TWI427356B - 用以製造液晶顯示裝置之方法 - Google Patents

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Takeshi Nishi
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Description

用以製造液晶顯示裝置之方法
本發明一般有關於一種液晶顯示裝置，與用於製造此液晶顯示裝置之方法。本發明有關於例如一種電子－光學裝置、典型地為一液晶顯示面板，其所具有電路包括薄膜電晶體(以下稱為TFT)，以及配備具有此種電子－光學裝置作為組件之電子裝置。
進年來，此用於形成薄膜電晶體(TFT)之技術吸引注意力，此薄膜電晶體使用半導體薄膜(具有大約數個至數百nm之厚度)，而形成於具有絕緣表面之一基板上。此薄膜電晶體廣泛地應用至電子至裝置、例如電子－光學裝置或積體電路(IC)，且已經快速發展尤其作為液晶顯示裝置之切換元件。
在使用於筆記型個人電腦或蜂巢電話之液晶顯示裝置中，大量數目之像素藉由將液晶材料夾在一對光線透射基板之間而形成；此對基板之至少一個設有一透明電極，且各像素設有選擇一電極之一切換元件。此液晶顯示裝置藉由選擇切換元件而實施顯示，藉由所施加電壓而實施此等液晶分子之光學切換，以及將各像素導通與切斷。
在一液晶顯示裝置中，須要將此等液晶分子均勻地對準，以便改善顯示器特徵。此提供給均勻對準液晶分子之對準薄膜之液晶對準處理包括：稱為磨擦之對準處理，與藉由光線照射之對準處理。
此藉由磨擦之對準處理為一種方法，用於在一基板上形成對準薄膜，且然後以尼龍或人造絲等磨擦此對準薄膜之表面，且此方法廣泛地使用於製造此等液晶顯示裝置。然而，磨擦為一種以布直接磨擦對準薄膜之方法，其所具有問題為：藉由磨擦此對準薄膜所產生之靜電、與所產生之灰塵。此所產生之靜電會造成在一基板上所形成切換元件之損壞。
在此藉由光線照射之對準處理中，須要使用特殊材料形成對準薄膜，且使得此照射光線傾斜地入射於此對準薄膜之表面上，以便形成預傾角度。因此，難以對於基板表面均勻照射光線能量，且此預傾角度會變得不均可。
在一TN模式液晶顯示器中，在形成對準薄膜之後，須要此使用光線照射或布之磨擦處理。因此，垂直對準(VA)模式液晶顯示器已吸引注意力、其使用rib結構或對準分割技術而實施液晶對準。
此垂直對準(VA)模式之例為：圖案垂直對準(PVA)模式，以及多領域垂直對準(MVA)模式等。
此外，參考文件1揭示，此液晶藉由此使用一自行組裝單層作為對準薄膜之技術而垂直對準，此自行組裝單層藉由將一矽烷混合物置於溶劑中所形成之溶液塗佈於一透明導電層上、且將其烘焙以去除此溶劑而獲得。(參考文件1：日本公開專利申請案號2002－23169)。
本發明之目的為將此等液晶分子均勻對準，而無須此形成對準薄膜之步驟。
根據本發明，將一種用於形成自行組裝單層之材料散佈於液晶材料中，以及藉由液晶注入法或液晶滴入法，將此混合物置入於一對基板之間。這使得此等液晶分子可以均勻對準，而無須形成對準薄膜與對準處理之步驟。換句話說，此對準薄膜之形成、以及液晶之裝填與密封，在本發明中是在一液晶之裝填與密封之步驟中同時實施，而並非依序地實施一形成對準薄膜步驟、與一液晶裝填與密封之步驟。
在注入或滴入後，此與液晶材料一起注入或滴入之矽烷耦合劑(一種用於形成自行組裝單層之材料)吸收至一基板介面(或一形成於基板上電極之表面)，因而形成一自行組裝單層。此自行組裝單層作用為對準薄膜，其使得此等液晶分子之長軸可以大致垂直於基板，且此等液晶分子均勻對準。
應注意，本發明並不使用一種流動對準方法。此流動對準方法為一種方法，其用於藉由液晶注入法將此等液晶分子導入於一單元中所造成之流動，而將此等液晶分子自動對準於某個方向中。
此外，此使用於本發明中之液晶材料並不包含高分子材料(例如，可光聚合之單體物，光啟始劑，或用於對準控制之液晶單體物)，且本發明提供一種液晶顯示裝置，其並不使用所謂聚合物散佈液晶(PDLC)。一偏光板並不使用於此使用聚合物散佈液晶(PDLC)之情形中，而使用於本發明中之偏光板並未將高分子材料包括於液晶材料中。本發明提供一種液晶顯示面板，其中此液晶材料是夾在兩個偏光板之間，以致於其偏光軸彼此垂直，且此液晶在施加電壓前之最初狀態中為不透光。
本發明提供一種用於製造液晶顯示裝置之方法，以有效率地使用大面積基板，而其所具有尺寸為例如：320mm x 400mm，370mm x 470mm，550mm x 650mm，600mm x 720mm，680mm x 880mm，1000mm x 1200mm，1100mm x 1250mm，1150mm x 1300mm。本發明更提供一種用於製造晶顯示裝置之方法，其適用於使用大面積基板而大量生產，此基板所具有尺寸為：1500mm x 1800mm，1800mm x 2000mm，2000mm x 2100mm，2200mm x 2600mm，2600mm x 3100mm等。
將此液晶密封須要複雜過程，例如：塗佈密封劑，裝附相對基板、分割、注入液晶、以及將此用於注入液晶之入口密封。尤其，當面板尺寸增加時，則會變得難以使用毛細現象將液晶注入於由此密封劑所圍繞之區域(包括至少一個像素部份)。
在此說明書所揭示本發明之一觀點中，揭示一種用於製造液晶顯示裝置之方法。此裝置包括：第一基板；第二基板；以及設置在此一對第一基板與第二基板間之液晶。此方法包括以下步驟：在此第一基板上形成一像素電極；在此第二基板上形成相對電極；在此第二基板上塗佈且暫時固定一密封劑；將此包括液晶材料與矽烷耦合劑之混合物滴入、在此第二基板上由此密封劑所圍繞之區域中；在降低之壓力下，將此第一基板與第二基板彼此裝附；以及將此密封劑固定。
關於液晶滴入，可以使用一種配置器裝置或噴墨裝置。重要的是，以高準確度與穩定數量將液晶滴入於封閉之密封劑圖案中。請注意，此噴墨法是藉由將數滴各微小數量之液晶朝像素電極噴射(或滴入)而實施。藉由使用噴墨法，此液晶之數量可以藉釋出次數、釋出點之數目而自由調整。
此外，滴入(或噴入)液晶較佳是在一惰性氛圍中實施，以防止雜質混入。當滴入(或噴入)液晶時，將基板加熱以去除液晶之空氣，且減少液晶之黏滯性。此外，如果須要的話，可以藉由在滴入液晶後將其旋轉而使得其厚度均勻。還有，此裝附操作較佳是在降低之壓力下實施，以致於在裝附期間不會混入空氣泡。
此外，液晶滴入法可以去除材料損失，因為僅將所須要數量液晶滴入所須部份中。由於此密封劑圖案是一封閉回路，並不須要此用於注入液晶入口之密封劑圖案與路徑。因此，可以去除在液晶注入時所造成之缺陷(例如，對準缺陷)。
如果此面板尺寸為中等或為小，則可以使用此運用毛細現象之液晶注入法。在本發明之另一觀點中，揭示一種
用於製造液晶顯示裝置之方法。此裝置包括：第一基板；第二基板；以及設置在此一對第一基板與第二基板間之液晶。此方法包括以下步驟：在此第一基板上形成一像素電極；在此第二基板上形成相對電極；在此第二基板上塗佈且暫時固定一密封劑；將此第一基板與第二基板彼此裝附；將此密封劑固定；以及將此包括液晶材料與矽烷耦合劑之混合物滴入：由此密封劑所圍繞之區域中。
在各以上此等觀點中，較佳實施重新對準處理。即，加熱用於將液晶材料之液晶分子對準，以致於其長軸垂直於基板。尤其，在將一對基板彼此裝附後注入液晶之情形中，在注入時液晶之流動可以保持流動對準。因此，較佳藉由實施加熱(例如，在80℃至200℃持續10分鐘，較佳在100℃至170℃持續10分鐘)以實施重新對準處理。在此重新對準處理時，可以藉由促進此混合物之自行組裝反應，而亦形成一有利之單層(稱為自行組裝單層或SAM)。
在各以上此等觀點中，此混合物之此等特徵之一為包括0.001wt%至(包含)10wt%之矽烷耦合劑。此外，此混合物之另一特徵為，其可以藉由將矽烷耦合劑攪拌進入液晶材料中而獲得。由於只要將矽烷耦合劑散佈於液晶材料中即可以接受，此散佈之時間可以在將液晶去除空氣之前或之後。應注意較佳實施攪拌同時加熱，以便將矽烷耦合劑散佈於液晶材料中。
應注意，在此液晶材料包含大量之矽烷耦合劑之情形中，例如0.1 wt%之矽烷耦合劑或更多，則此未改變成為自行組裝單層之剩餘矽烷耦合劑，即此未反應之矽烷耦合劑以與液晶混合之狀態存在於一對基板之間。當液晶材料所包含矽烷耦合劑超過10wt%時，此電壓維持比例與NI點降低，而這是不利的。
在本說明書中，此矽烷耦合劑為一種以矽為主之混合物，其包括：一個可與(被化學地吸收至)基板接合之部位(例如：一烷氧基族，其水解且提供矽烷醇族(例如：以三烷氧基矽烷為主之化合物)或鹵素原子(例如：以三鹵矽烷為主之混合物)；以及具有相對於此等液晶分子垂直對準之部位(例如：一具有10至22個碳原子之烷基族、氟烷基族等)。作為此矽烷耦合劑之特殊例子可以為：十八烷基三甲氧基矽烷(亦稱為ODS)，十八烷基三氯矽烷(亦稱為OTS)，N,N－三甲基N－十八烷基－3－氨基丙基三甲氧基甲矽烷基氯化物(亦稱為DMOAP)。然而，此矽烷耦合劑並不受限於此。
此外，此矽烷耦合劑經由例如水解與凝結之反應，而形成自行組裝單層。因此，可以將溶劑例如水、乙醇、或甲酮加至液晶，以便促進水解；然而，此矽烷耦合劑與大氣濕氣等可以足夠水解。此外，由於在液晶綜合步驟或在液晶顯示裝置之正常步驟中暫時曝露於大氣，此液晶材料可以與水、乙醇、或甲酮混合。此種內容具有足夠數量以完成此等例如水解與凝結之反應；因此，並無須刻意添加溶劑。在此刻意添加水、乙醇、或甲酮等之情形中，其內容數量較佳小於等於1wt%，因為過度添加會造成不利影響，例如電壓保持比例特徵之降低。
由於上述此包括以三氯矽烷為主之化合物之矽烷耦合劑具有高的水解能力，較佳可以使用沒有羥基族或碳醯族之溶劑。
在使用包括三烷氧基矽烷為主之混合物之矽烷耦合劑之情形中，可以添加羧酸作為摧化劑，以進一步促進水解反應。
本發明之液晶顯示裝置使用一種驅動方法，其中，此具有負介電非均向性之垂直對準(VA)模式液晶在無－電壓狀態中垂直對準，且在具有施加電壓之狀態中水平對準。由於此液晶在無－電壓狀態中在垂直方向中對準，此液晶顯示裝置所具有之優點為：高品質黑色顯示、高對比、寬視角、以及高速響應。
由於本發明並無須磨擦處理與光學對準處理，即使在一使得大面積基板之大螢幕液晶顯示裝置中，可以均勻地對準此等液晶分子。
以下說明本發明之此等實施模式。
(實施模式1)
在此處說明一範例，以實施密封劑塗佈且將液晶滴在相對基板面上。以下說明面板製造流程。
首先，如同於第1A－1與1A－2圖中所示，事先備製：一第二基板120作為相對基板，以及設有TFT(未圖示)之第一基板110。此第一基板110與第二基板120並未特別受到限制，只要其為具有光線透射性質之基板。關於此具有光線透射性質之基板，可以使用玻璃、例如石英玻璃或鋇硼酸玻璃，或材料、例如透明壓克力樹脂或聚碳酸酯樹脂。
應注意，此TFT可以為：使用多晶矽作為主動層之任何TFT(亦稱為多晶矽TFT)，使用非晶矽作為主動層之TFT(亦稱為非晶矽TFT)，以及使用有機半導體材料作為主動層之TFT(亦稱為有機TFT)。
其次，在第二基板120上形成由透明導電薄膜所製成之相對電極122。在第一基板110上形成由透明導電薄膜所製成之像素電極111。此外，在第一基板110上形成由絕緣體所製成之柱狀間隔件115，以維持在此等基板間之距離(第1B－1圖與第1B－2圖)。
其次，在第二基板120上塗佈密封劑113。作為密封劑112，可以使用光固化樹脂或熱設定樹脂。作為密封劑112，使用包含填充物(具有直徑0.5 μ m至10 μ m)且具有40Pa．s至400Pa．s之密封劑。應注意，較佳選擇一種在稍後接觸之液晶中不會溶解之密封材料。此密封劑112形成一封閉回路且圍繞一顯示區域。在此點，將密封劑暫時烘焙(第1C－1與1C－2圖)。
然後，將液晶材料與矽烷耦合劑之混合物114從配置器118滴入至由密封劑112所圍繞之區域中(第1D－1與1D－2圖)。關於液晶，可以使用具有足夠用於滴入黏滯度之VA模式液晶材料。藉由使用配置器，在此由密封劑112所圍繞之區域中可以保持所須數量之混合物而不會浪費。以替代方式，可以使用噴墨法將混合物滴入。
在此之後，在減少之壓力下將液晶去除空器。以替代方式，可以在滴入液晶之前事先實施去除空氣。
其次，在減少之壓力下，將設有像素區域之第一基板110裝附於、設有相對電極122與對準薄膜之第二基板120，以致於空氣泡不會進入(第1E圖)。
然後，實施熱處理。藉由實施此熱處理，此包含於此混合物中之矽烷耦合劑會形成一自行組裝單層。此自行組裝單層作為對準薄膜將液晶垂直對準。
在此之後，藉由實施紫外線照射或熱處理將此密封劑112固化(第1F圖)。應注意，可以在實施熱處理之同時實施紫外線照射。
經由以上步驟，將液晶設置在一對基板之間。在此實施模式中，在大氣壓力下滴入液晶後，在減少之壓力下實施裝附步驟。此外，在減少之壓力下，亦可以實施密封劑之塗佈。
在由一個基板製造複數個面板之情形中，在將此對基板彼此裝附之後，使用切割裝置例如：劃線裝置、切斷裝置、或轉動切割器，切割此第一基板或此等兩個基板。
在第2A與2B圖中顯示，此經由以上步驟所獲得液晶面板之橫截面之例。
第2A圖顯示一種結構，其中，此液晶層303設置在由第一基板300、第二基板305、以及密封劑302所圍繞之區域中。像素電極301是由在第一基板上所形成之透明導電層，例如：銦錫氧化物(ITO)層、銦鋅氧化物(In2 O3 －ZnO)層、或鋅氧化物(ZnO)層所製成；以及相對電極304是由在第二基板上所形成之透明導電層，例如：銦錫氧化物(ITO)層、銦鋅氧化物(In2 O3 －ZnO)層、或鋅氧化物(ZnO)層所製成。
應注意，此等單層形成於此靠近此液晶層303與像素電極301以及相對電極304接觸之部份。第2B圖顯示，在像素電極附近之放大模型圖式。由於此單層之存在，此液晶層303之此等液晶分子306之長軸垂直對準與基板表面。如同於第2B圖中所示，形成實質上單層之液晶分子，其中，各分子之一端接合至像素電極，且其另一端運作，以造成此等液晶分子之對準。
此外，實施以下實驗。
(實驗1)
第3A至3D圖顯示用於一評估液晶元件之製造過程。首先，使用噴嘴501將球形間隔件(具有直徑1.9 μ m之珠間隔件)噴灑在：設有透明電極(ITO)之第一基板500上，如同於第3A圖中所示。其次，將其中散佈10wt %之十八烷基三甲氧基矽烷(以下稱為ODS)之VA模式液晶(MLC 2038)之混合物504，從噴嘴503滴在設有透明電極(ITO)之第二基板502之表面上，如同於第3B圖中所示。然後，將此第一基板與第二基板彼此裝附，如同於第3C圖中所示。在此時，在此對基板間之間隙以此球形間隔件維持。此如同以上說明所製造且於第3D圖中所示之液晶元件507是一種評估元件。此如同上述所製造之評估液晶元件之結構類似於在第2A與2B圖中顯示者。
應注意，在將ODS混合進入液晶後，將此混合物加熱至一NI點(即，均質相)或更大，同時攪拌將ODS在液晶中擴散。雖然，在此實驗中將此混合物加熱至NI點(即，均質相)或更大，並無須實施攪拌同時加熱，且在室溫可以僅實施攪拌。
此如同以上說明之評估液晶元件是由：第4圖中所示之測量系統所估計而製成。此評估液晶元件403夾在第一偏光板402a與第二偏光板402b之間；使用來自背光400之光線401；以及由亮度計406測量所透射光線405。應注意，此第一偏光板402a與第二偏光板402b是在交叉nicol狀態中，其中偏光軸彼此垂直如同由404所示。因此，在施加0V時，由此亮度計406使用在交叉nicol狀態中之第一偏光板402a與第二偏光板402b，以測量此評估液晶元件所透射光線之亮度。由於此測量，此透射光線亮度大約為0.6cd/m2 ，且顯示有利之垂直對準，而沒有滴下之記號、流動不均等。
(實施模式2)
在此處說明一例，而在第一基板之面上實施密封劑塗佈，以及在將一對基板彼此裝附後注入液晶。以下說明面板製造流程。
首先，事先備製此作為相對基板之第二基板220，與設有TFT(未圖示)之第一基板210，如同於第5A－1圖中所示。應注意，此由透明導電薄膜所製之相對電極222是形成於第二基板220上，以及此由透明導電薄膜所製之像素電極211是事先形成於第一基板210上。
其次，將球形間隔件215噴灑在第二基板220上，且將密封劑212塗佈在第一基板210上，如同於第5B－1圖與第5B－2圖中所示。雖然，配置此密封劑212以圍繞此顯示區，此密封劑212並未配置在稍後作為用於注入液晶之入口(在此未圖示)之部份中。在此點，將密封劑暫時烘焙。
在此之後，將此第一基板210與第二基板220彼此裝附，如同於第5C圖中所示。
然後，藉由實施紫外線照射或熱處理將此密封劑112固化(第5D圖)。
其次，使用切割裝置例如：劃線裝置、切斷裝置、或轉動切割器，分割此等基板，以致於此用於注入液晶之入口是位於此等基板之一端面或一角落。
然後，將此兩個基板之一部份(包括角落部份)、典型地為一端(在以下簡稱為一端或一邊緣)浸入於：一種包括液晶材料與矽烷耦合劑之混合物的液體中，且液晶材料與矽烷耦合劑之混合物214藉由毛細現象相對於此間隙而注入。
以替代方式，此液晶元件可以下列方式製成：將此包括液晶材料與矽烷耦合劑之混合物的液體滴入於、此用於注入液晶之入口；以及將此將被塗佈之混合物注入於此間隙中。
應注意，此等對矽烷耦合劑之水解並無貢獻之濕氣等，會造成電壓保持特性降低。因此，此注入步驟較佳在一厭氧之氛圍中實施，以避免例如來自大氣之濕氣之雜質之過度進入等。此厭氧之氛圍長一種排除濕氣與氧之氛圍，例如為像是氮或氬之惰性氣體氛圍。此外，此氛圍可以為一種降低壓力之氛圍，以便去除濕氣與氧，以及然後可以改變成被供應惰性氣體之氛圍。
最後，以黏著劑將用於注入液晶之入口密封。
根據以上步驟，可以將此液晶材料與矽烷耦合劑之混合物214保持在一對基板之間，如同於第5E圖中所示。此外，實施以下所說明之實驗。
(實驗2)
一對各設有透明電極(ITO)之基板使用熱設定密封劑而彼此裝附。此外，將具有1.9 μ m直徑之珠間隔件散佈於此密封劑中，以維持在此等基板間之距離，而其使用作為評估元件。
在此之後，將其中散佈有0wt%至10wt%之DOS之液晶注入於一對基板之間，且在130℃加熱一小時，因此實施重新對準處理。在注入之後，此散佈在液晶中之ODS吸收至ITO或一基板之介面，且形成一自行組裝單層。此如同以上說明所製造之評估液晶元件之結構類似於第2A與2B圖中所示者。
此如同以上說明所製造之評估液晶元件、在類似於實驗1之情況下，由第4圖中所示之測量系統評估。第6圖中顯示其透射光線亮度特徵之結果。在一比較例中，其中只注入液晶而並未添加ODS，其顯示水平對準且透射光線亮度為538.6cd/m2 。同時，在本發明將ODS加入之情形中，則可以發現不論所添加ODS數量，所透射光線亮度大約為0.6cd/m2 ，且顯示有利之垂直對準。
在以上說明之實驗2中顯示有利之垂直對準，且即使具有0.1wt%添加數量之ODS，而可以証實其效應。
此外，實施以下實驗。
(實驗3)
使用熱設定密封劑，將一對各設有透明電極(ITO)之基板彼此裝附。將具有1.9 μ m直徑之珠間隔件散佈於此密封劑中以維持在基板之間隙，而其使用作為評估元件。在此之後，將其中散佈有10wt%之DOS之液晶(MLC 2038)注入於一對基板之間，且在130℃加熱一小時，因此實施重新對準處理。
在此實驗中，此混合物藉由在當加入10wt% ODS時、將水加入液晶材料，且將其攪拌而獲得。藉由設定所添加水之數量為0、0.1 wt%、1 wt%、2 wt%以及10 wt%而設定此等條件，且在各種情形中測量電壓維持比例與透射光線強度。應注意，在MLC2038之情形中，此添加水之數量為0之混合物包含從0.0001 wt%至0.001 wt%微量之水，且造成反應以形成一自行組裝單層。
在表1中顯示此實驗之測量結果。
第12圖顯示測量結果之圖式。
經發現當所加入濕氣大於1wt%時，在第12圖中所示之電壓維持比例降低。
從此實驗可以得知當添加水時，其數量較佳小於或等於1wt%。應注意，雖然在此實驗中使用水，但本發明並不受限於此。可以添加溶劑例如乙醇或甲酮，以促進矽烷耦合劑之水解。在此情形中，此具有濕氣成份小於1ppm之液晶材料可以被純化，且可以在厭氧氛圍中實施液晶注入與液晶滴入，但即使混入矽烷耦合劑而不會形成自行組裝單層。因此，在使用此具有濕氣成份小於1ppm之液晶材料之情形中，較佳刻意地添加溶劑例如0.0001 wt%至1 wt%數量之濕氣，以促進對於液晶材料之水解。
在以下說明在此等實施例中特別解釋之具有以上結構之本發明。
此等實施例參考第7圖，以說明用於主動矩陣式液晶顯示裝置之製造過程。
首先，使用具有光線透射性質之基板600，以製造主動矩陣式基板。較佳藉由使用具有以下尺寸之大面積基板，以降低製造成本，例如：600mm x 720mm，680mm x 880mm，1000mm x 1200mm，1100mm x 1250mm，1150mm x 1300mm，1500mm x 1800mm，1800mm x 2000mm，2000mm x 2100mm，2200mm x 2600mm，2600mm x 3100mm。至於基板，可以使用下列材料所製成之基板：鋇硼酸玻璃、鋁硼酸玻璃、或者典型地由Coring,Inc.所製造之#7059玻璃、#1737玻璃等。作為基板之另一個例子，可以使用光線透射基板例如：石英基板或塑膠基板。
首先，藉由使用濺鍍法在具有絕緣表面之基板上整個地形成導電層。在此之後，藉由實施第一微影術步驟而形成阻障遮罩，且藉由蝕刻去除不須要部份，以形成一佈線與一電極(例如：閘極電極、儲存電容器線、以及端子)。應注意，如果須要可以在基板600上形成底部絕緣薄膜。
此佈線與電極使用由下列所選出之元素而形成：Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、包含此元素作為成份之合金、或包含此等元素作為成份之氮化物。此外，可以堆疊由下列所選出之兩個或更多元素：Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、包含此元素作為成份之合金、或包含此元素作為成份之氮化物。
當螢幕尺寸增加時，各佈線之長度增加，且造成線電阻增加之問題，其導致功率消耗增加。因此，為了減少佈線電阻與降低功率消耗，可以使用Cu、Al、Ag、Au、Cr、Fe、Ni、Pt、或其合金，作為以上佈線與電極之材料。以替代方式，此佈線與電極可以使用獨立散佈超細微粒子散佈液體藉由噴墨法而形成，其中，此等金屬例如Ag、Au、Cu、或Pd之超細微粒子(各具有5nm至10nm之顆粒尺寸)是以高濃度擴散，而不會聚集。
其次，藉由PCVD法整個地形成閘極絕緣薄膜。此閘極絕緣薄膜使用具有50nm至200nm、較佳為150nm總厚度之矽氮化物薄膜與矽氧化物薄膜之堆疊層而形成。應注意，此閘極絕緣薄膜並不受限於堆疊層，且可以使用絕緣薄膜例如：矽氧化物薄膜、矽氧化物薄膜、矽氮氫化合物、或鉭氧化物薄膜。
然後，藉由一種例如電漿CVD法或濺鍍法之方法、在具有厚度為50nm至200nm、較佳為100nm至150nm之閘極絕緣薄膜上整個地形成一第一非晶半導體薄膜。一非晶矽(a－Si)薄膜典型地具有100nm之厚度。應注意，由於在大面積基板上形成薄膜時，室之尺寸增加，因而須要長時間抽空此室，且須要大數量之薄膜形成氣體。因此，可以藉由在大氣壓力下使用線性電漿CVD裝置以形成非晶矽(a－Si)薄膜，而進一步達成降低成本。
在此之後，形成此包含給予一導電型式(n－型或p－型)之雜質元素之一，而厚度為20nm至80nm之第二非晶半導體薄膜。此包含給予一導電型式(n－型或p－型)之雜質元素之一第二非晶半導體薄膜，是藉由一種例如電漿CVD法或濺鍍法之方法整體地形成。在本實施例中，此包含給予n－型導電性之雜質元素之一第二非晶半導體薄膜是使用：此添加磷之矽靶而形成。
其次，藉由第二微影術步驟而形成阻障遮罩，且藉由蝕刻去除不須要部份，以形成第一島形非晶半導體薄膜、與第二島形非晶半導體薄膜。在此時，使用濕性蝕刻或乾性蝕刻作為蝕刻方法。
然後，藉由濺鍍法以形成此覆蓋第二島形非晶半導體薄膜之導電層。在此之後，藉由實施第三微影術步驟以形成阻障遮罩，且藉由蝕刻去除不須要部份，以形成一佈線與一電極(例如：源極線、汲極電極、儲存電容器電極)。以上之佈線與電極使用由下列所選出之元素而形成：Al、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Cu、Al、Ag、Au、Cr、Fe、Ni、以及Pt、或包含此元素作為成份之合金。以替代方式，此佈線與電極可以使用獨立散佈超細微粒子散佈液體藉由噴墨法而形成，其中，此等金屬例如Ag、Au、Cu、或Pd之超細微粒子(各具有5nm至10nm之顆粒尺寸)是以高濃度擴散，而不會聚集。藉由噴墨法以形成此佈線與電極，則此微影術步驟變得並不須要，且可以達成成本之進一步降低。
其次，藉由第四微影術步驟而形成阻障遮罩，且藉由蝕刻去除不須要部份，以形成源極線、汲極電極、電容器電極。在此時，使用濕性蝕刻或乾性蝕刻作為蝕刻方法。在此階段形成儲存電容器，其使用作為：此由與閘極絕緣薄膜相同材料所製成絕緣薄膜之介電質。然後，使用源極線與汲極電極作為遮罩，以自行對準方式，將第二非晶半導體薄膜之一部份去除，且將第一非晶半導體薄膜之一部份去除。此變薄區域作為TFT之通道形成區域。
在此之後，此由具有厚度150nm之矽氮化物薄膜製成之第一保護薄膜，以及此由具有厚度150nm之矽氮氫化合物薄膜製成第一層間絕緣薄膜，其藉由電漿CVD法整體地形成。應注意，當在大面積基板上形成薄膜時，由於室之尺寸增加，因而須要長處理時間以抽空此室且須要大數量之薄膜形成氣體。因此，可以藉由在大氣壓力下使用線性電漿CVD裝置、以形成此以矽氮化物薄膜所製之保護薄膜，而達成進一步降低成本。在此之後實施氫化，且製成通道－蝕刻TFT608。
雖然，在此實施例中所給定通道蝕刻型式作為TFT608結構之一例，然而，此TFT結構並不特別受限制，且可以為通道停止件TFT、頂部閘極TFT、以及交錯式TFT。此外，雖然，在本實施例中說明使用非晶矽薄膜作為TFT 608之半導體層作為例子，但並無特殊限制。可以使用：多晶矽薄膜、有機半導體薄膜(例如：聚合硫茂；聚合芴、聚(3－烷基硫茂)、聚合硫茂衍生物、或戊省)、或包含金屬氧化物(例如鋅氧化物(ZnO)，或鋅、鍺、以及銦之氧化物(In－Ga－Zn－O))作為其主要成份之半導體薄膜。由於在使用多晶矽薄膜以形成TFT之情形中可以獲得高場效應遷移率，亦可以在相同基板上形成驅動電路，作為像素部份之TFT。
其次，藉由實施第五微影術步驟而形成阻障遮罩，以及然後藉由乾式蝕刻步驟以形成：此抵達汲極電極與儲存電容器電極之此等接觸孔。在此同時，可以在端子部份中形成、用於此電性連接閘極線與端子部份之接觸孔(未圖示)，以及可以形成此電性連接閘極線與端子部份之金屬線(未圖示)。此外，在此同時，可以形成抵達源極線之接觸孔(未圖示)，以及可以形成用於從此源極線所導出之金屬線。在形成此等金屬線後可以形成ITO等之像素電極，或在形成ITO等之像素電極後，可以形成此等金屬線。
然後，由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(In2 O3 －ZnO)、鋅氧化物(ZnO)等以110nm之厚度，形成透明電極薄膜。在此之後，藉由實施第六微影術步驟與蝕刻步驟，而形成像素電極601。
如同以上說明，此主動式矩陣基板包括：在像素區中之源極線、反轉交錯TFT、以及儲存電容器609；且此端子部份可以藉由第六微影術步驟，在像素區中製成。
然後，形成此用於對準此等分子之凸條623。作為凸條623，可以使用有機樹脂(例如：丙烯醯基、聚亞醯胺、聚亞醯胺醯胺、或環氧樹脂)、或無機絕緣材料(例如：矽氧化物、矽氮化物、或矽氮氫化物)。
然後，備製相對基板610。此相對基板610設有濾色片(CF)620，其中，根據各像素配置著色層與光線阻障層。此外，提供平坦化薄膜以覆蓋濾色片與光線阻障層。然後，在此平坦化薄膜上與此像素電極重疊之位置中由透明導電薄膜形成相對電極621。然後，在相對基板上形成凸條622。
其次，在相對基板610上塗佈密封劑607。此密封劑607與填充物(未圖示)混合，以致於此兩個基板可以在隨後步驟中彼此裝附，而在其間具有均勻之間隙。當裝附於主動式矩陣基板時，塗佈此密封劑607以圍繞此像素區。
然後，將球形間隔件602噴灑在整個主動式矩陣基板上，以便維持基板間隙。若不使用球形間隔件，則此柱間隔件、其可以藉由選擇性地蝕刻有機樹脂薄膜例如丙烯酸樹脂薄膜而獲得、而可以形成於所想要的位置。
在此之後，實施下列步驟：在將一對基板彼此裝附後，實施液晶注入步驟；或在滴入液晶後，將一對基板彼此裝附之步驟。在此實施例中，在如同於實施模式1中所說明，在將此包含液晶材料與矽烷耦合劑之混合物滴下後，在降低之壓力下，將此對基板彼此裝附。因此，將此液晶材料與矽烷耦合劑之混合物624保持在一對基板之間。藉由使用一種將此包含液晶材料與矽烷耦合劑之混合物滴下之方法，可以減少在此製造過程中所使用混合物之數量。尤其是，當使用大面積基板時，可以達成大幅降低成本。當注入此混合物時，則靠近像素電極601與相對電極621形成自行組裝單層(未圖示)。藉由此等自行組裝單層以及凸條622與623，可將此等液晶分子垂直對準。
在將此對基板彼此裝附之後、將此包含液晶材料與矽烷耦合劑之混合物注入之情形中，在使用如同實施模式2中所說明真空注入法注入之後，將入口密封。應注意，由於在其注入時液晶流動而可以保持流動對準，因此，較佳藉由加熱以實施重新對準處理(例如：在100℃持續10分鐘)。
以此方式而完成此主動式液晶顯示面板。然後，如果須要將此主動式矩陣基板或相對基板分割成所想要之形狀。此外，使用已知技術適當提供光學薄膜例如：偏光板603a與603b。應注意，配置此設置在相對基板上之偏光板603a，以致於其偏光軸垂直於：此設置在主動式矩陣基板上之偏光板603b之偏光軸。然後，使用已知技術將FPC裝附。
此經由以上步驟所獲得之液晶模組設有：一使用冷陰極管等之背光604作為光源、一導光板605且以一蓋606覆蓋，因而完成此(透射式)主動矩陣式液晶顯示裝置，在第7圖中顯示其部份橫截面圖。請注意，此蓋與液晶模組使用黏著劑或有機樹脂固定。此外，由於此液晶顯示裝置為透射式，而將偏光板裝附於主動矩陣式基板與相對基板。
在第8A圖中顯示此液晶模組之頂視圖，以及在第8B圖中顯示另一液晶模組之頂視圖之例。
此TFT 608其主動層是由在此實施例中說明之非晶半導體薄膜(非晶矽薄膜)形成，而具有大約僅1cm2 /Vsec之低的場效應遷移率。因此，此用於實施影像顯示之驅動電路形成為IC晶片，且藉由帶自動接合(TAB)或玻璃上晶片(COG)方法安裝。
在第8A圖中，參考號碼801代表主動矩陣式基板。參考號碼806代表相對基板；參考號碼804代表像素部份；參考號碼807代表密封劑；以及參考號碼805代表FPC。請注意，在此實施例中，將液晶材料與矽烷耦合劑之混合物滴下，且在減少之壓力下，將此一對基板801與806彼此裝附。因此，密封劑807具有如第8A圖中所顯示之封閉形狀。
在此使用具有由多晶矽薄膜所製成主動層之TFT之情形中，可以製成驅動電路之一部份，且可以製成如第8B圖中所顯示之液晶模組。請注意，此驅動電路並無法使用此具有由多晶矽薄膜所製成主動層之TFT而形成，而安裝作為IC晶片(未圖示)。
在第8B圖中，參考號碼811代表主動矩陣式基板。參考號碼816代表相對基板；參考號碼812代表源極信號線驅動電路；參考號碼813代表閘極信號線驅動電路；參考號碼814代表像素部份；參考號碼817代表第一密封劑；以及參考號碼815代表FPC。請注意，將液晶材料與矽烷耦合劑之混合物滴下，且以第一密封劑817與第二密封劑818，將此一對基板811與816彼此裝附。由於液晶並無須用於：此包括源極信號線驅動電路812與閘極信號線驅動電路813之驅動電路部份，此液晶僅保持在像素部份814中，且設有第二密封劑818，用於加強整個面板。
可以將此實施例與實施模式1或實施模式2自由地組合。
「實施例2」
雖然實施例1說明：此使用具有冷陰極管等之背光作為光源、以及具有光導板之液晶顯示裝置之例，本實施例參考第9圖以說明：此使用具有發光二極體(LED)之背光作為光源之例。
第9圖為使用LED作為背光之液晶顯示裝置之透視圖。在第9圖中所示之液晶顯示裝置包括：一底盤901、一液晶層902、一背光903、以及一底盤904。此液晶層902連接至驅動IC 905。背光903使用數個LED，且經由端子906被供應電流。此外，可以使用無機或有機材料作為LED之發光材料。
應注意，可以使用一種發射白光之LED，或可以使用三種LED其各發射紅色、藍色、以及綠色光。當使用此發射紅色、藍色、以及綠色光之三種LED時，可以藉由此稱為場序列方法之技術而免除使用濾色片；此方法用於藉由將此三種LED以高速且交替閃爍、且根據此閃爍計時導通/切斷液晶快門，而實施全顏色顯示。
此使用LED作為液晶顯示裝置之背光，可以提供一種消耗較少功率之背光。此外，由於此LED為平面－發射式發光系統，且可以增加其面積，而可以增加背光面積，且亦可以增加液晶顯示裝置之面積。此外，由於此LED為薄且消耗較少功率，而亦可以減少此顯示裝置之厚度與功率消耗。
可以將此實施例與實施模式1或實施模式2自由地組合。
「實施例3」
本發明之液晶顯示裝置與電子裝置之例如下所示：攝影機，例如為視訊攝影機與數位攝影機；眼鏡式顯示器(頭部安裝顯示器)；導航系統；聲音再生裝置(汽車音響、音訊組件等)；電腦；遊樂器；行動資訊終端機(行動電腦、行動電話、行動遊樂器、以及電子書等)；設有記錄媒體之影像再生裝置(特定而言為一種裝置，其可以再製此記錄媒體例如數位多功能碟(DVD)，且其可以設有顯示器用於顯示影像)等。尤其是，本發明較佳使用於具有大尺寸螢幕之大尺寸電視。第10A至11圖顯示此等電子裝置之特殊例子。
第10A圖顯示具有22英吋至50英吋大螢幕之大尺寸顯示裝置，其包括：一底盤2001、一支持件2002、一顯示部份2003、以及一視訊輸入端子2005等。請注意此顯示裝置包括用於顯示資訊之所有裝置，例如用於個人電腦、TV廣播接收、以及交談式TV之顯示裝置。因此，即使當使用第五代或其後之具有大於1000mm之面之玻璃基板時，本發明可以實現相當價廉大尺寸顯示裝置。
第10B圖顯示筆記型個人電腦，其包括：一主體2201，一底盤2202、一顯示部份2203、一鍵盤2204、一外部連接埠2205、以及一指標滑鼠2206等。本發明可以實現相當價廉之筆記型個人電腦。
第10C圖顯示設有記錄媒體(特定而言，DVD再生裝置)之可攜式影像再生裝置，其包括：一主體2401，一底盤2402、一顯示部份A 2403、一顯示部份B 2404、一記錄媒體(DVD等)讀取部份2405、一操作鍵2406、以及一擴音器部份2407等。顯示部份A 2403主要顯示影像資訊，以及顯示部份B 2404主要顯示文字資訊。請注意，此設有記錄媒體之影像再生裝置包括：家庭使用之遊樂器等。本發明可以實現相當價廉之影像再生裝置。
第10D圖顯示一個電視，其僅一個顯示器可以無線方式攜帶。底盤2602包括一電池與一信號接收器，且此顯示部份2603與擴音器部份2607是由此電池驅動。此電池可以使用一電池充電器2600重覆充電。此電池充電器2600可以發出與接收視訊信號，此信號可以發出至此顯示器之信號接收器。底盤2602是由操作鍵2606控制。由於在第10D圖中所顯示裝置可以藉由操作此操作鍵2606，將信號從底盤2602傳輸至電池充電器2600，其亦可以稱為視訊與音訊對話式通訊裝置。此外，由於此裝置可以藉由操作此操作鍵2606，將信號從底盤2602傳輸至電池充電器2600，且可以導致此電子裝置接收由電池充電器2600所發出之信號，其亦可以稱為一般用途遙控裝置。本發明亦可經由價廉之製造過程，而提供相當大尺寸(22英吋至50英吋)之可攜式電視。
在此第11圖中所顯示之行動電話中，一主體(A)1901包括：一操作開關1904、一麥克風1905等，其藉由鉸鏈1910而連接至一主體(B)1902，其包括：一顯示面板(A)1908、一顯示面板(B)1909、以及一擴音器1906等，以致於可以開啟與關閉。顯示面板(A)1908、顯示面板(B)1909與電路板1907一起儲存於主體(B)1902之底盤1903中。設置顯示面板(A)1908與顯示面板(B)1909之像素部份，以致於其經由在底盤1903中所形成之開啟窗口而可見。
關於顯示面板(A)1908與顯示面板(B)1909，其規格例如為：根據行動電話1900之功能所可以適當設定之像素數目。例如，可以將顯示面板(A)1908與顯示面板(B)1909各組合為主螢幕與次－螢幕。
此根據此實施例之行動電話，可以取決於其功能或應用，以各種模式修正。例如，其可以藉由將成像元件包括於鉸鏈1910中而為配備攝影機之行動電話。即使當將操作開關1904、顯示面板(A)1908、以及顯示面板(B)1909儲存於以底盤中，而可以獲得上述效應。此外，當將此實施例之結構應用至：設有複數個顯示部份之資訊顯示終端機時，可以獲得類似效應。
如同以上說明，此藉由執行本發明所獲得液晶顯示裝置可以使用作為：各種電子裝置之顯示部份。請注意，此使用在實施模式1與2以及實施例1與2中任何結構所製成之液晶顯示裝置，可以使用於此實施例之電子裝置。
可以將此實施例與實施模式1與2以及實施例1與2自由地組合。
工業之應用
根據本發明，可以省略此對準薄膜塗佈步驟、此對準薄膜烘焙步驟，且可以減少處理時間與製造成本。
本申請案是根據在2005年11月24日在日本專利局所提出申請之日本專利申請案號2005－338087，其整個內容在此併入參考。
110．．．第一基板
111．．．像素電極
112．．．密封劑
114．．．液晶材料與矽烷耦合劑之混合物
115．．．柱狀間隔件
118．．．分配器
120．．．第二基板
122．．．相對電極
210．．．第一基板
211．．．像素電極
212．．．密封劑
214．．．液晶材料與矽烷耦合劑之混合物
215．．．球形間隔件
220．．．第二基板
222．．．相對電極
300．．．第一基板
301．．．像素電極
302．．．密封
303．．．液晶層
304．．．相對電極
305．．．第二基板
306．．．液晶分子
400．．．背光
401．．．光線
402a．．．第一偏光板
402b．．．第二偏光板
403．．．液晶元件
404．．．交叉Nicol狀態
405．．．光線
406．．．亮度計
500．．．第一基板
501．．．噴嘴
502．．．第二基板
503．．．滴嘴
504．．．混合物
507．．．液晶元件
600．．．基板
601．．．像素電極
602．．．間隔件
603a．．．第一偏光板
603b．．．第二偏光板
604．．．背光
605．．．導光板
606．．．蓋
607．．．密封劑
608．．．薄膜電晶體
609．．．儲存電容器
610．．．相對基板
620．．．濾色片
621．．．相對電極
622．．．凸條
623．．．凸條
624．．．液晶材料與矽烷耦合劑之混合物
801．．．基板
804．．．像素元件
806．．．相對基板
807．．．密封劑
811．．．基板
816．．．相對基板
817．．．第一密封劑
901．．．底盤
902．．．液晶層
903．．．背光
904．．．底盤
905．．．驅動IC
906．．．端子
1902．．．主體(B)
1903．．．底盤
1904．．．操作開關
2402．．．底盤
2403．．．顯示部份A
2406．．．操作鍵
第1A－1至1F圖為橫截面圖其顯示本發明製造過程；第2A與2B圖顯示液晶顯示裝置之橫截面結構；第3A至3D圖顯示評估液晶元件之製造程序；第4圖顯示一測量方法；第5A－1至5E圖為橫截面圖其顯示本發明製造過程；第6圖顯示所透射光線之亮度特徵；第7圖顯示主動矩陣式液晶顯示裝置之橫截面結構；第8A與8B圖各顯示液晶模組之頂視圖；第9圖顯示液晶模組之透視圖；第10A至10D圖顯示電子裝置之例；第11圖顯示電子裝置之例；以及第12圖顯示所添加水之數量與電壓保持比例間之關係。
114．．．液晶材料與矽烷耦合劑之混合物
118．．．分配器

Claims (17)

  1. 一種用於製造液晶顯示裝置之方法，該液晶顯示裝置包括第一基板、第二基板、以及設置在該第一基板與第二基板間之液晶，該方法包括以下步驟：在該第一基板上形成一像素電極；在該第二基板上形成一相對電極；在該第二基板上塗佈且暫時固定一密封劑；在該第二基板上由該密封劑圍繞之一區域中，滴下一包含一液晶材料與一矽烷耦合劑之混合物；將該第一基板與該第二基板彼此裝附；在100℃至170℃實施重新對準處理，以致於液晶分子的長軸變為垂直於該第一基板；以及固定該密封劑。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中將該第一基板與該第二基板彼此裝附的步驟在減少壓力之下實施。
  3. 如申請專利範圍第1項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該混合物包括0.001wt%至10wt%之該矽烷耦合劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該混合物藉由將該矽烷耦合劑攪動進入該液晶材料中而形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之用於製造液晶顯示裝置之 方法，其中該液晶材料包含0.0001wt%至1wt%之溶劑，其促進該矽烷耦合劑之水解。
  6. 如申請專利範圍第1項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該密封劑包含一球形間隔件。
  7. 一種用於製造液晶顯示裝置之方法，該液晶顯示裝置包括第一基板、第二基板、以及設置在該第一基板與第二基板間之液晶，該方法包括以下步驟：在該第一基板上形成一像素電極；在該像素電極上形成一柱形間隔件；在該第二基板上形成一相對電極；在該第二基板上塗佈且暫時固定一密封劑；在該第二基板上由該密封劑圍繞之一區域中，滴下一包含一液晶材料與一矽烷耦合劑之混合物；將該第一基板與第二基板彼此裝附；在100℃至170℃實施重新對準處理，以致於液晶分子的長軸變為垂直於該第一基板；以及固定該密封劑。
  8. 如申請專利範圍第7項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中將該第一基板與該第二基板彼此裝附的步驟在減少壓力之下實施。
  9. 如申請專利範圍第7項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中 該混合物包括0.001wt%至10wt%之該矽烷耦合劑。
  10. 如申請專利範圍第7項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該混合物藉由將該矽烷耦合劑攪動進入該液晶材料中而形成。
  11. 如申請專利範圍第7項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該液晶材料包含0.0001wt%至1wt%之溶劑，其促進該矽烷耦合劑之水解。
  12. 一種用於製造液晶顯示裝置之方法，該液晶顯示裝置包括第一基板、第二基板、以及設置在該第一基板與第二基板間之液晶，該方法包括以下步驟：在該第一基板上形成一像素電極與一第一凸條；在該第二基板上形成一相對電極與一第二凸條；在該第二基板上塗佈且暫時固定一密封劑；在該第二基板上由該密封劑圍繞之一區域中，滴下一包含一液晶材料與一矽烷耦合劑之一混合物；將該第一基板與第二基板彼此裝附；在100℃至170℃實施重新對準處理，以致於液晶分子的長軸變為垂直於該第一基板；以及固定該密封劑。
  13. 如申請專利範圍第12項之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中將該第一基板與該第二基板彼此裝附的步驟在減少壓力之下實施。
  14. 如申請專利範圍第12項之之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該混合物包括0.001wt%至10wt%之該矽烷耦合劑。
  15. 如申請專利範圍第12項之之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該混合物藉由將該矽烷耦合劑攪動進入該液晶材料中而形成。
  16. 如申請專利範圍第12項之之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該液晶材料包含0.0001wt%至1wt%之溶劑，其促進該矽烷耦合劑之水解。
  17. 如申請專利範圍第12項之之用於製造液晶顯示裝置之方法，其中該第一與第二凸條為一有機樹脂或一無機絕緣材料。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7223299B2 (en) * 2003-09-02 2007-05-29 Atotech Deutschland Gmbh Composition and process for improving the adhesion of a siccative organic coating compositions to metal substrates
WO2007032292A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of liquid crystal display device
US20100182530A1 (en) * 2007-09-28 2010-07-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display cell
JP5503235B2 (ja) * 2009-09-18 2014-05-28 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示素子およびその製造方法
KR20110048960A (ko) * 2009-11-04 2011-05-12 삼성전자주식회사 액정층 형성 방법, 이를 이용한 액정표시패널의 제조 방법 및 이에 사용되는 액정
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
WO2013094957A1 (ko) * 2011-12-19 2013-06-27 성균관대학교 산학협력단 액정 배향 방법, 액정 소자, 액정 표시 장치, 액정 표시 장치 제조 방법 및 액정 셀 기판 제조 방법
CN103631045A (zh) * 2012-08-28 2014-03-12 北京京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及其制作方法
KR20140115180A (ko) * 2013-03-20 2014-09-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2017038670A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 シャープ株式会社 表示パネルの製造方法及び表示パネル
JP2019505496A (ja) * 2015-12-17 2019-02-28 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ ケイ皮酸誘導体

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021A (ja) * 1989-05-09 1990-01-05 Seiko Epson Corp カラーフィルター
JPH0481721A (ja) * 1990-07-25 1992-03-16 Stanley Electric Co Ltd 液晶セルの製造方法
JPH04356020A (ja) * 1990-09-17 1992-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法
JP2000321562A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Japan Science & Technology Corp リバースモード光スイッチング機能を有する液晶光学装置とその製造方法
JP2005018092A (ja) * 2004-09-13 2005-01-20 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2005181794A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Sony Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5066104A (en) * 1988-03-25 1991-11-19 Raychem Corporation Liquid crystal electrical fault indicators
US5256456A (en) 1990-09-17 1993-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal alignment film and method of manufacturing the same
EP0476543B1 (en) 1990-09-17 1996-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal alignment film and method of manufacturing the same
US5596434A (en) 1993-09-24 1997-01-21 University Research Corporation Self-assembled monolayers for liquid crystal alignment
JP3512665B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-31 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶パネル及びその製造方法
TW482932B (en) * 1999-07-05 2002-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Chemical adsorbate compound, organic film, liquid crystal alignment film, and liquid crystal display device utilizing the chemical adsorbate compound
JP2001255533A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Toshiba Corp 液晶表示素子
GB2366874B (en) 2000-06-26 2004-04-28 Ibm Liquid crystal display
KR100720411B1 (ko) * 2000-10-25 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR100741902B1 (ko) * 2002-05-30 2007-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치를 제조하기 위한 시스템 및 이를 이용한액정표시장치의 제조 방법
JP4504626B2 (ja) * 2003-03-31 2010-07-14 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR20040087721A (ko) * 2003-04-07 2004-10-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널
JP4245990B2 (ja) * 2003-06-23 2009-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置、及びその製造方法
US6788383B1 (en) * 2003-07-23 2004-09-07 Asml Netherlands Bvv. Lithographic apparatus, device manufacturing methods, and computer-readable storage medium
KR101085431B1 (ko) * 2005-01-31 2011-11-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021A (ja) * 1989-05-09 1990-01-05 Seiko Epson Corp カラーフィルター
JPH0481721A (ja) * 1990-07-25 1992-03-16 Stanley Electric Co Ltd 液晶セルの製造方法
JPH04356020A (ja) * 1990-09-17 1992-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶配向膜及びその製造方法並びに液晶表示装置及びその製造方法
JP2000321562A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Japan Science & Technology Corp リバースモード光スイッチング機能を有する液晶光学装置とその製造方法
JP2005181794A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Sony Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2005018092A (ja) * 2004-09-13 2005-01-20 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
-+255533A; *

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Publication number Publication date
KR20080070821A (ko) 2008-07-31
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