JPH04347102A - ダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法Info
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- JPH04347102A JPH04347102A JP12108691A JP12108691A JPH04347102A JP H04347102 A JPH04347102 A JP H04347102A JP 12108691 A JP12108691 A JP 12108691A JP 12108691 A JP12108691 A JP 12108691A JP H04347102 A JPH04347102 A JP H04347102A
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Landscapes
- Adornments (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ法により析出形
成されるダイヤモンドを装飾用のアクセサリーとして使
用するダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法に
関するものである。
成されるダイヤモンドを装飾用のアクセサリーとして使
用するダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、装飾用のアクセサリーとしては
、ネクタイピン，ネックレス，カフスボタン，指輪，イ
ヤリング，ペンダント，ブローチ，ヘヤピン等があり、
これらには天然ダイヤモンド，サファイヤ，ルビー，真
珠等が種々な形で使用されている。中でも、硬度，透明
度や屈折率等の点からダイヤモンドがより多く使用され
ており、輝きを引き出すために、カッティング等の加工
を施してから、金やプラチナの基台に取付けている。ま
た、豪華さを出すために、多数のダイヤモンドの粒を使
用したデザインが多くなってきている。
、ネクタイピン，ネックレス，カフスボタン，指輪，イ
ヤリング，ペンダント，ブローチ，ヘヤピン等があり、
これらには天然ダイヤモンド，サファイヤ，ルビー，真
珠等が種々な形で使用されている。中でも、硬度，透明
度や屈折率等の点からダイヤモンドがより多く使用され
ており、輝きを引き出すために、カッティング等の加工
を施してから、金やプラチナの基台に取付けている。ま
た、豪華さを出すために、多数のダイヤモンドの粒を使
用したデザインが多くなってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術によると、次のような問題点がある。天然ダイヤモ
ンドは手作業によるカットや研磨等の加工によって、希
望の形状，大きさ，光沢を引き出しているので、加工に
大変な手間がかかり、コスト高になる。また、硬度が高
いので、表徴（文字，数字，記号，星形，マーク等）の
ような複雑な形状に加工できない上、原石にはあまり大
きなものがない。よって、大きさ，形状が限定される。 そして、多数個使用する場合でも一粒一粒に加工を施し
、その一粒一粒を基台に取付けなければならないので、
加工および取付けに大変な手間がかかる。
技術によると、次のような問題点がある。天然ダイヤモ
ンドは手作業によるカットや研磨等の加工によって、希
望の形状，大きさ，光沢を引き出しているので、加工に
大変な手間がかかり、コスト高になる。また、硬度が高
いので、表徴（文字，数字，記号，星形，マーク等）の
ような複雑な形状に加工できない上、原石にはあまり大
きなものがない。よって、大きさ，形状が限定される。 そして、多数個使用する場合でも一粒一粒に加工を施し
、その一粒一粒を基台に取付けなければならないので、
加工および取付けに大変な手間がかかる。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、加工に手間がかからず、任意の大きさ，形状に形成
でき、低コストなダイヤモンドアクセサリーおよびその
製造方法を提供することにある。
で、加工に手間がかからず、任意の大きさ，形状に形成
でき、低コストなダイヤモンドアクセサリーおよびその
製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため、次のような構成にした。ＣＶＤ法により析出
形成されるダイヤモンドからなるダイヤモンドアクセサ
リーとした。
するため、次のような構成にした。ＣＶＤ法により析出
形成されるダイヤモンドからなるダイヤモンドアクセサ
リーとした。
【０００６】また、ＣＶＤ法により析出形成されるダイ
ヤモンドと、該ダイヤモンドを支持する装飾用基台とか
らなるダイヤモンドアクセサリーとした。
ヤモンドと、該ダイヤモンドを支持する装飾用基台とか
らなるダイヤモンドアクセサリーとした。
【０００７】そして、析出用基材を所定の形状に形成し
、該析出用基材を収納し真空にした容器内に炭化水素ガ
スと水素ガスを導入しつつ、前記容器内を排気して該容
器内の圧力を維持すると共に、前記析出用基材を加熱し
て該析出用基材の表面にダイヤモンドを析出させた後、
該ダイヤモンドから析出用基材を除去するダイヤモンド
アクセサリーの製造方法とした。
、該析出用基材を収納し真空にした容器内に炭化水素ガ
スと水素ガスを導入しつつ、前記容器内を排気して該容
器内の圧力を維持すると共に、前記析出用基材を加熱し
て該析出用基材の表面にダイヤモンドを析出させた後、
該ダイヤモンドから析出用基材を除去するダイヤモンド
アクセサリーの製造方法とした。
【０００８】さらに、析出用基材を所定の形状に形成し
、該析出用基材を収納し真空にした容器内に炭化水素ガ
スと水素ガスを導入しつつ、前記容器内を排気して該容
器内の圧力を維持すると共に、前記析出用基材を加熱し
て該析出用基材の表面にダイヤモンドを析出させた後、
該ダイヤモンドから析出用基材を除去し、該ダイヤモン
ドを装飾用基台に取付けるダイヤモンドアクセサリーの
製造方法とした。
、該析出用基材を収納し真空にした容器内に炭化水素ガ
スと水素ガスを導入しつつ、前記容器内を排気して該容
器内の圧力を維持すると共に、前記析出用基材を加熱し
て該析出用基材の表面にダイヤモンドを析出させた後、
該ダイヤモンドから析出用基材を除去し、該ダイヤモン
ドを装飾用基台に取付けるダイヤモンドアクセサリーの
製造方法とした。
【０００９】
【作 用】本発明によれば、次のように作用する。真
空にした容器内に炭化水素ガスと水素ガスを導入しつつ
、その容器内を排気してその容器内の圧力を維持するの
で、容器内は真空状態で圧力が一定になり、炭化水素ガ
スと水素ガスの濃度が一定になる。また、析出用基材を
加熱するので、析出用基材の周囲の水素ガスが原子状水
素となり、この原子状水素と炭化水素ガスが反応して析
出用基材の表面にダイヤモンドが析出形成することにな
る。このダイヤモンドは析出用基材の表面に膜状あるい
は板状に積層するダイヤモンド粒子の集合体（多結晶体
）で、合成条件を制御することにより、光沢，色，輝き
，厚みを変えることができる。
空にした容器内に炭化水素ガスと水素ガスを導入しつつ
、その容器内を排気してその容器内の圧力を維持するの
で、容器内は真空状態で圧力が一定になり、炭化水素ガ
スと水素ガスの濃度が一定になる。また、析出用基材を
加熱するので、析出用基材の周囲の水素ガスが原子状水
素となり、この原子状水素と炭化水素ガスが反応して析
出用基材の表面にダイヤモンドが析出形成することにな
る。このダイヤモンドは析出用基材の表面に膜状あるい
は板状に積層するダイヤモンド粒子の集合体（多結晶体
）で、合成条件を制御することにより、光沢，色，輝き
，厚みを変えることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明する
。図面の図１はダイヤモンドアクセサリーの製造工程を
示す説明図である。尚、本実施例は熱フィラメントＣＶ
Ｄ法を使用した。また、析出用基材にはシリコンウエハ
ーを使用し、装飾用基台にはプラチナを使用した。
。図面の図１はダイヤモンドアクセサリーの製造工程を
示す説明図である。尚、本実施例は熱フィラメントＣＶ
Ｄ法を使用した。また、析出用基材にはシリコンウエハ
ーを使用し、装飾用基台にはプラチナを使用した。
【００１１】図１に示すように、シリコンウエハー１の
小片を腐食させて、例えば数字の２を形成する。このよ
うに、腐食により所定の形状に形成しているが、研削や
切断により所定の形状に形成してもよい。次に、このシ
リコンウエハー１の表面に２〜３μｍのダイヤモンド砥
粒でミクロン的な傷を付ける。これにより析出するダイ
ヤモンドの核を形成し易くすることができ、形成時間の
短縮ができる。
小片を腐食させて、例えば数字の２を形成する。このよ
うに、腐食により所定の形状に形成しているが、研削や
切断により所定の形状に形成してもよい。次に、このシ
リコンウエハー１の表面に２〜３μｍのダイヤモンド砥
粒でミクロン的な傷を付ける。これにより析出するダイ
ヤモンドの核を形成し易くすることができ、形成時間の
短縮ができる。
【００１２】このシリコンウエハー１を８００〜８５０
°Ｃに保たれた炉（容器）に入れ、この炉内を真空にし
てメタンガスと水素ガスを導入しつつ、その炉内を排気
して、炉内をメタンガス（ＣＨ４ ）：１％，水素ガス
（Ｈ２ ）：９９％ から成る圧力３０Ｔｏｒｒの雰
囲気にすると共に、タンクステン（Ｗ）フィラメントを
通電させ、２１００°Ｃにしてシリコンウエハー１を加
熱する。そして、この状態を１３時間保持した。
°Ｃに保たれた炉（容器）に入れ、この炉内を真空にし
てメタンガスと水素ガスを導入しつつ、その炉内を排気
して、炉内をメタンガス（ＣＨ４ ）：１％，水素ガス
（Ｈ２ ）：９９％ から成る圧力３０Ｔｏｒｒの雰
囲気にすると共に、タンクステン（Ｗ）フィラメントを
通電させ、２１００°Ｃにしてシリコンウエハー１を加
熱する。そして、この状態を１３時間保持した。
【００１３】前記炉内の雰囲気およびタンクステン（Ｗ
）フィラメントの加熱により、シリコンウエハー１の周
囲の水素ガスが原子状水素となり、この原子状水素とメ
タンガスが反応して、シリコンウエハー１の表面にダイ
ヤモンドが析出形成する。このダイヤモンドは膜状ある
いは板状に積層するダイヤモンド粒子の集合体（多結晶
体）で、合成条件を制御することにより、光沢，色，輝
き，厚みを変えることができる。
）フィラメントの加熱により、シリコンウエハー１の周
囲の水素ガスが原子状水素となり、この原子状水素とメ
タンガスが反応して、シリコンウエハー１の表面にダイ
ヤモンドが析出形成する。このダイヤモンドは膜状ある
いは板状に積層するダイヤモンド粒子の集合体（多結晶
体）で、合成条件を制御することにより、光沢，色，輝
き，厚みを変えることができる。
【００１４】前記炉内から取り出したシリコンウエハー
１上には均一な厚さ６０μｍの膜状のダイヤモンド２が
析出していた。次に、シリコンウエハー１をフッ化水素
（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３ ）の１：１の混合溶液で溶
解して、シリコンウエハー１を除去する。これにより、
数字の２の形をしたダイヤモンド２の単独自立体を得た
。
１上には均一な厚さ６０μｍの膜状のダイヤモンド２が
析出していた。次に、シリコンウエハー１をフッ化水素
（ＨＦ）：硝酸（ＨＮＯ３ ）の１：１の混合溶液で溶
解して、シリコンウエハー１を除去する。これにより、
数字の２の形をしたダイヤモンド２の単独自立体を得た
。
【００１５】このダイヤモンド２をプラチナ３にエポキ
シ樹脂で接着して取り付けた。接着面はシリコンウエハ
ー１が接触していた面の反対の表面としたが、どらちの
面を使用してもよい。これを光に照らしたところ、ダイ
ヤモンド２の粒子一粒一粒が光り輝き、装飾用のアクセ
サリーとして充分な光沢，輝きを示した。
シ樹脂で接着して取り付けた。接着面はシリコンウエハ
ー１が接触していた面の反対の表面としたが、どらちの
面を使用してもよい。これを光に照らしたところ、ダイ
ヤモンド２の粒子一粒一粒が光り輝き、装飾用のアクセ
サリーとして充分な光沢，輝きを示した。
【００１６】以上のように、ＣＶＤ法により析出形成さ
れたダイヤモンド２は多数のダイヤモンド粒子が成長し
た多結晶ダイヤモンドであるので、輝きを引き出すため
のカッティング等の加工を施す必要がない。また、析出
用基材であるシリコンウエハー１の形状に沿って析出形
成するので、大きさ，形状が限定されることがなく、表
徴のような複雑な形状でも形成することができる。そし
て、板状等に形成できるので、装飾用基台であるプラチ
ナ３がなくてもダイヤモンド２自体をアクセサリーとす
ることができる。さらに、シリコンウエハー１を円柱体
に形成し、その円柱体の円周表面にダイヤモンド２を析
出形成させれば、ダイヤモンド２自体で指輪等を形成で
きる。
れたダイヤモンド２は多数のダイヤモンド粒子が成長し
た多結晶ダイヤモンドであるので、輝きを引き出すため
のカッティング等の加工を施す必要がない。また、析出
用基材であるシリコンウエハー１の形状に沿って析出形
成するので、大きさ，形状が限定されることがなく、表
徴のような複雑な形状でも形成することができる。そし
て、板状等に形成できるので、装飾用基台であるプラチ
ナ３がなくてもダイヤモンド２自体をアクセサリーとす
ることができる。さらに、シリコンウエハー１を円柱体
に形成し、その円柱体の円周表面にダイヤモンド２を析
出形成させれば、ダイヤモンド２自体で指輪等を形成で
きる。
【００１７】本発明は上記実施例に限るものではなく、
例えば、マイクロ波やプラズマを用いたＣＶＤ法により
析出形成したダイヤモンドであってもよい。また、析出
基材には超硬，モリブデン，タングステン，カーボン，
窒化珪素，炭化珪素等がよく、他に、熱膨張率の低いも
のや、ダイヤモンドの熱膨張率に近い熱膨張率を持つも
のであればよい。そして、装飾用基台には金，銀等の貴
金属やジルコニア等でもよい。
例えば、マイクロ波やプラズマを用いたＣＶＤ法により
析出形成したダイヤモンドであってもよい。また、析出
基材には超硬，モリブデン，タングステン，カーボン，
窒化珪素，炭化珪素等がよく、他に、熱膨張率の低いも
のや、ダイヤモンドの熱膨張率に近い熱膨張率を持つも
のであればよい。そして、装飾用基台には金，銀等の貴
金属やジルコニア等でもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上のように構成したので、次
のような効果がある。ＣＶＤ法により析出形成されるダ
イヤモンドにしたことにより、任意の大きさ，形状に形
成できると共に、多結晶体であるので、手作業によるカ
ットや研磨等の加工によって、希望の形状，大きさ，光
沢を引き出す必要がなく、加工に手間がかからなず、低
コストに製造できる。また、任意の大きさ，形状に形成
できるので、表徴のような複雑な形状のものでも形成で
きる。よって、大きさ，形状が限定されることがない。 そして、多結晶体であるので、多数個使用しなくても豪
華さを出すことができる。
のような効果がある。ＣＶＤ法により析出形成されるダ
イヤモンドにしたことにより、任意の大きさ，形状に形
成できると共に、多結晶体であるので、手作業によるカ
ットや研磨等の加工によって、希望の形状，大きさ，光
沢を引き出す必要がなく、加工に手間がかからなず、低
コストに製造できる。また、任意の大きさ，形状に形成
できるので、表徴のような複雑な形状のものでも形成で
きる。よって、大きさ，形状が限定されることがない。 そして、多結晶体であるので、多数個使用しなくても豪
華さを出すことができる。
【図１】本発明の実施例にかかるダイヤモンドアクセサ
リーの製造工程を示す説明図である。
リーの製造工程を示す説明図である。
１：シリコンウエハー（析出用基材）
２：ダイヤモンド
３：プラチナ（装飾用基台）
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＶＤ法により析出形成されるダイヤ
モンドからなることを特徴とするダイヤモンドアクセサ
リー。 - 【請求項２】 ＣＶＤ法により析出形成されるダイヤ
モンドと、該ダイヤモンドを支持する装飾用基台とから
なることを特徴とするダイヤモンドアクセサリー。 - 【請求項３】 析出用基材を所定の形状に形成し、該
析出用基材を収納し真空にした容器内に炭化水素ガスと
水素ガスを導入しつつ、前記容器内を排気して該容器内
の圧力を維持すると共に、前記析出用基材を加熱して該
析出用基材の表面にダイヤモンドを析出させた後、該ダ
イヤモンドから析出用基材を除去することを特徴とする
ダイヤモンドアクセサリーの製造方法。 - 【請求項４】 析出用基材を所定の形状に形成し、該
析出用基材を収納し真空にした容器内に炭化水素ガスと
水素ガスを導入しつつ、前記容器内を排気して該容器内
の圧力を維持すると共に、前記析出用基材を加熱して該
析出用基材の表面にダイヤモンドを析出させた後、該ダ
イヤモンドから析出用基材を除去し、該ダイヤモンドを
装飾用基台に取付けることを特徴とするダイヤモンドア
クセサリーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12108691A JPH04347102A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | ダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12108691A JPH04347102A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | ダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04347102A true JPH04347102A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14802524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12108691A Pending JPH04347102A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | ダイヤモンドアクセサリーおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04347102A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417393A (en) * | 1977-06-22 | 1979-02-08 | Gen Electric | Finger printing method of crystal and finger printed crystal |
| JPS5819211A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-04 | 伊達 武喜 | 葬祭用具の装飾方法 |
| JPS6315347A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-22 | Nec Corp | 情報保存方式 |
| JPH01244707A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドコートの金および金合金製装飾品 |
| JPH0393696A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-18 | General Atomic Co | 人造ダイヤモンド薄膜を蒸着形成するための装置及び方法 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12108691A patent/JPH04347102A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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