JPH04350947A - 光素子の製造方法 - Google Patents

光素子の製造方法

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Publication number
JPH04350947A
JPH04350947A JP3123674A JP12367491A JPH04350947A JP H04350947 A JPH04350947 A JP H04350947A JP 3123674 A JP3123674 A JP 3123674A JP 12367491 A JP12367491 A JP 12367491A JP H04350947 A JPH04350947 A JP H04350947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
board
photoelectric conversion
photodiodes
optical
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3123674A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Asaga
浅賀 達也
Tetsuya Seki
哲也 関
Kazuaki Watanabe
和昭 渡辺
Manabu Inaba
学 稲葉
Hideaki Iwano
岩野 英明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP3123674A priority Critical patent/JPH04350947A/ja
Publication of JPH04350947A publication Critical patent/JPH04350947A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Die Bonding (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光を用いて情報を記録
、再生する光記憶の分野において、光ヘッドを構成する
光素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光記憶媒体からの光を4つの光電
変換素子の方向へ分割する2つの不等周期回折格子領域
から成る回折手段と、該回折手段と集光レンズとから成
る非点収差発生手段と、前記回折手段の0次回折光の光
軸を中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の4
つの前記光電変換素子と、光源とを有する光素子におい
て、前記光電変換素子の実装時の加熱方法は何等限定さ
れていなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述したような、光源
と光電変換素子等を1つのパッケージに実装する光ヘッ
ドの場合、光電変換素子がフォーカシングエラーとトラ
ッキングエラー信号等を受光するためには光電変換素子
を光源に対して極めて高い位置精度で実装しなければな
らない。
【0004】しかし、光電変換素子の位置精度は、ダイ
ボンディングの加熱のタイミングで大きな影響を受ける
ためこれを考慮しなくてはならない。
【0005】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは極めて高い位置精度で
光電変換素子をダイボンディング可能とする光素子の製
造方法を提供するところにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するために本発明の光素子の製造方法は、光記憶媒体か
らの光を4つの光電変換素子の方向へ分割する2つの不
等周期回折格子領域から成る回折手段と、該回折手段と
集光レンズとから成る非点収差発生手段と、前記回折手
段の0次回折光の光軸を中心として放射状に長軸方向が
配置された帯状の4つの前記光電変換素子と、光源とを
有する光素子において、前記光電変換素子または前記光
電変換素子が形成された基板を位置合わせした後、加熱
してダイボンディングすることを特徴とする。
【0007】
【実施例】図1は本発明の実施例を示す光素子の正面図
(a)と上視図(b)である。台座104はパッケージ
の一部で、パッケージ底面が図1(a)の紙面と平行に
あり台座104が底面上に突起している。この台座10
4に光源及び光電変換素子を実装する方法を以下に述べ
る。
【0008】まずサブマウント103をy軸方向から台
座104にダイボンディングする。ダイボンディングは
サブマウント103の面に蒸着された融着用金属に熱を
加え溶かしながら押し付けることによって行なわれる。
【0009】次に光源となる半導体レーザ102をサブ
マウント103へy軸方向からダイボンディングする。 ダイボンディングは半導体レーザ102の面に蒸着され
た融着用金属に熱を加え溶かしながら押し付けることに
よって行なわれる。この際、半導体レーザ102の光出
射面と台座104中央のxy平面が一致するようにダイ
ボンディングする。
【0010】この後、半導体レーザ102とパッケージ
に設けられた端子間をワイヤボンディングし半導体レー
ザ102を駆動できるようにする。
【0011】光電変換素子となる4つのフォトダイオー
ド105A、105B、105C、105Dはそれぞれ
、基板106Aにフォトダイオード105Aと105B
、基板106Bにフォトダイオード105Cと105D
が形成されている。また基板106A、106Bには合
わせマーク107A、107Bがそれぞれ形成されてい
る。
【0012】基板106A、106Bを実装する際、半
導体レーザ102を駆動し発光させる。実装装置のモニ
ター画面を観ながら画面上の基準線(図1(a)におい
て波線で示した。)108と基準線109の交点に発光
点101を一致させる。この時半導体レーザ102の実
装面と基準線108が平行になるようにする。次に基板
106Aの合わせマーク107Aと画面上の基準線11
0及び108が一致するように基板106Aを回転また
は移動し位置決めをする。この状態で基板106Aは台
座104に接触しているだけである。
【0013】図3に本発明の実施例におけるダイボンデ
ィング時の光素子の上視図を示した。実装装置の治具3
03に光素子のパッケージ302が差し込まれている。 基板106Aはバキュームチャックでボンディングツー
ル301Aに付いており移動、回転が可能である。
【0014】位置決めが終わった状態で基板106Aは
ボンディングツール301Aにより台座104へz軸方
向から加重される。ここでボンディングツール301A
の動きをロックする。次に治具303の内部のヒーター
により加熱する。基板106Aの裏面に形成されている
融着用金属112A(図1に示した。)が溶解したとこ
ろで加熱をやめ冷却すると基板106Aは台座104に
融着されダイボンディングが完了する。さらに基板10
6Bも同様にダイボンディングする。
【0015】このように完全に位置を決めて動かないよ
うにしてから加熱するため極めて精度良くダイボンディ
ング可能である。
【0016】図2は本発明の実施例のダイボンディング
後のパッケージを示す斜視図である。この様に半導体レ
ーザ102、及びフォトダイオードを備えた基板106
A、106Bをダイボンディングした後、各素子の電極
と端子をワイヤボンディングする。さらに検光子として
偏光板を基板106A、106Bの前に配置し、集光レ
ンズと不等周期回折光子からなる非点収差発生手段を配
置して光素子を完成する。
【0017】この様にして製造された光素子は、光信号
、エラー信号を検出するのに必要な光学部品が回折手段
だけで済むため極めて小型の光ヘッドを構成できる。
【0018】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光電
変換素子を光源に対し極めて高い位置精度をもって実装
できるという効果を有する。同一パッケージに実装する
この様な光素子では、光電変換素子の面積も小さいうえ
、製造後位置調整をすることができない。従って実装の
位置ずれの許容範囲がきびしいが、本発明は完全に位置
を決めて動かないようにしてから加熱するため極めて精
度良く実装可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における光素子の正面図(a)
と上視図(b)である。
【図2】本発明の実施例における実装後のパッケージを
示す斜視図である。
【図3】本発明の実施例におけるダイボンディング時の
光素子の上視図である。
【符号の説明】
101  発光点 102  半導体レーザ 103  サブマウント 104  台座 105A、105B、105C、105D  フォトダ
イオード 106A、106B  基板 107A、107B  合わせマーク 108、109、110、111  基準線112A、
112B  融着用金属 301A、301B  ボンディングツール302  
パッケージ 303  治具

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  光記憶媒体からの光を4つの光電変換
    素子の方向へ分割する2つの不等周期回折格子領域から
    成る回折手段と、該回折手段と集光レンズとから成る非
    点収差発生手段と、前記回折手段の0次回折光の光軸を
    中心として放射状に長軸方向が配置された帯状の4つの
    前記光電変換素子と、光源とを有する光素子において、
    前記光電変換素子または前記光電変換素子が形成された
    基板を位置合わせした後、加熱してダイボンディングす
    ることを特徴とする光素子の製造方法。
JP3123674A 1991-05-28 1991-05-28 光素子の製造方法 Pending JPH04350947A (ja)

Priority Applications (1)

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JP3123674A JPH04350947A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 光素子の製造方法

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JPH04350947A true JPH04350947A (ja) 1992-12-04

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019164161A (ja) * 2015-09-29 2019-09-26 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、及び荷重センサの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019164161A (ja) * 2015-09-29 2019-09-26 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、及び荷重センサの製造方法
US11131590B2 (en) 2015-09-29 2021-09-28 Minebea Mitsumi Inc. Strain gauge, load sensor, and method for manufacturing strain gauge
JP2022153664A (ja) * 2015-09-29 2022-10-12 ミネベアミツミ株式会社 ひずみゲージ、荷重センサ、ひずみゲージの製造方法、及び荷重センサの製造方法

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