JPH0435039A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPH0435039A
JPH0435039A JP2142284A JP14228490A JPH0435039A JP H0435039 A JPH0435039 A JP H0435039A JP 2142284 A JP2142284 A JP 2142284A JP 14228490 A JP14228490 A JP 14228490A JP H0435039 A JPH0435039 A JP H0435039A
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wire
integrated circuit
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克実 大川
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清水　永
Hirobumi Kikuchi
博文 菊地
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は混成集積回路装置、特にスイッチング素子を組
み込んだ混成集積回路装置に関する。
（ロ）従来の技術 最近の電子機器には、スイッチング電源、アクティブ・
フィルタあるいはインバータ等の数多くの高周波スイッ
チング素子を利用した回路が採用されており、さらに小
型化のために混成集積回路化される傾向にある。
第５図は一般的なアクティブ・フィルタの基本回路を示
す。このアクティブ・フィルタはダイオドＤ１〜Ｄ４か
らなるブリッジ整流回路と、このブリッジ整流回路の交
流入力端子と電圧ＶＡＯで示される商用交流電源間に接
続されるリアクタＬとブリッジ整流回路の対の直流出力
端子間に並列接続されるトランジスタＱと、ブリッジ整
流回路の直流出力を平滑するコンデンサｃｄ、ブリッジ
整流回路の直流出力端子と平滑コンデンサｃｄ間に接続
されるダンパ　ダイオードＤ、から構成される。トラン
ジスタＱのベースには１５ＫＨ２以上の制御パルスφが
印加され、トランジスタＱは高周波でスイッチングして
いる。
次に、このアクティブ・フィルタの動作について説明す
る。商用交流のりアクタＬ側が正の半周期では、制御パ
ルスφがハイレベルのときトランジスタＱがオンし、リ
アクタＬ−ダイオードＤトランジスタＱ−ダイオードＤ
４の経路で電流が流れる、このとき平滑コンデンサｃｄ
の充電電圧の方が高電位であるので、ダンパ・ダイオー
ドＤ、は逆バイアスされて電流は流れない。制御パルス
φがローレベルのときトランジスタＱはオフし、前記し
た経路はオープンとなり、リアクタＬには以前の電気的
状態を持続させようとして逆起電力を発生する。この逆
起電力は商用交流と同極性であって、これらが加算され
た電圧は平滑コンデンサＣ４の充電電圧より高くなり、
ダンパ・ダイオードＤ５を順バイアスして平滑コンデン
サＣ４に商用交流の半周期に渡り充電する。なお商用交
流の負の半周期についても、ダイオードＤ２　　）ラン
ジスタＱ−ダイオードＤ３−リアクタＬの経路で同様の
動作をする。
このアクティブ・フィルタを混成集積回路化した構造を
第６図に示す。この断面構造は、アルミニウム基板（４
０）の表面を陽極酸化して絶縁酸化膜（４２）を形成し
、さらに絶縁酸化膜（４２）上に絶縁樹脂膜（４６）を
介して銅箔の回路パターン（４８）を形成している。こ
の回路パターン（４８）上には、アクティブ・フィルタ
を構成するダイオードＤ１〜Ｄ４およびＤ５、トランジ
スタＱおよび制御回路の回路素子をチップ状で実装して
いる。本図では、トランジスタＱの実装構造を示し、ト
ランジスタＱはヘートシンク（５０）を介して回路パタ
ーン（４８）上に固着され、トランジスタＱの電極と回
路パターン（４８）の接続はボンディングワイヤ（５４
）で行われている。
（ハ）発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような混成集積回路では特にノイズ
の問題がある。即ち、大電流の流れるスイッチング素子
の接続をするボンディングワイヤから外部にスイッチン
グノイズを発生する問題・点を有していた。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明は衛士の課題に鑑みてなされ　スイッチング素子
の電極と接続されるボンディングワイヤを絶縁被覆した
ボンディングワイヤを用い、このボンディングワイヤを
絶縁金属基板表面に沿って這うように延在させることに
より、従来の問題点を解決した混成集積回路装置を実現
するものである。
（ホ）作用 本発明によれば、スイッチング素子の大電流の流れるボ
ンディングワイヤに絶縁被覆したものを用い、このボン
ディングワイヤを絶縁金属基板表面に這わせるので、絶
縁金属基板の持つシールド効果によりボンディングワイ
ヤから放出されるスイッチングノイズが減少するように
なる。
（へ）実施例 本発明の実施例を第１図および第２図を参照して詳細に
説明する。
第１図は本発明を適用されるアクティブ・フィルタの回
路図である。このアクティブ・フィルタは、ダイオード
Ｄ、〜Ｄ４からなるブリッジ整流回路と、このブリッジ
整流回路の正の直流出力端に一端が接続されるリアクタ
Ｌと、このリアクタＬの他端とグランド間にコレクタ、
エミッタがそれぞれ接続されるトランジスタＱ０と　こ
のトランジスタＱ０のコレクタにアノードが接続される
ダンパ・ダイオードＤ５、このダンパ・ダイオードＤ６
のカソードとグランド間に接続される平滑コンデンサｃ
ｄおよびトランジスタＱ。のベースに制御パルスφを印
加する制御回路ＣＯＭから構成される。
上記の回路構成は、リアクタしおよび平滑コンデンサＣ
４を除いて第２図に示す絶縁金属基板上の配線パターン
上に実装される。絶縁金属基板は図面のほぼ上半分の空
白部分に対応する小信号回路ブロックと下半分に対応す
る大電流ブロックに２分割される。この２ブロツクを区
分するように斜線を施したグランド・パターンが配置さ
れ、さらに大電流ブロックを左右に分割している。
小電流ブロックには、制御回路ＣＯＭが組み込まれ、左
側の大電流ブロックにはブリッジ整流回路のダイオード
Ｄ１〜Ｄ４が組み込まれ、右側の大電流ブロックにはダ
ンパ・ダイオードＤ６、トランジスタＱ。およびエミッ
タ抵抗Ｒが組み込まれている。
本発明の特徴は、スイッチング素子であるトランジスタ
Ｑ。の電極と配線パターンとの接続構造にある。第３図
にこの断面構造を示す。この構造は　アルミニウム基板
（１０）の表面を陽極酸化して絶縁酸化膜（１２）を形
成し、さらに絶縁酸化膜（１２）上に絶縁樹脂膜（１６
）を介して銅箔の回路パターン（１８）を形成している
。この回路パターン（１８）上には、アクティブ　フィ
ルタを構成するダイオードＤ１〜Ｄ４およびＤ５トラン
ジスタＱおよび制御回路の回路素子をチップ状で実装し
ている。本図では、トランジスタＱ。の実装構造を示し
、トランジスタＱ。はヘートシンク（２０）を介して回
路パターン（１８）上に固着され、トランジスタＱ。の
取ＩＱ！、とｌｉ：　Ｆ？、１バタン（１８）の接続は
ボンディングワイヤ（２１１）で行われている。
本発明で用いるボンディングワイヤ（２４）は５０μ〜
２００μの銅あるいはアルミニウム細線（２６）とその
表面を被覆するウレタンあるいはフッ化エチレンよりな
る絶縁被膜（２８）で形成されている。この絶縁被膜（
２８）は細線（２６）をウレタンあるいはフッ化エチレ
ンの溶液中を通して、約１０〜５０μ厚（平均的には２
０μ厚に付着している。
このボンディングワイヤ（２４）は超音波ボンディング
装置でトランジスタＱ。のベース、エミッタ電極に一端
を接続される。即ち、ボンディングワイヤ（２４）は断
面が円形であるので、電極との接点に超音波エネルギー
が集中して絶縁被膜（２８）が部分的に破れ、電気的接
続を実現できる。そしてボンディングワイヤ（２４）の
他端は所定の配線パターン（１８）と同様に超音波接続
される。さらにこのボンディングワイヤ（２４）は基板
（１０）表面に這うように変形され図示のようにトラン
ジスタＱ。（２２）およびヒトシンク（２０）の側面に
沿って延在され、基板（１０）表面を這うように配置さ
れる。このボンディングワイヤ（２４）は表面を接続点
以外ですべて絶縁被覆されているので、ヒートシンク（
２０）および配線パターン（１８）と短絡する虞れは皆
無である。
（ト）発明の効果 本発明によれば、スイッチング素子であるトランジスタ
Ｑ。の電極に接続されたボンディングワイヤ（２４）が
金属基板（１０）の表面に沿って延在できるので、ボン
ディングワイヤ（２４）から放出されるスイッチングノ
イズが金属基板（１０）により吸収され、外部へのスイ
ッチングノイズの不要輻射を大幅に低減する利点を有す
る。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明を採用するアクティブ　フィルタを説明
する回路図、第２図および第３図は本発明の実装構造を
説明する上面図および断面図、第４図は本発明に用いる
ボンディングワイヤを説明する斜視図、第５図は従来例
に採用するアクティブ　フィルタを説明する回路図、第
６図は従来の実装構造を説明する断面図である。 ジスタ、ＣＯＭ・　・制御回路。 （１０）・　・絶縁金属基板、（１２）絶縁酸化膜、（
１６）　・・絶縁樹脂膜、（１８）・　・配線パターン
、（２０）・・・ヒートシンク、（２２）　　　・・ト
ランジスタＱ。、（２４）・・・絶縁被覆したボンディ
ングワイヤ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）絶縁金属基板上にスイッチング素子を組み込んだ
    混成集積回路装置において、前記スイッチング素子の電
    極に絶縁被覆したボンディングワイヤの一端を接続し、
    前記基板表面を這うように延在させたことを特徴とする
    混成集積回路装置。
  2. （２）前記ボンディングワイヤはウレタンあるいはフッ
    化エチレンにより絶縁被覆したことを特徴とする請求項
    １記載の混成集積回路装置。
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