JPH0433283B2 - - Google Patents
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Description
〔技術分野〕
本発明はポリジアセチレン誘導体を含有する薄
膜に関する。 〔産業上の利用分野〕 本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄
膜は、共役系ポリマーであり、導電性材料、パタ
ーン形成レジスト材料として用いることができ
る。 〔従来技術及び問題点〕 これまで、下記の式()において、R1が−
C≡C−R′(R′は水素原子または−SiX1X2X3で、
X1,X2,X3はそれぞれ水素原子またはアルキル
基)のものは知られている。しかし、これらは共
役系の長さが短かく、また共役系の発達方向にも
秩序性がないため、導電性に劣りパターン形成レ
ジスト材料としてはコントラストや分解能が低か
つた。 〔問題を解決するための手段〕 このような問題点に鑑み、本発明者らは共役系
が十分長く、共役系が秩序良く発達したポリアセ
チレン化合物を得るべく鋭意検討を重ねた結果、
本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜
を得るに至つた。 すなわち、本発明は繰り返し単位が下記の式
()で表され、その単位数が10以上1000以下の
範囲の整数で表されるポリジアセチレン誘導体 (式中、Rは−(CH2)o−COO・1/m・Mで
あり、nは8以上22以下の整数、Mは二価、三価
または四価の金属イオンあるいはプロトンであ
り、mは金属イオンMの価数である。)からなる
薄膜と下式()で表される飽和脂肪酸の単分子
膜が交互に積層された少なくとも二層からなる積
層膜に関するものである。 H3C−(CH2)o′−COO・1/m′・M′() (式()中、n′は8以上22以下の整数、
M′は二価、三価または四価の金属イオンあるい
はプロトンでm′は金属イオンM′の価数である。) 本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄
膜の製造方法の一例を次に示す。下式()にお
いて、nは8以上22以下の整数で表される一置換
ジアセチレン化合物(ただし、Mは二価、三価ま
たは四価の金属イオンあるいはプロトンであり、
mは金属イオンMの価数である。)の単分子膜と、
下式()において、n′は8以上25以下の整数で
表わされ飽和脂肪酸(ただし、M′は二価、三価
または四価の金属イオンあるいはプロトンであ
り、m′は金属イオンM′の価数である。)の単分子
膜が基板上に交互に積層した膜に、γ線、電子
線、X線、紫外線、可視光線、赤外線(熱)等の
エネルギー照射(以下単に“エネルギー照射”と
いう。)を施すことにより下式()が重合した
本発明のポリジアセチレン誘導体()を含有す
る薄膜が得られる。 H−C1≡C2−C3≡C4−(CH2)o−COO・1/
mM() H3C−(CH2)o′−COO・1/m′・M′() 一方、式()で表わされる一置換ジアセチレ
ン化合物の単分子層のみが積層した膜にエネルギ
ー照射を施すと、下式()で表されるポリジア
セチレン誘導体が得られる。 従つて本発明のポリジアセチレン誘導体を含有
する薄膜を得るためには、積層した単分子層間の
ジアセチレン基が層間で互いに向い合わない積層
構造、たとえば式()単分子層と式()単分
子層が交互に積層した構造であることが好まし
い。 その構造をもつ一置換ジアセチレン化合物単分
子層と飽和脂肪酸単分子層が交互に積層した膜
(交互積層膜)はラングミユアーブロジエツト法
(以下“LB法”と略す。またLB法で作製した膜
を“LB膜”と略す。)や真空蒸着法等により作製
することができる。 LB法による交互積層膜(以下“ヘテロLB膜”
とと略する。)の作製方法について説明する。水
に溶けない揮発性有機溶媒に一置換ジアセチレン
化合物、飽和脂肪酸を溶解し、それぞれの溶液を
調製する。水面が仕切られた2個の水槽(トラ
フ)の水面に該溶液をそれぞれ滴下して溶媒を蒸
発させると分子が水面上に展開されそれぞれの単
分子層が形成される。このとき、水中には1×
10-6mol/〜1×10-2mol/の濃度で、二価、
三価または四価の金属イオンを含有させておく。
この単分子膜の表面積を減少させていとく表面圧
が徐々に増大し、水面上に固体単分子膜が形成さ
れる。このように別個のトラフの水面上に形成し
た固体単分子膜をLB法に従つて基板上に交互に
積層させる。次にその積層方法について説明す
る。2個のトラフのうち1つ(トラフ1)に基板
を浸漬する。次に水面下で基板を移動させた後別
のトラフ(トラフ2)の水面上に基板を引き上げ
る。このように基板をトラフ1→トラフ2と移動
させることをくり返すと、基板上に一置換ジアセ
チレン単分子層と飽和脂肪酸単分子層のヘテロ
LB膜が得られる。また、二価、三価または四価
の金属イオンとしては、カドミウム、鉄、コバル
ト、ニツケル、銅、亜鉛、水銀、パラジウム、白
金、ロジウム、クロム、マンガン、アルミニウ
ム、スズ、鉛、マグネシウム、カルシウム、スト
ロンチウム、バリウム、スカンジウム、イツトリ
ウム、ランタン系金属等挙げられるが、好ましく
はカドミウム、鉄、アルミニウム、スズのイオン
である。従つて、式()中のMは上記金属イオ
ンまたはプロトンのうち、複数の種類にわたつて
いてもよく、また一種類のみでもよい。 前記の水に溶けない揮発性有機溶媒として、ク
ロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、ベンゼン等を用いることができる。 また基板としては、ガラス、石英、シリコンウ
エハー、フツ化カルシウム、ポリスチレンフイル
ム等のポリマーフイルムを用いることができる。 前記で得られた交互積層膜に、たとえば、
100W低圧水銀灯を10cmの距離から、1秒〜5×
105秒照射することにより、式()で示される
ポリジアセチレン誘導体がヘテロLB膜中に得ら
れる。飽和脂肪酸は光に対し不活性であるので、
飽和脂肪酸層はヘテロLB膜中で構造変化しない
層として存在している。 前記のようにして作製した式()のポリジア
セチレン誘導体を含有する薄膜は、IRスペクト
ル、1H−NMRスペクトル、UV−VISスペクト
ル、ラマンスペクトル測定によつてその分子構造
を調べることができる。 IRスペクトルから、ν(C=C)が1600cm-1付
近に、H−C1≡C2のν(C≡C)が2100〜2280cm
−1及びν(H−C≡)が3250〜3350cm-1に、−CH2
の−のν(C−H)が2835〜2980cm-1に、−CH2−
のはさみ振動が1435〜1490cm-1に、カルボン酸金
属塩のν(C=0)が1400cm-1付近と1520〜1610
cm-1に観測される。また、−C3≡C4−のν((C≡
C)が式()のモノマー分子および単分子膜で
明確に観測されるが、重合とともに強度が減少・
消失している。これらのことより式()中ジア
セチレン基の−C3≡C4−が光照射により重合す
るが、末端アセチレン基(H−C1≡C2−)は変
化せず秩序良く重合していることがわかる。 重水素置換クロロホルムにヘテロLB膜を溶解
した溶液の1H−NMRスペクトルより、重合前
のヘテロLB膜では−C3≡C4−CH2−のプロトン
シグナルが2.1〜2.25ppm(2H)に、H−C≡Cの
プロトンシグナルが3.2〜3.3ppm(1H)に、また
エネルギー照射後のヘテロLB膜では、
膜に関する。 〔産業上の利用分野〕 本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄
膜は、共役系ポリマーであり、導電性材料、パタ
ーン形成レジスト材料として用いることができ
る。 〔従来技術及び問題点〕 これまで、下記の式()において、R1が−
C≡C−R′(R′は水素原子または−SiX1X2X3で、
X1,X2,X3はそれぞれ水素原子またはアルキル
基)のものは知られている。しかし、これらは共
役系の長さが短かく、また共役系の発達方向にも
秩序性がないため、導電性に劣りパターン形成レ
ジスト材料としてはコントラストや分解能が低か
つた。 〔問題を解決するための手段〕 このような問題点に鑑み、本発明者らは共役系
が十分長く、共役系が秩序良く発達したポリアセ
チレン化合物を得るべく鋭意検討を重ねた結果、
本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜
を得るに至つた。 すなわち、本発明は繰り返し単位が下記の式
()で表され、その単位数が10以上1000以下の
範囲の整数で表されるポリジアセチレン誘導体 (式中、Rは−(CH2)o−COO・1/m・Mで
あり、nは8以上22以下の整数、Mは二価、三価
または四価の金属イオンあるいはプロトンであ
り、mは金属イオンMの価数である。)からなる
薄膜と下式()で表される飽和脂肪酸の単分子
膜が交互に積層された少なくとも二層からなる積
層膜に関するものである。 H3C−(CH2)o′−COO・1/m′・M′() (式()中、n′は8以上22以下の整数、
M′は二価、三価または四価の金属イオンあるい
はプロトンでm′は金属イオンM′の価数である。) 本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄
膜の製造方法の一例を次に示す。下式()にお
いて、nは8以上22以下の整数で表される一置換
ジアセチレン化合物(ただし、Mは二価、三価ま
たは四価の金属イオンあるいはプロトンであり、
mは金属イオンMの価数である。)の単分子膜と、
下式()において、n′は8以上25以下の整数で
表わされ飽和脂肪酸(ただし、M′は二価、三価
または四価の金属イオンあるいはプロトンであ
り、m′は金属イオンM′の価数である。)の単分子
膜が基板上に交互に積層した膜に、γ線、電子
線、X線、紫外線、可視光線、赤外線(熱)等の
エネルギー照射(以下単に“エネルギー照射”と
いう。)を施すことにより下式()が重合した
本発明のポリジアセチレン誘導体()を含有す
る薄膜が得られる。 H−C1≡C2−C3≡C4−(CH2)o−COO・1/
mM() H3C−(CH2)o′−COO・1/m′・M′() 一方、式()で表わされる一置換ジアセチレ
ン化合物の単分子層のみが積層した膜にエネルギ
ー照射を施すと、下式()で表されるポリジア
セチレン誘導体が得られる。 従つて本発明のポリジアセチレン誘導体を含有
する薄膜を得るためには、積層した単分子層間の
ジアセチレン基が層間で互いに向い合わない積層
構造、たとえば式()単分子層と式()単分
子層が交互に積層した構造であることが好まし
い。 その構造をもつ一置換ジアセチレン化合物単分
子層と飽和脂肪酸単分子層が交互に積層した膜
(交互積層膜)はラングミユアーブロジエツト法
(以下“LB法”と略す。またLB法で作製した膜
を“LB膜”と略す。)や真空蒸着法等により作製
することができる。 LB法による交互積層膜(以下“ヘテロLB膜”
とと略する。)の作製方法について説明する。水
に溶けない揮発性有機溶媒に一置換ジアセチレン
化合物、飽和脂肪酸を溶解し、それぞれの溶液を
調製する。水面が仕切られた2個の水槽(トラ
フ)の水面に該溶液をそれぞれ滴下して溶媒を蒸
発させると分子が水面上に展開されそれぞれの単
分子層が形成される。このとき、水中には1×
10-6mol/〜1×10-2mol/の濃度で、二価、
三価または四価の金属イオンを含有させておく。
この単分子膜の表面積を減少させていとく表面圧
が徐々に増大し、水面上に固体単分子膜が形成さ
れる。このように別個のトラフの水面上に形成し
た固体単分子膜をLB法に従つて基板上に交互に
積層させる。次にその積層方法について説明す
る。2個のトラフのうち1つ(トラフ1)に基板
を浸漬する。次に水面下で基板を移動させた後別
のトラフ(トラフ2)の水面上に基板を引き上げ
る。このように基板をトラフ1→トラフ2と移動
させることをくり返すと、基板上に一置換ジアセ
チレン単分子層と飽和脂肪酸単分子層のヘテロ
LB膜が得られる。また、二価、三価または四価
の金属イオンとしては、カドミウム、鉄、コバル
ト、ニツケル、銅、亜鉛、水銀、パラジウム、白
金、ロジウム、クロム、マンガン、アルミニウ
ム、スズ、鉛、マグネシウム、カルシウム、スト
ロンチウム、バリウム、スカンジウム、イツトリ
ウム、ランタン系金属等挙げられるが、好ましく
はカドミウム、鉄、アルミニウム、スズのイオン
である。従つて、式()中のMは上記金属イオ
ンまたはプロトンのうち、複数の種類にわたつて
いてもよく、また一種類のみでもよい。 前記の水に溶けない揮発性有機溶媒として、ク
ロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、ベンゼン等を用いることができる。 また基板としては、ガラス、石英、シリコンウ
エハー、フツ化カルシウム、ポリスチレンフイル
ム等のポリマーフイルムを用いることができる。 前記で得られた交互積層膜に、たとえば、
100W低圧水銀灯を10cmの距離から、1秒〜5×
105秒照射することにより、式()で示される
ポリジアセチレン誘導体がヘテロLB膜中に得ら
れる。飽和脂肪酸は光に対し不活性であるので、
飽和脂肪酸層はヘテロLB膜中で構造変化しない
層として存在している。 前記のようにして作製した式()のポリジア
セチレン誘導体を含有する薄膜は、IRスペクト
ル、1H−NMRスペクトル、UV−VISスペクト
ル、ラマンスペクトル測定によつてその分子構造
を調べることができる。 IRスペクトルから、ν(C=C)が1600cm-1付
近に、H−C1≡C2のν(C≡C)が2100〜2280cm
−1及びν(H−C≡)が3250〜3350cm-1に、−CH2
の−のν(C−H)が2835〜2980cm-1に、−CH2−
のはさみ振動が1435〜1490cm-1に、カルボン酸金
属塩のν(C=0)が1400cm-1付近と1520〜1610
cm-1に観測される。また、−C3≡C4−のν((C≡
C)が式()のモノマー分子および単分子膜で
明確に観測されるが、重合とともに強度が減少・
消失している。これらのことより式()中ジア
セチレン基の−C3≡C4−が光照射により重合す
るが、末端アセチレン基(H−C1≡C2−)は変
化せず秩序良く重合していることがわかる。 重水素置換クロロホルムにヘテロLB膜を溶解
した溶液の1H−NMRスペクトルより、重合前
のヘテロLB膜では−C3≡C4−CH2−のプロトン
シグナルが2.1〜2.25ppm(2H)に、H−C≡Cの
プロトンシグナルが3.2〜3.3ppm(1H)に、また
エネルギー照射後のヘテロLB膜では、
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。 実施例 1 (22,24−ペンタコサジイノイツクアシドの合
成) 22−トリコシノイツクアシドH−C≡C−
(CH2)20−COOH(1)′3.5gとパラトルエンスルホ
ン酸8gを無水メタノール30mlに入れて2時間還
流した。反応液を冷却後炭酸水素ナトリウム水溶
液と混合・振盪し、ついで析出物を水、飽和食塩
水で洗浄し、3.60gのメチルエステエル体H−C
≡C−(CH2)20−COOCH3(2)′を得た。 1.9g(10mmol)のヨウ化銅()のアンモニ
ア性水溶液に、3.60g(10mmol)の(2)′を50mlの
メタノールに溶かした溶液を加え、15分間窒素雰
囲気下で攪拌した。沈澱物を濾過し、水、メタノ
ール、エーテルで洗浄した後真空乾燥させて銅ア
セチリド誘導体CuC≡C−(CH2)20−COOH(3)′
を得た。これをジエチルエーテルに溶解し、ヨウ
素と反応させてI−C≡C−(CH2)20−COOH
(4)′3.4g(7mmol)を得た。 次に塩化銅()6.9mgの33%エチルアミン水
溶液7mlを攪拌しながら、プロピン酸H−C≡C
−COOH0.49g(7mmol)のメタノール4ml溶液
を加えた。この混合物を窒素雰囲気下に40℃に保
ち、(4)′の3.4gのメタノール4ml溶液を滴下して
加えた。反応混合物をKCN水溶液で処理後、酸
性にしてエーテル抽出し1.3g(3mmol)の
HOOC−C≡C−C≡C−(CH2)20−COOCH3
(6)′を得た。 1.3gの(6)′と5mlのジオキサン、53mgの銅粉末
の混合物を2時間還流させて脱炭酸をおこない
0.97g(2.5mmol)のH−C≡C−C≡C−
(CH2)20−COOCH3 (8)を得た。この(8)の0.97g
を10%水酸化ナトリウム水溶液とジオキサンの混
合溶媒(1:1)中で加水分解し、希塩酸処理を
施して、22,24−ペンタコサジイノイツクアシド
H−C≡C−C≡C−(CH2)20−COOH(7)′0.37
g(1mmol)の白色結晶を得た。 (22,24−ペンタコサジイノイツクアシドを用い
たポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作
製) 先に合成した22,24−ペンタコサジイノイツク
アシド(7)′の2mMクロロホルム溶液を調整した。
アラキジン酸(H3C−(CH2)18−COOH)の
2mMクロロホルム溶液を調整した。0.5mM
CdCl2水溶液をジヨイスレーベル(Joyce−
Loebl)社製のラングミユアトラフに注ぎ、テフ
ロンテープで隔てられたトラフ1およびトラフ2
に(7)′のクロロホルム溶液とアラキジン酸のクロ
ロホルム溶液をそれぞれ滴下した。水面上に形成
された単分子膜の表面圧を25mN/mの一定圧力
に保ち、フツ化カルシウム基板をトラフ1で浸漬
し、水中でトラフ2に移動させ、基板を引き上げ
た。次いで基板を空中でトラフ1上に移動させ
た。この浸漬−水中移動−引き上げ−空中移動を
繰り返して、基板上に各々150層の単分子層が交
互に累積したヘテロLB膜を得た。累積比は(7)′が
0.96、アラキジン酸が1.00であつた。 このLB膜に100W低圧水銀灯を15分間照射し、
光重合を施した。 IRスペクトルでは、ν(C=C)(1600cm-1)
H−C≡のν(C−H)(3310cm-1)、H−C≡C
−のν(C≡C)(2225cm-1)、メチレン基−CH2
−のνa(C−H)(2930cm-1)、νs(C−H)(2855
cm-1)、CH2はさみ振動(1465cm-1)カルボン酸
塩のν(C−O)(1410cm-1、1550cm-1)が認めら
れた。、−C≡C−のν(C≡C)(2285cm-1)は見
られなかつた。 UV−VISスペクトルでは500nm付近から吸収
端が見られ、240nmのジアセチレン吸収ピーク強
度が減少した。 ラマンスペクトル(He−Neレーザ、6328Å)
では、ν(C=C)(1465cm-1)、ν(C≡C)
(2120cm-1)、が観測された。ν(C=C)のラマ
ンシフトから共役連鎖長は200であつた。 光重合後のヘテロLB膜を重水素置換クロロホ
ルムに溶解し、1H−NMRを測定した。−C≡C
Hのシグナルが3.35ppm(1H)、−C=C−CH 2
−のシグナルが1.90ppm(2H)、カルボン酸に隣
接したメチレン基−CH 2−COOのシグナルが
2.3ppm、−CH2−が1.1から1.6ppmに認められた。
しかし光照射前のモノマー段階(7)′で認められた
−C≡C−CH 2−のシグナル2.2ppm(2H)を消
失した。 UV光照射を施していない部分はエタノールに
溶解したが、光照射部分は溶解せず、ネガ型パタ
ーンを形成した。光照射を施した部分に金の薄膜
を蒸着して電極を設け電導度を測定したところ、
2×10-7Ω-1cm-1の電導度であつた。さらにヨウ
素ガス中に該LB膜を24時間保持したところ、電
導度は2×10-3Ω-1cm-1に増加した。また、光照
射を施さない部分の電導度は1×10-9Ω-1cm-1で
あつた。 実施例 2 (16,18−ノナデカジイノイツクアシドの合成) 実施例1において、16−ヘプタデシノイツクア
シドH−C≡C−(CH2)14−COOH(1)″2gを10
−ウンデシノイツクアシドの代わり用いて同様の
反応を行い16,18−ノナデカジイノイツクアシド
H−C≡C−C≡C−(CH2)14−COOH(7)″の白
色結晶0.50gを得た。 (16,18−ノナデカジイノイツクアシドを用いた
ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製) 先に合成した(7)″を実施例1において(7)′の代わ
りに用いて、(7)″とアラキジン酸が単分子層で交
互に累積したヘテロLB膜(各40層)を作製した。
累積比は(7)″が0.96、アラキジン酸が1.00であつ
た。 このLB膜に100W底圧水銀灯を10分間照射し、
光重合を施した。 IRスペクトルでは、ν(C=C)(1600cm-1)
H−C≡のν(C−H)(3315cm-1)、HC≡Cのν
(C≡C)(2228cm-1)、メチレン基−CH2−のνa
(C−H)(2930cm-1)、νs(C−H)(2860cm-1)
、
CH2はさみ振動(1465cm-1)、カルボン酸塩のν
(C=O)(1410cm-1、1550cm-1)が認められた。
−C≡C−のν(C≡C)(2290cm-1)は見られな
かつた。 UV−VISスペクトルでは600nm付近から吸収
端が見られ、240nmのジアセチレン吸収ピークが
減少した。また500nm付近の吸収ピークは見られ
なかつた。 ラマンスペクトル(He−Neレーザ、6328Å)
では、ν(C=C)(1480cm-1)、ν(C≡C)
(2120cm-1)、が観測された。ν(C=C)のラマ
ンシフトから共役連鎖長は30であつた。 UV光照射を施していない部分はエタノールに
溶解したが、光照射部分は溶解せずネガ型パター
ンを形成した。光照射を施した部分に金の薄膜を
蒸着して電極を設け電導度を測定したところ、2
×10-7Ω-1cm-1であつた。さらにヨウ素ガス中に
24時間保持したところ電導度は2×10-3Ω-1cm-1
に増加した。また光照射を施さない部分の電導度
は1×10-9Ω-1cm-1であつた。 実施例 3 (12,14−ペンタデカジイノイツクアシドの合
成) 12−トリデシノイツクアシドH−C≡C−
(CH2)10−COOH(1)
る。 実施例 1 (22,24−ペンタコサジイノイツクアシドの合
成) 22−トリコシノイツクアシドH−C≡C−
(CH2)20−COOH(1)′3.5gとパラトルエンスルホ
ン酸8gを無水メタノール30mlに入れて2時間還
流した。反応液を冷却後炭酸水素ナトリウム水溶
液と混合・振盪し、ついで析出物を水、飽和食塩
水で洗浄し、3.60gのメチルエステエル体H−C
≡C−(CH2)20−COOCH3(2)′を得た。 1.9g(10mmol)のヨウ化銅()のアンモニ
ア性水溶液に、3.60g(10mmol)の(2)′を50mlの
メタノールに溶かした溶液を加え、15分間窒素雰
囲気下で攪拌した。沈澱物を濾過し、水、メタノ
ール、エーテルで洗浄した後真空乾燥させて銅ア
セチリド誘導体CuC≡C−(CH2)20−COOH(3)′
を得た。これをジエチルエーテルに溶解し、ヨウ
素と反応させてI−C≡C−(CH2)20−COOH
(4)′3.4g(7mmol)を得た。 次に塩化銅()6.9mgの33%エチルアミン水
溶液7mlを攪拌しながら、プロピン酸H−C≡C
−COOH0.49g(7mmol)のメタノール4ml溶液
を加えた。この混合物を窒素雰囲気下に40℃に保
ち、(4)′の3.4gのメタノール4ml溶液を滴下して
加えた。反応混合物をKCN水溶液で処理後、酸
性にしてエーテル抽出し1.3g(3mmol)の
HOOC−C≡C−C≡C−(CH2)20−COOCH3
(6)′を得た。 1.3gの(6)′と5mlのジオキサン、53mgの銅粉末
の混合物を2時間還流させて脱炭酸をおこない
0.97g(2.5mmol)のH−C≡C−C≡C−
(CH2)20−COOCH3 (8)を得た。この(8)の0.97g
を10%水酸化ナトリウム水溶液とジオキサンの混
合溶媒(1:1)中で加水分解し、希塩酸処理を
施して、22,24−ペンタコサジイノイツクアシド
H−C≡C−C≡C−(CH2)20−COOH(7)′0.37
g(1mmol)の白色結晶を得た。 (22,24−ペンタコサジイノイツクアシドを用い
たポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作
製) 先に合成した22,24−ペンタコサジイノイツク
アシド(7)′の2mMクロロホルム溶液を調整した。
アラキジン酸(H3C−(CH2)18−COOH)の
2mMクロロホルム溶液を調整した。0.5mM
CdCl2水溶液をジヨイスレーベル(Joyce−
Loebl)社製のラングミユアトラフに注ぎ、テフ
ロンテープで隔てられたトラフ1およびトラフ2
に(7)′のクロロホルム溶液とアラキジン酸のクロ
ロホルム溶液をそれぞれ滴下した。水面上に形成
された単分子膜の表面圧を25mN/mの一定圧力
に保ち、フツ化カルシウム基板をトラフ1で浸漬
し、水中でトラフ2に移動させ、基板を引き上げ
た。次いで基板を空中でトラフ1上に移動させ
た。この浸漬−水中移動−引き上げ−空中移動を
繰り返して、基板上に各々150層の単分子層が交
互に累積したヘテロLB膜を得た。累積比は(7)′が
0.96、アラキジン酸が1.00であつた。 このLB膜に100W低圧水銀灯を15分間照射し、
光重合を施した。 IRスペクトルでは、ν(C=C)(1600cm-1)
H−C≡のν(C−H)(3310cm-1)、H−C≡C
−のν(C≡C)(2225cm-1)、メチレン基−CH2
−のνa(C−H)(2930cm-1)、νs(C−H)(2855
cm-1)、CH2はさみ振動(1465cm-1)カルボン酸
塩のν(C−O)(1410cm-1、1550cm-1)が認めら
れた。、−C≡C−のν(C≡C)(2285cm-1)は見
られなかつた。 UV−VISスペクトルでは500nm付近から吸収
端が見られ、240nmのジアセチレン吸収ピーク強
度が減少した。 ラマンスペクトル(He−Neレーザ、6328Å)
では、ν(C=C)(1465cm-1)、ν(C≡C)
(2120cm-1)、が観測された。ν(C=C)のラマ
ンシフトから共役連鎖長は200であつた。 光重合後のヘテロLB膜を重水素置換クロロホ
ルムに溶解し、1H−NMRを測定した。−C≡C
Hのシグナルが3.35ppm(1H)、−C=C−CH 2
−のシグナルが1.90ppm(2H)、カルボン酸に隣
接したメチレン基−CH 2−COOのシグナルが
2.3ppm、−CH2−が1.1から1.6ppmに認められた。
しかし光照射前のモノマー段階(7)′で認められた
−C≡C−CH 2−のシグナル2.2ppm(2H)を消
失した。 UV光照射を施していない部分はエタノールに
溶解したが、光照射部分は溶解せず、ネガ型パタ
ーンを形成した。光照射を施した部分に金の薄膜
を蒸着して電極を設け電導度を測定したところ、
2×10-7Ω-1cm-1の電導度であつた。さらにヨウ
素ガス中に該LB膜を24時間保持したところ、電
導度は2×10-3Ω-1cm-1に増加した。また、光照
射を施さない部分の電導度は1×10-9Ω-1cm-1で
あつた。 実施例 2 (16,18−ノナデカジイノイツクアシドの合成) 実施例1において、16−ヘプタデシノイツクア
シドH−C≡C−(CH2)14−COOH(1)″2gを10
−ウンデシノイツクアシドの代わり用いて同様の
反応を行い16,18−ノナデカジイノイツクアシド
H−C≡C−C≡C−(CH2)14−COOH(7)″の白
色結晶0.50gを得た。 (16,18−ノナデカジイノイツクアシドを用いた
ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製) 先に合成した(7)″を実施例1において(7)′の代わ
りに用いて、(7)″とアラキジン酸が単分子層で交
互に累積したヘテロLB膜(各40層)を作製した。
累積比は(7)″が0.96、アラキジン酸が1.00であつ
た。 このLB膜に100W底圧水銀灯を10分間照射し、
光重合を施した。 IRスペクトルでは、ν(C=C)(1600cm-1)
H−C≡のν(C−H)(3315cm-1)、HC≡Cのν
(C≡C)(2228cm-1)、メチレン基−CH2−のνa
(C−H)(2930cm-1)、νs(C−H)(2860cm-1)
、
CH2はさみ振動(1465cm-1)、カルボン酸塩のν
(C=O)(1410cm-1、1550cm-1)が認められた。
−C≡C−のν(C≡C)(2290cm-1)は見られな
かつた。 UV−VISスペクトルでは600nm付近から吸収
端が見られ、240nmのジアセチレン吸収ピークが
減少した。また500nm付近の吸収ピークは見られ
なかつた。 ラマンスペクトル(He−Neレーザ、6328Å)
では、ν(C=C)(1480cm-1)、ν(C≡C)
(2120cm-1)、が観測された。ν(C=C)のラマ
ンシフトから共役連鎖長は30であつた。 UV光照射を施していない部分はエタノールに
溶解したが、光照射部分は溶解せずネガ型パター
ンを形成した。光照射を施した部分に金の薄膜を
蒸着して電極を設け電導度を測定したところ、2
×10-7Ω-1cm-1であつた。さらにヨウ素ガス中に
24時間保持したところ電導度は2×10-3Ω-1cm-1
に増加した。また光照射を施さない部分の電導度
は1×10-9Ω-1cm-1であつた。 実施例 3 (12,14−ペンタデカジイノイツクアシドの合
成) 12−トリデシノイツクアシドH−C≡C−
(CH2)10−COOH(1)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 繰り返し単位が下記の式()で表され、そ
の単位数が10以上1000以下の範囲の整数で表され
るポリジアセチレン誘導体 (式()中、Rは−(CH2)o−COO・1/
m・Mであり、nは8以上22以下の整数、Mは二
価、三価または四価の金属イオンあるいはプロト
ンであり、mは金属イオンMの価数である。)か
らなる薄膜と下式()で表される飽和脂肪酸の
単分子膜が交互に積層された少なくとも二層から
なる積層膜 H3C−(CH2)o′−COO・1/m′・M′ () (式()中、n′は8以上22以下の整数、
M′は二価、三価または四価の金属イオンあるい
はプロトンで、m′は金属イオンM′の価数であ
る。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30416288A JPH02209909A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30416288A JPH02209909A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02209909A JPH02209909A (ja) | 1990-08-21 |
JPH0433283B2 true JPH0433283B2 (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=17929802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30416288A Granted JPH02209909A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02209909A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62229240A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Canon Inc | 重合性薄膜 |
JPS62229246A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Canon Inc | パタ−ン形成方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6474205A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 | Agency Ind Science Techn | Polyethynylacetylene derivative |
JPS6473339A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Agency Ind Science Techn | Pattern forming method |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP30416288A patent/JPH02209909A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS62229240A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Canon Inc | 重合性薄膜 |
JPS62229246A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Canon Inc | パタ−ン形成方法 |
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Publication number | Publication date |
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JPH02209909A (ja) | 1990-08-21 |
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