JPH04355217A - 光情報記録再生方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップ等に利
用される光情報記録再生方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば文献「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏ
ｆ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ａｍｅｒ
ｉｃａ　Ｂ　Ｖｏｌ．３　Ｎｏ．９　１９８６年　　第
１１７５頁乃至第１１７９頁」には、図９に示すような
第二高調波発生素子（以下、ＳＨＧ素子と称す）が開示
されている。このＳＨＧ素子は、約８０８ｎｍ程度の波
長の光ビームを出射する半導体レーザ７０と、半導体レ
ーザ７０から出射された光ビーム（以下、ＬＤ光と称す
）を平行光にするコリメートレンズ７１と、コリメート
レンズ７１を通過したＬＤ光を集光する集光レンズ７２
と、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３と、第二高調波変換用
の非線形光学結晶であるＫＴＰ７４と、出力ミラー７５
とを有しており、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３の半導体
レーザ７０側の端面と出力ミラー７５との間がＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザ共振器７７として機能し、半導体レーザ７０
は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器７７に対する励起用光源
として機能するようになっている。より詳細には、出力
ミラー７５のおう面には、所定のコーティング膜７９が
施されており、このコーティング膜７９として、Ｎｄ：
ＹＡＧレーザの発振線である波長１０６４ｎｍの光に対
し、高い反射率をもつ一方でその半分の波長５３２ｎｍ
の光に対しては低い反射率をもつ材質のものを用いるこ
とによって（すなわち、コーティング膜７９を波長１０
６４ｎｍの光に対するミラーとすることによって）、波
長１０６４ｎｍに対してはＱが高く、その半分の波長５
３２ｎｍに対してはＱが低いレーザ共振器７７を構成し
ている。

【０００３】このような構成のＳＨＧ素子では、半導体
レーザ７０を駆動すると、半導体レーザ７０からはＬＤ
光が出射し、このＬＤ光は、コリメートレンズ７１，集
光レンズ７２を介してＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に入
射する。Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３の吸収波長は約８
０８ｎｍ程度であるので、約８０８ｎｍ程度の波長のＬ
Ｄ光がＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に入射すると、入射
したＬＤ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３内部で吸収さ
れてポンピングに利用され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器
７７内には１０６４ｎｍの光が励起される。励起された
１０６４ｎｍの光は、ＫＴＰ７４により半分の波長５３
２ｎｍに変換されてＮｄ：ＹＡＧレーザ共振器７７から
第二高調波発生光（ＳＨＧ光）として出射される。

【０００４】このように図９のＳＨＧ素子から出射され
るＳＨＧ光は良好なビーム品質を有し、また波長が５３
２ｎｍと短かいので、対物レンズにより回折限界まで集
光可能であり、集光スポットを小さくすることが可能で
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のＳＨＧ素子において、半導体レーザ７０自体は、そ
の駆動電流を数ＭＨＺ程度のオーダで高速変調すること
によって、数ＭＨＺ程度のオーダの高速変調されたＬＤ
光を直接出射することが可能であるが、Ｎｄ：ＹＡＧレ
ーザ媒質７３（固体レーザ媒質）は、その蛍光寿命（数
百μ秒）によって変調速度が数ＫＨＺ程度のオーダに制
限されるので、半導体レーザ７０から数ＭＨＺのオーダ
で高速変調されたＬＤ光がＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３
に入射しても、Ｎｄ：ＹＡＧなどの固体レーザは数ＭＨ
Ｚのオーダで高速変調されず、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振
器７７から最終的に出射されるＳＨＧ光は、数ＭＨＺ程
度のオーダの高速変調された光ビームではなく、数ＫＨ
Ｚ程度のオーダで変調された光ビームとなってしまう。

【０００６】このため、図９に示すような従来のＳＨＧ
素子では、集光スポットを小さくすることはできるもの
の、高速変調されたＳＨＧ光を出射させることができず
、光ピックアップ等に適用する場合、情報の書込み，消
去，読出しを高速に行なうことができないという欠点が
あった。

【０００７】本発明は、光ピックアップ等において、情
報の記録再生を十分に小さな集光スポットでなおかつ高
速に行なうことの可能な光情報記録再生方式を提供する
ことを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、光源として、直接変調可能な第１の光源と
、前記第１の光源から出射される光ビームの波長よりも
短かい波長の短波長光を出射する第２の光源とを有し、
第１の光源からの光ビームを第２の光源からの短波長光
に重畳させて光情報の記録再生を行なわせるようになっ
ており、この際、データの書込みは、第１の光源から変
調された光ビームを出射させてこれを短波長光に重畳さ
せることによりなされ、該書込みには、“０”のデータ
を消去により等価的に書込むオーバーライト記録方式が
用いられるようになっていることを特徴としている。

【０００９】また、光情報の書込み時には第２の光源か
ら出射される短波長光の光強度は、消去レベル程度に大
きく設定されていることを特徴としている。

【００１０】

【作用】本発明では、第１の光源から高速変調された光
ビームを出射させて、これを短波長光に重畳させること
により、短波長光自体が高速に変調されなくても、これ
らの重畳の結果、短波長光を見かけ上、高速変調された
ものとして出射させることができる。このような見かけ
上高速変調された短波長光により、“０”または“１”
のデータを書込むことができる。また、本発明では、書
込みにオーバーライト記録方式が用いられ、“０”のデ
ータを消去により等価的に書込むようにしており、この
場合には、第１の光源からの光ビームの光強度変調幅を
差程大きくせずとも良く、第１の光源からの光ビームの
光強度を相対的に小さくし、その分、短波長光の光強度
を相対的に大きくすることができるので、集光スポット
を十分小さくすることができる。

【００１１】特に、短波長光の光強度を消去レベル程度
に相対的に大きくすることにより、第１の光源からの光
ビームのパワーの影響を差程受けずに、集光スポットを
十分小さくすることができ、光記憶媒体の高容量化が図
れる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の光情報記録再生方式に用いられる
光源装置の構成図である。図１の光源装置１は、第１の
光源２と、第１の光源２から出射される光ビームに比べ
て短かい波長の光ビームを出射する第２の光源３と、第
１，第２の光源２，３から出射された光ビームを重畳す
る重畳系４とを有している。

【００１３】図２は図１に示す光源装置の一例を示す図
であり、図２の例では、第１の光源２として、例えば波
長８０８ｎｍ付近のＬＤ光を出射する半導体レーザが用
いられ、また、第２の光源３として、例えば波長８０８
ｎｍ付近に比べてより短かい波長の短波長光を出射する
波長変換素子（例えば図９に示したような第二高調波発
生素子（ＳＨＧ素子）やあるいは和周波混合素子等）が
用いられている。また重畳系４はビームスプリッタによ
り構成されている。また、第２の光源，すなわち波長変
換素子３からの短波長光が面５上で焦点を結ぶように、
ビームスプリッタ４と面５との間にはレンズ６が設けら
れ、第１の光源，すなわち半導体レーザ２からのＬＤ光
が面５上より少し離れたところ（面５に対して遠くても
近くても良い）に焦点を結ぶように、半導体レーザ２側
にはおうレンズまたはとつレンズ（図２ではとつレンズ
）７が設けられている。これにより、面５上において、
短波長光のスポットがＬＤ光のスポットに比べて小さく
なるようにしている。

【００１４】さらに、図２の光源装置には、半導体レー
ザ２を駆動制御するための第１の駆動制御部８と、波長
変換素子３を駆動制御するための第２の駆動制御部９と
が設けられ、第２の駆動制御部９は、波長変換素子３を
一定電流により駆動して、波長変換素子３から常に一定
の光強度の短波長光が出射されるように制御する一方、
第１の駆動制御部８は半導体レーザ２を変調電流により
駆動制御可能であって、変調電流によって駆動制御され
る場合、半導体レーザ２からは変調されたＬＤ光が出射
されるようになっている。換言すれば、短波長光は変調
せず、ＬＤ光のみを変調するような駆動制御がなされる
ことにより、ビームスプリッタ４で重畳された重畳光に
おいて、ＬＤ光を短波長光に対するバイアス成分として
機能させるようになっている。

【００１５】このような構成の光源装置では、第１の光
源である半導体レーザ２を第１の駆動制御部８により駆
動制御することにより、半導体レーザ２からは駆動電流
Ｉ１に応じたパワーの例えば波長８０８ｎｍ付近のＬＤ
光が出射し、このＬＤ光はレンズ７を介してビームスプ
リッタ４に入射する。一方、第２の光源である波長変換
素子３を第２の駆動制御部９により駆動制御することに
より、波長変換素子３からは駆動電流Ｉ２に応じたパワ
ーの波長８０８ｎｍ付近よりもさらに短かな波長をもつ
短波長光が出射し、この短波長光もビームスプリッタ４
に入射する。これにより、ビームスプリッタ４から面５
に向けて出射される光ビームは、ＬＤ光に短波長光が重
畳された重畳光となり、この重畳光はレンズ６により集
光されて面５に入力する。

【００１６】図３は面５上に集光された重畳光の光強度
分布の一例を示す図である。波長変換素子３から出射さ
れた短波長光は波長が短かくまた面５上に焦点を結ぶよ
うレンズ６により集光されるのに対し、半導体レーザ２
から出射されたＬＤ光は短波長光よりも波長が長くまた
レンズ７によって面５上より少し離れたところに焦点を
結ぶので、図３からわかるように、重畳光のうち、短波
長光によるものはＬＤ光に比べて面５上で小さなスポッ
ト径Ｄとなる。換言すれば、所定の光強度以上の光ビー
ムについては、集光スポット径を短波長光単独での集光
スポットの大きさに比べて差程劣化させず、小さなもの
に維持することができる。

【００１７】また、第２の駆動制御部９によって波長変
換素子３を一定の駆動電流Ｉ２で駆動すると、波長変換
素子３から出射される短波長光のパワー，すなわち光強
度は時間が経過しても常に一定であり、従って、重畳光
において短波長光による光強度成分の大きさは時間的に
一定に保持される。これに対し、第１の駆動制御部１０
によって半導体レーザを２を変調された駆動電流Ｉ１で
駆動すると、半導体レーザ２から出射されるＬＤ光のパ
ワー，すなわち光強度は駆動電流Ｉ１に応じて変調され
、従って、重畳光においてＬＤ光による光強度成分の大
きさは時間的に変調される。

【００１８】図３，図４は重畳光の光強度分布の概念図
であり、例えば、ある時点で駆動電流Ｉ１を大きくした
ときの重畳光の面５上における光強度分布が図３のよう
なものである場合に、次の時点で駆動電流Ｉ１を小さく
すると、ＬＤ光の光強度成分は小さくなるので、重畳光
の面５上における光強度分布は図４のように変化する。 図３，図４により、重畳光においてＬＤ光は短波長光に
対するバイアス光として機能することがわかる。

【００１９】ところで、半導体レーザ２は、数ＭＨＺの
オーダで高速変調可能であり、従って、ＬＤ光の光強度
成分，すなわち重畳光のバイアス成分を数ＭＨＺのオー
ダで高速に変調することができるので、この場合には、
見かけ上、短波長光を数ＭＨＺのオーダで高速に変調し
たと同じ効果を得ることができる。

【００２０】いま、この光源装置１において波長変換素
子３として図９に示したＳＨＧ素子を用いるとすると、
ＳＨＧ素子から出射される波長５３２ｎｍ付近のＳＨＧ
光は、前述したように数ＭＨＺのオーダでは高速に変調
することはできないが、このＳＨＧ光にバイアス光とし
てＬＤ光を重畳させることによって、このＳＨＧ光を見
かけ上数ＭＨＺのオーダで高速に変調させることが可能
となる。またＳＨＧ光が回折限界のビーム径となるよう
に重畳光をレンズ７で絞る場合に、ＬＤ光のビーム径は
ＳＨＧ光に比べて拡がるが、重畳光のうちで、所定の光
強度以上の光は、ＳＨＧ光によるものであるので、集光
スポットの大きさを、ＳＨＧ光単独での集光スポットの
大きさに比べて差程劣化させずに、小さなものに維持す
ることが期待できる。

【００２１】図５は図１の光源装置１を光ピックアップ
に適用した場合の例を示す図である。図５の光ピックア
ップでは、第１の光源２として半導体レーザを用い、ま
た第２の光源３としてＳＨＧ素子を用いており、この光
ピックアップは、ＳＨＧ素子からＰ偏光したＳＨＧ光を
出射させビームスプリッタ４に入射させる一方、半導体
レーザ２からＳ偏光したＬＤ光を出射させレンズ７とビ
ーム整形用のプリズム２９とを介しビームスプリッタ４
に入射させるようになっており、ビームスプリッタ４に
より互いに直交する２つの直線偏光した光，すなわちＳ
ＨＧ光とＬＤ光とを損失なく重畳させ、この重畳光をビ
ームスプリッタ３０，プリズム３１を介し、図２のレン
ズ６に相当する対物レンズ３２に入射させて、対物レン
ズ３２によって図２の面５に相当する光ディスク等の光
記憶媒体３３に集光させるようになっている。また、光
記憶媒体３３からの反射光をプリズム３１，ビームスプ
リッタ３０を介し、信号検出部３４に入射させて、トラ
ッキング検出器３６，フォーカス検出器３７等で所定の
信号を検出させるよう構成されている。

【００２２】なお、ＳＨＧ素子からのＰ偏光したＳＨＧ
光は、平行光として出射され、対物レンズ３２は、この
ＳＨＧ光に対してはこれを回折限界近くまで絞り、光記
憶媒体３３上に焦点を結ばせ、これに小さな集光スポッ
トとして入射させるようになっている。一方、半導体レ
ーザ２からのＳ偏光したＬＤ光については、レンズ７に
よりやや開口数をもたせることにより、光記憶媒体３３
上に焦点を結ばせないようにしている。

【００２３】このような光ピックアップにおいて、光記
憶媒体３３に対する書込，消去，読取りでは、光記憶媒
体３３の書込み，消去，読取りにそれぞれ書込レベルＷ
Ｌ，消去レベルＥＬ，読取レベルＲＬが存在することを
利用することができる。

【００２４】すなわち、先づ、書込み動作時には、図６
（ａ）のように、ＳＨＧ素子から一定の光強度のＳＨＧ
光を出射させるとともに、半導体レーザ２から最大強度
が例えば消去レベルＥＬよりも大きく、最小強度が“０
”に光強度変調されたＬＤ光をバイアス光として出射さ
せる。この場合に、ＬＤ光が変調において最大の光強度
となるときには、図６（ａ）に実線で示すとおり、重畳
光の光強度の尖頭値は書込レベルＷＬを越えるので、こ
の重畳光を対物レンズ３２によって光記憶媒体３３に集
光させることにより、光記憶媒体３３へ“１”のデータ
を書込むことができる。また、ＬＤ光が変調において、
最小の光強度“０”となるときには、重畳光，すなわち
ＳＨＧ光の光強度の尖頭値は図６（ａ）に破線で示すよ
うに、読取レベルＲＬ以下となり、書込レベルＷＬに比
べて十分に小さくなるので、この場合には、光記憶媒体
３３へ“０”のデータを書込むことができる。この際、
半導体レーザ２は数ＭＨＺのオーダで高速変調が可能で
あり、バイアス光としてのＬＤ光を数ＭＨＺのオーダで
変調することができるので、ＳＨＧ光自体が高速に変調
できなくても、ＬＤ光と重畳させることで、見かけ上高
速変調されたものにすることができる。これにより、書
込み動作を高速に行なわせることが可能となる。

【００２５】また、消去動作時には、図６（ｂ）のよう
に、ＳＨＧ素子から一定の光強度のＳＨＧ光を出射させ
る一方で、“１”のデータを書込む場合よりも小さい光
強度のＬＤ光を半導体レーザ２から出射させる。このと
きには、重畳光の光強度の尖頭値は書込レベルＷＬ以下
となるが、消去レベルＥＬを越えるので、この重畳光を
対物レンズ３２によって光記憶媒体３３に集光させるこ
とにより、光記憶媒体３３に記憶されているデータを消
去することができる。

【００２６】また、読取り動作時には、図６（ｃ）のよ
うに、ＳＨＧ素子から一定の光強度のＳＨＧ光を出射さ
せる一方で、半導体レーザ２からのＬＤ光の光強度をさ
らに小さくする。このときには、重畳光の光強度の尖頭
値は、書込レベルＷＬ，消去レベルＥＬ以下となるが、
読取レベルＲＬを越えるので、このＳＨＧ光を対物レン
ズ３２によって光記憶媒体３３に集光させることにより
、光記憶媒体３３に記憶されているデータを読取ること
ができる。

【００２７】ところで、図６（ａ）乃至（ｃ）に示した
光情報記録再生の方式は、書込み動作に関しては、オー
バーライト記録方式のものとなっておらず、“１”のデ
ータを書込むか“０”のデータを書込むかの制御を、重
畳光の光強度の尖頭値を書込レベルＷＬ以上にするか、
読取レベルＲＬ以下にするかによって行なっている。す
なわち、“０”のデータを信頼性良く書込むためには、
重畳光の光強度の尖頭値が読取レベルＲＬ以下となるよ
うな変調制御がなされ、このためには、ＬＤ光の光強度
を“０”にしたときに重畳光，すなわちＳＨＧ光単独の
光強度の尖頭値が読取レベルＲＬ以下になっている必要
がある。ＳＨＧ光自体は前述のように高速変調できない
ので、“１”のデータを書込むときにもＳＨＧ光自体の
光強度は読取レベルＲＬ以下の小さな強度に保持されそ
のかわりにＬＤ光の光強度が例えば消去レベルＥＬ以上
に非常に大きく変調される。従って、“１”のデータの
書込みパワーＰＷ１と“０”のデータの書込みパワーＰ
Ｗ０との比Ｒ（Ｗ１／Ｗ０）は、一般に“３”以上とな
り、“１”のデータの書込み時において重畳光に占める
ＬＤ光のパワーは、ＳＨＧ光のパワーに比べて非常に大
きなものとなる。この結果、オーバーライト記録方式で
ない場合には、ＳＨＧ光により集光スポット径を十分に
小さくしようとしても、“１”のデータの書込み時には
大きなパワーのＬＤ光の影響により集光スポット径Ｄ１
はＳＨＧ光単独の場合に比べて大きくなって集光スポッ
ト径を十分には小さくすることができず、ＳＨＧ光のも
つ利点が損なわれてしまう。

【００２８】なお、オーバーライト記録方式のものでな
いときには、書込レベルＷＬと消去レベルＥＬとは実際
には同じレベルに設定されるが、図６（ａ）乃至（ｃ）
においては説明を簡単にするため、便宜上、消去レベル
ＥＬは書込レベルＷＬよりも低く設定されているとして
示されている。

【００２９】これに対し、オーバーライト記録方式のう
ちの１つの方式である相変化方式では、“０”のデータ
の書込みを消去モードにより行なうようにしており、“
０”のデータの書込みについてはこれを等価的に消去に
よって行なっている。本願の発明者は、上述したような
ＳＨＧ光のＬＤ光によるバイアス光変調にこの相変化方
式を適用し、これらを組合せて用いることにより、“１
”のデータを書込むときの光強度と“０”のデータを書
込むときの光強度（消去を行なうときの光強度と同等）
とに差程の変調幅をもたせずに済み、ＳＨＧ光単独の光
強度が相当大きなものであっても、“０”のデータを信
頼性良く書込むことができることを見出した。

【００３０】従って、オーバーライト記録方式のもので
ない場合に比べて、ＳＨＧ光単独の光強度を大きく設定
することができ、その一方で、ＬＤ光の最大光強度を小
さく設定することができるため、ＬＤ光の影響を差程受
けずに集光スポット径を十分に小さくすることが期待で
きる。

【００３１】図７（ａ），（ｂ）は本発明の方式に基づ
くデータの書込み原理を説明するための図である。本発
明では、バイアス光変調をオーバーライト記録方式（相
変化方式）と組合せて用いており、“１”のデータの書
込み時には、図７（ａ）に示すように、重畳光の光強度
の尖頭値が書込レベルＷＬ以上となるようにＬＤ光を変
調し、また、“０”のデータの書込み時には、図７（ｂ
）に示すように、重畳光の光強度の尖頭値が消去レベル
ＥＬ以上となるようにＬＤ光を変調する。

【００３２】具体的には、ＳＨＧ光自体の光強度を消去
レベルＥＬ程度に大きく設定し、“１”のデータ書込み
時には、ＬＤ光の光強度を（ＷＬ−ＥＬ）程度に変調し
、“０”のデータ書込み時には、ＬＤ光の光強度を“０
”に変調することができる。

【００３３】このことからわかるように、オーバーライ
ト記録方式を用いる場合には、“０”のデータの書込み
時にも重畳光の光強度を十分に小さくする必要はなく、
ＬＤ光の最大光強度を相対的に小さくし（ＬＤ光の変調
幅を小さくし）、その一方で、ＳＨＧ光の光強度を消去
レベルＥＬ程度に大きくすることができる。これにより
、“１”のデータの書込みパワーＰＷ１と“０”のデー
タの書込みパワーＰＷ０との比Ｒ（Ｗ１／Ｗ０）を“２
”以下に小さく抑えることが可能となり、“１”のデー
タの書込み時にも重畳光に占めるＬＤ光のパワーを相対
的に小さくすることができる。この結果、図７（ａ）を
図６（ａ）と比べればわかるように、“１”のデータの
書込み時においても、集光スポット径Ｄ２を、オーバー
ライト記録方式でない場合の集光スポット径Ｄ１に比べ
て十分に小さくすることができ、ＳＨＧ光のもつ利点が
ＬＤ光により損なわれるのを有効に防止することができ
る。

【００３４】図８はＬＤ光によるバイアス光変調にオー
バーライト記録方式を適用したときのデータの書込み動
作を説明するための図であり、図８の例では、重畳光の
光強度を書込レベルＷＬと消去レベルＥＬとの幅で変調
し、“１”または“０”のデータを書込んでいる。すな
わち、重畳光の光強度が書込レベルＷＬのときに“１”
のデータの書込みがなされ、消去レベルＥＬのときに“
０”のデータが書込まれる。この際に、図７（ａ），（
ｂ）のようにＬＤ光の光強度を相対的に小さくし、ＳＨ
Ｇ光の光強度を大きく設定すれば、“１”のデータが書
込まれるときにも、集光スポット径Ｄ２を十分に小さく
することができる。また、ＬＤ光を高速変調することに
より、ＳＨＧ光を見かけ上、数ＭＨＺのオーダで高速に
変調でき、さらにオーバーライト記録方式では回転待ち
時間が省かれるので、データをより高速に書込むことが
できる。さらには、オーバーライト記録方式では、一連
の書込みを行なう前に光記憶媒体３３にすでに何らかの
情報が書込まれていても、“０”のデータの書込みを消
去により行なうので、すでに書込まれている情報を予め
消去したりせずとも、データを効率良く書込むことがで
きる。

【００３５】これにより、十分に小さな集光スポットで
光記憶媒体の大容量化が可能であるとともに、転送レー
トが速くさらには書込み効率の良い光ピックアップを実
現することができる。

【００３６】なお、図５において、光記憶媒体３３から
の反射光は、信号検出部３４に入射し、信号検出部３４
において、光磁気信号，フォーカス信号，トラック信号
の３つの信号は、それぞれ例えば差分法，非点収差法，
プッシュプル法でＳＨＧ光から検出される。この際、Ｓ
ＨＧ光の他にＬＤ光も信号検出部３４に入射し、両方の
光はトラッキング検出器３６，フォーカス検出器３７上
で重なるが、両光は異なる開口数をもち、ＬＤ光のビー
ム径は検出器３６，３７を大きくはみ出すので、ＳＨＧ
光による信号検出に支障を及ぼさない。また、ＬＤ光に
よる信号検出への影響をより効果的に防止するため、Ｓ
ＨＧ光を透過させＬＤ光を遮断するフィルタ４１を用い
ることもできる。

【００３７】上述の実施例では、第２の光源３として、
図９に示したＳＨＧ素子を用いたが、短波長光を発生す
る波長変換素子であれば、様々な素子を用いることがで
きる。例えば、レーザ媒質としてＮｄ：ＹＡＧのかわり
にＮｄ：ＹＶＯ４を用いたＳＨＧ素子を使用することに
よって、４５７ｎｍ程度のより短かい波長のＳＨＧ光を
発生させることができ、集光スポットをより小さくする
ことができる。なお、このときには、ＳＨＧ光を効率良
く得るため、半導体レーザ２としてハイパワーのものを
用いるのが良く、また非線形光学結晶としてＫＴＰでは
なく、ＫＮｂＯ３を用いる必要がある。特にＫＮｂＯ３
のカット角（θ，φ）をθ＝９０゜±１゜，φ≒４０．
６゜±５゜、またはθ≒６３．８゜±５゜，φ＝９０゜
±１゜とし、位相整合させることにより、ＳＨＧ光をよ
り効率良く得ることができる。

【００３８】また、図９に示したようなバルク内部共振
器型ＳＨＧ素子は出力が安定していて好都合ではあるが
、小型軽量化を図りたい場合には、これにかわって外部
共振器型ＳＨＧ素子を用いることもできる。

【００３９】また、上述の実施例では、ＳＨＧ光のみを
光記憶媒体３３上に焦点を結ばせるようにしていたが、
ＳＨＧ光と同様にＬＤ光をも光記憶媒体３３上に焦点を
結ばせても良い。但し、このときには、ＬＤ光も回折限
界まで絞り込まれるため、ＳＨＧ光との重ね合わせに高
い精度が要求される。

【００４０】

【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
直接変調可能な第１の光源からの光ビームを第２の光源
からの短波長光に重畳させて出射し光情報の記録再生を
行なわせ、この際、書込みには“０”のデータを消去に
より等価的に書込むオーバーライト記録方式を用いてい
るので、情報の記録再生を十分小さな集光スポットで高
速にかつ効率良く行なうことができる。

【００４１】特に、短波長光の光強度を消去レベル程度
に相対的に大きくする場合には、第１の光源からの光ビ
ームの光強度を差程大きくせずとも良く、第１の光源か
らの光ビームのパワーの影響を差程受けずに、集光スポ
ットを十分小さくすることができ、光記憶媒体の高容量
化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録再生方式に用いられる光源
装置の構成図である。

【図２】図１の光源装置の具体例を示す図である。

【図３】重畳光の光強度分布の一例を示す図である。

【図４】重畳光の光強度分布の一例を示す図である。

【図５】本発明を適用した光ピックアップの構成例を示
す図である。

【図６】（ａ），（ｂ），（ｃ）は図５の光ピックアッ
プにおいてオーバーライト記録方式を用いない場合の光
記憶媒体の書込み，消去，読取りをそれぞれ説明するた
めの図である。

【図７】（ａ），（ｂ）は図５の光ピックアップにおい
てオーバーライト記録方式を用いる場合の書込み原理を
説明するための図である。

【図８】本発明による書込み動作の一例を示す図である
。

【図９】ＳＨＧ光を出射する従来の光源装置の構成図で
ある。

【符号の説明】

１　　　　　　光源装置 ２　　　　　　第１の光源（半導体レーザ）３　　　　
　　第２の光源（波長変換素子）４　　　　　　重畳系
（ビームスプリッタ）５　　　　　　面 ６　　　　　　レンズ ７　　　　　　レンズ ８　　　　　　第１の駆動制御部 ９　　　　　　第２の駆動制御部 ２９　　　　ビーム整形用のプリズム ３０　　　　ビームスプリッタ ３１　　　　プリズム ３２　　　　対物レンズ ３３　　　　光記憶媒体 ３４　　　　信号検出部 ３６　　　　トラッキング検出器 ３７　　　　フォーカス検出器

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光源として、直接変調可能な第１の光
   源と、前記第１の光源から出射される光ビームの波長よ
   りも短かい波長の短波長光を出射する第２の光源とを有
   し、第１の光源からの光ビームを第２の光源からの短波
   長光に重畳させて光情報の記録再生を行なわせるように
   なっており、この際、データの書込みは、第１の光源か
   ら変調された光ビームを出射させてこれを短波長光に重
   畳させることによりなされ、該書込みには、“０”のデ
   ータを消去により等価的に書込むオーバーライト記録方
   式が用いられるようになっていることを特徴とする光情
   報記録再生方式。
2. 【請求項２】　　請求項１記載の光情報記録再生方式に
   おいて、光情報の書込み時には第２の光源から出射され
   る短波長光の光強度は、消去レベル程度に大きく設定さ
   れていることを特徴とする光情報記録再生方式。