JPH03257031A - 光学素子成形用型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レンズ、プリズム等のガラスよりなる光学素
子を、ガラス素材のプレス成形により製造するのに使用
される型に関するものである。

［従来の技術］ 研磨工程を必要としないでガラス素材のプレス成形によ
ってレンズを製造する技術は、従来のレンズの製造にお
いて必要とされた複雑な工程をなくし、簡単且つ安価に
レンズを製造することを可能とし、近来、レンズのみな
らずプリズムその他のガラスよりなる光学素子の製造に
使用されるようになってきた。

このようなガラスの光学素子のプレス成形に使用される
型材に要求される性質としては、硬さ、耐熱性、離型性
、鏡面加工性等に優れていることが挙げられる。従来、
この種の型材として、金属、セラミックス及びそれらを
コーティングした材料等、数多くの提案がされている。

いくつかの例を挙げるならば、特開昭４９−５１１１２
には１３Ｃｒマルテンサイト鋼が、特開昭５２−４５６
１３にはＳｉＣ及び５ｉＪ４が、特開昭６０−２４６２
３０には超硬合金に貴金属をコーティングした材料が、
特開昭６１−１８３１３４にはダイヤモンド薄膜又はダ
イヤモンド状炭素膜をコーティングした材料が提案され
ている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、１３Ｃｒマルテンサイト鋼は酸化しやすく、さ
らに高温でＦｅが硝子中に拡散して硝子が着色する欠点
をもつ。ＳｉＣ、５ｉｓＮ４は一般的には酸化されにく
いとされているが、高温ではやはり酸化がおこり表面に
５ｉｆｔの膜が形成される為硝子と融着を起こし、さら
に高硬度の為型自体の加工性が極めて悪いという欠点を
持つ。貴金属をコーティングした材料は融着は起こしに
くいが、極めて軟かい為、傷がつきゃすく又変形しやす
い欠点をもつ。

又、ダイヤモンド膜、ダイヤモンド状炭素膜は、いずれ
も非常に大きな圧縮応力を有するため膜厚を厚くするこ
とが難しく、成形時に膜剥離を起こすので耐久性に問題
があり、この問題の解決のため中間層を設けたり、膜を
アニールする方法が提案されているが、型母材の形状に
より必ずしも十分な効果が得られていない。また、水素
化アモルファスカーボン膜もダイヤモンド膜等と同様の
欠点を有している。

従って、本発明の目的は、ガラスの光学素子の成形に適
した光学素子成形用型を提供することにあり、特に成形
性、耐久性等に優れた光学素子成形用型を提供すること
にある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、型母材の少なくとも成形面に、型母材との接
触面から表面に向かって炭素含有量が増加している炭化
物層を介して、炭素を主成分とする膜が形成されている
ことを特徴とする光学素子成形用型である。

本発明についてさらに詳細に説明する。

型母材としては、精密加工が可能で、耐熱性、耐衝撃性
のある材料、例えばタングステンカーバイド、サーメッ
ト、ジルコニア、ＳｉＣ、５ｉｓＮ４等が用いられる。

炭素を主成分とする膜としては、ダイヤモンド膜、ダイ
ヤモンド状炭素膜（以下ＤＬＣ膜と略す）、水素化アモ
ルファスカーボン膜（以下ａ　−Ｃ：Ｈ膜と略す）、ま
たはこれらの膜成分の混合体からなる膜が挙げられる。

これらの膜は、Ｈ９Ｎ、　０．　Ｈｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ
、　Ｋｒ、　Ｘｅ、　Ｆ、　Ｃ１，Ｂｒ、　Ｉの元素の
うち１種もしくは２種以上の元素を微量含有していても
さしつかえない。また、これらの膜の膜厚は、１０００
人〜数１０μｍが好ましく、１０００人未満ではガラス
との反応性が生じたり、数１０ｔＬｍを越えるとａ−Ｃ
：Ｈ膜やＤＬＣ膜では膜剥離が生じる場合があり好まし
くない。

ダイヤモンド（薄）膜は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法
、熱フイラメントＣＶＤ法、プラズマ・ジェット法、電
子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ法等により、ＤＬ
Ｃ膜およびａ−Ｃ：Ｈ膜は、プラズマＣＶＤ法、イオン
ビーム・スパッタ法、イオンビーム蒸着法、プラズマ・
スパッタ法等により形成される。膜の形成に用いるガス
としては、含炭素ガスであるメタン、エタン、プロパン
、エチレン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素：塩化
メチレン、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロルエタ
ン等のハロゲン化炭化水素；メチルアルコール、エチル
アルコール等のアルコール類、（ＣＨｓ）ｚｃＯ，（Ｃ
ａＨｉ）２ｃｏ等のケトン類；ＣＯＣＯ２等のガス、お
よびこれらのガスにＮ２．　Ｎ２゜０□、　ＨｘＯ，Ａ
ｒ等のガスを混合したものなどが挙げられる。

次に、型母材との接触面から表面に向かって炭素含有量
が増加している炭化物層、すなわち組成勾配を有する炭
化物層を構成する炭化物としては、ＳｉＣ，ＴｉＣ，Ｔ
ａＣ，ＷＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ。

Ｃｒ５Ｃａ等が挙げられる。

炭化物層は、成形のサイクルにおいて生じる熱応力を最
小にするために、炭素を主成分とする膜との接触面にお
いて、核層の構成元素であるＳｉまたはその他の金属を
含有しない（含有量０ｖｏ１％の）ものであることが好
ましい。

炭化物層は結晶、アモルファスあるいはこれらの混合状
態からなっていてもさしつかえない。また、炭化物層は
Ｈ，Ｎ、　Ｏ，Ｈｅ、　Ｎｅ、　Ａｒ、　Ｋｒ、　Ｘｅ
。

Ｆ、　ＣＩ、　Ｂｒ、　Ｉの元素うち１種もしくは２種
以上の元素を微量含有していてもさしつかえない。また
、この組成勾配を有する炭化物層が本発明の効果を発揮
する膜厚は、通常数１０００人〜数１０ＬＬｍ程度であ
る。

炭化物層を形成する方法としては、熱ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法、イオンビーム蒸着法に代表されるＣＶＤ法
、あるいはイオンブレーティング法、スパッタリング法
、イオン注入法等のＰＶＤ法のいずれであってもよい。

この他に、液相（融体）を出発原料として用いるものと
して、電着性、酸化還元反応法、溶射法、共晶反応法、
融液凝固法が、また固相（融体）を８発原料とするもの
として、熱分解法、塗布法、焼結法、部分結晶法、拡散
法等が挙げられる。しかし、液相、固相を出発原料とす
る方法は炭素の濃度勾配を設けるための制御が困難であ
る他、ダイヤモンド膜、ＤＬＣ膜、ａ−Ｃ：Ｈ膜を形成
することも困難であるので、気相を出発原料とする方法
が好ましい。

組成勾配を有する炭化物層の形成において、濃度勾配を
得るには気相法の場合、膜形成時に原料濃度を制御する
。以下に、熱ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜形成を例にして説
明する。一般によ（知られている熱ＣＶＤ装置に、原料
ガスとして例えば５ｉＣ１４−Ｈｚ−ＣＪａ系を用いる
。Ｃ３Ｈ，の流量を一定とし、５ｉＣ１４のキャリアガ
スであるＨ２の流量を制御し、原料ガス中の（Ｓｉ）／
　（Ｓｉ＋Ｃ）比を階段状に変化させる。ここで、一般
に、容積Ｖ　（ｃｍ”）のＣＶＤ反応炉に流量ｖ　（ｃ
ｍ”／ｓ）のガスが導入され、反応炉内の各部の濃度が
直ちに均一になる場合、反応炉内のガス濃度ｃ　（ｖｏ
１％）は、ｃｏを反応炉に導入するガスのガス濃度とし
て Ｃ”Ｃｏ　　［ｅｘｐ　（−ｖｔ／Ｖ）］で表わされる
。以上のように、原料濃度を階段状に変化させた場合に
も、実際に作成したＳｉＣ７ｇの組成を電子線マイクロ
アナライザーを用いてＳｉとＣの分布を調べた結果、は
ぼ連続的に組成が変化していることが分かった。

型母材とダイヤモンド膜、ＤＬＣ膜、ａ−Ｃ：Ｈ膜の間
に組成勾配を有する炭化物層を設けることにより、大き
な内部応力を有するダイヤモンド膜、ＤＬＣ膜、ａ−Ｃ
：Ｈ膜の応力を緩和することができる。特に、成形プロ
セスにおいて急加熱、急冷却という熱衝撃が繰り返され
るが、これに起因する熱応力の発生も吸収・緩和するこ
とができる。この結果、どのような形状を有する型母材
に形成されたダイヤモンド膜、ＤＬＣ膜、ａ　−Ｃ：Ｈ
膜が成形プロセスを繰り返し経た場合であっても、膜剥
離やクラックを起こさず型の耐久性を著しく向上させる
ことができる。

［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。

実施例１ 第１図及び第２図は本発明に係る光学素子成形用型の１
例を示すものである。

第１図は光学素子のプレス成形前の状態を示し、第２図
は光学素子成形後の状態を示す。第３図中１，２は型母
材、１−ａ、２−ａは該型母材のガラス素材の接触する
成形面に形成されたＳｉＣ層を介したダイヤモンド膜、
３はガラス素材であり、第２図中４は光学素子である。

型母材としては所望の形状に加工された焼結ＳｉＣを用
いた。第３図に本実施例で用いた成膜装置を示す。この
成膜装置は空胴共振器タイプの電子サイクロトロン共鳴
プラズマＣＶＤ　（以下ＥＣＲ−、Ｐ　ＣＶ　Ｄ法と略
す）装置である。第３図中５は空胴共振器でありこれに
外部電磁石６で磁場をかけ、マイクロ波導入窓７より導
波管８を通して２．４５　ＧＨｚのマイクロ波を導入し
、ガス導入口９よりガスを空胴共振器に導入し励起する
。磁場の大きさはマイクロ波導入口で２０００　Ｇａｕ
ｓｓ、型表面で８７５　Ｇａｕｓｓになるように設定し
た。基板ホルダー１０に支持した型１１は、図３に示す
ように空胴共振器の内に設置した。まず、５ｉａＨｓ　
（４０ＳＣＣＭ）　、　Ｃ２Ｈ４（１００ＳＣＣＭ）　
、　　ＣＨ，（Ｉ　ＳＣＣＭ）　、　Ｈ２（５０ＳＣＣ
Ｍ）　’をＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置に導入し、背圧１×１
０−’Ｔｏｒｒからガス圧を１０Ｔｏｒｒとし、マイク
ロ波電力６００Ｗを投入し、型の温度を１１００℃でＳ
ｉＣ層の形成を開始した。成膜開始から３０分間は成膜
条件を固定し、その後５ｉａＨａ、　ＣＪ２の流量をそ
れぞれ１．３４ＳＣＣＭ／ｗｉｎ、　３．３４　ＳＣＣ
Ｍ／ｍｉｎで減少させ、５ｉＪｓ、ＣＪ２の供給量が零
になった時点で型の温度を８００℃、マイクロ波電力を
１００ＯＷとし、４時間ダイヤモンド膜を形成した。

Ｘ線回折によって成膜初期のＳｉＣ層はβ−５ｉＣ１成
膜最終層がダイヤモンドであることを確認した。併せて
、ラマン分光法によってもダイヤモンドであることを確
認した。ダイヤモンド膜の表面はＰ−■で１０００人程
度０凹凸を有していたため、所望の形状に研磨した。

次に、本発明による光学素子成形用型によって硝子レン
ズのプレス成形を行なった例を示す。

第４図中、５１は真空槽本体、５２はそのフタ、５３は
光学素子を成形する為の上型、５４はその下型、５５は
上型をおさえるための上型おさえ、５６は用型、５７は
型ホルダ−，５８はヒータ、５９は下型をつき上げるつ
き上げ棒、６０は該つき上げ棒を作動するエアシリンダ
、６１は油回転ポンプ、６２，６３．６４はバルブ、６
５は不活性ガス流入バイブ、６６はバルブ、６７はリー
クバイブ、６８はバルブ、６９は温度センサ、７０は水
冷バイブ、７１は真空槽を支持する台を示す。

レンズを製作する工程を次に述べる。

フリント系光学硝子（ＳＦ１４）を所定の量に調整し、
球状にした硝子素材を型のキャビティー内に置き、これ
を装置内に設置する。

ガラス素材を投入した型を装置内に設置してがら真空槽
５１のフタ５２を閉じ、水冷バイブ７０に水を流し、ヒ
ータ５８に電流を通す。この時窒素ガス用バルブ６６及
び６８は閉じ、排気系バルブ６２，６３．６４も閉じて
いる。尚油回転ポンプ６１は常に回転している。

バルブ６２を開は排気をはじめ１０−”Ｔｏｒｒ以下に
なったらバルブ６２を閉じ、バルブ６６を開いて窒素ガ
スをボンベより真空槽内に導入する。所定温度になった
らエアシリンダ６０を作動させて２００　ｋｇ／ｃｍ”
の圧力で１分間加圧する。圧力を除去した後、冷却速度
を一り℃／ｍｉｎで転移点以下になるまで冷却し、その
後は一り０℃／ｍｉｎ以上の速度で冷却を行ない、２０
０℃以下に下がったらバルブ６６を閉じ、リークバルブ
６３を開いて真空槽５１内に空気を導入する。それから
フタ５２を開は上型おさえをはずして成形物を取り出す
。

上記のようにして、フリント系光学硝子５Ｆ１４（軟化
点５ｐ＝５８６℃、転移点Ｔｇ＝４８５℃）を使用して
、第２図に示すレンズ４を成形した。この時の成形条件
すなわち時間−温度関係図を第５図に示す。

成形したレンズの表面粗さ及び成形前後の型の表面粗さ
を測定した結果を表２に示す。

表１ この型を用いて、更に３．０００回成形した後も、成形
型には膜剥離やクラック等のダメージは見られず、成形
されたガラスについても表１と同様の性能が得られた。

実施例２ 実施例１と同様の型母材、成膜装置を用い、まずＳｉＨ
４（５ＳＣＣＭ）　、　　ＣＨ４（５３ＣＣＭ）　、　
Ｉ２　（１００ＳＣＣＭ）を空洞共振器に入れ、ガス圧
が２　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ、マイクロ波電力が５００
Ｗでａ−ＳｉＣ：８層を形成した。成膜開始後、ＳＪ４
の流量を０．１２５　ＳＣＣＭ／ｍｉｎで減少させなが
ら４０分間成膜し、５ｉ）Ｉ４の供給量が零になった後
、更に２０分間成膜しａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。

この型を用いて実施例１と同様の成形テストを行ない、
実施例１と同様の結果を得た。特に型母材上の膜剥離や
クラック等の発生は見られなかった。

実施例３ 第６図に示すイオンビーム蒸着装置を用い膜の形成を行
なった。第６図中、７２は真空容器、７３はイオンビー
ム装置、７４はイオン化室、７５はガス導入口、７６は
イオンビーム引き出しグリッド、７７はイオンビーム、
７８は型母材、７９は基板ホルダ及びヒーター、８０は
電子銃、８１は排気口を示す。

まず、ＣＨ４（２０３ＣＣＭ）　、　Ｈｚ　（４０ＳＣ
ＣＭ　）をイオン化室に導入しイオン化した後、イオン
ビーム引き出しグリッドに５００Ｖの電圧を印加してイ
オンビームを引き出し、型母材に照射する。同時に、Ｔ
ｉを電子銃で型母材に真空蒸着しＴｉＣ層を形成した。

なお、型母材の温度は８００℃、ガス圧は２　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒとした。成膜開始後、電子銃のパワーを徐
々に減少させ、１５分後置子銃のパワーを零にした。そ
の後、不図示の高周波電源により型母材に高周波バイア
スを印加した。このときの高周波の出力は３０Ｗとした
。なお、高周波の周波数は１３．５６　ＭＨｚを用いた
。この条件でＤＬＣ膜を５０００人形成した。

この型を用いて実施例１と同様の成形テストを行ない、
実施例１と同様の結果を得た。

次に、−第７図に示す成形装置により硝子成形を行なっ
た。

第７図において、１０２は成形装置、１０４は取入れ用
置換室であり、１０６は成形室であり、１０８は蒸着室
であり、１１０は取出し用置換室である。１１２，１１
４，１１６はゲートバルブであり、１１８はレールであ
り、１２０は該レール上を矢印Ａ方向に搬送せしめられ
るパレットである。１２４，１３８，１４０，１５０は
シリンダであり、１２６，１５２はバルブである。

１２８は成形室１０６内においてレール１１８に沿って
配列されているヒータである。

成形室１０６内はパレット搬送方向に沿って順に加熱ゾ
ーン１０６−１、プレスゾーン１０６−２及び徐冷ゾー
ン１０６−３とされている。ブレスゾーン１０６−２に
おいて、上記シリンダ１３８のロッド１３４の下端には
成形用上型部材１３０が固定されており、上記シリンダ
１４０のロッド１３６の上端には成形用下型部材１３２
が固定されている。これら上型部材１３０及び下型部材
１３２は本発明による型部材である。

蒸着室１０８内においては、蒸着物質１４６を収容した
容器１４２及び該容器を加熱するためのヒータ１４４が
配置されている。

フリント系光学ガラス（ＳＦ１４．軟化点５ｐ＝５８６
℃、ガラス転移点Ｔｇ＝４８５℃）を所定の形状及び寸
法に粗加工して、成形のためのブランクを得た。

ガラスブランクをパレット１２０に装置し、取入れ置換
室１０４内の１２０−１の位置へ入れ、該位置のパレッ
トをシリンダ１２４のロッド１２２によりＡ方向に押し
てゲートバルブ１１２を越えて成形室１０６内の１２０
−２の位置へと搬送し、以下同様に所定のタイミングで
順次新たに取入れ置換室１０４内にパレットを入れ、こ
のたびにパレットを成形室１０６内で１２０−２−・・
・→１２０−８の位置へと順次搬送した。この間に、加
熱ゾーン１０６−１ではガラスブランクをヒータ１２８
により徐々に加熱し１２０−４の位置で軟化点以上とし
た上で、ブレスゾーン１０６−２へと搬送し、ここでシ
リンダ１３８，１４０を作動させて上型部材１３０及び
下型部材１３２により２００　ｋｇ／ｃｍ”の圧力で１
分間プレスし、その後加圧力を解除しガラス転移点以下
まで冷却し、その後シリンダ１３８，１４０を作動させ
て上型部材１３０及び下型部材１３２をガラス成形品か
ら離型した。該プレスに際しては上記パレットが成形周
胴型部材として利用された。しかる後に、徐冷ゾーン１
０６−３ではガラス成形品を徐々に冷却した。なお、成
形室１０６内には不活性ガスを充満させた。

成形室１０６内において１２０−８の位置に到達したパ
レットを、次の搬送ではゲートバルブ１１４を越えて蒸
着室１０８内の１２０−９の位置へと搬送した。通常、
ここで真空蒸着を行なうのであるが、本実施例では該蒸
着を行なわなかった。そして、次の搬送ではゲートバル
ブ１１６を越えて取出し置換室１１０内の１２０−１０
の位置へと搬送した。そして、次の搬送時にはシリンダ
１５０を作動させてロッド１４８によりガラス成形品を
成形装置１０２外へと取出した。

以上のようなプレス工程により３．０（１０回成形した
後の型部材の成形面の表面粗さ及び成形された光学素子
の表面粗さ、並びに成形された光学素子と型部材との離
型性について表２に示す。

表２ 二のように、本実施例によれば、型部材の成形面並びに
成形された光学素子の光学面の性能は初期から変化する
ことなく一定であった。

実施例４ 実施例１と同様の方法・条件でＳｉＣ層を形成した後、
ＣＨ４の流量を２　ＳＣＣＭとし、同様に１時間成膜し
た。得られた膜は、ダイヤモンド相、グラファイト微結
晶相、アモルファス・カーボン相を含むものであること
がＸ線回折、ラマン分光法により確認された。得られた
型の表面粗さはＰ−■で８００人であり、これを３００
人まで研磨により鏡面化した。

この型を用いて実施例１と同様の成形テストを行ない、
実施例１と同様の結果を得た。

［発明の効果］ 以上説明したように、型母材の少なくとも成形面に、型
母材との接触面から表面に向かって炭素含有量が増加し
ている炭化物層を介して、炭素を主成分とする膜を形成
することにより得られた本発明による型により、成形プ
ロセスにおける熱衝撃に伴う熱応力に対しても膜剥離や
クラックというダメージを受けることなく耐久性に優れ
た型が得られるとともに、良好な成形性能を有するプレ
ス成形品が得られる。

【図面の簡単な説明】 第１図および第２図は本発明に係る光学素子成形用型の
１例を示す断面図で、第１図はプレス成形前の状態、第
２図はプレス成形後の状態を示す。第３図および第６図
は本発明で用いる成膜装置を示す概略図で、第３図はＥ
ＣＲ−ＰＣＶＤ装置、第６図はイオンビーム蒸着装置で
ある。第４図および第７図は本発明に係る光学素子成形
用型を使用するレンズの成形装置を示す断面図で、第４
図は非連続成形タイプ、第７図は連続成形タイプである
。第５図はレンズ成形の際の時間温度関係図である。 １．２・・・型母材、 １−ａ、２−ａ・・・ａ−３ｉＣ層を介したダイヤモン
ド膜、 ３・・・ガラス素材、 ４・・・成形されたレンズ、 ５・・・空胴共振器、　　　　６・・・外部電磁石、７
・・・マイクロ波導入窓、８・・・導波管、９・・・ガ
ス導入口、 １０・・・基板ホルダー　　１１・・・型、５１・・・
真空槽、　　　　　５２・・・真空槽のフタ５ζ・・・
上型、　　　　　５４・・・下型、５５・・・上型おさ
え、　　５６・・・用型、５７・・・型ホルダ−５８・
・・ヒータ、５９・・・下型をつき上げるつき上げ棒、
Ｏ・・・エアシリンダ、 １・・・油回転ポンプ、 ２．６３．６４・・・バルブ、 ５・・・不活性ガス導入バイブ、 ６・・・バルブ、 ７・・・リークバイブ、　　６８・・・バルブ、９・・
・温度センサ、　　　７０・・・水冷バイブ、１・・・
真空槽を支持する台、 ２・・・真空容器、 ３・・・イオンビーム装置、 ４・・・イオン化室、　　　７５・・・ガス導入口、６
・・・イオンビーム引き出しグリッド、７・・・イオン
ビーム、　　７８・・・型母材、９・・・基板ホルダ及
びヒーター ０・・・電子銃、　　　　８１・・・排気口、０２・・
・成形装置、 ０４・・・取入れ用置換室、 ０６・・・成形室、　　　　１０８・・・蒸着室、１０
・・・取出し用置換室、 １２・・・ゲートバルブ、 １１４・・・ゲートバルブ、 １１６・・・ゲートバルブ、 １１８・・・レール、 １２２・・・ロッド、 １２６・・・バルブ、 １３０・・・上型、 １３４・・・ロッド、 １３８・・・シリンダ、 １４２・・・容器、 １４６・・・蒸着物質、 １５０・・・シリンダ、 １２０・・・パレット、 １２４・・・シリンダ、 １２８・・・ヒータ、 １３２・・・下型、 １３６・・・ロッド、 １４０・・・シリンダ、 １４４・・・ヒータ、 １４８・・・ロッド、 １５２・・・バルブ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、型母材の少なくとも成形面に、型母材との接触面か
   ら表面に向かって炭素含有量が増加している炭化物層を
   介して、炭素を主成分とする膜が形成されていることを
   特徴とする光学素子成形用型。 ２、炭素を主成分とする膜が、ダイヤモンド膜、ダイヤ
   モンド状炭素膜、水素化アモルファスカーボン膜、また
   はこれらの膜成分の混合体からなる膜である請求項１記
   載の光学素子成形用型。 ３、炭化物層が、炭素を主成分とする膜との接触面にお
   いて、該層の構成元素であるＳｉまたはその他の金属を
   含有しないものである請求項１記載の光学素子成形用型
   。