JPH04356020A - 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04356020A JPH04356020A JP23175591A JP23175591A JPH04356020A JP H04356020 A JPH04356020 A JP H04356020A JP 23175591 A JP23175591 A JP 23175591A JP 23175591 A JP23175591 A JP 23175591A JP H04356020 A JPH04356020 A JP H04356020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- group
- alignment film
- carbon chain
- film according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 102
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims description 15
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical group Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000011356 non-aqueous organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 claims description 2
- 125000005337 azoxy group Chemical group [N+]([O-])(=N*)* 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 claims description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 125000005353 silylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 abstract 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 abstract 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 carbon chain compound Chemical class 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001061127 Thione Species 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 238000007033 dehydrochlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特定の単分子膜を用い
た液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及び
その製造方法に関するものである。
た液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】さらに詳しくは、ＴＶ画像やコンピュータ
画像等を表示する液晶を用いた平面表示パネルに用いる
液晶配向膜およびその製造方法およびそれを用いた液晶
表示装置とその製造方法に関するものである。
画像等を表示する液晶を用いた平面表示パネルに用いる
液晶配向膜およびその製造方法およびそれを用いた液晶
表示装置とその製造方法に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】液晶表示装置には、液晶組成物に電界を
かけて正常に動作させるために、電極表面と液晶組成物
との間に配向膜を設けることが必要である。この配向膜
は、モノクロ液晶素子、カラー液晶素子など一般的な液
晶素子に必要なものである。
かけて正常に動作させるために、電極表面と液晶組成物
との間に配向膜を設けることが必要である。この配向膜
は、モノクロ液晶素子、カラー液晶素子など一般的な液
晶素子に必要なものである。
【０００４】以下カラー液晶表示パネルを例にとって説
明する。従来カラー液晶表示パネルは、マトリックス状
に配置された対向電極を形成した２つの基板の間にポリ
ビニルアルコールやポリイミドをスピナーで塗布（遠心
スピンコーティング）して形成した液晶配向膜を介して
液晶を封入した装置が一般的であった。
明する。従来カラー液晶表示パネルは、マトリックス状
に配置された対向電極を形成した２つの基板の間にポリ
ビニルアルコールやポリイミドをスピナーで塗布（遠心
スピンコーティング）して形成した液晶配向膜を介して
液晶を封入した装置が一般的であった。
【０００５】例えば図１０に示すように、予め第１のガ
ラス基板３１上に画素電極３２を持ったＴＦＴ（ｔｈｉ
ｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ３３を形
成したものと、第２のガラス基板３４上に複数個の赤青
緑のカラーフィルター３５が形成され、さらにその上に
共通透明電極３６が形成されたもの、それぞれにポリビ
ニルアルコールやポリイミドなどをスピナーを用いて塗
布形成し、ラビングを行なって液晶配向膜３７を形成し
、スペーサー３８を介して対向して接着剤３９でパネル
の周囲を封止して組み立てた後、ツイストネマチック（
ＴＮ）液晶４０等を注入しパネル構造を形成した後、パ
ネルの裏表に偏光板４１、４２を設置し、バックライト
光４３を照射しながら、ＴＦＴを動作させ矢印Ａの方向
にカラー画像を表示する構造である。
ラス基板３１上に画素電極３２を持ったＴＦＴ（ｔｈｉ
ｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ３３を形
成したものと、第２のガラス基板３４上に複数個の赤青
緑のカラーフィルター３５が形成され、さらにその上に
共通透明電極３６が形成されたもの、それぞれにポリビ
ニルアルコールやポリイミドなどをスピナーを用いて塗
布形成し、ラビングを行なって液晶配向膜３７を形成し
、スペーサー３８を介して対向して接着剤３９でパネル
の周囲を封止して組み立てた後、ツイストネマチック（
ＴＮ）液晶４０等を注入しパネル構造を形成した後、パ
ネルの裏表に偏光板４１、４２を設置し、バックライト
光４３を照射しながら、ＴＦＴを動作させ矢印Ａの方向
にカラー画像を表示する構造である。
【０００６】そのほか強誘電性液晶でも配向膜は必須の
ものである。
ものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
配向膜の作成は、ポリビニルアルコールやポリイミドな
どの樹脂を有機溶媒に溶解させ回転塗布法などを用いて
塗布形成した後、フェルト布等を用いてラビング処理を
行なう方法が用いられていたため、大面積パネル（例え
ば１４インチディスプレイ）では配向膜の均一コーティ
ングが難しく、また回転塗布では塗布厚が数ミクロン程
度にもなり、強誘電液晶のような１０００オングストロ
ーム程度の厚みの配向膜を必要とする表示パネルでは、
性能が大幅に低下してしまうという大きな課題があった
。より具体的には、前記樹脂成分を薄く均一厚さに塗布
することが困難な上、ラビング処理を均一圧力で行うこ
とは困難であり、しかもガラス基板に僅かの凸凹があっ
たり、前記樹脂成分の膜厚にムラがあると、凹部がラビ
ング処理できないという課題があった。
配向膜の作成は、ポリビニルアルコールやポリイミドな
どの樹脂を有機溶媒に溶解させ回転塗布法などを用いて
塗布形成した後、フェルト布等を用いてラビング処理を
行なう方法が用いられていたため、大面積パネル（例え
ば１４インチディスプレイ）では配向膜の均一コーティ
ングが難しく、また回転塗布では塗布厚が数ミクロン程
度にもなり、強誘電液晶のような１０００オングストロ
ーム程度の厚みの配向膜を必要とする表示パネルでは、
性能が大幅に低下してしまうという大きな課題があった
。より具体的には、前記樹脂成分を薄く均一厚さに塗布
することが困難な上、ラビング処理を均一圧力で行うこ
とは困難であり、しかもガラス基板に僅かの凸凹があっ
たり、前記樹脂成分の膜厚にムラがあると、凹部がラビ
ング処理できないという課題があった。
【０００８】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、ラビング処理を必要とせず、液晶表示パネルにお
いて使用される配向膜を高能率で均一かつ薄く作成でき
る特定の単分子膜を用いた液晶配向膜及びその製造方法
並びに液晶表示装置及びその製造方法を提供ことを目的
とする。
ため、ラビング処理を必要とせず、液晶表示パネルにお
いて使用される配向膜を高能率で均一かつ薄く作成でき
る特定の単分子膜を用いた液晶配向膜及びその製造方法
並びに液晶表示装置及びその製造方法を提供ことを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の液晶配向膜は、直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜
で構成される液晶配向膜であって、前記直鎖状の炭素鎖
の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結合を介して電極上に直接または
間接的に化学吸着しているとともに、前記直鎖状の炭素
鎖が特定の方向に配向させられた状態で架橋されてなる
ことを特徴とする。
本発明の液晶配向膜は、直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜
で構成される液晶配向膜であって、前記直鎖状の炭素鎖
の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結合を介して電極上に直接または
間接的に化学吸着しているとともに、前記直鎖状の炭素
鎖が特定の方向に配向させられた状態で架橋されてなる
ことを特徴とする。
【００１０】また本発明の液晶配向膜の製造方法は、電
極の形成された所定の基板表面に直接または間接的に非
水系の有機溶媒中の重合性基を含む分子内ダイポールを
有するシラン系界面活性剤、またはこれと混合された複
数種の重合性基を含むシラン系界面活性剤を同時に化学
吸着させ、前記基板表面に直接前記活性剤のケイ素基と
前記基板表面とを直接または間接的に化学結合させて単
分子膜を形成する工程、および磁界または電界中で前記
吸着形成されたシラン界面活性剤を配向させた状態でエ
ネルギービームを照射して前記重合性基を反応させ架橋
して前記吸着されたシラン系界面活性剤を配向固定する
工程を含むことを特徴とする。
極の形成された所定の基板表面に直接または間接的に非
水系の有機溶媒中の重合性基を含む分子内ダイポールを
有するシラン系界面活性剤、またはこれと混合された複
数種の重合性基を含むシラン系界面活性剤を同時に化学
吸着させ、前記基板表面に直接前記活性剤のケイ素基と
前記基板表面とを直接または間接的に化学結合させて単
分子膜を形成する工程、および磁界または電界中で前記
吸着形成されたシラン界面活性剤を配向させた状態でエ
ネルギービームを照射して前記重合性基を反応させ架橋
して前記吸着されたシラン系界面活性剤を配向固定する
工程を含むことを特徴とする。
【００１１】また本発明の液晶表示装置は、直鎖状の炭
素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結合を介して電極上に直接ま
たは間接的に化学吸着しているとともに、前記直鎖状の
炭素鎖が特定の方向に配向させられた状態で架橋されて
なる直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜で構成された液晶配
向膜が、２つの対向する電極の少なくとも一方の電極上
に形成されており、液晶が前記２つの対向する電極間に
存在されていることを特徴とする。
素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結合を介して電極上に直接ま
たは間接的に化学吸着しているとともに、前記直鎖状の
炭素鎖が特定の方向に配向させられた状態で架橋されて
なる直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜で構成された液晶配
向膜が、２つの対向する電極の少なくとも一方の電極上
に形成されており、液晶が前記２つの対向する電極間に
存在されていることを特徴とする。
【００１２】さらに本発明の液晶表示装置の製造方法は
、あらかじめマトリックス状に載置された第１の電極群
を有する第１の基板上に非水系の有機溶媒中で直鎖状の
炭素鎖と重合性基を持つシラン系界面活性剤が電極上に
直接または任意の薄膜を介して間接的に化学吸着形成す
る工程と、磁界または電界中で前記吸着形成されたシラ
ン界面活性剤を配向させた状態でエネルギービームを照
射して前記重合性基を反応させ架橋して前記吸着された
シラン系界面活性剤を配向固定する工程と、前記第１の
電極群と対向するように載置した第２の電極群を有する
第２の基板を、それぞれ対向するように位置合わせして
接着固定する工程と、前記第１と第２の基板に所定の液
晶組成物を注入する工程を含むことを特徴とする。
、あらかじめマトリックス状に載置された第１の電極群
を有する第１の基板上に非水系の有機溶媒中で直鎖状の
炭素鎖と重合性基を持つシラン系界面活性剤が電極上に
直接または任意の薄膜を介して間接的に化学吸着形成す
る工程と、磁界または電界中で前記吸着形成されたシラ
ン界面活性剤を配向させた状態でエネルギービームを照
射して前記重合性基を反応させ架橋して前記吸着された
シラン系界面活性剤を配向固定する工程と、前記第１の
電極群と対向するように載置した第２の電極群を有する
第２の基板を、それぞれ対向するように位置合わせして
接着固定する工程と、前記第１と第２の基板に所定の液
晶組成物を注入する工程を含むことを特徴とする。
【００１３】
【作用】前記本発明の液晶配向膜の構成によれば、直鎖
状の炭素鎖を含む単分子膜で構成される液晶配向膜であ
って、前記直鎖状の炭素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結合（
共有結合）を介して電極上に直接または間接的に化学吸
着しているとともに、前記直鎖状の炭素鎖が特定の方向
に配向させられた状態で架橋されてなるので、ラビング
をおこなわなくとも液晶表示パネルにおいて使用される
高品位な配向膜を作成できる。
状の炭素鎖を含む単分子膜で構成される液晶配向膜であ
って、前記直鎖状の炭素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結合（
共有結合）を介して電極上に直接または間接的に化学吸
着しているとともに、前記直鎖状の炭素鎖が特定の方向
に配向させられた状態で架橋されてなるので、ラビング
をおこなわなくとも液晶表示パネルにおいて使用される
高品位な配向膜を作成できる。
【００１４】また前記本発明の液晶配向膜の製造方法の
構成によれば、化学吸着した単分子膜を電界または磁界
中で配向させた状態で重合させることができ、前記液晶
配向膜を高能率でかつ薄く均一に作成することができる
。
構成によれば、化学吸着した単分子膜を電界または磁界
中で配向させた状態で重合させることができ、前記液晶
配向膜を高能率でかつ薄く均一に作成することができる
。
【００１５】さらに前記本発明の液晶表示装置の構成に
よれば、前記液晶配向膜を用いた高性能表示パネルを低
コストで製造できる。また前記本発明の液晶表示装置の
製造方法の構成によれば、前記高性能表示パネルを合理
的に効率良く製造できる。
よれば、前記液晶配向膜を用いた高性能表示パネルを低
コストで製造できる。また前記本発明の液晶表示装置の
製造方法の構成によれば、前記高性能表示パネルを合理
的に効率良く製造できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明について実施例を用いてさらに
詳細に説明する。図１〜図９は本発明の実施例を示すも
のである。例えば、図１に示すように、親水性の基板１
（例えば、ガラス、石英もしくはＩＴＯ電極等）を、よ
く乾燥した後、直接表面に化学吸着法により、全面に重
合性基を含む分子内ダイポールを有するシラン界面活性
剤を吸着反応させ、さらに電界（１×１０７ Ｖ／ｃｍ
程度）または磁界（１Ｔ（テスラ）程度）中で前記界面
剤分子を配向させた状態（たとえば０．５度傾けた状態
）で、前記重合性基をエネルギービーム（電子線、ある
いはアルファ線、ガンマ線、紫外線等）を照射して重合
固定させて、シラン界面活性剤よりなる配向方向の揃っ
た重合単分子吸着膜２’を形成する。なお図１中、Ｒ１
、Ｒ２ は任意の置換基を示すがＨでもよい。
詳細に説明する。図１〜図９は本発明の実施例を示すも
のである。例えば、図１に示すように、親水性の基板１
（例えば、ガラス、石英もしくはＩＴＯ電極等）を、よ
く乾燥した後、直接表面に化学吸着法により、全面に重
合性基を含む分子内ダイポールを有するシラン界面活性
剤を吸着反応させ、さらに電界（１×１０７ Ｖ／ｃｍ
程度）または磁界（１Ｔ（テスラ）程度）中で前記界面
剤分子を配向させた状態（たとえば０．５度傾けた状態
）で、前記重合性基をエネルギービーム（電子線、ある
いはアルファ線、ガンマ線、紫外線等）を照射して重合
固定させて、シラン界面活性剤よりなる配向方向の揃っ
た重合単分子吸着膜２’を形成する。なお図１中、Ｒ１
、Ｒ２ は任意の置換基を示すがＨでもよい。
【００１７】シラン界面活性剤の例としては、重合性基
を含む直鎖状の長い炭素鎖３（ハイドロカーボンチェー
ン）を持つＲ１ −（ＣＨ２ ）ｍ −ＣＨ＝ＣＨ−（
ＣＨ２ ）ｎ −ＳｉＣｌ３ （ｍ，ｎは整数で、好ま
しくはｍは１〜３、ｎは１〜２２の範囲であり、とくに
ｍ＋ｎが１０〜２５の範囲が最も扱いやすい。ここで、
Ｒ１ はＨ、アルキル基、フッ化アルキル基、ビニル基
、アシル基、シリルアルキル基、トリメチルシリル基、
アリール（ａｒｙｌ）基、シクロアルキル基、またはこ
れらの誘導体から選ばれる置換基を示す。しかしながら
他のＲ１ は任意の置換基でもよい。）が好ましい。
を含む直鎖状の長い炭素鎖３（ハイドロカーボンチェー
ン）を持つＲ１ −（ＣＨ２ ）ｍ −ＣＨ＝ＣＨ−（
ＣＨ２ ）ｎ −ＳｉＣｌ３ （ｍ，ｎは整数で、好ま
しくはｍは１〜３、ｎは１〜２２の範囲であり、とくに
ｍ＋ｎが１０〜２５の範囲が最も扱いやすい。ここで、
Ｒ１ はＨ、アルキル基、フッ化アルキル基、ビニル基
、アシル基、シリルアルキル基、トリメチルシリル基、
アリール（ａｒｙｌ）基、シクロアルキル基、またはこ
れらの誘導体から選ばれる置換基を示す。しかしながら
他のＲ１ は任意の置換基でもよい。）が好ましい。
【００１８】なお、−ＨＣ＝ＣＨ−は重合性基の代表で
あるビニル基１０であるが、そのほかにアセチレン基、
ブタヂエン（−ＨＣ＝ＣＨ−ＨＣ＝ＣＨ−）基、ジアセ
チレン基等が重合性基として利用できる。
あるビニル基１０であるが、そのほかにアセチレン基、
ブタヂエン（−ＨＣ＝ＣＨ−ＨＣ＝ＣＨ−）基、ジアセ
チレン基等が重合性基として利用できる。
【００１９】とくに、前記（化２）で示すジアセチレン
基では紫外線でトポケミカル的に重合反応を生じるので
、本発明の目的には更に都合がよい。なお、直鎖状の長
い炭素鎖と短い炭素鎖のシラン系界面活性剤の混合比は
１：０〜１：１０が適当である。たとえば短い炭素鎖化
合物４（ｍ＋ｎ＝１〜５）としてＣＨ３ −ＣＨ２ −
ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２ −ＣＨ２ −ＳｉＣｌ３ 、長い
炭素鎖化合物３としてＣＨ３ −（ＣＨ２ ）８ −Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−ＣＨ２ −ＣＨ２ −ＳｉＣｌ３ を用い、
短い炭素鎖化合物：長い炭素鎖化合物＝１：２程度に混
合して用いることができる。この組成物を２×１０−３
〜５×１０−２Ｍｏｌ／ｌ 程度の濃度で溶かした８０
ｗｔ％ｎ−ヘキサン、１２ｗｔ％四塩化炭素、８ｗｔ％
クロロホルム溶液を調整し、前記基板１を浸漬する。こ
のとき、前記基板１は表面が親水性であり、表面には−
ＯＨ基が含まれている。
基では紫外線でトポケミカル的に重合反応を生じるので
、本発明の目的には更に都合がよい。なお、直鎖状の長
い炭素鎖と短い炭素鎖のシラン系界面活性剤の混合比は
１：０〜１：１０が適当である。たとえば短い炭素鎖化
合物４（ｍ＋ｎ＝１〜５）としてＣＨ３ −ＣＨ２ −
ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２ −ＣＨ２ −ＳｉＣｌ３ 、長い
炭素鎖化合物３としてＣＨ３ −（ＣＨ２ ）８ −Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−ＣＨ２ −ＣＨ２ −ＳｉＣｌ３ を用い、
短い炭素鎖化合物：長い炭素鎖化合物＝１：２程度に混
合して用いることができる。この組成物を２×１０−３
〜５×１０−２Ｍｏｌ／ｌ 程度の濃度で溶かした８０
ｗｔ％ｎ−ヘキサン、１２ｗｔ％四塩化炭素、８ｗｔ％
クロロホルム溶液を調整し、前記基板１を浸漬する。こ
のとき、前記基板１は表面が親水性であり、表面には−
ＯＨ基が含まれている。
【００２０】これを式で示すと、−ＳｉＣｌ３ 基と−
ＯＨが脱塩酸反応して次式（化３）のようになる。
ＯＨが脱塩酸反応して次式（化３）のようになる。
【００２１】
【化３】
【００２２】前記のように、シラン界面活性剤による単
分子吸着膜２が基板表面に１層（１０〜３０オングスト
ロームの厚み）形成される。このとき、前記２種類の界
面活性分子内のビニル基１０は、単分子膜内で同じ高さ
になるように分子設計をしておく。即ち、基板表面に発
水性の長さの異なる直鎖状のハイドロカーボンチェーン
が特定の比率で並んだ状態の単分子膜２が形成できる（
図１（ａ））。次に、１テスラ程度の磁界中に所定の角
度で挿入すると全ての吸着された分子は磁界の方向に配
向されるので、その状態でエネルギービームたとえばＸ
線を５Ｍｒａｄ程度照射する。すると、ビニル基は重合
されて各々の吸着分子は架橋結合１０’を介して特定の
配向方向に並んだ状態で固定される（図１（ｂ））。 ２’は重合した単分子吸着膜である。
分子吸着膜２が基板表面に１層（１０〜３０オングスト
ロームの厚み）形成される。このとき、前記２種類の界
面活性分子内のビニル基１０は、単分子膜内で同じ高さ
になるように分子設計をしておく。即ち、基板表面に発
水性の長さの異なる直鎖状のハイドロカーボンチェーン
が特定の比率で並んだ状態の単分子膜２が形成できる（
図１（ａ））。次に、１テスラ程度の磁界中に所定の角
度で挿入すると全ての吸着された分子は磁界の方向に配
向されるので、その状態でエネルギービームたとえばＸ
線を５Ｍｒａｄ程度照射する。すると、ビニル基は重合
されて各々の吸着分子は架橋結合１０’を介して特定の
配向方向に並んだ状態で固定される（図１（ｂ））。 ２’は重合した単分子吸着膜である。
【００２３】従って、この様な配向膜の形成された基板
に液晶が接すると図２に示すように液晶５の分子は単分
子吸着膜の長い炭素鎖３ａの間隙に入り込み全体として
液晶の配向が制御される。なおここで、３ａ及び４ａは
図１における長い炭素鎖３と短い炭素鎖４をそれぞれ模
式的に示したものである。
に液晶が接すると図２に示すように液晶５の分子は単分
子吸着膜の長い炭素鎖３ａの間隙に入り込み全体として
液晶の配向が制御される。なおここで、３ａ及び４ａは
図１における長い炭素鎖３と短い炭素鎖４をそれぞれ模
式的に示したものである。
【００２４】なお、化学吸着用の材料としては、−ＯＨ
基に対して結合性を有する基（例えば、次式（化４）の
基等）を含んでいれば、実施例で示したシラン系界面活
性剤に限定されるものではない。
基に対して結合性を有する基（例えば、次式（化４）の
基等）を含んでいれば、実施例で示したシラン系界面活
性剤に限定されるものではない。
【００２５】
【化４】
【００２６】例えば、直鎖状のハイドロカーボン鎖の一
部にＦ（フッ素）を含むシラン界面活性剤、例えばＣＦ
３ （ＣＨ２ ）ｍ −ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２ ）ｎ
−ＳｉＣｌ３ （但し、式中のｍ，ｎは整数。好ましく
はｍは１〜３、ｎは１〜２２の範囲であり、ｍ＋ｎは１
０〜２５程度が最も扱いやすい）、又はＣＦ３ （ＣＦ
２ ）ｐ −（ＣＨ２ ）ｍ −ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２
）ｎ −ＳｉＣｌ３ （但し、式中のｐ，ｍ，ｎは整
数。好ましくはｍは１〜３、ｎは１〜２２、ｐは３〜１
０の範囲であり、ｐ＋ｍ＋ｎは１０〜２５が扱いやすい
）等を用いても、単分子吸着膜を製造できる。
部にＦ（フッ素）を含むシラン界面活性剤、例えばＣＦ
３ （ＣＨ２ ）ｍ −ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２ ）ｎ
−ＳｉＣｌ３ （但し、式中のｍ，ｎは整数。好ましく
はｍは１〜３、ｎは１〜２２の範囲であり、ｍ＋ｎは１
０〜２５程度が最も扱いやすい）、又はＣＦ３ （ＣＦ
２ ）ｐ −（ＣＨ２ ）ｍ −ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２
）ｎ −ＳｉＣｌ３ （但し、式中のｐ，ｍ，ｎは整
数。好ましくはｍは１〜３、ｎは１〜２２、ｐは３〜１
０の範囲であり、ｐ＋ｍ＋ｎは１０〜２５が扱いやすい
）等を用いても、単分子吸着膜を製造できる。
【００２７】また、直鎖状の長い炭素鎖の一部が任意の
置換基（Ｒ１ ）で他の一端がトリクロロシラン基のシ
ラン系界面活性剤と短い炭素鎖の一部が任意の置換基で
他の一端がトリクロロシラン基のシラン系界面活性剤を
所定の比率で混合し、吸着形成を行えば配向特性を変化
させることも可能である。
置換基（Ｒ１ ）で他の一端がトリクロロシラン基のシ
ラン系界面活性剤と短い炭素鎖の一部が任意の置換基で
他の一端がトリクロロシラン基のシラン系界面活性剤を
所定の比率で混合し、吸着形成を行えば配向特性を変化
させることも可能である。
【００２８】また、置換基の一部に封入する液晶と類似
の液晶分子（例えば、ネマティック液晶部６）を結合し
た重合性基を含むシラン系界面活性剤および短い炭素鎖
と重合性基を持つシラン系界面活性剤を所定の比率で混
合し、前記方法と同様に吸着形成し重合を行えば、図３
に示すような、封入する特定の液晶に対して特に配向特
性の優れた配向膜が得られる。なお、図３中、Ｒ３ は
、通常ハイドロカーボンチェーンの置換基を示すがＨで
もよい。
の液晶分子（例えば、ネマティック液晶部６）を結合し
た重合性基を含むシラン系界面活性剤および短い炭素鎖
と重合性基を持つシラン系界面活性剤を所定の比率で混
合し、前記方法と同様に吸着形成し重合を行えば、図３
に示すような、封入する特定の液晶に対して特に配向特
性の優れた配向膜が得られる。なお、図３中、Ｒ３ は
、通常ハイドロカーボンチェーンの置換基を示すがＨで
もよい。
【００２９】次に、１テスラ程度の磁界中に所定の角度
で挿入すると全ての吸着された分子は磁界の方向に配向
されるので、その状態でエネルギービームたとえばＸ線
を５Ｍｒａｄ程度照射する。すると、ビニル基は重合さ
れて各々の吸着分子は架橋結合１０’を介して特定の配
向方向に並んだ状態で固定される（図４）。２’は重合
した単分子吸着膜である。
で挿入すると全ての吸着された分子は磁界の方向に配向
されるので、その状態でエネルギービームたとえばＸ線
を５Ｍｒａｄ程度照射する。すると、ビニル基は重合さ
れて各々の吸着分子は架橋結合１０’を介して特定の配
向方向に並んだ状態で固定される（図４）。２’は重合
した単分子吸着膜である。
【００３０】従って、この様なネマティック液晶部６を
持つ架橋固定された配向膜の形成された基板にネマティ
ック液晶７が接すると図５に示すようにネマティック液
晶７の分子は単分子吸着膜のネマティック液晶部６ａの
間隙に入り込み、全体として液晶の配向性が極めてよく
制御される。なお、ここで４ａ及び６ａは図５における
ネマティック液晶部６と短い炭素鎖４をそれぞれ模式的
に示したものである。
持つ架橋固定された配向膜の形成された基板にネマティ
ック液晶７が接すると図５に示すようにネマティック液
晶７の分子は単分子吸着膜のネマティック液晶部６ａの
間隙に入り込み、全体として液晶の配向性が極めてよく
制御される。なお、ここで４ａ及び６ａは図５における
ネマティック液晶部６と短い炭素鎖４をそれぞれ模式的
に示したものである。
【００３１】さらにまた、封入する液晶類似分子が強誘
電液晶である場合は、強誘電液晶部８を結合したシラン
系界面活性剤と短い炭素鎖を持つシラン系界面活性剤が
所定の比率で吸着形成させれば、図６に示すような単分
子吸着膜の配向膜を作成できる。
電液晶である場合は、強誘電液晶部８を結合したシラン
系界面活性剤と短い炭素鎖を持つシラン系界面活性剤が
所定の比率で吸着形成させれば、図６に示すような単分
子吸着膜の配向膜を作成できる。
【００３２】なお、強誘電液晶としては、アゾメチン系
またはアゾキシ系またはエステル系を用いることが出来
る。また、この場合にも、この様な強誘電液晶部８を持
つ配向膜の形成された基板に強誘電液晶が接すると図８
に示すように強誘電液晶９の分子は単分子吸着膜の強誘
電液晶部８ａの間隙に入り込み、全体として液晶の配向
性が極めてよく制御される。なお、ここで、４ａ及び８
ａは図８における強誘電液晶部８と短い炭素鎖４をそれ
ぞれ模式的に示したものである。
またはアゾキシ系またはエステル系を用いることが出来
る。また、この場合にも、この様な強誘電液晶部８を持
つ配向膜の形成された基板に強誘電液晶が接すると図８
に示すように強誘電液晶９の分子は単分子吸着膜の強誘
電液晶部８ａの間隙に入り込み、全体として液晶の配向
性が極めてよく制御される。なお、ここで、４ａ及び８
ａは図８における強誘電液晶部８と短い炭素鎖４をそれ
ぞれ模式的に示したものである。
【００３３】なお、以上の実施例では最も代表的なもの
として、所定の比率で混合された重合性基を含む複数種
のシラン系界面活性剤を同時に化学吸着させた液晶配向
膜の例、および液晶分子を結合したシラン系界面活性剤
と短い炭素鎖を持つシラン系界面活性剤が所定の比率で
吸着形成され、さらに電界や磁界中で配向された状態で
重合性基を重合しそれぞれの吸着分子を架橋固定した単
分子膜よりなる液晶配向膜の例を示したが、直鎖状の炭
素鎖と重合性基を含むシラン系界面活性剤のみで液晶配
向膜を吸着作成し垂直に配向させた状態で重合固定した
場合には、前記液晶をほぼ垂直に配向させることができ
る液晶配向膜を作成できた。
として、所定の比率で混合された重合性基を含む複数種
のシラン系界面活性剤を同時に化学吸着させた液晶配向
膜の例、および液晶分子を結合したシラン系界面活性剤
と短い炭素鎖を持つシラン系界面活性剤が所定の比率で
吸着形成され、さらに電界や磁界中で配向された状態で
重合性基を重合しそれぞれの吸着分子を架橋固定した単
分子膜よりなる液晶配向膜の例を示したが、直鎖状の炭
素鎖と重合性基を含むシラン系界面活性剤のみで液晶配
向膜を吸着作成し垂直に配向させた状態で重合固定した
場合には、前記液晶をほぼ垂直に配向させることができ
る液晶配向膜を作成できた。
【００３４】さらに、この様な配向膜を用いて、液晶表
示デバイスを製造しようとする場合には、図９に示すよ
うに、あらかじめマトリックス状に載置された第１の電
極群１１とこの電極を駆動するトランジスター群１２を
有する第１の基板１３上、または第１の電極群と対向す
るように載置したカラーフィルター群１４と第２の電極
１５を有する第２の基板１６上のどちらか一方の電極上
に直接または絶絶縁膜を介して間接に非水系の有機溶媒
中（例えばｎ−パラフィンであるｎ−セタンを用いれば
、長い分子の配向を効率よく制御することが出来る）で
シラン系界面活性剤を化学吸着させ、前記基板表面に前
記活性剤のシリコンと前記基板表面の自然酸化膜とを化
学結合させて液晶配向膜用の単分子を形成する工程と、
配向させた状態で重合させる工程と、前記第１と第２の
基板１３、１６を対抗するように位置合わせしてスペー
サー１８と接着剤１９で固定する工程と、前記第１と第
２の基板に所定の液晶２０を注入する。その後、偏光板
２１、２２を組み合わせて完成する。この様なデバイス
では、バックライト２３を全面に照射しながらビデオ信
号を用いて各々のトランジスタを駆動すれば矢印Ａの方
向に映像を表示できる。
示デバイスを製造しようとする場合には、図９に示すよ
うに、あらかじめマトリックス状に載置された第１の電
極群１１とこの電極を駆動するトランジスター群１２を
有する第１の基板１３上、または第１の電極群と対向す
るように載置したカラーフィルター群１４と第２の電極
１５を有する第２の基板１６上のどちらか一方の電極上
に直接または絶絶縁膜を介して間接に非水系の有機溶媒
中（例えばｎ−パラフィンであるｎ−セタンを用いれば
、長い分子の配向を効率よく制御することが出来る）で
シラン系界面活性剤を化学吸着させ、前記基板表面に前
記活性剤のシリコンと前記基板表面の自然酸化膜とを化
学結合させて液晶配向膜用の単分子を形成する工程と、
配向させた状態で重合させる工程と、前記第１と第２の
基板１３、１６を対抗するように位置合わせしてスペー
サー１８と接着剤１９で固定する工程と、前記第１と第
２の基板に所定の液晶２０を注入する。その後、偏光板
２１、２２を組み合わせて完成する。この様なデバイス
では、バックライト２３を全面に照射しながらビデオ信
号を用いて各々のトランジスタを駆動すれば矢印Ａの方
向に映像を表示できる。
【００３５】なお図１（ｂ） 、図４および図７におい
て、実験にはＲ１ およびＲ２ がＨ、Ｒ３ はＣＨ３
である化合物を用いた。そして化学吸着法は前記図１
の説明で記載した方法を用いた。また、ビニル基又はア
セチレン基の場合は、Ｘ線５Ｍｒａｄを照射させ、ジア
セチレン基の場合は紫外線５０ｍＪ／ｃｍ２ を照射し
た。その結果、図１（ｂ） 、図４および図７に示すよ
うな液晶配向膜を得ることができた。
て、実験にはＲ１ およびＲ２ がＨ、Ｒ３ はＣＨ３
である化合物を用いた。そして化学吸着法は前記図１
の説明で記載した方法を用いた。また、ビニル基又はア
セチレン基の場合は、Ｘ線５Ｍｒａｄを照射させ、ジア
セチレン基の場合は紫外線５０ｍＪ／ｃｍ２ を照射し
た。その結果、図１（ｂ） 、図４および図７に示すよ
うな液晶配向膜を得ることができた。
【００３６】以上説明したように本実施例は、液晶配向
膜の製造に、電極表面に直接シラン界面活性剤を単分子
状に１層化学吸着させ、配向させた状態で重合させる方
法を用いているため、従来のようなラビングは必要とせ
ず、高能率で均一かつ薄く作成できる効果がある。
膜の製造に、電極表面に直接シラン界面活性剤を単分子
状に１層化学吸着させ、配向させた状態で重合させる方
法を用いているため、従来のようなラビングは必要とせ
ず、高能率で均一かつ薄く作成できる効果がある。
【００３７】さらに、吸着形成された配向膜は、特定の
液晶例えばネマティック液晶や強誘電液晶を結合させる
ことが可能なため、極めて配向制御性がよい。また、液
晶と電極の間に挟まれる絶縁性の膜としては極めて薄い
ので、液晶表示装置の駆動エネルギーを少なく出来る効
果もある。
液晶例えばネマティック液晶や強誘電液晶を結合させる
ことが可能なため、極めて配向制御性がよい。また、液
晶と電極の間に挟まれる絶縁性の膜としては極めて薄い
ので、液晶表示装置の駆動エネルギーを少なく出来る効
果もある。
【００３８】
【発明の効果】以上の通り本発明の液晶配向膜によれば
、直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜で構成される液晶配向
膜であって、前記直鎖状の炭素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−
結合（共有結合）を介して電極上に直接または間接的に
化学吸着しているとともに、前記直鎖状の炭素鎖が特定
の方向に配向させられた状態で架橋されてなるので、ラ
ビングをおこなわなくとも液晶表示パネルにおいて使用
される高品位な配向膜を作成できるという効果を達成で
きる。
、直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜で構成される液晶配向
膜であって、前記直鎖状の炭素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−
結合（共有結合）を介して電極上に直接または間接的に
化学吸着しているとともに、前記直鎖状の炭素鎖が特定
の方向に配向させられた状態で架橋されてなるので、ラ
ビングをおこなわなくとも液晶表示パネルにおいて使用
される高品位な配向膜を作成できるという効果を達成で
きる。
【００３９】また本発明の液晶配向膜の製造方法によれ
ば、化学吸着した単分子膜を電界または磁界中で配向さ
せた状態で重合させることができ、前記液晶配向膜を高
能率でかつ薄く均一に作成することができる。
ば、化学吸着した単分子膜を電界または磁界中で配向さ
せた状態で重合させることができ、前記液晶配向膜を高
能率でかつ薄く均一に作成することができる。
【００４０】さらに本発明の液晶表示装置によれば、前
記液晶配向膜を用いた高性能表示パネルを低コストで製
造できる。また本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、前記高性能表示パネルを合理的に効率良く製造でき
る。
記液晶配向膜を用いた高性能表示パネルを低コストで製
造できる。また本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、前記高性能表示パネルを合理的に効率良く製造でき
る。
【図１】（ａ）本発明の一実施例を説明する架橋前の液
晶配向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。 （ｂ）本発明の一実施例を説明する架橋後の液晶配向膜
の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
晶配向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。 （ｂ）本発明の一実施例を説明する架橋後の液晶配向膜
の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
【図２】本発明の一実施例の液晶配向膜に液晶を封入し
た場合の液晶分子の配向の状態を模式的に表した概念図
である。
た場合の液晶分子の配向の状態を模式的に表した概念図
である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する架橋前の液晶配
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
【図４】本発明の他の実施例を説明する架橋後の液晶配
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
【図５】本発明の他の実施例の液晶配向膜に液晶を封入
した場合の液晶分子の配向の状態を模式的に表した概念
図である。
した場合の液晶分子の配向の状態を模式的に表した概念
図である。
【図６】本発明の別の実施例を説明する架橋前の液晶配
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
【図７】本発明の別の実施例を説明する架橋後の液晶配
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
向膜の分子レベルまで拡大した断面概念図である。
【図８】本発明の別の実施例の液晶配向膜に液晶を封入
した場合の液晶分子の配向の状態を模式的に表した概念
図である。
した場合の液晶分子の配向の状態を模式的に表した概念
図である。
【図９】本発明の配向膜を用いた液晶表示デバイスの一
実施例の断面概念図である。
実施例の断面概念図である。
【図１０】従来の配向膜を用いた液晶表示デバイスの断
面概念図である。
面概念図である。
１ 基板
２ 単分子吸着膜
２’ 重合単分子吸着膜
３ 長い炭素鎖
４ 短い炭素鎖
５ 液晶
６ ネマチック液晶部
７ ネマチック液晶
８ 強誘電液晶部
９ 強誘電液晶
１０ ビニル基
１０’ 架橋結合
１７ 液晶配向膜
Claims (20)
- 【請求項１】直鎖状の炭素鎖を含む単分子膜で構成され
る液晶配向膜であって、前記直鎖状の炭素鎖の一端が−
Ｓｉ−Ｏ−結合を介して電極上に直接または間接的に化
学吸着しているとともに、前記直鎖状の炭素鎖が特定の
方向に配向させられた状態で架橋されてなることを特徴
とする液晶配向膜。 - 【請求項２】直鎖状炭素鎖の一部に液晶分子または液晶
類似分子が結合されてなる請求項１記載の液晶配向膜。 - 【請求項３】直鎖状の長い炭素鎖と短い炭素鎖とが混在
してなる請求項１記載の液晶配向膜。 - 【請求項４】直鎖状の長い炭素鎖の炭素数が１０〜２５
であり、短い炭素鎖の炭素数が１〜５である請求項３項
記載の液晶配向膜。 - 【請求項５】直鎖状の長い炭素鎖及び／または短い炭素
鎖の少なくとも一端がトリクロロシラン基の残基である
請求項３または４記載の液晶配向膜。 - 【請求項６】直鎖状炭素鎖の一部に液晶化合物または液
晶類似分子が結合されなる請求項３記載の液晶配向膜。 - 【請求項７】液晶分子または液晶類似分子が、ネマティ
ック液晶、またはネマティック液晶とともに混合して用
いる液晶類似分子である請求項２または６項記載の液晶
配向膜。 - 【請求項８】液晶分子または液晶類似分子が、強誘電液
晶、または強誘電液晶とともに混合して用いる液晶類似
分子である請求項２または６項記載の液晶配向膜。 - 【請求項９】強誘電液晶としてアゾメチン系またはアゾ
キシ系またはエステル系を用いた請求項８項記載の液晶
配向膜。 - 【請求項１０】電極の形成された所定の基板表面に直接
または間接的に非水系の有機溶媒中の重合性基を含む分
子内ダイポールを有するシラン系界面活性剤、またはこ
れと混合された複数種の重合性基を含むシラン系界面活
性剤を同時に化学吸着させ、前記基板表面に直接前記活
性剤のケイ素基と前記基板表面とを直接または間接的に
化学結合させて単分子膜を形成する工程、および磁界ま
たは電界中で前記吸着形成されたシラン界面活性剤を配
向させた状態でエネルギービームを照射して前記重合性
基を反応させ架橋して前記吸着されたシラン系界面活性
剤を配向固定する工程を含むことを特徴とする液晶配向
膜の製造方法。 - 【請求項１１】複数種のシラン系界面活性剤として、重
合性基を含む直鎖状の長い炭素鎖を持つシラン系界面活
性剤と重合性基を含む短い炭素鎖を持つシラン系界面活
性剤を用いる請求項１０記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項１２】直鎖状の長い炭素鎖と短い炭素鎖のシラ
ン系界面活性剤の混合比が１：０〜１：１０である請求
項１０記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項１３】直鎖状の長い炭素鎖の一端がトリクロロ
シラン基のシラン系界面活性剤であり、短い炭素鎖の一
端がトリクロロシラン基のシラン系界面活性剤を用いる
請求項１１記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項１４】重合性基を含む直鎖状の長い炭素鎖を有
するシラン系界面活性剤として、次式（化１）で表され
る化学物質を用いる請求項１１記載の液晶配向膜の製造
方法。 【化１】 ただし、ｍ，ｎは整数で、ｍ＋ｎは１０〜２５、Ｘは二
重結合基または三重結合基を含む重合性基、Ｒ１ はＨ
、アルキル基、フッ化アルキル基、ビニル基、アシル基
、シリルアルキル基、トリメチルシリル基、アリール（
ａｒｙｌ）基、シクロアルキル基、またはこれらの誘導
体から選ばれる置換基を示す。 - 【請求項１５】（化１）で示されるシラン系界面活性剤
のＸが次式（化２）で表される骨格を含む化学物質を用
いる請求項１４記載の液晶配向膜の製造方法。 【化２】 - 【請求項１６】エネルギービームとして電子線、ガンマ
線、アルファ線または紫外線を用いる請求項１０記載の
液晶配向膜製造方法。 - 【請求項１７】非水系溶媒としてｎ−パラフィンを含む
溶媒を用いる請求項１０記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項１８】ｎ−パラフィンがｎ−セタンである請求
項１７記載の液晶配向膜の製造方法。 - 【請求項１９】直鎖状の炭素鎖の一端が−Ｓｉ−Ｏ−結
合を介して電極上に直接または間接的に化学吸着してい
るとともに、前記直鎖状の炭素鎖が特定の方向に配向さ
せられた状態で架橋されてなる直鎖状の炭素鎖を含む単
分子膜で構成された液晶配向膜が、２つの対向する電極
の少なくとも一方の電極上に形成されており、液晶が前
記２つの対向する電極間に存在されていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２０】あらかじめマトリックス状に載置された
第１の電極群を有する第１の基板上に非水系の有機溶媒
中で直鎖状の炭素鎖と重合性基を持つシラン系界面活性
剤が電極上に直接または任意の薄膜を介して間接的に化
学吸着形成する工程と、磁界または電界中で前記吸着形
成されたシラン界面活性剤を配向させた状態でエネルギ
ービームを照射して前記重合性基を反応させ架橋して前
記吸着されたシラン系界面活性剤を配向固定する工程と
、前記第１の電極群と対向するように載置した第２の電
極群を有する第２の基板を、それぞれ対向するように位
置合わせして接着固定する工程と、前記第１と第２の基
板に所定の液晶組成物を注入する工程を含むことを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231755A JP2698717B2 (ja) | 1990-09-17 | 1991-09-11 | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-248183 | 1990-09-17 | ||
| JP24818390 | 1990-09-17 | ||
| JP3231755A JP2698717B2 (ja) | 1990-09-17 | 1991-09-11 | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356020A true JPH04356020A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2698717B2 JP2698717B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=26530072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231755A Expired - Fee Related JP2698717B2 (ja) | 1990-09-17 | 1991-09-11 | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2698717B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543949A (en) * | 1993-08-18 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD polymer orienting film with a dipole moment greater than 20 debye and is bound to the substrate surface through a surface treating agent |
| WO1998001789A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film d'alignement de cristal liquide, procede de fabrication du film, afficheur a cristaux liquides utilisant ce film et principes utilises, et procede de fabrication de l'afficheur a cristaux liquide |
| WO1998054617A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Couche a alignement de cristaux liquides et son procede de fabrication; afficheur a cristaux liquides comportant ladite couche et son procede de fabrication |
| WO1999017153A1 (fr) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film a alignement de cristaux liquides et son procede de production, et afficheur a cristaux liquides utilisant ledit film et son procede de fabrication |
| US6013331A (en) * | 1996-08-26 | 2000-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically absorbed film, method of manufacturing the same, and chemical absorption solution used for the same |
| US6495221B1 (en) | 1997-07-31 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemisorptive substance, aligned liquid-crystal film and liquid-crystal display element both made by using the same, and processes for producing these |
| US6517401B1 (en) | 1997-11-18 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for the production of monomolecular chemisorption film, and processes for the production of liquid crystal alignment films and liquid crystal displays by using the chemisorption film |
| KR100391185B1 (ko) * | 1995-01-20 | 2003-11-01 | 더 거번먼트 오브 디 유나이티드 스테이츠, 리프리젠티드 바이더 세크러터리 오브 더 네이비 | 액정조성물,이와접촉하고있는기판,당해기판을포함하는제품및당해기판의제조방법 |
| JP2005521101A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | エクシベオ アクチボラゲット | 液晶デバイス、液晶デバイスを製造する方法、液晶デバイスを制御する方法 |
| WO2007060901A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
| JP2007171942A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
| JP2009139455A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Sony Corp | 垂直配向膜及びその製造方法、垂直配向基板及びその製造方法、並びに液晶表示素子 |
| WO2011125984A1 (ja) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
| JP2021034641A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1525335A (en) * | 1976-02-03 | 1978-09-20 | Bannikov V | Method of forming homogeneously oriented film of nematic liquid crystal |
| JPS63129323A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0247628A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Sanyo Chem Ind Ltd | 液晶の加工法 |
| JPH0274924A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Sanyo Chem Ind Ltd | 液晶の加工法 |
| JPH0289826A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-29 | Mitsubishi Motors Corp | ディスクブレーキ装置 |
| EP0386782A2 (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Alignment film for liquid crystal and method for production thereof, as well as liquid crystal display device utilizing said alignment film and method for production thereof |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3231755A patent/JP2698717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1525335A (en) * | 1976-02-03 | 1978-09-20 | Bannikov V | Method of forming homogeneously oriented film of nematic liquid crystal |
| JPS63129323A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-01 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH0247628A (ja) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Sanyo Chem Ind Ltd | 液晶の加工法 |
| JPH0274924A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Sanyo Chem Ind Ltd | 液晶の加工法 |
| JPH0289826A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-29 | Mitsubishi Motors Corp | ディスクブレーキ装置 |
| EP0386782A2 (en) * | 1989-03-09 | 1990-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Alignment film for liquid crystal and method for production thereof, as well as liquid crystal display device utilizing said alignment film and method for production thereof |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543949A (en) * | 1993-08-18 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD polymer orienting film with a dipole moment greater than 20 debye and is bound to the substrate surface through a surface treating agent |
| KR100391185B1 (ko) * | 1995-01-20 | 2003-11-01 | 더 거번먼트 오브 디 유나이티드 스테이츠, 리프리젠티드 바이더 세크러터리 오브 더 네이비 | 액정조성물,이와접촉하고있는기판,당해기판을포함하는제품및당해기판의제조방법 |
| WO1998001789A1 (fr) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film d'alignement de cristal liquide, procede de fabrication du film, afficheur a cristaux liquides utilisant ce film et principes utilises, et procede de fabrication de l'afficheur a cristaux liquide |
| US6368681B1 (en) | 1996-07-10 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal alignment film, method of manufacturing the film, liquid crystal display using the film and method, and method of manufacturing the liquid crystal display |
| US6013331A (en) * | 1996-08-26 | 2000-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically absorbed film, method of manufacturing the same, and chemical absorption solution used for the same |
| WO1998054617A1 (fr) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Couche a alignement de cristaux liquides et son procede de fabrication; afficheur a cristaux liquides comportant ladite couche et son procede de fabrication |
| US6495221B1 (en) | 1997-07-31 | 2002-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemisorptive substance, aligned liquid-crystal film and liquid-crystal display element both made by using the same, and processes for producing these |
| WO1999017153A1 (fr) * | 1997-10-01 | 1999-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film a alignement de cristaux liquides et son procede de production, et afficheur a cristaux liquides utilisant ledit film et son procede de fabrication |
| US6517401B1 (en) | 1997-11-18 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for the production of monomolecular chemisorption film, and processes for the production of liquid crystal alignment films and liquid crystal displays by using the chemisorption film |
| JP2005521101A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | エクシベオ アクチボラゲット | 液晶デバイス、液晶デバイスを製造する方法、液晶デバイスを制御する方法 |
| JP2005521102A (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-14 | エクシベオ アクチボラゲット | 液晶デバイス、液晶デバイスを製造する方法、及び液晶デバイスを制御する方法 |
| WO2007060901A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
| JP2007171942A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
| US8247250B2 (en) | 2005-11-24 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing liquid crystal display device |
| TWI427356B (zh) * | 2005-11-24 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 用以製造液晶顯示裝置之方法 |
| JP2009139455A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Sony Corp | 垂直配向膜及びその製造方法、垂直配向基板及びその製造方法、並びに液晶表示素子 |
| WO2011125984A1 (ja) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
| JP5761180B2 (ja) * | 2010-04-06 | 2015-08-12 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子 |
| JP2021034641A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2698717B2 (ja) | 1998-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0476543B1 (en) | Liquid crystal alignment film and method of manufacturing the same | |
| EP0635747B1 (en) | Alignment film for liquid crystal and method for production thereof | |
| JP3102970B2 (ja) | 情報表示装置およびその製造方法 | |
| US7307683B2 (en) | Liquid crystal display element, optically anisotropic film, and production methods of the same | |
| US5256456A (en) | Liquid crystal alignment film and method of manufacturing the same | |
| US20030231272A1 (en) | Liquid crystal display device and method of producing the same | |
| JP2698717B2 (ja) | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法 | |
| WO2012050179A1 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US8497001B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display | |
| WO2010095423A1 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JP2558903B2 (ja) | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 | |
| JP2002287151A (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| KR100343224B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| JP2001108995A (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JP3105379B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| JP2950824B2 (ja) | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP3205503B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3400358B2 (ja) | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置とその製造方法 | |
| JPH07114029A (ja) | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置 | |
| JP3083477B2 (ja) | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 | |
| JP3301960B2 (ja) | 液晶配向膜、液晶配向膜の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3028389B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3161645B2 (ja) | 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置 | |
| JP3215255B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP3497119B2 (ja) | 有機薄膜とその製造方法、液晶配向膜とその製造方法、並びに液晶表示装置とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |