JPH04342550A - オキシムの接触的液相転位によるアミドの製造方法 - Google Patents
オキシムの接触的液相転位によるアミドの製造方法Info
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- JPH04342550A JPH04342550A JP3116052A JP11605291A JPH04342550A JP H04342550 A JPH04342550 A JP H04342550A JP 3116052 A JP3116052 A JP 3116052A JP 11605291 A JP11605291 A JP 11605291A JP H04342550 A JPH04342550 A JP H04342550A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オキシムの転位によっ
てアミドを製造する方法およびその触媒に関する。
てアミドを製造する方法およびその触媒に関する。
【0002】
【従来の技術】オキシムのアミドへの転位反応は、ベッ
クマン転位反応として公知である。例えば、シクロヘキ
サノンオキシムの転位によるε−カプロラクタムの製造
においては、発煙硫酸が触媒として工業的に使用されて
いる。しかし発煙硫酸を用いる方法においては、大量の
硫酸アンモニウムが副生するという本質的な欠点のほか
に装置の腐食など工程上の問題も多く、効率的な転位用
触媒の開発が望まれてきた。
クマン転位反応として公知である。例えば、シクロヘキ
サノンオキシムの転位によるε−カプロラクタムの製造
においては、発煙硫酸が触媒として工業的に使用されて
いる。しかし発煙硫酸を用いる方法においては、大量の
硫酸アンモニウムが副生するという本質的な欠点のほか
に装置の腐食など工程上の問題も多く、効率的な転位用
触媒の開発が望まれてきた。
【0003】例えば、シリカ、アルミナまたはチタニア
に酸化ホウ素を担持した固体酸化物触媒、及びゼオライ
ト触媒が提案されているが、これらの固体触媒を転位反
応に用いる場合は、高温の気相反応条件を採用する必要
があるため、ε−カプロラクタム収率の低下、触媒の劣
化及びエネルギーコストの増大を伴い、工業的実施に問
題がある。
に酸化ホウ素を担持した固体酸化物触媒、及びゼオライ
ト触媒が提案されているが、これらの固体触媒を転位反
応に用いる場合は、高温の気相反応条件を採用する必要
があるため、ε−カプロラクタム収率の低下、触媒の劣
化及びエネルギーコストの増大を伴い、工業的実施に問
題がある。
【0004】一方、液相反応という比較的温和な反応条
件でシクロヘキサノンオキシムを転位させてε−カプロ
ラクタムを得る方法も幾つか知られている。一つは、N
,N−ジメチルホルムアミドとクロルスルホン酸の反応
で得られるイオン対(ビルスマイヤー錯体)を触媒とす
る方法である(M.A.Kira and Y.M.S
haker, Egypt.J.Chem., 16,
551(1973))。しかし、この方法は生成ラク
タムと触媒が1:1の錯体を形成するため、オキシムと
等モルの触媒を必要とすると記載されており、経済的と
は云えない。
件でシクロヘキサノンオキシムを転位させてε−カプロ
ラクタムを得る方法も幾つか知られている。一つは、N
,N−ジメチルホルムアミドとクロルスルホン酸の反応
で得られるイオン対(ビルスマイヤー錯体)を触媒とす
る方法である(M.A.Kira and Y.M.S
haker, Egypt.J.Chem., 16,
551(1973))。しかし、この方法は生成ラク
タムと触媒が1:1の錯体を形成するため、オキシムと
等モルの触媒を必要とすると記載されており、経済的と
は云えない。
【0005】本発明者は先に、エポキシ化合物と強酸(
三弗化ホウ素・エーテラート等)から得られるアルキル
化剤及びN,N−ジアルキルホルムアミドからなる触媒
を用いる液相ベックマン転位反応を報告した(Y.Iz
umi, Chemistry Letters, p
p.2171(1990))。この方法は優れた新しい
転位方法を開示しているが、転位触媒の成分として用い
るアルキル化剤にエポキシ化合物と強酸を必要とするな
ど、経済性や操作性の点で工業的には必ずしも満足し得
るものではない。
三弗化ホウ素・エーテラート等)から得られるアルキル
化剤及びN,N−ジアルキルホルムアミドからなる触媒
を用いる液相ベックマン転位反応を報告した(Y.Iz
umi, Chemistry Letters, p
p.2171(1990))。この方法は優れた新しい
転位方法を開示しているが、転位触媒の成分として用い
るアルキル化剤にエポキシ化合物と強酸を必要とするな
ど、経済性や操作性の点で工業的には必ずしも満足し得
るものではない。
【0006】また、特開昭62−149665号にはシ
クロヘキサノンオキシムをヘプタン溶媒中でリン酸触媒
を用いて転位させてε−カプロラクタムを製造する方法
が開示されているが、この方法ではオキシム1モルに対
して、約2倍モルもの大量のリン酸を触媒に用いる必要
があり、従って反応後アンモニア中和し、リン酸触媒を
複雑な工程を経て回収、再使用する旨記載されている。
クロヘキサノンオキシムをヘプタン溶媒中でリン酸触媒
を用いて転位させてε−カプロラクタムを製造する方法
が開示されているが、この方法ではオキシム1モルに対
して、約2倍モルもの大量のリン酸を触媒に用いる必要
があり、従って反応後アンモニア中和し、リン酸触媒を
複雑な工程を経て回収、再使用する旨記載されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
点を解決すべくなされたもので、液相条件下、温和な反
応温度でオキシムの転位によるアミドの製造方法及びそ
の触媒を提供することを目的とする。
点を解決すべくなされたもので、液相条件下、温和な反
応温度でオキシムの転位によるアミドの製造方法及びそ
の触媒を提供することを目的とする。
【0008】本発明者らはオキシムをアミドへ転位する
ための触媒について鋭意研究を重ねてきた結果、N,N
−ジ置換ホルムアミドジアセタール及び強酸からなる触
媒が転位反応を加速することを見いだし、本発明に到達
したものである。
ための触媒について鋭意研究を重ねてきた結果、N,N
−ジ置換ホルムアミドジアセタール及び強酸からなる触
媒が転位反応を加速することを見いだし、本発明に到達
したものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は一般
式(1)、 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は同一又は
相異なり、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数6〜9
のフェニル基若しくは置換フェニル基を表す。)で示さ
れるN,N−ジ置換ホルムアミドジアセタール及び強酸
からなるオキシムのアミドへの転位反応触媒及びその触
媒の存在下にオキシムを転位させることを特徴とするア
ミドの製造方法である。
式(1)、 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は同一又は
相異なり、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数6〜9
のフェニル基若しくは置換フェニル基を表す。)で示さ
れるN,N−ジ置換ホルムアミドジアセタール及び強酸
からなるオキシムのアミドへの転位反応触媒及びその触
媒の存在下にオキシムを転位させることを特徴とするア
ミドの製造方法である。
【0010】本発明に用いられるN,N−ジ置換ホルム
アミドジアセタールは上記の一般式(1)で示されるも
のであり、式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は
同一又は相異なり、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素
数6〜9のフェニル基若しくは置換フェニル基を表し、
炭素数1〜6のアルキル基としてはメチル基、エチル基
、ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基が、炭素数6
〜9のフェニル基または置換フェニル基としてはフェニ
ル基、トリル基、キシリル基、クミル基およびメシチル
基等が挙げられる。
アミドジアセタールは上記の一般式(1)で示されるも
のであり、式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は
同一又は相異なり、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素
数6〜9のフェニル基若しくは置換フェニル基を表し、
炭素数1〜6のアルキル基としてはメチル基、エチル基
、ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基が、炭素数6
〜9のフェニル基または置換フェニル基としてはフェニ
ル基、トリル基、キシリル基、クミル基およびメシチル
基等が挙げられる。
【0011】N,N−ジ置換ホルムアミドジアセタール
として更に具体的には、N,N−ジメチルホルムアミド
ジメチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジ
エチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジプ
ロピルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジブ
チルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジペン
チルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジヘキ
シルアセタール、N,N−ジエチルホルムアミドジメチ
ルアセタール、N,N−ジエチルホルムアミドジエチル
アセタール、N,N−ジプロピルホルムアミドジメチル
アセタール、N,N−ジプロピルホルムアミドジエチル
アセタール、N,N−ジイソプロピルホルムアミドジメ
チルアセタール、N,N−ジイソプロピルホルムアミド
ジエチルアセタール、N,N−ジブチルホルムアミドジ
メチルアセタール、N,N−ジペンチルホルムアミドジ
メチルアセタール、N,N−ジヘキシルホルムアミドジ
メチルアセタール、N−フェニル−N− メチルホルム
アミドジメチルアセタール等が挙げられる。
として更に具体的には、N,N−ジメチルホルムアミド
ジメチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジ
エチルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジプ
ロピルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジブ
チルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジペン
チルアセタール、N,N−ジメチルホルムアミドジヘキ
シルアセタール、N,N−ジエチルホルムアミドジメチ
ルアセタール、N,N−ジエチルホルムアミドジエチル
アセタール、N,N−ジプロピルホルムアミドジメチル
アセタール、N,N−ジプロピルホルムアミドジエチル
アセタール、N,N−ジイソプロピルホルムアミドジメ
チルアセタール、N,N−ジイソプロピルホルムアミド
ジエチルアセタール、N,N−ジブチルホルムアミドジ
メチルアセタール、N,N−ジペンチルホルムアミドジ
メチルアセタール、N,N−ジヘキシルホルムアミドジ
メチルアセタール、N−フェニル−N− メチルホルム
アミドジメチルアセタール等が挙げられる。
【0012】本発明に用いられる強酸としては、無水硫
酸、発煙硫酸、五酸化リン、三フッ化ホウ素エーテラー
ト、過塩素酸、フルオロスルホン酸、ヘテロポリ酸、ア
ルカンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、およびスルホ
ン酸型イオン交換樹脂などが挙げられる。
酸、発煙硫酸、五酸化リン、三フッ化ホウ素エーテラー
ト、過塩素酸、フルオロスルホン酸、ヘテロポリ酸、ア
ルカンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、およびスルホ
ン酸型イオン交換樹脂などが挙げられる。
【0013】上記の触媒の使用量は、特に制限されるも
のではないが、通常、ジ置換ホルムアミドジアセタール
がオキシムの約0.1〜50モル%、好ましくは約1〜
20モル%の範囲であり、強酸はジ置換ホルムアミドジ
アセタールの約0.5〜2当量、好ましくは約0.8〜
1.2等量の範囲である。
のではないが、通常、ジ置換ホルムアミドジアセタール
がオキシムの約0.1〜50モル%、好ましくは約1〜
20モル%の範囲であり、強酸はジ置換ホルムアミドジ
アセタールの約0.5〜2当量、好ましくは約0.8〜
1.2等量の範囲である。
【0014】本発明は何ら制限されることなく公知のオ
キシム化合物に適用される。オキシム化合物として具体
的には、シクロヘキサノンオキシム、シクロペンタノン
オキシム、シクロドデカノンオキシム、アセトアルドキ
シム、アセトンオキシム、2−ブタノンオキシム、ベン
ズアルデヒドオキシム、アセトフェノンオキシム、ベン
ゾフェノンオキシム等が挙げられる。なかでもシクロヘ
キサノンオキシム、シクロペンタノンオキシム、シクロ
ドデカノンオキシム等の環状オキシムに好ましく適用さ
れる。
キシム化合物に適用される。オキシム化合物として具体
的には、シクロヘキサノンオキシム、シクロペンタノン
オキシム、シクロドデカノンオキシム、アセトアルドキ
シム、アセトンオキシム、2−ブタノンオキシム、ベン
ズアルデヒドオキシム、アセトフェノンオキシム、ベン
ゾフェノンオキシム等が挙げられる。なかでもシクロヘ
キサノンオキシム、シクロペンタノンオキシム、シクロ
ドデカノンオキシム等の環状オキシムに好ましく適用さ
れる。
【0015】本発明のオキシムの転位反応は、通常、溶
媒の存在下に行われる。溶媒は特に限定されないが、N
,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、N,N−ジプロピルホルムアミド等のN,N−
ジアルキルホルムアミド類が好ましく用いられる。
媒の存在下に行われる。溶媒は特に限定されないが、N
,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、N,N−ジプロピルホルムアミド等のN,N−
ジアルキルホルムアミド類が好ましく用いられる。
【0016】本発明において、触媒成分であるN,N−
ジアルキルホルムアミドジアセタールと強酸とを予め混
合し、必要に応じて加熱することによって触媒を調製後
、オキシムを添加混合して転位反応を行うこともできる
し、またオキシムの存在下にN,N−ジアルキルホルム
アミドジアセタールと強酸を混合して転位反応を行って
もよく、添加方法については特に限定されない。また、
触媒成分のいずれかが溶媒に溶解しない場合は、触媒を
溶媒に懸濁させた状態で反応を行うか、または固定層に
して流通反応を行う。反応は、通常、約20〜150℃
、好ましくは約30〜100℃で行われる。
ジアルキルホルムアミドジアセタールと強酸とを予め混
合し、必要に応じて加熱することによって触媒を調製後
、オキシムを添加混合して転位反応を行うこともできる
し、またオキシムの存在下にN,N−ジアルキルホルム
アミドジアセタールと強酸を混合して転位反応を行って
もよく、添加方法については特に限定されない。また、
触媒成分のいずれかが溶媒に溶解しない場合は、触媒を
溶媒に懸濁させた状態で反応を行うか、または固定層に
して流通反応を行う。反応は、通常、約20〜150℃
、好ましくは約30〜100℃で行われる。
【0017】
【実施例】本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【0018】実施例1
200mlの丸底フラスコを窒素置換後、乾燥したN,
N−ジメチルホルムアミド45ml、N,N−ジメチル
ホルムアミドジメチルアセタール21.4mmol、発
煙硫酸(SO3 =23wt%)10mmolを仕込み
、66℃で30分間撹拌した。次いでシクロヘキサノン
オキシム70.7mmolをN,N−ジメチルホルムア
ミド46mlに溶解した液を66℃で15分間かかって
滴下後、更に2時間反応を続けた。反応終了後、ガスク
ロマトグラフによる分析の結果、シクロヘキサノンオキ
シムの転化率は16.2%、ε−カプロラクタムの収率
は11.7%(選択率は72%)であった。生成ε−カ
プロラクタムの発煙硫酸基準での触媒ターンオーバーは
0.8(mol/mol)であった。
N−ジメチルホルムアミド45ml、N,N−ジメチル
ホルムアミドジメチルアセタール21.4mmol、発
煙硫酸(SO3 =23wt%)10mmolを仕込み
、66℃で30分間撹拌した。次いでシクロヘキサノン
オキシム70.7mmolをN,N−ジメチルホルムア
ミド46mlに溶解した液を66℃で15分間かかって
滴下後、更に2時間反応を続けた。反応終了後、ガスク
ロマトグラフによる分析の結果、シクロヘキサノンオキ
シムの転化率は16.2%、ε−カプロラクタムの収率
は11.7%(選択率は72%)であった。生成ε−カ
プロラクタムの発煙硫酸基準での触媒ターンオーバーは
0.8(mol/mol)であった。
【0019】実施例2
200mlの丸底フラスコを窒素置換後、乾燥したN,
N−ジメチルホルムアミド45ml、N,N−ジメチル
ホルムアミドジエチルアセタール21.4mmol、発
煙硫酸(SO3 =23wt%)10mmolを仕込み
、66℃で30分間撹拌した。次いでシクロヘキサノン
オキシム70.7mmolをN,N−ジメチルホルムア
ミド46mlに溶解した液を66℃で15分間かかって
滴下後、更に3時間反応を続けた。反応終了後、ガスク
ロマトグラフによる分析の結果、シクロヘキサノンオキ
シムの転化率は50.4%、ε−カプロラクタムの収率
は47.7%(選択率は94.6%)であった。生成ε
−カプロラクタムの発煙硫酸基準での触媒ターンオーバ
ーは3.4(mol/mol)であった。
N−ジメチルホルムアミド45ml、N,N−ジメチル
ホルムアミドジエチルアセタール21.4mmol、発
煙硫酸(SO3 =23wt%)10mmolを仕込み
、66℃で30分間撹拌した。次いでシクロヘキサノン
オキシム70.7mmolをN,N−ジメチルホルムア
ミド46mlに溶解した液を66℃で15分間かかって
滴下後、更に3時間反応を続けた。反応終了後、ガスク
ロマトグラフによる分析の結果、シクロヘキサノンオキ
シムの転化率は50.4%、ε−カプロラクタムの収率
は47.7%(選択率は94.6%)であった。生成ε
−カプロラクタムの発煙硫酸基準での触媒ターンオーバ
ーは3.4(mol/mol)であった。
【0020】比較例1
N,N−ジメチルホルムアミドジエチルアセタールを添
加せずに、発煙硫酸のみを触媒として用い、実施例2と
同様に反応を行った。2時間反応後に得られた結果は、
シクロヘキサノンオキシムの転化率は17.8%、ε−
カプロラクタムの収率は1.8%(選択率は10.2%
)であった。生成ε−カプロラクタムの発煙硫酸基準で
の触媒ターンオーバーは0.1(mol/mol)であ
った。
加せずに、発煙硫酸のみを触媒として用い、実施例2と
同様に反応を行った。2時間反応後に得られた結果は、
シクロヘキサノンオキシムの転化率は17.8%、ε−
カプロラクタムの収率は1.8%(選択率は10.2%
)であった。生成ε−カプロラクタムの発煙硫酸基準で
の触媒ターンオーバーは0.1(mol/mol)であ
った。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式(1)、 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は同一又は
相異なり、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数6〜9
のフェニル基若しくは置換フェニル基を表す。)で示さ
れるN,N−ジ置換ホルムアミドジアセタール及び強酸
からなるオキシムのアミドへの転位反応触媒。 - 【請求項2】 強酸が無水硫酸、発煙硫酸、五酸化リ
ン、三フッ化ホウ素エーテラート、過塩素酸、フルオロ
スルホン酸、ヘテロポリ酸、アルカンスルホン酸、トリ
フルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トル
エンスルホン酸又はスルホン酸型イオン交換樹脂である
請求項1記載のオキシムのアミドへの転位触媒。 - 【請求項3】 請求項1記載の触媒の存在下にオキシ
ムを転位させることを特徴とするアミドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3116052A JP2549027B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | オキシムの接触的液相転位によるアミドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3116052A JP2549027B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | オキシムの接触的液相転位によるアミドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04342550A true JPH04342550A (ja) | 1992-11-30 |
JP2549027B2 JP2549027B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=14677516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3116052A Expired - Lifetime JP2549027B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | オキシムの接触的液相転位によるアミドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2549027B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3116052A patent/JP2549027B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2549027B2 (ja) | 1996-10-30 |
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