JPH04363057A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04363057A JPH04363057A JP4246991A JP4246991A JPH04363057A JP H04363057 A JPH04363057 A JP H04363057A JP 4246991 A JP4246991 A JP 4246991A JP 4246991 A JP4246991 A JP 4246991A JP H04363057 A JPH04363057 A JP H04363057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- lead frame
- die pad
- holes
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに関し、
更に詳細にはプレス加工によって成形され、半導体チッ
プを搭載するダイパッドに複数個の貫通孔が穿設されて
いるリードフレームに関する。
更に詳細にはプレス加工によって成形され、半導体チッ
プを搭載するダイパッドに複数個の貫通孔が穿設されて
いるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、使用されているリードフレームに
は、図４に示す様に、中央部に半導体チップを搭載する
ダイパッド１０が設けられているリードフレームＡがあ
る。かかるリードフレームＡは、ダイパッド１０に半導
体チップが搭載された後、通常、樹脂封止される。とこ
ろで、通常、ダイパッド１０は金属製であるため、ダイ
パッド１０の両面側に形成される封止樹脂層を形成する
樹脂との化学的親和性が劣る。このため、表面が平坦な
ダイパッド１０では封止樹脂層との剥離が発生し易い。 従来、この様な剥離防止のため、ダイパッド１０上にデ
ィンプル加工を施して複数個の凹部を形成することによ
って、封止樹脂層のダイパッド１０へのくい付きを良好
にし、両者を物理的に連結することが行われている。
は、図４に示す様に、中央部に半導体チップを搭載する
ダイパッド１０が設けられているリードフレームＡがあ
る。かかるリードフレームＡは、ダイパッド１０に半導
体チップが搭載された後、通常、樹脂封止される。とこ
ろで、通常、ダイパッド１０は金属製であるため、ダイ
パッド１０の両面側に形成される封止樹脂層を形成する
樹脂との化学的親和性が劣る。このため、表面が平坦な
ダイパッド１０では封止樹脂層との剥離が発生し易い。 従来、この様な剥離防止のため、ダイパッド１０上にデ
ィンプル加工を施して複数個の凹部を形成することによ
って、封止樹脂層のダイパッド１０へのくい付きを良好
にし、両者を物理的に連結することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この様にリードフレー
ムのダイパッド１０にディンプル加工を行うことによっ
て、ダイパッド１０と封止樹脂層との接着性を改善する
ことができる。しかし、ダイパッド１０に搭載する半導
体チップのサイズが大型化されると、ダイパッド１０の
サイズも半導体チップに合わせて大型化することを要す
る。一方、ダイパッド１０が大型となると、ディンプル
加工を施したダイパッド１０であっても、封止樹脂層の
ダイパッド１０へのくい付きが不足するため、ダイパッ
ド１０と封止樹脂層との剥離が発生することがある。本
発明者は、この様な剥離現象を防止すべく、ダイパッド
１０に図５に示す貫通孔１２の複数個を穿設し、貫通孔
の各々において、半導体チップ搭載側の開口部近傍に、
前記開口部面積が反対側の開口部面積よりも大となる逆
テーパー部１４を設けることによって、封止樹脂層のダ
イパッド１０へのくい付きを更に向上せんと試みた。し
かしながら、逆テーパー部１４をプレス加工によって形
成する場合は、通常、先ず貫通孔を穿設した後、貫通孔
の周縁部をコイニングすることによって形成するため、
コイニングされて排除される部分の逃げ場がなく、ダイ
パッド１０が変形することが判明した。
ムのダイパッド１０にディンプル加工を行うことによっ
て、ダイパッド１０と封止樹脂層との接着性を改善する
ことができる。しかし、ダイパッド１０に搭載する半導
体チップのサイズが大型化されると、ダイパッド１０の
サイズも半導体チップに合わせて大型化することを要す
る。一方、ダイパッド１０が大型となると、ディンプル
加工を施したダイパッド１０であっても、封止樹脂層の
ダイパッド１０へのくい付きが不足するため、ダイパッ
ド１０と封止樹脂層との剥離が発生することがある。本
発明者は、この様な剥離現象を防止すべく、ダイパッド
１０に図５に示す貫通孔１２の複数個を穿設し、貫通孔
の各々において、半導体チップ搭載側の開口部近傍に、
前記開口部面積が反対側の開口部面積よりも大となる逆
テーパー部１４を設けることによって、封止樹脂層のダ
イパッド１０へのくい付きを更に向上せんと試みた。し
かしながら、逆テーパー部１４をプレス加工によって形
成する場合は、通常、先ず貫通孔を穿設した後、貫通孔
の周縁部をコイニングすることによって形成するため、
コイニングされて排除される部分の逃げ場がなく、ダイ
パッド１０が変形することが判明した。
【０００４】そこで、本発明の目的は、逆テーパー部を
一部に有する貫通孔の複数個がダイパッドに変形を伴う
ことなく穿設され、ダイパッドと封止樹脂層との剥離現
象が発生し難いリードフレームを提供することにある。
一部に有する貫通孔の複数個がダイパッドに変形を伴う
ことなく穿設され、ダイパッドと封止樹脂層との剥離現
象が発生し難いリードフレームを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく鋭意検討した結果、貫通孔の周壁面から放射
方向に端面が延びるスリットを形成することによって、
貫通孔に逆テーパー部を形成するコイニングの際に、ダ
イパッドの変形が生じ難くなることを見い出し、本発明
に到達した。
達成すべく鋭意検討した結果、貫通孔の周壁面から放射
方向に端面が延びるスリットを形成することによって、
貫通孔に逆テーパー部を形成するコイニングの際に、ダ
イパッドの変形が生じ難くなることを見い出し、本発明
に到達した。
【０００６】すなわち、本発明は、プレス加工によって
成形され、半導体チップを搭載するダイパッドに複数個
の貫通孔が穿設されているリードフレームにおいて、該
貫通孔の各々に半導体チップ搭載側の開口部から反対側
の開口部方向に断面積が次第に小となる逆テーパー部が
形成され、且つ前記貫通孔の各々の周壁面から先端が放
射方向に延びるスリットが形成されていることを特徴と
するリードフレームにある。
成形され、半導体チップを搭載するダイパッドに複数個
の貫通孔が穿設されているリードフレームにおいて、該
貫通孔の各々に半導体チップ搭載側の開口部から反対側
の開口部方向に断面積が次第に小となる逆テーパー部が
形成され、且つ前記貫通孔の各々の周壁面から先端が放
射方向に延びるスリットが形成されていることを特徴と
するリードフレームにある。
【０００７】かかる構成の本発明において、貫通孔の周
壁面から放射方向に延びて形成された三本以上のスリッ
トの互いに隣接するスリットとの間に挟まれ且つ一部が
貫通孔に臨む片状部内に、逆テーパー部が形成されてい
ることが、貫通孔に逆テーパー部を形成する際のダイパ
ッドの変形を充分に吸収することができる。
壁面から放射方向に延びて形成された三本以上のスリッ
トの互いに隣接するスリットとの間に挟まれ且つ一部が
貫通孔に臨む片状部内に、逆テーパー部が形成されてい
ることが、貫通孔に逆テーパー部を形成する際のダイパ
ッドの変形を充分に吸収することができる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、ダイパッドに形成された貫通
孔に逆テーパー部をコイニングによって形成する際に、
逆テーパー部の形成によって排除されるダイパッドの部
分が貫通孔の壁面から放射方向に先端が延びて形成され
たスリット内及び貫通孔内に逃げることができるため、
ダイパッドの変形を回避できるのである。また、貫通孔
の逆テーパー部に侵入して固化した樹脂が封止樹脂層の
アンカー部となるため、複数個の前記貫通孔が穿設され
ているダイパッドと封止樹脂層とが強固に連結されて両
者の剥離を防止することができる。
孔に逆テーパー部をコイニングによって形成する際に、
逆テーパー部の形成によって排除されるダイパッドの部
分が貫通孔の壁面から放射方向に先端が延びて形成され
たスリット内及び貫通孔内に逃げることができるため、
ダイパッドの変形を回避できるのである。また、貫通孔
の逆テーパー部に侵入して固化した樹脂が封止樹脂層の
アンカー部となるため、複数個の前記貫通孔が穿設され
ているダイパッドと封止樹脂層とが強固に連結されて両
者の剥離を防止することができる。
【０００９】
【実施例】本発明を図面を用いて更に説明する。図１は
本発明の一実施例を示す正面図であり、ダイパッド１０
に穿設された貫通孔１２の周壁面から放射方向に三本の
スリット１６、１６、１６が形成されている。かかる貫
通孔１２において、半導体チップ搭載側の開口部近傍に
逆テーパー部１４が形成されている。この逆テーパー部
１４は、図５に示す様に、半導体チップ搭載側の貫通孔
の開口部面積が最大となるように形成されているもので
ある。本実施例では、図５に示す逆テーパー部１４は図
１において破線の斜線で示す部分１４に相当する。この
部分１４は、隣接するスリット１６、１６との間に挟ま
れ且つ一部が貫通孔１２に臨む片状部１８に形成されて
いる。この様な片状部１８に逆テーパー部１４をプレス
加工によって形成する際に、逆テーパー部１４の形成に
よって排除される部分に相当する部分がスリット１６内
及び貫通孔１２内に逃げることができ、ダイパッド１０
を変形をさせたりする事態を避けることができる。
本発明の一実施例を示す正面図であり、ダイパッド１０
に穿設された貫通孔１２の周壁面から放射方向に三本の
スリット１６、１６、１６が形成されている。かかる貫
通孔１２において、半導体チップ搭載側の開口部近傍に
逆テーパー部１４が形成されている。この逆テーパー部
１４は、図５に示す様に、半導体チップ搭載側の貫通孔
の開口部面積が最大となるように形成されているもので
ある。本実施例では、図５に示す逆テーパー部１４は図
１において破線の斜線で示す部分１４に相当する。この
部分１４は、隣接するスリット１６、１６との間に挟ま
れ且つ一部が貫通孔１２に臨む片状部１８に形成されて
いる。この様な片状部１８に逆テーパー部１４をプレス
加工によって形成する際に、逆テーパー部１４の形成に
よって排除される部分に相当する部分がスリット１６内
及び貫通孔１２内に逃げることができ、ダイパッド１０
を変形をさせたりする事態を避けることができる。
【００１０】また、逆テーパー部１４が、図２に示す様
に、隣接するスリット１６、１６の先端を結ぶ直線、前
記スリット１６、１６ 、及び貫通孔１２によって囲ま
れる片状部１８内に含まれるならば、逆テーパー部１４
が形成される部分に相当する部分の逃げをスリット１６
及び貫通孔１２によって充分に吸収することができダイ
パッド１０の平坦性を保持することができる。
に、隣接するスリット１６、１６の先端を結ぶ直線、前
記スリット１６、１６ 、及び貫通孔１２によって囲ま
れる片状部１８内に含まれるならば、逆テーパー部１４
が形成される部分に相当する部分の逃げをスリット１６
及び貫通孔１２によって充分に吸収することができダイ
パッド１０の平坦性を保持することができる。
【００１１】更に、貫通孔１２としては、図３に示す様
に、平面形状が矩形であってもよく、その場合には、ス
リット１６、１６・・・を各角部から放射方向に形成す
ることが好ましい。この様にスリット１６、１６・・を
形成することによって、隣接するスリット１６、１６、
前記スリット１６、１６の先端を結ぶ直線、及び貫通孔
１２によって囲まれる片状部１８内に、逆テーパー部１
４を容易に形成することができる。
に、平面形状が矩形であってもよく、その場合には、ス
リット１６、１６・・・を各角部から放射方向に形成す
ることが好ましい。この様にスリット１６、１６・・を
形成することによって、隣接するスリット１６、１６、
前記スリット１６、１６の先端を結ぶ直線、及び貫通孔
１２によって囲まれる片状部１８内に、逆テーパー部１
４を容易に形成することができる。
【００１２】この様な図１〜図３に示す逆テーパー部１
４を半導体チップ搭載側の開口部近傍に形成された貫通
孔１２によれば、樹脂封止の際に、溶融樹脂が貫通孔１
２の逆テーパー部１４に侵入し固化する。このため、か
かる貫通孔１２の複数個が穿設されているダイパッド１
０を備えるリードフレームに半導体チップを搭載してか
ら樹脂封止することによって、各貫通孔１２の逆テーパ
ー部１４が封止樹脂層のアンカー部となって両者を物理
的に強固に連結するため、ダイパッド１０と封止樹脂層
との剥離を防止できる。
４を半導体チップ搭載側の開口部近傍に形成された貫通
孔１２によれば、樹脂封止の際に、溶融樹脂が貫通孔１
２の逆テーパー部１４に侵入し固化する。このため、か
かる貫通孔１２の複数個が穿設されているダイパッド１
０を備えるリードフレームに半導体チップを搭載してか
ら樹脂封止することによって、各貫通孔１２の逆テーパ
ー部１４が封止樹脂層のアンカー部となって両者を物理
的に強固に連結するため、ダイパッド１０と封止樹脂層
との剥離を防止できる。
【００１３】以上、述べてきた本実施例においては、貫
通孔の周壁面から放射方向に延びるスリットが三本以上
であったが、二本又は一本であってもよい。また、貫通
孔１２として平面形状が円形又は矩形であるものと示し
たが、平面形状が三角形や楕円であってもよい。
通孔の周壁面から放射方向に延びるスリットが三本以上
であったが、二本又は一本であってもよい。また、貫通
孔１２として平面形状が円形又は矩形であるものと示し
たが、平面形状が三角形や楕円であってもよい。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、ダイパッドを変形する
ことなくダイパッドに穿設された貫通孔に充分な大きさ
の逆テーパー部を形成することができるため、封止樹脂
層との剥離等のトラブルを回避することができる。この
ため、大型の半導体チップ搭載用の大型ダイパッドを備
えるリードフレームを容易に提供することができる。
ことなくダイパッドに穿設された貫通孔に充分な大きさ
の逆テーパー部を形成することができるため、封止樹脂
層との剥離等のトラブルを回避することができる。この
ため、大型の半導体チップ搭載用の大型ダイパッドを備
えるリードフレームを容易に提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す貫通孔の正面図である
。
。
【図２】本発明の他の実施例を示す貫通孔の正面図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例を示す貫通孔の正面図であ
る。
る。
１０ ダイパッド
１２ 貫通孔
１４ 逆テーパー部
１６ スリット
１８ 片状部
Claims (2)
- 【請求項１】 プレス加工によって成形され、半導体
チップを搭載するダイパッドに複数個の貫通孔が穿設さ
れているリードフレームにおいて、該貫通孔の各々に半
導体チップ搭載側の開口部から反対側の開口部方向に断
面積が次第に小となる逆テーパー部が形成され、且つ前
記貫通孔の各々の周壁面から先端が放射方向に延びるス
リットが形成されていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 貫通孔の周壁面から放射方向に延びて
形成された三本以上のスリットの互いに隣接するスリッ
トとの間に挟まれ且つ一部が貫通孔に臨む片状部内に、
逆テーパー部が形成されている請求項１記載のリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4246991A JP2966126B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4246991A JP2966126B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363057A true JPH04363057A (ja) | 1992-12-15 |
| JP2966126B2 JP2966126B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=12636930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4246991A Expired - Fee Related JP2966126B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2966126B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013517956A (ja) * | 2010-01-25 | 2013-05-20 | ヘレウス マテリアルズ テクノロジー ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | パンチングサイトにおけるアンダーカットを介した平面性の改善 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP4246991A patent/JP2966126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013517956A (ja) * | 2010-01-25 | 2013-05-20 | ヘレウス マテリアルズ テクノロジー ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | パンチングサイトにおけるアンダーカットを介した平面性の改善 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2966126B2 (ja) | 1999-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7521294B2 (en) | Lead frame for semiconductor package | |
| US4706105A (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
| US7518220B2 (en) | Substrate for an FBGA semiconductor component | |
| US7408241B2 (en) | Semiconductor device with a recessed bond pad | |
| JP3339173B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS59191338A (ja) | ワイヤボンダ用ツ−ル | |
| JPH04363057A (ja) | リードフレーム | |
| JPH07273119A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3347598B2 (ja) | ワイヤボンディング装置用キャピラリ | |
| JP2914409B2 (ja) | 半導体素子 | |
| JPS6252949A (ja) | 積層型セラミツクパツケ−ジ | |
| JPH10223802A (ja) | ボール・グリッド・アレイ型半導体パッケージの外部出力バンプ、およびその形成方法 | |
| JPH0621247Y2 (ja) | リ−ドレスチツプキヤリア | |
| JPH0236557A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH02228058A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001148444A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2556078Y2 (ja) | ドリル用チップおよびこのチップを組込んだドリル | |
| JP2003188204A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0219967Y2 (ja) | ||
| JPS61104649A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0884779A2 (en) | Structure of bonding an inner lead to an electrode in a semiconductor device | |
| JPH03159163A (ja) | リードフレーム | |
| JPH0336786A (ja) | プリント基板への部品実装方法 | |
| KR960004101Y1 (ko) | 리드프레임 | |
| JP2000315763A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |