JPH043428A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
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- JPH043428A JPH043428A JP10417390A JP10417390A JPH043428A JP H043428 A JPH043428 A JP H043428A JP 10417390 A JP10417390 A JP 10417390A JP 10417390 A JP10417390 A JP 10417390A JP H043428 A JPH043428 A JP H043428A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置、特に集積回路装置を構成する金
属薄膜配線の製造方法に関する。
属薄膜配線の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来の集積回路装置における金属配線の製造方法を第４
図（ａ）〜（ｄ）により説明する。まず、第４図（ａ）
に示すように、トランジスタ等の素子（図示せず）を形
成した半導体基板４１上に絶縁膜４２が形成される。絶
縁膜４２の表面状態としては、次の２つの場合がある。
図（ａ）〜（ｄ）により説明する。まず、第４図（ａ）
に示すように、トランジスタ等の素子（図示せず）を形
成した半導体基板４１上に絶縁膜４２が形成される。絶
縁膜４２の表面状態としては、次の２つの場合がある。
第１の場合においては、下地半導体基板上への素子の形
成に起因する表面凹凸が存在する。第２の場合において
は、エッチバック法等の表面平坦化処理が施される結果
、素子形成に起因する表面凹凸が平坦化されている。し
かし、いずれの場合においても従来の金属配線の製造方
法においては、絶縁膜４２の表面状態は、コンタクト孔
やスルーホールを除けば、その上に形成される配線パタ
ーンとは無関係である。次に第４図（ｂ）に示すように
、金属配線膜４３を堆積した後、第４図（ｃ）に示すよ
うに、金属配線膜４３をホトエツチング技術を用いて金
属配線４４に加工し、さらに酸化シリコンや窒化シリコ
ン系のカバー膜４５を堆積する（第４図（ｄ））ことに
より金属配線が形成される。
成に起因する表面凹凸が存在する。第２の場合において
は、エッチバック法等の表面平坦化処理が施される結果
、素子形成に起因する表面凹凸が平坦化されている。し
かし、いずれの場合においても従来の金属配線の製造方
法においては、絶縁膜４２の表面状態は、コンタクト孔
やスルーホールを除けば、その上に形成される配線パタ
ーンとは無関係である。次に第４図（ｂ）に示すように
、金属配線膜４３を堆積した後、第４図（ｃ）に示すよ
うに、金属配線膜４３をホトエツチング技術を用いて金
属配線４４に加工し、さらに酸化シリコンや窒化シリコ
ン系のカバー膜４５を堆積する（第４図（ｄ））ことに
より金属配線が形成される。
しかし、従来の製造方法で形成された金属薄膜配線にお
いては、エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーション耐性が十分でないという問題がある（例えば
、安食恒雄監修１９８８年日科技連出版社刊“半導体デ
バイスの信頼性技術“、 １９２〜２１４頁）。
いては、エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーション耐性が十分でないという問題がある（例えば
、安食恒雄監修１９８８年日科技連出版社刊“半導体デ
バイスの信頼性技術“、 １９２〜２１４頁）。
本発明の目的は、この従来の金属薄膜配線における問題
点を解決した新規な金属薄膜配線の製造方法を提供する
ことにある。
点を解決した新規な金属薄膜配線の製造方法を提供する
ことにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る集積回路装置の
製造方法においては、溝形成工程と、金属配線形成工程
とを含む集積回路装置の製造方法であって、 前記溝形成工程は、金属配線を形成すべき領域の絶縁膜
表面に溝を形成するものであり、前記金属配線形成工程
は、絶縁膜表面に形成された溝部分に金属配線を形成す
るものである。
製造方法においては、溝形成工程と、金属配線形成工程
とを含む集積回路装置の製造方法であって、 前記溝形成工程は、金属配線を形成すべき領域の絶縁膜
表面に溝を形成するものであり、前記金属配線形成工程
は、絶縁膜表面に形成された溝部分に金属配線を形成す
るものである。
本発明においては、従来の金属薄膜配線の製造方法とは
異なり、金属配線膜が堆積される下地絶縁膜には、金属
配線が形成されるべき領域に溝が形成されているので、
該溝上及びその近傍の領域では堆積される金属薄膜の結
晶粒の方位が特定の方向に揃いやすくなる。また、結晶
粒の大きさの分布も改善される。この結果エレクトロマ
イグレーションやストレスマイグレーション耐性の高い
配線が形成できる。
異なり、金属配線膜が堆積される下地絶縁膜には、金属
配線が形成されるべき領域に溝が形成されているので、
該溝上及びその近傍の領域では堆積される金属薄膜の結
晶粒の方位が特定の方向に揃いやすくなる。また、結晶
粒の大きさの分布も改善される。この結果エレクトロマ
イグレーションやストレスマイグレーション耐性の高い
配線が形成できる。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を工程順に示
す模式的断面図である。第１図（ａ）に示すように、半
導体基板ｌｌ上に絶縁膜１２をＣＶＤ（化学蒸着）法等
で堆積する。次いで、第１図（ロ）に示すように、金属
配線膜が堆積される下地膜としての絶縁膜１２のうちで
金属配線が形成されるべき領域にエツチングにより溝１
３を形成する。さらに、第１図（Ｃ）に示すように、ア
ルミニウム・シリコン合金膜等からなる金属配線膜１４
を通常のスパッタリング法により溝１３を含めた絶縁膜
１２上に形成し、続いて第１図（６）に示すように、金
属配線膜１４をホトエツチング技術等を用いて所望パタ
ーン形状に加工し、その一部が絶縁膜１２の溝１３に喰
い込んだ金属配線１５を形成する。その後、第１図（ｅ
）に示すように、通常の方法により、酸化シリコンや窒
化シリコン膜を通常の方法でカバー膜１６として堆積す
ることにより本実施例の配線が実現できる。
す模式的断面図である。第１図（ａ）に示すように、半
導体基板ｌｌ上に絶縁膜１２をＣＶＤ（化学蒸着）法等
で堆積する。次いで、第１図（ロ）に示すように、金属
配線膜が堆積される下地膜としての絶縁膜１２のうちで
金属配線が形成されるべき領域にエツチングにより溝１
３を形成する。さらに、第１図（Ｃ）に示すように、ア
ルミニウム・シリコン合金膜等からなる金属配線膜１４
を通常のスパッタリング法により溝１３を含めた絶縁膜
１２上に形成し、続いて第１図（６）に示すように、金
属配線膜１４をホトエツチング技術等を用いて所望パタ
ーン形状に加工し、その一部が絶縁膜１２の溝１３に喰
い込んだ金属配線１５を形成する。その後、第１図（ｅ
）に示すように、通常の方法により、酸化シリコンや窒
化シリコン膜を通常の方法でカバー膜１６として堆積す
ることにより本実施例の配線が実現できる。
上述の実施例においては、下地絶縁膜に形成する溝１３
の幅ｗ１を金属配線１５の幅ｗ２より小さい場合につい
て示したが、第２図に示すように下地絶縁膜１２に形成
した溝１３の幅Ｗ１を金属配線１５の幅ｗ２以上にする
こともできる。
の幅ｗ１を金属配線１５の幅ｗ２より小さい場合につい
て示したが、第２図に示すように下地絶縁膜１２に形成
した溝１３の幅Ｗ１を金属配線１５の幅ｗ２以上にする
こともできる。
また、第３図に示すように第１の絶縁膜１２とその上に
形成された第２の絶縁膜１２ａからなる２層構造の絶縁
膜を用い、該第２の絶縁膜１２ａの一部を除去して溝Ｉ
３を形成することもできる。
形成された第２の絶縁膜１２ａからなる２層構造の絶縁
膜を用い、該第２の絶縁膜１２ａの一部を除去して溝Ｉ
３を形成することもできる。
以上説明したように本発明によれば、従来の集積回路装
置等における金属配線の形成方法とは異なり、金属配線
を形成すべき絶縁膜上に溝を形成し、抜溝を覆って、あ
るいは抜溝の中に金属配線を形成するため、抜溝及びそ
の近傍に形成される金属配線膜の結晶粒の結晶方法が一
定方向に揃いやすくなり、しかも結晶粒径分布も揃いや
すくなるという効果を有する。
置等における金属配線の形成方法とは異なり、金属配線
を形成すべき絶縁膜上に溝を形成し、抜溝を覆って、あ
るいは抜溝の中に金属配線を形成するため、抜溝及びそ
の近傍に形成される金属配線膜の結晶粒の結晶方法が一
定方向に揃いやすくなり、しかも結晶粒径分布も揃いや
すくなるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を工程順に示
す模式的断面図、第２図、第３図は本発明の他の実施例
を示す模式的断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来方法
を示す模式的断面図である。 １１・・・半導体基板 １２・・・下地絶縁膜１
３・・・溝 １４・・・金属配線膜１
５・・・金属配線 １６・・・カバー膜特許出
願人 日本電気株式会社 ｌ２柑球膿 ／３ 第 図 第 図 第 図 第 ３図
す模式的断面図、第２図、第３図は本発明の他の実施例
を示す模式的断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来方法
を示す模式的断面図である。 １１・・・半導体基板 １２・・・下地絶縁膜１
３・・・溝 １４・・・金属配線膜１
５・・・金属配線 １６・・・カバー膜特許出
願人 日本電気株式会社 ｌ２柑球膿 ／３ 第 図 第 図 第 図 第 ３図
Claims (1)
- （１）溝形成工程と、金属配線形成工程とを含む集積回
路装置の製造方法であって、 前記溝形成工程は、金属配線を形成すべき領域の絶縁膜
表面に溝を形成するものであり、 前記金属配線形成工程は、絶縁膜表面に形成された溝部
分に金属配線を形成するものであることを特徴とする集
積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10417390A JPH043428A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10417390A JPH043428A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043428A true JPH043428A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14373637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10417390A Pending JPH043428A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043428A (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10417390A patent/JPH043428A/ja active Pending
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