JPH0511289A - 光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプ - Google Patents
光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプInfo
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- JPH0511289A JPH0511289A JP3186875A JP18687591A JPH0511289A JP H0511289 A JPH0511289 A JP H0511289A JP 3186875 A JP3186875 A JP 3186875A JP 18687591 A JP18687591 A JP 18687591A JP H0511289 A JPH0511289 A JP H0511289A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速変調された短波長光を出射可能である。
【構成】 本発明の光源装置１は、レーザ共振器８内に
光偏向器１１が挿入されており、光偏向器１１の非駆動
時には、レーザ媒質５で励起された基本波は共振器８の
共振モードと合致し、共振器８内に閉じ込められてパワ
ーが高められ、非線形光学結晶６により半分の波長に変
換され共振器８から短波長光として出射される。一方、
光偏向器１１が駆動されるときには、レーザ媒質５で励
起された基本波は光偏向器１１でビーム偏向され、共振
器８の共振モードから外れ、共振器８内に閉じ込められ
ず、パワーは高められない。この結果、短波長光は発生
しない。従って、光偏向器１１の動作を高速にオン・オ
フすることにより、共振器８内で基本波のパワーを高速
変調し、短波長光を高速変調できる。
光偏向器１１が挿入されており、光偏向器１１の非駆動
時には、レーザ媒質５で励起された基本波は共振器８の
共振モードと合致し、共振器８内に閉じ込められてパワ
ーが高められ、非線形光学結晶６により半分の波長に変
換され共振器８から短波長光として出射される。一方、
光偏向器１１が駆動されるときには、レーザ媒質５で励
起された基本波は光偏向器１１でビーム偏向され、共振
器８の共振モードから外れ、共振器８内に閉じ込められ
ず、パワーは高められない。この結果、短波長光は発生
しない。従って、光偏向器１１の動作を高速にオン・オ
フすることにより、共振器８内で基本波のパワーを高速
変調し、短波長光を高速変調できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ビームを出射する光
源装置及びそれを用いた光ピックアップに関する。
源装置及びそれを用いた光ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば文献「Journal of Optical
Society of America B Vol.3 No.9 1986年 第１１７
５頁乃至第１１７９頁」には、図４に示すような第二高
調波発生素子（以下、ＳＨＧ素子と称す）が開示されて
いる。このＳＨＧ素子は、約８０８ｎｍ程度の波長の光
ビームを出射する半導体レーザ７０と、半導体レーザ７
０から出射された光ビーム（以下、ＬＤ光と称す）を平
行光にするコリメートレンズ７１と、コリメートレンズ
７１を通過したＬＤ光を集光する集光レンズ７２と、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３と、第二高調波変換用の非線
形光学結晶であるＫＴＰ７４と、出力ミラー７５とを有
しており、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３の半導体レーザ
７０側の端面と出力ミラー７５との間がＮｄ：ＹＡＧレ
ーザ共振器７７として機能し、半導体レーザ７０は、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ共振器７７に対する励起用光源として
機能するようになっている。より詳細には、出力ミラー
７５のおう面には、所定のコーティング膜７９が施され
ており、このコーティング膜７９として、Ｎｄの発振線
である波長１０６４ｎｍの光に対し、高い反射率をもつ
一方でその半分の波長５３２ｎｍの光に対しては低い反
射率をもつ材質のものを用いることによって（すなわ
ち、コーティング膜７９を波長１０６４ｎｍの光に対す
るミラーとすることによって）、波長１０６４ｎｍに対
してはＱが高く、その半分の波長５３２ｎｍに対しては
Ｑが低いレーザ共振器７７を構成している。
Society of America B Vol.3 No.9 1986年 第１１７
５頁乃至第１１７９頁」には、図４に示すような第二高
調波発生素子（以下、ＳＨＧ素子と称す）が開示されて
いる。このＳＨＧ素子は、約８０８ｎｍ程度の波長の光
ビームを出射する半導体レーザ７０と、半導体レーザ７
０から出射された光ビーム（以下、ＬＤ光と称す）を平
行光にするコリメートレンズ７１と、コリメートレンズ
７１を通過したＬＤ光を集光する集光レンズ７２と、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３と、第二高調波変換用の非線
形光学結晶であるＫＴＰ７４と、出力ミラー７５とを有
しており、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３の半導体レーザ
７０側の端面と出力ミラー７５との間がＮｄ：ＹＡＧレ
ーザ共振器７７として機能し、半導体レーザ７０は、Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ共振器７７に対する励起用光源として
機能するようになっている。より詳細には、出力ミラー
７５のおう面には、所定のコーティング膜７９が施され
ており、このコーティング膜７９として、Ｎｄの発振線
である波長１０６４ｎｍの光に対し、高い反射率をもつ
一方でその半分の波長５３２ｎｍの光に対しては低い反
射率をもつ材質のものを用いることによって（すなわ
ち、コーティング膜７９を波長１０６４ｎｍの光に対す
るミラーとすることによって）、波長１０６４ｎｍに対
してはＱが高く、その半分の波長５３２ｎｍに対しては
Ｑが低いレーザ共振器７７を構成している。
【０００３】このような構成のＳＨＧ素子では、半導体
レーザ７０を駆動すると、半導体レーザ７０からはＬＤ
光が出射し、このＬＤ光は、コリメートレンズ７１，集
光レンズ７２を介してＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に入
射する。Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３の吸収波長は約８
０８ｎｍ程度であるので、約８０８ｎｍ程度の波長のＬ
Ｄ光がＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に入射すると、入射
したＬＤ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３内部で吸収さ
れてポンピングに利用され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器
７７内にはＮｄの発振線である１０６４ｎｍの基本波が
励起される。励起された１０６４ｎｍの基本波は、ＫＴ
Ｐ７４により半分の波長５３２ｎｍに変換されてＮｄ：
ＹＡＧレーザ共振器７７から第二高調波（ＳＨ光）とし
て出射される。
レーザ７０を駆動すると、半導体レーザ７０からはＬＤ
光が出射し、このＬＤ光は、コリメートレンズ７１，集
光レンズ７２を介してＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に入
射する。Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３の吸収波長は約８
０８ｎｍ程度であるので、約８０８ｎｍ程度の波長のＬ
Ｄ光がＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に入射すると、入射
したＬＤ光はＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３内部で吸収さ
れてポンピングに利用され、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器
７７内にはＮｄの発振線である１０６４ｎｍの基本波が
励起される。励起された１０６４ｎｍの基本波は、ＫＴ
Ｐ７４により半分の波長５３２ｎｍに変換されてＮｄ：
ＹＡＧレーザ共振器７７から第二高調波（ＳＨ光）とし
て出射される。
【０００４】このように図４のＳＨＧ素子は、ＳＨ光を
出射する光源装置として見ることができ、この場合に、
この光源装置から出射されるＳＨ光は良好なビーム品質
を有し、また波長が５３２ｎｍと短かいので、対物レン
ズにより回折限界まで集光可能であり、集光スポットを
小さくすることが可能である。
出射する光源装置として見ることができ、この場合に、
この光源装置から出射されるＳＨ光は良好なビーム品質
を有し、また波長が５３２ｎｍと短かいので、対物レン
ズにより回折限界まで集光可能であり、集光スポットを
小さくすることが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の光源装置において、半導体レーザ７０自体は、その
駆動電圧を数ＭＨZ程度のオーダで高速変調することに
よって、数ＭＨZ程度のオーダの高速変調されたＬＤ光
を直接出射することが可能であるが、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザ媒質７３（固体レーザ媒質）は、その蛍光寿命（数百
μ秒）によって変調速度が数ＫＨZ程度のオーダに制限
されるので、半導体レーザ７０から数ＭＨZのオーダで
高速変調されたＬＤ光がＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に
入射しても、Ｎｄ：ＹＡＧなどの固体レーザは数ＭＨZ
のオーダで高速変調されず、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器
７７から最終的に出射されるＳＨ光は、数ＭＨZ程度の
オーダの高速変調された光ビームではなく、数ＫＨZ程
度のオーダで変調された光ビームとなってしまう。
来の光源装置において、半導体レーザ７０自体は、その
駆動電圧を数ＭＨZ程度のオーダで高速変調することに
よって、数ＭＨZ程度のオーダの高速変調されたＬＤ光
を直接出射することが可能であるが、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザ媒質７３（固体レーザ媒質）は、その蛍光寿命（数百
μ秒）によって変調速度が数ＫＨZ程度のオーダに制限
されるので、半導体レーザ７０から数ＭＨZのオーダで
高速変調されたＬＤ光がＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質７３に
入射しても、Ｎｄ：ＹＡＧなどの固体レーザは数ＭＨZ
のオーダで高速変調されず、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器
７７から最終的に出射されるＳＨ光は、数ＭＨZ程度の
オーダの高速変調された光ビームではなく、数ＫＨZ程
度のオーダで変調された光ビームとなってしまう。
【０００６】このため、図４に示すような従来の光源装
置では、集光スポットを小さくすることはできるもの
の、高速変調された光ビームを出射させることができな
いという欠点があった。
置では、集光スポットを小さくすることはできるもの
の、高速変調された光ビームを出射させることができな
いという欠点があった。
【０００７】本発明は、集光スポットを小さくすること
が可能であるとともに高速変調された光ビームを出射可
能な光源装置及びそれを用いた光ピックアップを提供す
ることを目的としている。
が可能であるとともに高速変調された光ビームを出射可
能な光源装置及びそれを用いた光ピックアップを提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、所定の光ビームを共振器に入射させ、共振
器内において前記光ビームの波長よりも短かい波長の短
波長光を発生させて出射させるように構成された光源装
置において、前記共振器内に、動作がオン・オフ可能な
光偏向手段が挿入されていることを特徴としている。
に本発明は、所定の光ビームを共振器に入射させ、共振
器内において前記光ビームの波長よりも短かい波長の短
波長光を発生させて出射させるように構成された光源装
置において、前記共振器内に、動作がオン・オフ可能な
光偏向手段が挿入されていることを特徴としている。
【０００９】上記光偏向手段は、メガＨZのオーダで高
速に動作可能となっていることを特徴としている。
速に動作可能となっていることを特徴としている。
【００１０】また、本発明の光ピックアップは、上記光
源装置が光源として用いられ、前記光源装置から出射さ
れる光ビームを集光させて光記憶媒体に入射させるよう
になっていることを特徴としている。
源装置が光源として用いられ、前記光源装置から出射さ
れる光ビームを集光させて光記憶媒体に入射させるよう
になっていることを特徴としている。
【００１１】
【作用】上記のような構成の光源装置では、光偏向手段
の動作をオン・オフさせることにより、共振内で例えば
基本波のパワーを変調し、基本波のパワー変調により変
調された短波長光を出射させることができる。
の動作をオン・オフさせることにより、共振内で例えば
基本波のパワーを変調し、基本波のパワー変調により変
調された短波長光を出射させることができる。
【００１２】この際に、光偏向手段として、メガＨZの
オーダで高速動作可能なものを用いれば、短波長光をメ
ガＨZのオーダで高速変調させて出射させることができ
る。
オーダで高速動作可能なものを用いれば、短波長光をメ
ガＨZのオーダで高速変調させて出射させることができ
る。
【００１３】また、このような光源装置を光ピックアッ
プに用いる場合には、光源装置から見かけ上高速変調さ
れた短波長光を出射させることで、光記憶媒体への書き
込み等を高速に行なうことができ、また小さな集光スポ
ットにより光記憶媒体の高容量化が図れる。
プに用いる場合には、光源装置から見かけ上高速変調さ
れた短波長光を出射させることで、光記憶媒体への書き
込み等を高速に行なうことができ、また小さな集光スポ
ットにより光記憶媒体の高容量化が図れる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明に係る光源装置の一実施例の構成
図である。図１を参照すると、本実施例の光源装置１
は、短波長光を出射するものとなっており、このような
光源の一例として、第二高調波（ＳＨ光）を出射するＳ
ＨＧ素子により構成されている。すなわち、本実施例の
光源装置１は、約８０８ｎｍ程度の波長の光ビームを出
射する半導体レーザ２と、半導体レーザ２から出射され
た光ビーム（以下、ＬＤ光と称す）を平行光にするコリ
メートレンズ３と、コリメートレンズ３を通過したＬＤ
光を集光する集光レンズ４と、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質
５と、第二高調波変換用の非線形光学結晶であるＫＴＰ
６と、出力ミラー７とを有しており、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザ媒質５の半導体レーザ２側の端面と出力ミラー７との
間がＮｄ：ＹＡＧレーザ共振器８として機能し、半導体
レーザ２は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器８に対する励起
用光源として機能するようになっている。
明する。図１は本発明に係る光源装置の一実施例の構成
図である。図１を参照すると、本実施例の光源装置１
は、短波長光を出射するものとなっており、このような
光源の一例として、第二高調波（ＳＨ光）を出射するＳ
ＨＧ素子により構成されている。すなわち、本実施例の
光源装置１は、約８０８ｎｍ程度の波長の光ビームを出
射する半導体レーザ２と、半導体レーザ２から出射され
た光ビーム（以下、ＬＤ光と称す）を平行光にするコリ
メートレンズ３と、コリメートレンズ３を通過したＬＤ
光を集光する集光レンズ４と、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質
５と、第二高調波変換用の非線形光学結晶であるＫＴＰ
６と、出力ミラー７とを有しており、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザ媒質５の半導体レーザ２側の端面と出力ミラー７との
間がＮｄ：ＹＡＧレーザ共振器８として機能し、半導体
レーザ２は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ共振器８に対する励起
用光源として機能するようになっている。
【００１５】より詳細には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質５
の端面と出力ミラー７のおう面には、それぞれ所定のコ
ーティング膜９，１０が施されており、このコーティン
グ膜９，１０として、Ｎｄの発振線である波長１０６４
ｎｍの光に対し高い反射率をもつ一方でその半分の波長
５３２ｎｍの光に対しては低い反射率をもつ材質のもの
を用いることによって（すなわちコーティング膜９，１
０を波長１０６４ｎｍの光に対するミラーとすることに
よって）、波長１０６４ｎｍに対してはＱが高く、その
半分の波長５３２ｎｍに対してはＱが低いレーザ共振器
８を構成している。
の端面と出力ミラー７のおう面には、それぞれ所定のコ
ーティング膜９，１０が施されており、このコーティン
グ膜９，１０として、Ｎｄの発振線である波長１０６４
ｎｍの光に対し高い反射率をもつ一方でその半分の波長
５３２ｎｍの光に対しては低い反射率をもつ材質のもの
を用いることによって（すなわちコーティング膜９，１
０を波長１０６４ｎｍの光に対するミラーとすることに
よって）、波長１０６４ｎｍに対してはＱが高く、その
半分の波長５３２ｎｍに対してはＱが低いレーザ共振器
８を構成している。
【００１６】さらに、本実施例では、レーザ共振器８内
に光偏向器１１が挿入されている。すなわち、図１の例
では、光偏向器１１は、ＫＴＰ６と出力ミラー７との間
に挿入されている。また、この光偏向器１１としては、
数１０ＭＨZの高速動作の可能な電気光学偏向器または
音響光学偏向器が用いられるのが良い。
に光偏向器１１が挿入されている。すなわち、図１の例
では、光偏向器１１は、ＫＴＰ６と出力ミラー７との間
に挿入されている。また、この光偏向器１１としては、
数１０ＭＨZの高速動作の可能な電気光学偏向器または
音響光学偏向器が用いられるのが良い。
【００１７】次にこのような構成の光源装置１の動作に
ついて説明する。半導体レーザ２を駆動すると、半導体
レーザ２からは所定パワーの波長８０８ｎｍ付近のＬＤ
光が出射し、このＬＤ光は、コリメートレンズ３，集光
レンズ４を介してＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質５に入射す
る。入射したＬＤ光の大半はＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質５
内部で吸収されてポンピングに利用され、Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ共振器８内にはＮｄの発振線である１０６４ｎｍ
の基本波が励起される。
ついて説明する。半導体レーザ２を駆動すると、半導体
レーザ２からは所定パワーの波長８０８ｎｍ付近のＬＤ
光が出射し、このＬＤ光は、コリメートレンズ３，集光
レンズ４を介してＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質５に入射す
る。入射したＬＤ光の大半はＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質５
内部で吸収されてポンピングに利用され、Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ共振器８内にはＮｄの発振線である１０６４ｎｍ
の基本波が励起される。
【００１８】この際、光偏向器１１が駆動されていない
ときには、励起された１０６４ｎｍの基本波は共振器８
の共振モードと合致し、共振器８内に閉じ込められてパ
ワーが高められ、非線形光学結晶であるＫＴＰ６により
半分の波長５３２ｎｍに変換されてレーザ共振器８，す
なわちミラー７からＳＨ光として出射される。
ときには、励起された１０６４ｎｍの基本波は共振器８
の共振モードと合致し、共振器８内に閉じ込められてパ
ワーが高められ、非線形光学結晶であるＫＴＰ６により
半分の波長５３２ｎｍに変換されてレーザ共振器８，す
なわちミラー７からＳＨ光として出射される。
【００１９】一方、光偏向器１１が駆動されるときに
は、励起された基本波は光偏向器１１でビーム偏向され
るので、共振器８の共振モードから外れ、共振器８内に
閉じ込められず、パワーは高められない。この結果、Ｓ
Ｈ光は発生しない。
は、励起された基本波は光偏向器１１でビーム偏向され
るので、共振器８の共振モードから外れ、共振器８内に
閉じ込められず、パワーは高められない。この結果、Ｓ
Ｈ光は発生しない。
【００２０】従って、光偏向器１１の動作をオン・オフ
させることにより、共振器８内で基本波のパワーを変調
し、ＳＨ光を変調することができる。
させることにより、共振器８内で基本波のパワーを変調
し、ＳＨ光を変調することができる。
【００２１】ところで、ＳＨ光を上記のような仕方で変
調する際、ＳＨ光の立下り時間は、光偏向器１１のアク
セス時間と共振器８内での光子の寿命（すなわち共振器
の立下り時間）とのいずれか長い方による制限を受け
る。しかしながら、光偏向器１１のアクセス時間は、数
ナノ秒程度であり、固体レーザ媒質の蛍光寿命（数百μ
秒）よりもはるかに短かい。また、共振器８内での光子
の寿命τは、ｃを光速，ｎを屈折率，ｌを共振器長，Ｌ
を損失として、次式によって表わされる。
調する際、ＳＨ光の立下り時間は、光偏向器１１のアク
セス時間と共振器８内での光子の寿命（すなわち共振器
の立下り時間）とのいずれか長い方による制限を受け
る。しかしながら、光偏向器１１のアクセス時間は、数
ナノ秒程度であり、固体レーザ媒質の蛍光寿命（数百μ
秒）よりもはるかに短かい。また、共振器８内での光子
の寿命τは、ｃを光速，ｎを屈折率，ｌを共振器長，Ｌ
を損失として、次式によって表わされる。
【００２２】
【数１】τ＝ｎ・ｌ／（ｃ・Ｌ）
【００２３】数１において、例えば（ｎ・ｌ）を５０m
m，損失Ｌを５％とした場合、光子寿命τは約３ナノ秒
程度と短かく、共振器８の立下り時間も数ナノ秒のもの
となる。また、共振器長ｌが数１０mmの場合には、共振
器８の立上り時間も数ナノ秒と短かい。
m，損失Ｌを５％とした場合、光子寿命τは約３ナノ秒
程度と短かく、共振器８の立下り時間も数ナノ秒のもの
となる。また、共振器長ｌが数１０mmの場合には、共振
器８の立上り時間も数ナノ秒と短かい。
【００２４】このように、光偏向器１１のアクセス時
間，共振器８の立上り時間，立下がり時間のいずれもナ
ノ秒のオーダであるので、ＳＨ光は、数百ＭＨZの変調
にも追従することができる。従って、光偏向器１１とし
て数１０ＭＨZのオーダで高速動作が可能な電気光学偏
向器や音響光学偏向器を用いれば、数１０ＭＨZのオー
ダで高速変調されたＳＨ光，すなわち短波長光を光源装
置１から光ビームとして出射させることができる。
間，共振器８の立上り時間，立下がり時間のいずれもナ
ノ秒のオーダであるので、ＳＨ光は、数百ＭＨZの変調
にも追従することができる。従って、光偏向器１１とし
て数１０ＭＨZのオーダで高速動作が可能な電気光学偏
向器や音響光学偏向器を用いれば、数１０ＭＨZのオー
ダで高速変調されたＳＨ光，すなわち短波長光を光源装
置１から光ビームとして出射させることができる。
【００２５】図２は図１に示した光源装置１を光ピック
アップに適用した場合の例を示す図である。図２の光ピ
ックアップでは、光源装置１から出射したＳＨ光をコリ
メートレンズ３１，プリズム３２，ビームスプリッタ３
３を介し、対物レンズ３４により光磁気ディスク，相変
化光ディスク，ライトワンス，レーザディスク，コンパ
クトディスク等の光記憶媒体３５上に回折限界まで絞っ
て書込用，消去用，または読取用の光ビームとして入射
させるようになっている。また、光記憶媒体３５からの
反射光をビームスプリッタ３３，１／２波長板３６，偏
光ビームスプリッタ３７からトラッキング検出器３８
に、また円筒レンズ３９を介しフォーカス検出器４０に
入射させるよう構成されている。なお、この例では、フ
ォーカス検出の仕方として、円筒レンズ３９を用いた非
点収差法が示されている。
アップに適用した場合の例を示す図である。図２の光ピ
ックアップでは、光源装置１から出射したＳＨ光をコリ
メートレンズ３１，プリズム３２，ビームスプリッタ３
３を介し、対物レンズ３４により光磁気ディスク，相変
化光ディスク，ライトワンス，レーザディスク，コンパ
クトディスク等の光記憶媒体３５上に回折限界まで絞っ
て書込用，消去用，または読取用の光ビームとして入射
させるようになっている。また、光記憶媒体３５からの
反射光をビームスプリッタ３３，１／２波長板３６，偏
光ビームスプリッタ３７からトラッキング検出器３８
に、また円筒レンズ３９を介しフォーカス検出器４０に
入射させるよう構成されている。なお、この例では、フ
ォーカス検出の仕方として、円筒レンズ３９を用いた非
点収差法が示されている。
【００２６】このような光ピックアップにおいて、い
ま、例えば、光記憶媒体３５に論理レベルで“０１０１
０１１００００”というデータを書き込む場合を考え
る。このときには、光源装置１の光偏向器１１を“１０
１０１００１１１１”のようにオン・オフ駆動する。こ
れにより、光源装置１からは、光偏向器１１のオン・オ
フ動作に追従して変調されたＳＨ光が出射し、光記憶媒
体３５に上記のデータを書込むことができる。すなわ
ち、光偏向器１１が“１”の状態のときには、ＳＨ光の
パワーは所定閾値以下となって“０”のデータが書込ま
れ、光偏向器１１が“０”の状態のときには、ＳＨ光の
パワーは、所定閾値以上となって“１”のデータを書込
むことができる。この際、光偏向器１１を数１０ＭＨZ
のオーダで動作させれば、光源装置１から数１０ＭＨZ
のオーダで高速変調されたＳＨ光を出射させることがで
きるので、光記憶媒体３５へのデータの書込みをメガＨ
Zのオーダで高速に行なうことができる。
ま、例えば、光記憶媒体３５に論理レベルで“０１０１
０１１００００”というデータを書き込む場合を考え
る。このときには、光源装置１の光偏向器１１を“１０
１０１００１１１１”のようにオン・オフ駆動する。こ
れにより、光源装置１からは、光偏向器１１のオン・オ
フ動作に追従して変調されたＳＨ光が出射し、光記憶媒
体３５に上記のデータを書込むことができる。すなわ
ち、光偏向器１１が“１”の状態のときには、ＳＨ光の
パワーは所定閾値以下となって“０”のデータが書込ま
れ、光偏向器１１が“０”の状態のときには、ＳＨ光の
パワーは、所定閾値以上となって“１”のデータを書込
むことができる。この際、光偏向器１１を数１０ＭＨZ
のオーダで動作させれば、光源装置１から数１０ＭＨZ
のオーダで高速変調されたＳＨ光を出射させることがで
きるので、光記憶媒体３５へのデータの書込みをメガＨ
Zのオーダで高速に行なうことができる。
【００２７】従来では、光ピックアップとして、光記憶
媒体３５の大容量化に応えるために、小さな集光スポッ
トの得られるＳＨＧ素子を光源に適用しようとしても、
高速変調可能なＳＨＧ光が得られなかったので、大容量
化が可能でなおかつ転送レートの速い光ピックアップを
実現することができなかったが、本実施例の光源装置１
を用いる場合には、小さな集光スポットで光記憶媒体の
大容量化が可能であるとともに、上述のように書き込み
データを光記憶媒体３５に高速にかつ正しく書き込むこ
とができるので、光ディスク等の大容量化が可能でなお
かつ転送レートの速い光ピックアップを実現することが
できる。
媒体３５の大容量化に応えるために、小さな集光スポッ
トの得られるＳＨＧ素子を光源に適用しようとしても、
高速変調可能なＳＨＧ光が得られなかったので、大容量
化が可能でなおかつ転送レートの速い光ピックアップを
実現することができなかったが、本実施例の光源装置１
を用いる場合には、小さな集光スポットで光記憶媒体の
大容量化が可能であるとともに、上述のように書き込み
データを光記憶媒体３５に高速にかつ正しく書き込むこ
とができるので、光ディスク等の大容量化が可能でなお
かつ転送レートの速い光ピックアップを実現することが
できる。
【００２８】なお、上述の実施例では、光源装置１，す
なわちＳＨＧ素子として、レーザ媒質にＮｄ：ＹＡＧを
用いたが、レーザ媒質にＮｄ：ＹＶＯ4を用いることに
よって、４５７ｎｍ程度のより短かい波長のＳＨ光を発
生させることができ、集光スポットをより小さくするこ
とができる。なお、このときには、ＳＨ光を効率良く得
るため、半導体レーザ２としてハイパワーのものを用い
るのが良く、また非線形光学結晶としてＫＴＰではな
く、ＫＮｂＯ3を用いる必要がある。特にＫＮｂＯ3のカ
ット角（θ，φ）をθ＝９０゜±１゜，φ≒４０．６゜
±５゜、またはθ≒６３．８゜±５゜，φ＝９０゜±１
゜とし、位相整合させることにより、ＳＨ光をより効率
良く得ることができる。
なわちＳＨＧ素子として、レーザ媒質にＮｄ：ＹＡＧを
用いたが、レーザ媒質にＮｄ：ＹＶＯ4を用いることに
よって、４５７ｎｍ程度のより短かい波長のＳＨ光を発
生させることができ、集光スポットをより小さくするこ
とができる。なお、このときには、ＳＨ光を効率良く得
るため、半導体レーザ２としてハイパワーのものを用い
るのが良く、また非線形光学結晶としてＫＴＰではな
く、ＫＮｂＯ3を用いる必要がある。特にＫＮｂＯ3のカ
ット角（θ，φ）をθ＝９０゜±１゜，φ≒４０．６゜
±５゜、またはθ≒６３．８゜±５゜，φ＝９０゜±１
゜とし、位相整合させることにより、ＳＨ光をより効率
良く得ることができる。
【００２９】また、上述の実施例では、光源装置１とし
てのＳＨＧ素子を、バルク内部共振器型の構成とした場
合を例にとって説明したが、ＳＨＧ素子を外部共振器型
のものに構成する場合にも本発明を適用することができ
る。図３は光源装置１を外部共振器型のものにしたとき
の構成例を示す図であり、外部共振器型のＳＨＧ素子で
は、レーザ媒質を設けずにＬＤ光自体を基本波として用
い、ＬＤ光のパワーをミラー５´，７間で増大させて、
ＬＤ光を非線形光学結晶６により直接ＳＨ光に変換する
ようになっている。この場合には、ミラー５´，７間が
共振器８´として機能し、この共振器８´内において、
図１と同様に例えば非線形光学結晶６と出力ミラー７と
の間に光偏向器１１を挿入し、光偏向器１１を高速駆動
することによって、高速変調されたＳＨ光を出射させる
ことができる。
てのＳＨＧ素子を、バルク内部共振器型の構成とした場
合を例にとって説明したが、ＳＨＧ素子を外部共振器型
のものに構成する場合にも本発明を適用することができ
る。図３は光源装置１を外部共振器型のものにしたとき
の構成例を示す図であり、外部共振器型のＳＨＧ素子で
は、レーザ媒質を設けずにＬＤ光自体を基本波として用
い、ＬＤ光のパワーをミラー５´，７間で増大させて、
ＬＤ光を非線形光学結晶６により直接ＳＨ光に変換する
ようになっている。この場合には、ミラー５´，７間が
共振器８´として機能し、この共振器８´内において、
図１と同様に例えば非線形光学結晶６と出力ミラー７と
の間に光偏向器１１を挿入し、光偏向器１１を高速駆動
することによって、高速変調されたＳＨ光を出射させる
ことができる。
【００３０】また、上述の各例では、光偏向器１１を共
振器８または８´内において非線形光学結晶６と出力ミ
ラー７との間に挿入したが、光偏向器１１の挿入位置
は、これに限定されず、光偏向器１１を共振器８または
８´内であれば任意の位置に挿入することができる。
振器８または８´内において非線形光学結晶６と出力ミ
ラー７との間に挿入したが、光偏向器１１の挿入位置
は、これに限定されず、光偏向器１１を共振器８または
８´内であれば任意の位置に挿入することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上に説明したように本発明の光源装置
によれば、共振器内に光偏向手段を挿入し、光偏向手段
の動作に追従させて変調された短波長光を出射させるよ
うにしているので、光偏向手段を高速動作させれば短波
長光を高速変調して出射させることができる。
によれば、共振器内に光偏向手段を挿入し、光偏向手段
の動作に追従させて変調された短波長光を出射させるよ
うにしているので、光偏向手段を高速動作させれば短波
長光を高速変調して出射させることができる。
【００３２】特に、光偏向手段がメガＨZのオーダで高
速に動作可能なものであれば、これをメガＨZのオーダ
で高速動作させることにより、メガＨZのオーダで高速
変調された短波長光を得ることができる。
速に動作可能なものであれば、これをメガＨZのオーダ
で高速動作させることにより、メガＨZのオーダで高速
変調された短波長光を得ることができる。
【００３３】また、上記光源装置を光ピックアップの光
源に適用することにより、光記憶媒体の大容量化が可能
で転送レートの速い光ピックアップを実現することがで
きる。
源に適用することにより、光記憶媒体の大容量化が可能
で転送レートの速い光ピックアップを実現することがで
きる。
【図１】本発明に係る光源装置の一実施例の構成図であ
る。
る。
【図２】図１の光源装置を適用した光ピックアップの構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図３】本発明に係る光源装置の他の実施例の構成図で
ある。
ある。
【図４】ＳＨ光を出射する従来の光源装置の構成図であ
る。
る。
１ 光源装置
２ 半導体レーザ
３ コリメートレンズ
４ 集光レンズ
５ Ｎｄ：ＹＡＧレーザ媒質
５´ ミラー
６ ＫＴＰ（非線形光学結晶）
７ 出力ミラー
８，８´ レーザ共振器
９ コーティング膜
１０ コーティング膜
３４ 対物レンズ
３５ 光記憶媒体
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の光ビームを共振器に入射させ、共
振器内において前記光ビームの波長よりも短かい波長の
短波長光を発生させて出射させるように構成された光源
装置において、前記共振器内には、動作がオン・オフ可
能な光偏向手段が挿入されていることを特徴とする光源
装置。 - 【請求項２】 前記光偏向手段は、メガＨZのオーダで
高速に動作可能となっていることを特徴とする請求項１
記載の光源装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光源装置が光源
として用いられ、前記光源装置から出射される光ビーム
を集光させて光記憶媒体に入射させるようになっている
ことを特徴とする光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186875A JPH0511289A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186875A JPH0511289A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511289A true JPH0511289A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16196212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186875A Pending JPH0511289A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光源装置及びそれを用いた光ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511289A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6022247A (en) * | 1996-12-10 | 2000-02-08 | Yazaki Corporation | Electric wiring block |
| US6807210B2 (en) | 2002-04-02 | 2004-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Systems and a method for generating blue laser beam |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3186875A patent/JPH0511289A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6022247A (en) * | 1996-12-10 | 2000-02-08 | Yazaki Corporation | Electric wiring block |
| US6807210B2 (en) | 2002-04-02 | 2004-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Systems and a method for generating blue laser beam |
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