JPH04348578A - 光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光を用いて情報を記録
、再生する光記憶の分野において、光ヘッドを構成する
光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光記憶媒体からの光を４つの光電
変換素子の方向へ分割する２つの不等周期回折格子領域
から成る回折手段と、該回折手段と集光レンズとから成
る非点収差発生手段と、前記回折手段の０次回折光の光
軸を中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４
つの前記光電変換素子と、光源とを有する光素子におい
て、前記光電変換素子をパッケージの台座へ実装する時
の融着手段に関しては、何等限定されていなかった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】光源と光電変換素子等
を１つのパッケージに実装する光素子の場合、光電変換
素子を光源に対して極めて高い位置精度で実装しないと
フォーカシングエラーとトラッキングエラー信号を得る
ことができなくなるが、これにおいては融着用金属の形
状やそれを形成する場所によって大きく左右される。

【０００４】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは極めて高い位置精度で
光電変換素子を実装可能とする光素子を提供するところ
にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明は、光記憶媒体からの光を４つの光電変
換素子の方向へ分割する２つの不等周期回折格子領域か
ら成る回折手段と、該回折手段と集光レンズとから成る
非点収差発生手段と、前記回折手段の０次回折光の光軸
を中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つ
の前記光電変換素子と、光源とを有する光素子において
、前記光電変換素子もしくは前記光電変換素子が形成さ
れた基板に、融着用金属薄膜を具備することを特徴とす
る。

【０００６】

【実施例】図１は本発明の実施例における光素子の一部
を示す正面図（ａ）と上視図（ｂ）である。台座１０４
はパッケージの一部で、パッケージ底面が図１（ａ）の
紙面と平行にあり台座１０４が底面上に突起している。 この台座１０４に光源及び光電変換素子を実装する工程
に従って説明する。

【０００７】まずサブマウント１０３をｙ軸方向から台
座１０４にダイボンドする。ダイボンドはサブマウント
１０３の面に蒸着された融着用金属に熱を加え溶かしな
がら押し付けることによって行なわれる。

【０００８】次に光源となる半導体レーザ１０２をサブ
マウント１０３へｙ軸方向からダイボンドする。ダイボ
ンドは半導体レーザ１０２の面に蒸着された融着用金属
に熱を加え溶かしながら押し付けることによって行なわ
れる。この際、半導体レーザ１０２の光出射面と台座１
０４中央のｘｙ平面が一致するようにダイボンドする。

【０００９】光電変換素子となる４つのフォトダイオー
ド１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄはそれぞれ
、基板１０６Ａにフォトダイオード１０５Ａと１０５Ｂ
、基板１０６Ｂにフォトダイオード１０５Ｃと１０５Ｄ
が形成されている。裏面には融着用金属薄膜としてＩｎ
膜１０７が蒸着により形成されている。

【００１０】基板１０６Ａ、１０６Ｂは半導体レーザ１
０２の発光点１０１を中心に放射状にフォトダイオード
１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄが配置するよ
うに、台座１０４に実装される。その際はＩｎ膜１０７
に熱を加え溶かしながら台座１０４へ押し付けることに
よって実装する。

【００１１】Ｉｎ膜１０７の膜厚は数μｍであり、また
蒸着膜であることから膜厚の均一性が良いので、基板１
０６Ａ、１０６Ｂは台座１０４の面と傾くことなく実装
できる。さらに融着用のＩｎ膜が台座側ではなく、基板
１０６Ａ、１０６Ｂ側に形成されているので、サブマウ
ント１０３や半導体レーザ１０２のダイボンドの際の加
熱で溶けてしまうこともない。本発明の光素子において
は、光記憶媒体のトラックに正しく焦点があった場合、
４つのフォトダイオードの受光領域にそれぞれの回折光
スポットの全光量が入らなければならないので、ｚ軸方
向の位置精度が厳しく要求される。しかし本実施例のよ
うに光電変換素子側に融着金属薄膜を形成しておけば、
その精度は台座１０４の段差の加工精度と基板１０６Ａ
、１０６Ｂの厚さの精度のみで決まるため、極めて位置
精度が高くなる。

【００１２】図２は本発明の実施例における実装後のパ
ッケージを示す斜視図である。この様に半導体レーザ１
０２、及びフォトダイオードを備えた基板１０６Ａ、１
０６Ｂを実装した後、各素子の電極と端子をワイヤボン
ドする。さらに検光子として偏光板を基板１０６Ａ、１
０６Ｂの前に配置し、集光レンズと不等周期回折光子か
らなる非点収差発生手段を配置して光素子を完成する。

【００１３】この様にして製造された光素子は、光信号
、エラー信号を検出するのに必要な光学部品が回折手段
だけで済むため極めて小型の光ヘッドが構成できる。

【００１４】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光電
変換素子を極めて高い位置精度をもって実装できるとい
う効果を有する。光源と光電変換素子を同一パッケージ
に実装するこの様な光素子の光軸方向の位置精度は、光
電変換素子の面積も小さいうえ、製造後位置調整をする
ことができないので、実装時の位置ずれの許容範囲がき
びしい。しかし本発明のように光電変換素子側に融着金
属薄膜を形成しておけば、サブマウントや半導体レーザ
のダイボンドの際の加熱で融着金属が溶けてしまうこと
もなく、また数μｍの厚さで融着できるため、その実装
精度は台座の段差の加工精度と光電変換素子の厚さの精
度のみで決まり、極めて位置精度が高くなると共に、実
装時に光軸方向の精度を確認しながら実装する必要が無
く簡単である。

【００１５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における光素子の一部を示す正
面図（ａ）と上視図（ｂ）である。

【図２】本発明の実施例における実装後のパッケージを
示す斜視図である。

【符号の説明】

１０１　　発光点 １０２　　半導体レーザ １０３　　サブマウント １０４　　台座 １０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ　　フォトダ
イオード １０６Ａ、１０６Ｂ　　基板 １０７　　Ｉｎ膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　光記憶媒体からの光を４つの光電変換
   素子の方向へ分割する２つの不等周期回折格子領域から
   成る回折手段と、該回折手段と集光レンズとから成る非
   点収差発生手段と、前記回折手段の０次回折光の光軸を
   中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の４つの
   前記光電変換素子と、光源とを有する光素子において、
   前記光電変換素子もしくは前記光電変換素子が形成され
   た基板に、融着用金属薄膜を具備することを特徴とする
   光素子。