JPH0416436Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体チツプをテープキヤリアにギヤ
ングボンデイングするギヤングボンデイング装置
に関する。

〔考案の概要〕

本考案はギヤングボンデイング装置において、
半導体チツプ上の複数の電極と接合される被接合
体としてのテープキヤリア上の複数のリード電極
の形状、相対位置異常をレーザー光をスキヤニン
グし検出することにより、複数の微細化した半導
体チツプ電極とリード電極との接合を自動化し、
歩留まりの向上をしたものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体チツプの電極にテープキヤリア上
のリード電極をボンデイングするギヤングボンデ
イング装置を第２図において説明する。ボンデイ
ングを行なう加熱圧着用ボンデイングツール２６
のあるステージに、半導体チツプ２１の電極とテ
ープキヤリア２２にオーバーハングされたリード
電極２３とのアライメントおよびリード電極２３
の形状とそれぞれの相対位置関係（以下リード電
極のまがりと総称する。）を検査するためにプリ
ズム２４を通して対象物を撮映するテレビカメラ
の設置された顕微鏡２５が設置されていた。設置
台２７上に位置決めされ設置された半導体チツプ
２１は、設置台２７が矢印２８の方向に移動し、
ボンデイングシール２６直下に送られる。一方テ
ープキヤリア２２も同じく直下に搬送される。こ
の時半導体チツプ２１の電極とリード電極２３の
位置決めのためプリズム２４が矢印２９の方向に
移動し、リード電極の像をプリズム２４を介して
テレビカメラ２５で撮映し、そこでリード電極の
まがりを検査し、さらにアライメントをテープキ
ヤリア所定の位置になるように動かす。しかる後
ボンデイング時には、プリズム２４は機械的にこ
のステージより逃がし、ボンデイングツールが下
降、加熱圧着し、リード電極と半導体チツプとの
ボンデイングを終了する。このように同一のステ
ージでボンデイング、検査・アライメントを行な
つていた。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかし前述の従来技術では、半導体チツプの高
集積化により電極数が増加し、それに伴いリード
電極も増加し、さらに微細化している。従来の装
置では、リード電極数50本が自動ギヤングボンデ
イングの限度であつた。それは顕微鏡を高倍率に
しなければリード電極のまがり、位置の判定がで
きず、また高倍率にすると全リード電極が一視野
内に入らないため人手でテープキヤリアを動か
し、リード電極のまがりを目視検査し、位置決め
を行なつていた。本考案のギヤングボンデイング
装置は、このような問題点を解決するものでその
目的とするところは、電極数最大200個まである
半導体チツプをテープキヤリアのリード電極に自
動的にギヤングボンデイングできるギヤングボン
デイング装置を提供するところにある。

〔問題を解決するための手段〕

本考案のギヤングボンデイング装置は、半導体
チツプと前記半導体チツプの電極に対応してリー
ド電極が形成されるテープキヤリアとを接合する
ギヤングボンデイング装置において、 前記ギヤングボンデイング装置は、各々の前記
リード電極の形状および相対位置を検査する手段
を有する第１のステージと、前記半導体の電極と
前記リード電極とのアライメント手段を有すると
共に前記両者を接合する手段を有する第２のステ
ージとを有し、 前記第１のステージは、前記リード電極にレー
ザー光を照射させる手段と、前記レーザー光が全
ての前記リード電極をスキヤニングする手段とを
有することを特徴とする。

〔作用〕

本考案の上記の構成によれば、リード電極のま
がりを検査するステージと、半導体チツプの電極
とリード電極とのアライメントおよび、ギヤング
ボンデイングをするステージとに分割し、さらに
リード電極のまがりの検査を行なうために、レー
ザー発振体より出るレーザービームをリード電極
に順次一本一本照射しその反対側あるいは透過側
の検知機でリード電極のまがりに応じた信号を取
り出し信号処理をしてその部分のギヤングボンデ
イングの可否を判定するようにしたものである。

〔実施例〕

本考案の実施例を第１図において説明する。

第１図は本考案のギヤングボンデイング装置の
主要構成を示す概観図を示す。半導体チツプ１は
チツプトレイ２より給材し、設置台７で位置決め
され、ボンデイングツール３直下に設置される。
このステージにおいてまずプリズム４がボンデイ
ングツール３直下に入り込み、テープキヤリア５
上のリード電極６の像をテレビカメラ８で撮映し
搬送系全体を動かし自動アライメントを行なう。
しかる後プリズム４は逃げ、ボンデイングツール
３が下降しギヤングボンデイングを行なう。一方
ギヤングボンデイングを行なうステージとは異な
る前のステージにおいて、80本以上がオーバーハ
ングされているリード電極６のまがりを検査す
る。このステージに設置されたレーザー発振体９
より出たレーザー光は光学系（図では対物レンズ
１０が記載）により、スポツト径約1μのビーム
としてリード電極に照射される。レーザーの光の
検知器１１は本考案では透過側に取りつけた。被
検査物の表面状態によつては反対側に取りつける
ことも可能である。検知器１１はレーザービーム
光の光軸と一致させる。一方被検査物はＸ−Ｙス
テージ１２上に設置され、レーザービーム光が一
本一本のリード電極をスキヤニングする。オーバ
ーハングしたリード電極が所定の位置にあるもの
ないもの、また形状によつてもレーザービーム光
が透過し検知器に与える信号量が変化するためそ
れに応じた電気処理を行なうことにより、良否を
判定し否のものは次のステージでギヤングボンデ
イングは行なわないようにしたものである。また
被検査物を固定しレーザー光自体を走査しリード
電極をスキヤニングすることも同様である。

〔考案の効果〕

以上述べたように、従来技術においてはチツプ
の高集積化に伴うリード電極数の増加、微細化が
あると高倍率しなければリード電極のまがり位置
判定ができず、また高倍率にすると一視野で撮映
できなかつたが、本考案によれば、各々のリード
電極の形状および相対位置を検査する手段を有す
る第１のステージを設け、その第１のステージに
は、リード電極にレーザー光を照射させる手段
と、このレーザー光が全てのリード電極をスキヤ
ニングする手段とを設けたので、例えばレーザー
ビームをリード電極の一本一本に照射し、高速で
所定の形状にスキヤニングすると、被接合体とし
ての複数のリード電極の形状、相対位置異常など
の欠陥により信号が異なるため、それをとらえて
不良と判定できる。また、例えばレーザー光を照
射するスポツト径を1μとすることにより、微細
化した200本のリード電極についても自動的に検
査できるようになつた。さらにアライメントと検
査を別ステージで行なうために両方の工程時間を
重複させて行なえるために、従来の装置と同等の
サイクル時間でギヤングボンデイングが行なえ
る。このように本考案による装置は半導体の高集
積化に対応できるギヤングボンデイング装置であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案のギヤングボンデイング装置の
一実施例を示す主要概観図を示す。第２図は従来
のギヤングボンデイング装置を示す主要概観図。 １……半導体チツプ、２……チツプトレイ、３
……ボンデイングツール、４……プリズム、５…
…テープキヤリア、６……リード電極、７……設
置台、８……テレビカメラ、９……レーザー発振
体、１０……対物レンズ、１１……検知器、１２
……Ｘ−Ｙテーブル、２１……半導体チツプ、２
２……テープキヤリア、２３……リード電極、２
４……プリズム、２５……テレビカメラ、２６…
…ボンデイングツール、２７……設置台、２８，
２９……移動方向矢印。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体チツプと前記半導体チツプの電極に対応
   してリード電極が形成されるテープキヤリアとを
   接合するギヤングボンデイング装置において、 前記ギヤングボンデイング装置は、各々の前記
   リード電極の形状および相対位置を検査する手段
   を有する第１のステージと、前記半導体の電極と
   前記リード電極とのアライメント手段を有すると
   共に前記両者を接合する手段を有する第２のステ
   ージとを有し、 前記第１のステージは、前記リード電極にレー
   ザー光を照射させる手段と、前記レーザー光が全
   ての前記リード電極をスキヤニングする手段とを
   有することを特徴とするギヤングボンデイング装
   置。