JPS61203653A - 配線の接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線の接続方法に関し、特に半導体装置への配
線の接続方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板上にアルミニウム配線を接続する場合
は第３図に示すように、半導体基板ｌに形成された導電
層３上にコンタクト孔を形成し、直接アルミニウム配線
５を接続していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来は上述のような方式で配線の接続がなされたが、近
年導電層３の深さが浅くなり、コンタクト孔のアロイス
パイク６が生じそのためリークが生じて不良となったり
、信頼性を劣化させていた。

又、図示していないが、ポリシリコン配線を介しての接
続ではポリシリコン配線は膜厚が薄くなってきている為
、ポリシリコン配線の層抵抗が大きくなり、問題となっ
ている。

従って、本発明は、上記した欠点を除去し、浅い接合に
おいてもアロイスパイクが生じることなく、配線抵抗の
低い高信頼性の半導体装置を提供することを目的とする
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の配線の接続方法は、シリコン基板上に金属配線
を接続するに際し、シリコン基板とりフラフトリーメタ
ルのポリサイド、又はリフラクトリ−メタルのシリサイ
ド、又はリフラクトリーメタルとを接続し、しかる後前
記リフラクトリーメタルのポリサイド、又はリフラクト
リ−メタルのシリサイド、又はリフラクトリ−メタルと
前記金属配線を接続することによ＃）構成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明により構成された半導体装置の配線部の
平面図である。第１図において、半導体基板の一主面に
は導電層１０が形成され、その表面は絶縁膜（表示せず
）により保護され導電層上の一部に対しコンタクト孔１
１が設けられ、開口部を埋め絶＊膜上にのびるリフラク
トリ−メタルのポリサイド１２が形成されている。リフ
ラクトリ−メタルのポリサイド上には絶縁膜が形成され
、前記ポリサイド１２に対しコンタクト孔１３が形成さ
れ、この開口を通しポリサイド層に対しアルミニウム配
線が接続されている。

第２図ｆａ）〜（ｄ＋は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した断面図であり、前記第１図は第２図
（ｄ）の平面図に相当する。

まず、第２図（ａ）に示すように、従来と同じように、
半導体基板１０１上にフィールド酸化膜１０２を形成し
、導電層１０３を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン
酸化膜１０４を３０００〜５０００Ａ成長する。その後
、フォトエツチング法により接続部の前記シリコン酸化
膜１０４を弗酸系エツチング液で除去しコンタクト孔１
０５を形成する。

次に、第２図（ｂ）に示すように多結晶シリコンを２０
００Ａ〜４０００Ａ成長し、リン拡散等でリンを拡散す
る。次いで、す７ラクトリーメタル（例えばＭｏ、Ｗ、
Ｔｉ＄）を１０００Ａ〜４０００Ａ被着して熱処理をほ
どこし多結晶シリコンをポリサイド化する。次いで、フ
ォトエツチング法によりパターニングを行ないリフラク
トリーメタルのポリサイド配線１０６を形成する。ポリ
サイド化についてはパターニング後に行っても良い。

次に、第２図（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ法等によりリ
ンガラス層１０７を５０００Ａ〜１００ＯＯＡ成長させ
、次いでフォトエツチング法によりコンタクト孔１０８
を形成する。

その後、第２図（ｄ）に示すようにアルミニウム配線１
０９を形成すると、本発明方法により配線の接続が完了
する。

以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体基
板の導電層は直接アルミニウム配線に接続されず、すべ
てリフラクトリ−メタルのポリサイド層に接続されてい
る。リフラクトリ−メタルのポリサイド層はアロイスパ
イクを生じない為、アロイスパイクは完全に防止できる
。又他の利点としてはリフラクトリーメタルのポリサイ
ド層の層抵抗は数Ω／口と多結晶シリコン、基板の導電
層に比べて小さい為、上記の接続方法を用いても問題と
ならないばかシか、かえって小さな抵抗が実現できる。

又、アルミニウム配線に接続するコンタクト孔が半導体
基板上にはないためコンタクト開孔時のダメージも受け
ないし、ポリサイド層上のコンタクト孔しかない為コン
タクト孔の深さがすべて一定の深さとなる。

すなわちシリコン基板に直接アルミニウム配線を接続せ
ず、間にリフラクトリ−メタルのポリサイド層を介して
接続する事によりアロイスパイクを防止でき、かつ信頼
性の高い半導体装置が実現できる。

なお、ポリサイドは多結晶シリコン層−シリサイド層の
２層構造又は多結晶シリコン−シリサイド層−リ７ラク
トリーメタルの３層構造が考えられるが何れの構造でも
目的を達成できる。

なお、上記実施例ではリフラクトリーメタルのポリサイ
ド層を用いたがポリサイド層に限定されずリフラクトリ
−メタルそのもの、あるいはリフラクトリーメタルのシ
リサイド層を介してもアロイスパイクの防止並びに層抵
抗の低下等の目的を達することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したとおり、本発明によれば浅い接合を有する
半導体装置においてもアロイスパイクを生ずることなく
、接続部の層抵抗を低くすることができ、高信頼性の半
導体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明により形成された半導体装置配線部の平
面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明
するために工程順に示した断面図、第３図は従来の半導
体装置の配線部の断面図である。 １．１０１・・・・・・半導体基板、２．ｌＯ２・・・
・・・フィールド酸化膜、３，１０，１０３・・・・・
・導電層、４　、１０４・・・・・・散化膜、５，１４
，１０９・・・・・・アルミニウム配線、６・・・・・
・アロイスパイク、１１，１３，１０５，１０８・・・
・・・コンタクト孔、１２・・・・・・多結晶シリコン
配線、１０６・・・・・・リフラクトリ−メタルのポリ
サイド層、１０７・・・・・・リンガラス層。 ！６１回 第２図 粥ｚ回

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. シリコン基板上に金属配線を接続するに際し、シリコン
   基板とリフラクトリーメタルのポリサイド、又はリフラ
   クトリーメタルのシリサイド、又はリフラクトリーメタ
   ルとを接続し、しかる後前記リフラクトリーメタルのポ
   リサイド、又はリフラクトリーメタルのシリサイド、又
   はリフラクトリーメタルと前記金属配線を接続すること
   を特徴とする配線の接続方法。