる(301.303)。
しかし期待値が「0」のときはAND回路108が閉じ
られ、期待値が「1」のときはAND回路112が閉じ
られるため、信号300及び信号303はOR回路11
0&こ伝達されず、したがって記憶回路114Gこ取り
込まれない。すなわち被試験論理回路からの信号104
中の信号305は、期待値が「0」のときは基準電圧1
05よりも高い電圧の信号304と区別されず、信号3
06は期待値が「1」のときは基準電圧106よりも低
い電圧の信号307と区別されない。
このようGこ従来の論理回路の不良解析装置(こおいて
は、被試験論理回路からの出力電圧の「1」 「0」の
判定をすることはできるが、出力電圧が「1」と「0」
の中間の値であることを判定することができない。最近
のWL理回路素子Gこは出力端子あるいは入出力端子が
論理「1」あるいは論理「0」を出力すると共をこ論理
回路素子の機能(こ応じて高インピーダンス状態になる
ものが多く、この高インピーダンス状態番こついても試
験をする必要がある。
被試験論理回路の出力が高インピーダンス状態のときの
出力電圧は、その出力(こ接続されている負荷回路をこ
まって決まり、通常「0」のレベルと「l]のレベルの
中間の電圧となる。したがって従来の不良解析装置Gこ
よれば、高インピーダンス状態であることが判定できず
、論理「1」又は「0」でないことによる不良と高イン
ピーダンス状態であることとを区別をすることができな
いという欠点があった。
〈発明の目的〉 この発明は上記の欠点を除去して、被試験論理回路の出
力電圧が論理「1」と「0」の決定をするための2つの
基準電圧の間にある事を検出でき、したがって被試験論
理回路の出力が高インピーダンス状態である場合の判定
をすることができる論理回路の不良解析装置を提供しよ
うとするものである。
〈発明の概要〉 この発明は期待値パターンと論理比較した比較結果の他
(こ、2組の電圧比較回路からの比較結果もあわせて記
憶回路に格納し、これら格納された比較結果と期待値情
報とを用いて、判定手段(こより被試験論理回路の出力
状態を判定するよ、う(こしている。従って被試験論理
回路の出力が論理的曇こ不良であるか否かの解析に加え
、その出力か論理「0」と「1」の中間の状態、すなわ
ち被試験論理回路の出力が屑〜インピーダンス状態であ
るか否かの検出をすることが可能である。
〈発明の実施例〉 この発明をこよる論理回路の不良解析装置の一実施例を
第41に口こ示す。第4図(こお(・て401〜419
は第1図番こおける101〜119と同じ機能を有する
。図中420は電圧比較回路402で基準電圧405と
被試験論理回路の出力とを比較した結果を、遅延回路4
13を介して遅れたストローフ。
パルスのタイミングで取り込むレジスタである。
421は同様(こ、電圧比較回路403で比較した結果
を、遅延回路413を介して遅れたストローブパルスの
タイミングで取り込むレジスタを示す。
レジスタ420、レジスタ421に取り込まれた比較結
果ζよ、レジスタ411番こ取り込まれた期待値との論
理比較の結果とともに同時に記憶回路414&こ印加さ
れ格納される。
430ハデータプロセツサであり、記憶回路414(こ
格納された比較結果を読み出し、これらのデータと期待
値情報に基づいて、被試験論理回路より出力されるデー
タの論理が期待値パターンと不一致のときの被試験論理
回路の出力電圧が、基準電圧405と基準電圧406の
中間にあるか否かを判汁する。
第5図は第4図に示すこの発明による論理回路の不良解
析装置の動作を説明するためのタイムチャートである。
試験時において、被試験論理回路401より出力が電圧
比較回路402.403に印加される。電圧比較回路4
02では論理rlJを判定するための高電位基準電圧4
05との比較がストローブパルス407のタイミングで
行なわれ、電圧比較回路403では論理「0」を判定す
るための低電位基準電圧406との比較がストローブパ
ルス407のタイミングで行なわれる。
電圧比較回路402からは、基準電圧405より被試験
論理回路の出力電圧が高いときは「0」が出力され(5
01) 、低いときは「1」が出力される( b02.
503 )。電圧比較回路403がらは、基準電圧40
6より被試験論理回路の出力電圧が高いときは「1」が
出力され(604,505)低いときは「0」が出力さ
れる(506)。電圧比較回路402.403からの比
較結果は、AND回路408.412において期待値パ
ターン番こより選択されて論理比較され、その比較結果
はストローブパルス407の遅延回路413により遅れ
た信号418番こよるタイミングでレジスタ411(こ
取り込まれ、記憶回路414に印加される。(507,
508) 同時に電圧比較回路402.403で比較された結果は
、遅延されたストローブパルス418Gl。
リレジスタ420.42Hこ取り込まれ、記憶回路41
4(こ印加される(509.510)。
このようにして記憶回路414に格納された比較結果は
データプロセッサ430をこより読み出され、被試験論
理回路の不良解析がおこなわれる。
データプロセッサ430はレジスタ411から記憶回路
414昏こ印加された信号419&こより被試験論理回
路の出力の論理が期待値と不一致であったことを判定し
、さらにレジスタ420.421から印加された信号4
22.423Gこより、期待値と不一致であったときの
被試験論理回路の出力電圧が、基準電圧よりも大または
小、あるいは2つの基準電圧の中間であったかを判定す
る。
すなわち期待値が「0」であってかつ論理が牛一致であ
った場合、電圧比較回路402 Gこおいて比較した結
果が「1」であれば被試験論理回路の出力が基準電圧4
05と基準電圧406の中間であったことが判定でき(
第5図522 ) 、また電圧比較回路402(こおい
て比較した結果が「0」であれば基準電圧405よりも
大であったことが判定できる( 521 )。また期待
値が「1」であってかつ論理が不一致であった場合をこ
は、電圧比較回路403において比較した結果が「1」
であれば被試験論理回路の出力電圧が基準電圧405と
406の中間であったことが判定でき(523’) 、
電圧比較回路403番こおいて比較した結果が「0」で
あれば出力電圧は基準電圧406より小であったことが
判定できる( 524 )。
〈発明の効果〉 このよう(ここの発明によれば被試験論理回路の出力電
圧が2つの基準電圧の中間にある場合を検出することが
できるため、被試験論理回路の出力端子が高インピーダ
ンス状態(こあることを判定することができる。したが
って出力端子あるいは入出力端子が論理「1」あるいは
論理rOJを出力するとともをこ、その機能に応じて高
インピーダンス状態となるような論理回路素子の試験を
することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の論理回路の不良解析装置の構成を示すフ
ロック図、第2図は第1図の不良解析装置の動作を説明
するためのタイムチャート、第3図は第1図の不良解析
装置において2つの基準電圧の中間の出力電圧が印加さ
れた場合の動作を説明するためのタイムチャート、第4
図はこの発明(二よる論理回路の不良解析装置の一実施
例を示すブロック図、第5図は第4図に示すこの発1升
による論理回路の不良解析装置の動作を説明するための
タイムチャートである。 ■旧、401:被試験論理回路 102.103.402.4o3:電圧比較回路108
.112.408.412 : AND回路110.4
10:OR回路 113.413:遅延回路 111.411.420.421:レジスタ114.4
14:記憶回路 430:データプロセッサ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 論理回路の機能試験を行なう論理回路試験装置において
    、 A、被試験論理回路より出力されるデータと基準電圧の
    比較を行なう2組の電圧比較回路と、B この電圧比較
    回路からの比較結果と期待値パターンの比較を行なう論
    理比較回路と、C0この論理比較回路からの比較結果と
    」1記電圧比較回路からの比較結果とを格納する記憶回
    路と、 D、この記憶回路番ここれらの比較結果とそのときの期
    待値パターン(こ基づいて、被試験論理回路より出力さ
    れるデータが期待値パターンと不一致の時の被試験論理
    回路の出力の状態が上記2組の電圧比較回路に与えられ
    た2組の基準電圧の中間にあるか否かを判定する判定手
    段と、 を有することを特徴とする論理回路の不良解析装置
JP57227918A 1982-12-27 1982-12-27 論理回路の不良解析装置 Granted JPS59119284A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54136181A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Agency Of Ind Science & Technol Test method for semiconductor memory unit of tri-state output

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54136181A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Agency Of Ind Science & Technol Test method for semiconductor memory unit of tri-state output

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