JPH04357479A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JPH04357479A
JPH04357479A JP3132775A JP13277591A JPH04357479A JP H04357479 A JPH04357479 A JP H04357479A JP 3132775 A JP3132775 A JP 3132775A JP 13277591 A JP13277591 A JP 13277591A JP H04357479 A JPH04357479 A JP H04357479A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
register
power supply
supply voltage
time
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3132775A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoshi Noda
野田 量俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3132775A priority Critical patent/JPH04357479A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体試験装置に係り
、詳しくは、例えば、半導体デバイスの試験の分野に用
いて好適な、被試験デバイスに印加する電源電圧を変化
させることにより試験する半導体試験装置に関する。 近年、被試験デバイスとして、例えば、半導体集積回路
等の大型化、高密度化に伴い、これら半導体集積回路の
良否を試験するための半導体試験装置が数多く開発され
ている。
【0002】特に、半導体集積回路の複雑化、あるいは
使用環境の多用化に伴い、半導体試験の中でも、電源電
圧印加の時間的要素に対する被試験デバイスの評価、ま
たは量産時の試験の重要性が増している。
【0003】
【従来の技術】従来のこの種の半導体試験装置において
は、電源電圧印加時の電圧変化時間は電源電圧発生ユニ
ットの応答特性にのみ依存しており、これを変化させる
ことはできなかった。したがって、電源電圧の印加に対
して特性の変化するようなデバイス、つまり、印加する
電圧の立ち上がり時間を変化させるとうまく動作しない
ようなデバイスの試験を行う場合、例えば、ループ命令
等を用いて印加電圧の上昇度を調節するといったソフト
的な手法によって電圧変化を実現していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体試験装置にあっては、例えば、ループ
命令等を用いて印加電圧の上昇度を調節するという構成
となっていたため、プログラムの実行速度の制約から、
印加電圧の単位時間当りの変化量が比較的な大きな時間
でしか実現できず、例えば、被試験デバイスに印加され
る電源電圧が現在値から設定値に達するまでの時間を任
意設定時間に遅らせる等の制御は難しいという問題点が
あった。
【0005】[目的]そこで本発明は、被試験デバイス
の特性試験を容易に行う半導体試験装置を提供すること
を目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体試験
装置は上記目的達成のため、試験対象となる被試験デバ
イスに電源電圧を印加する電圧印加手段と、該電圧印加
手段によって印加する電圧の単位時間当りの変化量をほ
ぼ線形に制御する制御手段とを備え、予め設定された、
印加電圧の目標値と、該目標値に達するまでの時間値と
に基づいて前記制御手段により前記電圧印加手段を制御
し、電源電圧印加の変化に対する前記被試験デバイスの
特性試験を行うように構成している。
【0007】
【作用】本発明では、予め設定された、印加電圧の目標
値、及び目標値に達するまでの時間値に基づいて制御手
段により電圧印加手段が制御され、電源電圧印加の変化
に対する被試験デバイスの特性試験が行われる。すなわ
ち、電源電圧の印加に対して特性の変化するようなデバ
イスの試験において、容易に被試験デバイスの特性試験
が行われる。
【0008】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1は本発明に係る半導体試験装置の一実施例を示す図で
あり、本実施例の要部構成を示すブロック図である。ま
ず、構成を説明する。
【0009】本実施例の半導体試験装置は、電圧記憶レ
ジスタ1、時間記憶レジスタ2、出力レジスタ3、スキ
ップレジスタ4、ステップレジスタ5、演算ユニット6
、比較回路7、制御ユニット8、加減算ユニット9、ゲ
ート10,11、D/Aコンバータ12、電圧印加手段
である電源電圧発生回路13から構成されている。なお
、電圧記憶レジスタ1、時間記憶レジスタ2、出力レジ
スタ3、スキップレジスタ4、ステップレジスタ5、演
算ユニット6、比較回路7、制御ユニット8、加減算ユ
ニット9、ゲート10,11、D/Aコンバータ12に
より制御手段14が構成されている。
【0010】電圧記憶レジスタ1は、予め設定される設
定電圧を電圧目標値として一時的に記憶しておくもので
あり、時間記憶レジスタ2は、同様に、予め設定される
設定時間を制御時間値として一時的に記憶しておくもの
である。出力レジスタ3は、最終的に決定された電源電
圧をD/Aコンバータを介して電源電圧発生回路13に
転送するためのものである。
【0011】スキップレジスタ4は、制御ユニット8に
対して動作サイクルの省略回数、すなわち、スキップ回
数を与えるものであり、ステップレジスタ5は、加減算
ユニット9に対して加減算の最小ステップを与えるもの
である。演算ユニット6は、電圧記憶レジスタ1の出力
と時間記憶レジスタ2の出力とに基づいて必要な演算を
行い、その結果をレジスタをスキップレジスタ4とステ
ップレジスタ5とに出力し、設定するものである。
【0012】比較回路7は、電圧記憶レジスタ1の内容
と出力レジスタ3の内容とを比較し、その結果を制御ユ
ニット8、及びゲート10の一方入力端に出力するもの
である。制御ユニット8は、加減算演算ユニット9を制
御するものである。ゲート10,11は、演算ユニット
6、比較回路7、及び制御ユニット8によって制御され
、出力レジスタ3に設定されるデータを選択するための
ものである。
【0013】D/Aコンバータ12は、出力レジスタ3
の内容をアナログ値に変換するものであり、電源電圧発
生回路13は、被試験デバイスに対して実際に印加する
電源電圧を発生させるものである。これによって、制御
手段14は、図2に示すように、微視的には離散的な値
をとるが、実際には時間tに対してほぼ直線状に変化す
る電圧Vを生成する。
【0014】次に作用を説明する。まず、予め設定しよ
うとする電圧値が電圧記憶レジスタ1に、同様に設定し
ようとする時間値が時間設定レジスタ2に入力される。 すると、電圧記憶レジスタ1と時間記憶レジスタ2と出
力レジスタ3の情報とに基づいて演算ユニット6により
、現在の発生電圧値と設定しようとする電圧値の差が計
算され、その差分を設定しようとする時間単位値で除算
することにより加減算演算ユニット9の加減算動作サイ
クル当りにおける加減算ステップ値が求められ、ステッ
プレジスタ5に格納される。
【0015】また、設定しようとする時間値が小さく、
加減算ステップ値が出力レジスタ3の最小分解能よりも
小さくなる場合は、その最小動作サイクルの何回に1回
加減算を実行すればよいかのスキップ値が計算され、ス
キップレジスタ4に格納される。そして、時間設定レジ
スタ2の時間設定値が0の場合、演算ユニット6によっ
て、電圧記憶レジスタ1の電圧目標値がゲート10を介
して直接出力レジスタ3に格納されるように制御される
【0016】以上のように、スキップレジスタ4、及び
ステップレジスタ5の内容が設定されると、加減算演算
ユニット9において、出力レジスタ3の内容とステップ
レジスタ5の内容が加減算され、その結果が出力レジス
タ3に再び格納され、制御ユニット8により加減算演算
ユニット9の実行が制御される。特に、スキップレジス
タ4の内容が設定されている場合、加減算演算ユニット
9の基本動作サイクル毎に加減算演算ユニット9の実行
は行われず、スキップレジスタ4の内容の回数毎に1回
の加減算演算ユニット9の実行がを行わせることにより
、見かけ上、スキップレジスタ4の内容倍の動作サイク
ルで加減算演算ユニット9の出力が出力レジスタ3に格
納されるようにゲート11が制御される。
【0017】電圧記憶レジスタ1の内容と出力レジスタ
3の内容とは比較回路7によりを監視されており、その
両者の結果が一致、または出力レジスタ3の内容が電圧
記憶レジスタ1の目標値を越えた場合に、所定の制御信
号が制御ユニット8に出力され、加減算演算ユニット9
の加減算の終了処理が行われる。そして、加減算を終了
した時点で、演算ユニット6の演算で発生した誤差を無
くするため、比較回路7により電圧記憶レジスタ1の内
容がゲート10を介して出力レジスタ3に格納され、こ
の格納された情報がD/Aコンバータ12によりアナロ
グ信号に変換される。
【0018】ここで、その変換は加減算演算ユニット9
のサイクルと同期して実行、及び内容更新される。D/
Aコンバータ12による変換後のアナログ信号は、常時
電源電圧発生回路13に出力され、さらに、電源電圧発
声回路(図示せず)に伝達されて被試験デバイスに印加
される。
【0019】このように本実施例では、被試験デバイス
に印加される電源電圧をソフト的な手法に頼ることなく
、正確に現在値から設定値に達するまでの時間を任意設
定時間に遅らせることができ、電源電圧印加時間の変化
に対する半導体デバイスの特性試験を容易に行うことが
できる。したがって、半導体試験の信頼性の向上に際し
て大きく寄与できる。
【0020】
【発明の効果】本発明では、予め設定された印加電圧の
目標値、及び目標値に達するまでの時間値に基づいて制
御手段によって電圧印加手段を制御でき、電源電圧印加
の変化に対する被試験デバイスの特性試験ができる。し
たがって、電源電圧の印加に対して特性の変化するよう
なデバイスの試験であっても、容易に被試験デバイスの
特性試験ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明一実施例の半導体試験装置の要部構成を
示すブロック図である。
【図2】本発明一実施例の制御手段の動作を示す波形図
である。
【符号の説明】
1    電圧記憶レジスタ 2    時間記憶レジスタ 3    出力レジスタ 4    スキップレジスタ 5    ステップレジスタ 6    演算ユニット 7    比較回路 8    制御ユニット 9    加減算ユニット 10    ゲート 11    ゲート 12    D/Aコンバータ 13    電源電圧発生回路(電圧印加手段)14 
   制御手段

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  試験対象となる被試験デバイスに電源
    電圧を印加する電圧印加手段と、該電圧印加手段によっ
    て印加する電圧の単位時間当りの変化量をほぼ線形に制
    御する制御手段と、を備え、予め設定された、印加電圧
    の目標値と、該目標値に達するまでの時間値とに基づい
    て前記制御手段により前記電圧印加手段を制御し、電源
    電圧印加の変化に対する前記被試験デバイスの特性試験
    を行うことを特徴とする半導体試験装置。
JP3132775A 1991-06-04 1991-06-04 半導体試験装置 Withdrawn JPH04357479A (ja)

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JP3132775A JPH04357479A (ja) 1991-06-04 1991-06-04 半導体試験装置

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JP3132775A JPH04357479A (ja) 1991-06-04 1991-06-04 半導体試験装置

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JPH04357479A true JPH04357479A (ja) 1992-12-10

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JP3132775A Withdrawn JPH04357479A (ja) 1991-06-04 1991-06-04 半導体試験装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030094808A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 이종길 PC 기반 linear tester에서의 측정 및 릴레이 매트릭스보드 회로설계 기술
KR100483327B1 (ko) * 2001-06-29 2005-04-14 (주) 현대테크 전자 부품 및 모듈의 신뢰성 테스트에 이용되는 리니어테스트 장치
JP2007003368A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Yokogawa Electric Corp 電圧印加装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483327B1 (ko) * 2001-06-29 2005-04-14 (주) 현대테크 전자 부품 및 모듈의 신뢰성 테스트에 이용되는 리니어테스트 장치
KR20030094808A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 이종길 PC 기반 linear tester에서의 측정 및 릴레이 매트릭스보드 회로설계 기술
JP2007003368A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Yokogawa Electric Corp 電圧印加装置
JP4581865B2 (ja) * 2005-06-24 2010-11-17 横河電機株式会社 電圧印加装置

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