JPH02209909A - ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜 - Google Patents

ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜

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JPH02209909A
JPH02209909A JP30416288A JP30416288A JPH02209909A JP H02209909 A JPH02209909 A JP H02209909A JP 30416288 A JP30416288 A JP 30416288A JP 30416288 A JP30416288 A JP 30416288A JP H02209909 A JPH02209909 A JP H02209909A
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尚 南方
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野) 本発明はポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜に関す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜は、共
役系ポリマーであり、導電性材料、パターン形成レジス
ト材料として用いることができる。
〔従来技術及び問題点〕
これまで、下記の式(n)において、R2が−CEC−
R’ (R’は水素原子または一3iX+XtXs”t
’、X+、 Xz、Xsはそれぞれ水素原子またはアル
キル基)のものは知られている。しかし、これらは共役
系の長さが短かく、また共役系の発達方向にも秩序性が
ないため、導電性に劣りパターン形成レジスト材料とし
てはコントラストや分解能が低かった。
〔問題を解決するための手段〕
このような問題点に鑑み、本発明者らは共役系が十分長
く、共役系が秩序良(発達したポリアセチレン化合物を
得るべく鋭意検討を重ねた結果、本発明のポリジアセチ
レン誘導体を含有する薄膜を得るに至った。
すなわち、本発明は繰返し単位が下記の式(I)で表さ
れ、その単位数が10以上1000以下の範囲の整数で
表されるポリジアセチレン誘導体(式中、Rは−(Ct
h)、  COO弓/m Mであり、nは8以上22以
下の整数、Mは二価、三価または四価の金属イオンある
いはプロトンであり、mは金属イオンMの価数である。
)を含有する薄膜に関するものである。
本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の製造
方法の一例を次に示す。下式(III)において、nは
8以上22以下の整数で表される一置換ジアセチレン化
合物(ただし、Mは二価、三価または四価の金属イオン
あるいはプロトンであり、mは金属イオンMの価数であ
る。)の単分子膜と、下式(■)において、n′は8以
上25以下の整数で表わされ飽和脂肪酸(ただし、H′
は二価、三価または四価の金属イオンあるいはプロトン
であり、割′は金属イオンh′の価数である。)の単分
子膜が基板上に交互に積層した膜に、T線、電子線、X
線、紫外線、可視光線、赤外線(熱)等のエネルギー照
射(以下単に“エネルギー照射″という。)を施すこと
により下式(I[[)が重合した本発明のポリジアセチ
レン誘導体(I)を含有する薄膜が得られる。
H−C=CC=C(CHz)−Coo ・1/m M 
(I[I)H,+C−(CH2)、’  −Coo ’
 1/m’  −M’  (IV)一方、式(I[[)
で表わされる一置換ジアセチレン化合物の単分子層のみ
が積層した膜にエネルギー照射を施すと、下式(Vlで
裏ぎれるポリジアセチレン誘導体が得られる。
従って本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜
を得るためには、積層した単分子層間のジアセチレン基
が眉間で互いに向い合わない積層構造、たとえば式(I
[[)単分子層と式(IV)単分子層が交互に積層した
構造であることが好ましい。
その構造をもつ一置換ジアセチレン化合物単分子層と飽
和脂肪酸単分子層が交互に積層した膜(交互積層膜)は
ラングミュア−プロジェット法(以下LB法″と略す。
またLB法で作製した膜を“LII膜“と略す。)や真
空蒸着法等により作製することができる。
LB法による交互積層膜(以下“ヘテロLB膜1とと略
する。)の作製方法について説明する。水に溶けない揮
発性有機溶媒に一置換ジアセチレン化合物、飽和脂肪酸
を溶解し、それぞれの溶液を調製する。水面が仕切られ
た2個の水槽(トラフ)の水面に該溶液をそれぞれ滴下
して溶媒を蒸発させると分子が水面上に展開されそれぞ
れの単分子層が形成される。このとき、水中にはlXl
0−’mol/ l 〜I X 10−”mol/ l
の濃度で、二価、三価または四価の金属イオンを含有さ
せておく。この単分子膜の表面積を減少させていとく表
面圧が徐々に増大し、水面上に固体単分子膜が形成され
る。
このように別個のトラフの水面上に形成した固体単分子
膜をLB法に従って基板上に交互に積層させる。次にそ
の積層方法について説明する。2個のトラフのうち1つ
(トラフ1)に基板を浸漬する。次に水面下で基板を移
動させた後別のトラフ(トラフ2)の水面上に基板を引
き上げる。このように基板をトラフ1→トラフ2と移動
させることをくり返すと、基板上に一置換ジアセチレン
単分子層と飽和脂肪酸単分子層のへテロLB膜が得られ
る。また、二価、三価または四価の金属イオンとしては
、カドミウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、水
銀、パラジウム、白金、ロジウム、クロム、マンガン、
アルミニウム、スズ、鉛、マグネシウム、カルシウム、
ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イツトリウ
ム、ランタン系金属等挙げられるが、好ましくはカドミ
ウム、鉄、アルミニウム、スズのイオンである。従って
、式(I)中のMは上記金属イオンまたはプロトンのう
ち、複数の種類にわたっていてもよく、また一種類のみ
でもよい。
前記の水に溶けない揮発性有機溶媒として、クロロホル
ム、ジクロロメタン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン等
を用いることができる。
また基板としては、ガラス、石英、シリコンウェハー、
フッ化カルシウム、ポリスチレンフィルム等のポリマー
フィルムを用いることができる。
前記で得られた交互積層膜に、たとえば、100W低圧
水銀灯を10cmの距離から、1秒〜5X10’秒照射
することにより、式(I)で示されるポリジアセチレン
誘導体かへテロLB膜中に得られる。
飽和脂肪酸は光に対し不活性であるので、飽和脂肪酸層
はへテロLB膜中で構造変化しない層として存在してい
る。
前記のようにして作製した式(I)のポリジアセチレン
誘導体を含有する薄膜は、IRスペクトル、’II−N
MR7!、ヘクトル、UV−vISスヘクトル、−77
ンスベクトル測定によってその分子構造を調べることが
できる。
IRスペクトルから、v (C=C)が1600cm−
’付cl’及びν(H−CE)が3250〜3350c
m−’に、−Cut−のv(C−H)が2835〜29
80cm−’に、C1,−のはさみ振動が1435〜1
490cm−’に、カルボン酸金属塩のv (C=0)
が1400cm−’付近とのν(CEC)が式(III
)のモノマー分子および単分子膜で明確に観測されるが
、重合とともに強度が減少・消失している。これらのこ
とより式は変化せず秩序良く重合していることがわかる
重水素置換クロロホルムにヘテ5LB膜を溶解した溶液
の’)I−NMRスペクトルより、重合前のヘテが2.
1〜2.25ppm (2H)に、H−C=Cのプロト
ンのプロトンシグナル1.85〜1.95ppm  (
2H)、が認めら打る。重合前後でカルボン酸に隣り合
うcHt−cooのプロトンシグナル2.2〜2.35
 ppm(2H)、分子中央の÷CIO!十のプロトシ
グナル1.2〜1.7ppmは変化しない。このことか
ら、’ H−NMRスペクトルにおいても光照射によっ
て基は重合せず秩序良く重合していることがわかる。
UV−VIS スヘクトルテは、600nn+付近に吸
収端が観測される。光重合前と比べて吸収端が長波長側
にシフトし、またジアセチレン基由来の240nm付近
の吸収が減少・消失している。
式(III)において、n=20かつMがプロトンであ
る化合物HC=CC=C(C)It)t。−coott
のLB膜にUV光を照射して重合体が得られることは知
られている。〔ニー・ローゾルタイキシエール、モレキ
ュラー・クリスタル アンド リキッド クリスタル(
A、Ruaudel−Teixier、Mo1.Cry
st。
Liq、Gryst、、 96.365−372(I9
83)、)  ) 、 しかし、金属イオンを含有しな
い水面上で遊離のカルボン酸のLB膜を作成しているた
め、LB膜の均一性に欠け、良質の薄膜は得られていな
い。
遊離カルボン酸のLB膜はUV光重合により、λ=50
0nmに吸収ピークを有する赤色の重合体となる。これ
は、分子間で1.4′重合が起こり、ポリジアセチレン
が生成していること示している。
本発明のポリジアセチレン誘導体はλ=500 nmに
は吸収ピークを有さないことから、ニー・ローデル−タ
イキシエール(A、Ruaudel−Teixier)
が報告している重合物とは異なるものである。
以上のスペクトルデータより、本発明において−を換ジ
アセチレン化合物かへテロLBlli中で3.4′重合
し、式(I)で示されるポリジアセチレン誘導体に変化
したことがわかる。
また、ラマンスペクトル(He −Neレーザ、632
8人)から、y (C=C)が1450〜1520cm
−’に、ν(C=C)が2120c+i−’付近に観測
される。2120cm−’のν(C=C)は光重合前の
モノマーに対しても観測され、光重合によりシフトして
いないことがわかる。これはアセチレン基どうしで3.
4′重合が起こり、末端アセチレン基がポリアセチレン
骨格に側鎖としてぶらさがっているものと考えられる。
このポリマーの共役連鎖長は、ν(C=C)のラマンシ
フト値から求めることができ単位数が10以上1000
以下である。このラマンスペクトルによって、式(I)
の操り返し単位数が大きく、共役鎖長が長く発達したポ
リジアセチレン誘導体であることがわかる。
本発明において用いられる一置換ジアセチレン化合物は
、例えば次のようにして合成することができる。まずH
C=C(CHz) 1ICOOH(I)(nは8以上2
2以下の整数)をメチルエステル化し、HCHC(CH
g) −COOCH3(2)を合成する。(2)のエタ
ノール溶液を等モルのヨウ化銅(I)のアンモニア水溶
液に加えて反応させることによりCuC=C(CIり−
C00CR3(3)を得る。このアセチリド(3)をヨ
ウ素のジエチルエーテル溶液中で反応させると容易にI
  C= C(CHz) 、IC0OCtli(4)を
得る。一方H−C”EC−CoolからCuC=C−C
00H(5)を合成し、ピリジン溶媒中で(4)と12
0°Cで16時間カップリング反応を施して、HOOC
−C=C−CE C−(C1,)、1−COOCH3(
6)を合成する。
(6)を脱炭酸し、エステルを加水分解することにより
一置換ジアセチレン化合物H−c=c−c=c−(C1
h)−r−COOH(7)を得る。
式(7)の構造において、nが23以上の整数である場
合は、エネルギー照射、たとえばUV光による重合の感
度が極めて低(、また分子の疎水性が大きすぎるため良
質なLB膜が得られないため好ましくない。またnが7
以下の整数の場合は光重合の反応速度が高いために白色
光の下に放置するためだけで光重合が進行し、式(I)
の構造を有するポリジアセチレン誘導体を純度良く得る
ことができず、また分子の疎水性か弱すぎるためLB膜
形成能も低下する。従って、本発明において式(7)の
nが8以上22以下の整数のものを原料にして用いる。
本発明のポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜は共役
系ポリマーを含むので導電性材料とじて用いることがで
きる。また、ポリジアセチレン誘導体を含をする薄膜は
エネルギー照射をうけていない薄膜に比べて、溶媒に対
する溶解度が低いため溶解度の差を利用してパターン形
成を施すことができる。
さらに、ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜は、ポ
リアセチレンに−CEC−H基が側鎖として付いている
という構造特性を有しているので、金属導電体、高温超
伝導体として期待されているポリアセチレンの合成に利
用できると考えられる。
〔実施例〕
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 (22,24−ベンタコサジイノイックアシドの合成)
22−トリコシノイックアシドH−C=C−(CHz)
io−COOH(I’) 3.5gとパラトルエンスル
ホン酸8gを無水メタノール30dに入れて2時間還流
した0反応液を冷却後炭酸水素ナトリウム水溶液と混合
・振盪し、ついで析出物を水、飽和食塩水で洗浄し、3
.60gのメチルエステル体H−CEC(CHzh。−
COOCHi (2’ )を得た。
1.9g (I0mmoffi)のヨウ化銅(I)のア
ンモニア水溶液に、3.60g  (I0mmolの(
2′)を50dのメタノールに溶かした溶液を加え、1
5分間窒素雰囲気下で撹拌した。沈澱物を濾過し、水、
メタノール、エーテルで洗浄した後真空乾燥させて銅ア
セチリド誘導体CuCEC(CH2)!。−COOH(
3’)を得た。これをジエチルエーテルに溶解し、ヨウ
素と反応させてI  C=C(CHzlz。
−COOH(4’) 3.4g (7mmojりを得た
次に塩化銅(I) 6.9■の33%エチルアミン水溶
液7.dを撹拌しながら、プロピン酸H−CCC0OH
0,49g (7gmof)のメタノール4d溶液を加
えた。この混合物を窒素雰囲気下に40°Cに保ち、(
4′)の3.4gのメタノール4d溶液を滴下して加え
た0反応混合物をKCN水溶液で処理後、酸性にしてエ
ーテル抽出し1.3g (3mmo l )のHOOC
C=CCEE C(CHg) z。−COOCH3(6
’ )を得た。
1.3gの(6′)と5iのジオキサン、53■の銅粉
末の混合物を2時間還流させて脱炭酸をおこない0.9
7g (2,5+u+o 1 )のH−C=C−C=C
−(Clb)z。−COOCHz  (8)を得た。こ
の(8)の0.97gを10%水酸化ナトリウム水溶液
とジオキサンの混合溶媒(I: 1)中で加水分解し、
希塩酸処理を施して、22.24−ベンタコサジイノイ
ックアシドHCmE CC三C(CHz)z。−COO
H(7’) 0.37g(Immof)の白色結晶を得
た。
(22,24−ベンタコサジイノイックアシドを用いた
ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製)先に合
成した22.24−ベンタコサジイノイックアシド(7
′)の2mMクロロホルム溶液を調整した。
アラキシン酸(83C(Ctb) + *  C00H
)の2mMクロロホルム溶液を調整した。 0.5 m
M CdCj! を水溶液をジョイスレーベル(Joy
ce−Loebl)社製のラングミュアトラフに注ぎ、
テフロンテープで隔てられたトラフ1およびトラフ2に
(7′)のクロロホルム溶液とアラキシン酸のクロロホ
ルム溶液をそれぞれ滴下した。水面上に形成された単分
子膜の表面圧を25mN/eの一定圧力に保ち、フッ化
カルシウム基板をトラフ1で浸漬し、水中でトラフ2に
移動させ、基板を引き上げた0次いで基板を空中でトラ
フ1上に移動させた。この浸漬−水中移動一引き上げ一
空中移動を繰り返して、基板上に各々150層の単分子
層が交互に累積したヘテロLB膜を得た。累積比は(7
′)が0.96、アラキシン酸が1.00であった。
このLB膜に100W低圧水銀灯を15分間照射し、光
重合を施した。
IRスペクトルでは、ν (C=C) (I600印−
1)H−C=のV (C−H) (3310cm−’)
 、H−C=C−のv(C=C) (2225CI−’
) 、メチレン基−C)It−のva (C−H) (
2930C11−’) 、t、t、 (CH) (28
55cm−’) 、CHzはさみ煽動(I465cm−
’)カルボン酸塩のv (C= 0)(I410C11
−’、1550C11−’)が認められた。 、−C=
C−のν(C=C) (22850「1)は見られなか
った。
UV−VISスペクトルでは500層m付近から吸収端
が見られ、240層mのジアセチレン吸収ピーク強度が
減少した。
ラマンスペクトル(He−Neレーザ、6328人)で
は、v (C=C) (I465cm−’) 、J/ 
(C=C)(2120cm−’) 、が観測された。v
 (C=C)のラマンシフトから共役連鎖長は200で
あった。
光重合後のへテロLB膜を重水素置換クロロホルムに溶
解し、’It−NMRを測定した。−C:=CHのシグ
ナルが3.35ppm (IH)、−C=C−CH2の
シグナルが1.90 ppm (2H) 、カルボン酸
に隣接したメチレン基−CI、−COOのシグナルが2
.3 ppm 、 −CHz−が1.1〜1.6 pp
mに認められた。しかし光照射前のモノマー段階(7′
)で認められた一CEC−CHI−のシグナル2.2 
ppm(2H)は消失した。
UV光照射を施していない部分はエタノールに溶解した
が、光照射部分は溶解せず、ネガ型パターンを形成した
。光照射を施した部分に金の1iil!を蒸着して電極
を設は電導度を測定したところ、2X10−’Ω−’ 
C11−’の電導度であった。さらにヨウ素ガス中に該
LB膜を24時間保持したところ、電導度は2 X I
 O−’Ω−1cm −1に増加した。また、光照射を
施さない部分の電導度はlXl0−”Ω−1C11−’
であった。
実施例2 (I6,18−ノナデカジイノイックアシドの合成)実
施例1において、16−ヘブタデシノイツクアシドH−
C=C−(CHり14−COOH(I”) 2 gを1
0−ウンデジノイックアシドの代わり用いて同様の反応
を行い、16.18−ノナデカジイノイックアシドH−
CミC−CE C−(cut) 、、 −Cool (
7#)の白色結晶0.50gを得た。
(I6,18−ノナデカジイノイックアシドを用いたポ
リジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製)先に合成
した(7“)を実施例1において(7′)の代わりに用
いて、(7“)とアラ七ジン酸が単分子層で交互に累積
したヘテロLB膜(各40層)を作製した。累積比は(
7#)が0.96、アラキシン酸が1.00であった。
このLB膜に100W底圧水銀灯を10分間照射し、光
重合を施した。
IRスペクトルでは、v (C=C) (I600cm
−’)H−CEのν(C−H) (3315c+r’)
 、HC=Cのv (CE C) (2228cm−’
 ) 、メチレン基−CH,−のシー  (C−H) 
(2930cm−’) 、ν、  (C−H)(2B6
0 cm−’) 、CHIはさみ振動(I465cub
−’) 、カルボン酸塩のν(C= O) (I410
c+r’、1550cm−’)が認められた。−CEC
−のν(CEC) (2290cm−’)は見られなか
った。
uv−vxsスペクトルでは600n+m付近から吸収
端が見られ、240nmのジアセチレン吸収ピークが減
少した。また500nm付近の吸収ピークは見られなか
った。
ラマンスペクトル(l(e−Neレーザ、6328人)
では、v (C=C) (I480cm−’) 、v 
(C=C)(2120cm−’) 、が観測された。 
 v (C=C)のラマンシフトから共役連鎖長は30
であった。
UV光照射を施していない部分はエタノールに溶解した
が、光照射部分は溶解せずネガ型パターンを形成した。
光照射を施した部分に金の薄膜を蒸着して電極を設は電
導度を測定したところ、2XIO−’Ω−) cm −
1であった。さらにヨウ素ガス中に24時間保持したと
ころ電導度は2X10−3Ω−’C11−’に増加した
。また光照射を施さない部分の電導度はlXl0−”Ω
−’C11−’であった。
実施例3 (I2,14−ベンタデカシイノイックアシドの合成)
12−トリデシノイツクアシドH−CE−C−(Cfl
z) Io  C0OH(I’″) 2 g (9,5
mmof)  とパラトルエンスルホン酸7.5■ヲ無
水メタノール30iに入れ2時間還流して冷却後炭酸水
素す) IJウム水溶液と混合・振盪し、ついで析出物
を水、飽和食塩水で洗浄し、2.0gのメチルエステル
体H−C三C(CHz) 16  C00CH3(2”
’ )を得た。
2 、23g (8,9mn+o j! )のCu5O
n ・5 H2Oを10mmoj!の30%アンモニア
水槽液に溶かし1.窒素雰囲気下で撹拌した。これに水
40dと1 、25g (I8mmo l )のヒドロ
キシルアミン塩酸塩を加え5分間放置した。この溶液に
2.0g (8,9mmo l )の(2′″)を45
dのメタノールに溶かしたものを加え、15分間窒素雰
囲気下で撹拌した。沈澱物を濾過し、水、メタノール、
ジエチルエーテルで洗浄した後、真空乾燥して銅アセチ
リドmN一体CuC: C−(CHI) t。
C00C113(3〜)を得た。
このアセチリド(3−)を実施例1において(3′)の
代わりに用い同様の反応を行い、12.14−ベンタデ
カシイノイックアシドH−CEC−C=C(CHz)I
o  C001(7”’)0.155g(0,66mm
olの結晶を得た。
(I2,14−ベンタデカシイノイックアシドを用いポ
リジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製)先に合成
した(7〜)を実施例1において(7′)の代わりに用
いて、(7〜)とアラキシン酸が単分子層で交互に累積
したヘテロLB膜(各40層)を作製した。累積比は(
7′″)が0897、アラキシン酸が1.0であった。
このLB膜に100W低圧水銀灯を10分間照射して光
重合を施した。
IRスペクトルでは、v (C= C) (I600c
ii−’ )、H−CEのv (C−H) (3315
c+r’) 、Hc=cのν(CEC) (2225c
m−’) 、メチレン基−COZ−のI/a  (C−
H) (2930cm−’) 、v、  (C−H)(
2860cm−’ ) 、CH2はさみ振動(I465
cm−’)、カルボン酸塩の3’ (C=C) (I4
10cm−’、1550cm−’)が認められたが、−
C=C−のνCC=C) (2285cI11弓)はみ
られなかった。
UV−VIS スペクトルでは、600nm付近から吸
収端が見られ、240nmおよび500nm付近に吸収
ピークは見られなかった。
ラマンスペクトル(He−Neレーザー、6328人)
では、v (C=C) (I470cm−’) 、v 
(C=C)(2120cm−’)が観測された。ν(C
=C)のラマンシフトから共役連鎖長は50であった。
UV光照射を施していない部分はエタノールに溶解した
が、光照射部分は溶解せずネガ型パターンを形成した。
光照射を施した部分に金の薄膜を蒸着して電極を設は電
導度を測定したところ、2xio−’Ω−+ cm −
+であった。さらに、ヨウ素ガス中に24時間保持した
ところ電導度は2X10−’Ω−+ cm −1に増加
した。また、光照射を施さない部分の電導度はI X 
10−’Ωロcm−’であった。
実施例4 (21,23−テトラコサジイノイツクアシドの合成)
実施例3において、21−トコジノイックアシドHc=
c  (CHz)Iq  Cool(I″′)2gを(
I−)の代わりに用いて同様の反応を行い、2123−
テトラコサジイノイツクアシドH−C=C−CE C(
C)lz) Iq  Cool (7−)の結晶を得た
(21,23−テトラコサジイノイツクアシドを用いた
ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製)先に合
成した(7″″)を実施例1において(7′)の代わり
に用いて、(7″″)とアラキシン酸が単分子層で交互
に累積したヘテロLB膜(各200Fりを作製した。累
積比は(7′″)が0.98、アラキシン酸が1.0で
あった。
このLB膜に100W低圧水銀灯を20分間照射して光
重合を施した。
IRスペクトルでは、J/ (C=C) (I600a
m−’)、H−CEのν(C−H) (3318ニー’
) 、+ICECのv (C==C) (2225cm
−’) 、メチレン基−C112−のv、  (C−H
) (2930c+r’) 、νs  (C−H)(2
860c+c’) 、CHzはさみ振動(I465cm
−’) 、カルボン酸塩のv (C=C) (I410
cm−’、1550cm −’ )が認められたが、−
C=C−のν(C=C) (2285C「1)は消失し
た。
光重合後のへテロLB膜を重水素置換クロロホルムに溶
解し、’ H−NMRを測定した。
−C=Cflのシグナルが3.35 ppm (L H
)、−C=C−CH,−のシグナルが1.90 ppm
 (2H)、カルボン酸に隣接したメチレン−CHz 
 COOのシグナルが2−3 ppm、−CH2−が1
.1〜1.6ppmに認められた。しかし光照射前のモ
ノマー段階(7−)で認められた一CEC−CH,−の
シグナル2.2ppm  (2H)は消失した。
UV−VISスペクトルでは600nm付近から吸収端
が見られ、240nmおよび500.nm付近の吸収ピ
ークは見られなかった。
ラマンスペクトル(He−Neレーザー、6328人)
では、ν(C=C) (I470cm−’) 、v (
C=C)(2120cm −’ )が観測された。v 
(C=C)(D−yマンシフトから共役連鎖長50であ
った。
Uv光照射を施していない部分はエタノールに溶解した
が、光照射部分は溶解せず、ネガ型パターンを形成した
。光照射を施した部分に金の薄膜を蒸着して電極を設は
電導塵を測定したところ、2X10−’Ω−’Cm−’
であった。さらに、ヨウ素ガス中に24時間保持したと
ころ、2X10−”Ω伺C11−’の電導塵を示した。
また光照射を施さない部分の電導塵はlXl0−”Ω−
1cm −1であった。
実施例5 (24,26−へブタコサジイノイックアシドの合成)
実施例3において、24−ベンタコサシイノイックアシ
ドH−CミC(C)1り !□−COOH(I”″)2
gを(I″″)の代わりに用いて同様の反応を行い、2
4.26−へブタコサジイノイツクアシドH−C三CC
三C(CHz) tt  C00tl (7= )の結
晶を得た。
(24,26−へブタコサジイノイックアシドを用いた
ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製)(7″
′″)を実施例1において(7′)の代わりに用いて、
(7−)とアラキシン酸の単分子層が交互に累積したヘ
テロLB膜(各40層)を作製した。累積比は(7″″
)が0.98、アラキシン酸が1.00であった。
このLB膜に100W低圧水銀灯を照射して25分間光
重合を施した。
IRスペクトルでは、v (C=C) (I600cm
−’)、H−C=(Dv  (C−H)  (3320
cm−’)  、 HC=Cのν(C=C) (222
5cm−’) 、メチレン基−c((2のv、  (C
−H) (2930cm−’) 、v、  (C−H)
(2860cm−’) 、CHzはさみ振動(I465
cm−’) 、カルボン酸塩のν(C=0) (I41
0cln−’、1550cm−’)が認められたが、−
c=c−0:)v (c=c) (2285c「1)は
消失した。
UV−VISスペクトルでは600nm付近から吸収端
が見られ、240nmおよび500nm付近に吸収ピー
クは見られなかった。
ラマンスペクトル(He−Neレーザー、6328人)
では、v (C=C) (I480am−’) 、v 
(C=C)(2120cm −’ )が観測された。ν
(C=C)のラマンシフトから共役連鎖長は3oであっ
た。
UV光照射を施していない部分はエタノールに溶解した
が、光照射部分は溶解せず、ネガ型パターンを形成した
。光照射を施した部分に金の薄膜を蒸着して電極を設は
電導度を測定したところ、2X10−’Ω−+ cm 
−+であった。さらに、ヨウ素ガス中で24時間保持し
たところ電導度は8X10−’Ω−’ C11−’に増
加した。また光照射を施さない部分の電導度はlXl0
−’Ω−’ CM −’であった。
実施例6 実施例5で合成した(7′″)とn−ペンタコサノイツ
クアシドをそれぞれ2IIIMクロロホルム溶液に調整
した。1mMCd(/!□水溶液を実施例1で用いたラ
ングミュアトラフに注ぎ、トラフ1にn −ベンタコサ
ノイツクアシドのクロロホルム溶液をまたトラフ2に(
7″′)のクロロホルム溶液を滴下して水面上に単分子
膜を形成した。水面上の単分子膜の表面圧を25mN/
mの一定圧力に保ちフッ化カルシウム基板をトラフ1で
浸漬、水中でトラフ2に移動、トラフ2で引き上げ、空
中でトラフ1上に移動させた。この基板の浸漬−水中移
動一引き上げ一空中移動をくり返して基板上に(7−)
とn−ペンタコサノイックアシド単分子層が各々40層
交互に累積したヘテロLB膜を作製した。
このヘテロLB膜に100W底圧水銀灯を25分間照射
し、光重合を施した。
IRスペクトルでは、v (C=C) (I600cl
l−’)、H−C=(Dv (C−H) (3320c
m−’) 、HC=C−のν(C=C) (2225C
a1−’) 、メチレン基−CHz−のν、  (C−
H) (2930C11−’) 、v、  (CH)(
2860as−’) 、CI!はさみ振動(I465c
lI−’) 、カルボン酸塩(D J/ (C= O)
 (I410aa−’、1550C11−’)が認めら
れたが、−C=C−(Dv (C=C) (2285c
rI)は消失した。
ラマンスペクトル(He −Neレーザー、6328人
)では、ν(C=C) (I480cm−’) 1、v
 (C=C)(2120CI+1−’)が観測された。
v (C=C) (7)う7ンシフトから共役連鎖長は
30であった。
UV光照射を施した部分に金の薄膜を蒸着して電極を設
は電導度を測定したところ、lXl0−’Ω−’ C1
m −’であった。また、ヨウ素ガス中で24時間保持
したところ電導度はlXl0−’Ω−+ cm −1に
増加した。また光照射を施さない部分の電導度は1×1
01Ω−’ elf −’であった。
実施例7 (I0,12−トリデカジイノイックアシドの合成)l
O−ウンデジノイックアシドH−CミC−(CHz)s
  Cool (I−) 2 g (I1anof) 
 とパラトルエンスルホン酸8.5■を無水メタノール
30dに入れて2時間還流した0反応液を冷却後、炭酸
水素ナトリウム水溶液と混合・振盪し、ついで析出物を
水、飽和食塩水で洗浄し、1.97gのメチルエステル
体HC=C(CHz)s  C00CHs (2”″)
を得た。
1.9g (I0a+moj)のヨウ化銅(I)のアン
モニア性水溶液に、1.97g  (I0msgof)
の(2−)を50dのメタノールに溶かした溶液を加え
、15分間窒素雰囲気下で撹拌した。沈澱物を濾過し、
水、メタノール、エーテルで洗浄した後、真空乾燥させ
て銅アセチリド誘導体CuCミC−(CB、)。−CO
OH(3””)を得た。これをジエチルエーテルに溶解
し、ヨウ素と反応させてI  c=c  (CHz)s
−COOH(4=) 2.1g(6,5a+mo 1 
)を得た。
次に、塩化1i1(I)6.4■の33%エチルアミン
水溶液7dを撹拌しながら、プロピン酸H−CE C−
COOH0,455g(6,5mmo Il )のメタ
ノール3.57溶液を加えた。この混合物を窒素雰囲気
下に40℃に保ち、(4−)の2.1g(6,5mmo
f)のメタノール3.5 m溶液を徐々に加えた。反応
混合物をKCN水溶液で処理後、酸性にしてエーテル抽
出し、0.66g<2.5tamo Il ) (7)
HOOC−C= C−C= C(CHz) s ’ C
00CHs (6−)を得た。
0.66gC2,5tarso l )の(6−)と5
dのジオキサン、53■の銅粉末の混合物を2時間還流
させて脱炭酸を行い、0.45g(2,0mmo l 
) (7) H−CE C−c=c  (CL)s  
C00CIIs(8’)を磯た。この(8′)の0.4
5g (2,0g+*o7りを10%水酸化ナトリウム
水溶液とジオキサンの混合溶媒(I: 1)中で加水分
解し、希塩酸処理を施して、10.12−1−リゾカシ
イノイックアシドHC=CCE C(CHz) 5−C
OoII (7”) 0.14g(0,68s+mo 
I2)の白色結晶を得た。
(I0,12−)リゾカシイノイックアシドを用いたポ
リジアセチレン誘導体を含有する薄膜の作製)(7−)
を実施例1において(7′)の代わりに用いて、(7−
)とアラキシン酸の単分子層が交互に累積したベテロL
B膜(各40層)を作製した。累積比は(7−)が0.
97、アラキシン酸が1.00であった。
このLB膜に100W低圧水銀灯を照射して5分間光重
合を施した。
IRスペクトルでは、v (C=C) (I600C1
1−’)、H−C=のν(C−H) (3320cm−
’) 、HC=C−のν(C=C) (2225C11
1−’) 、メチレン基−CI雪−のv、  (C−H
) (2930cia−’) 、v、  (C−H)(
2860cm−’) 、CLはさみ振動(I465C1
1−’ ) 、カルボン酸塩のV (C=O) (I4
10C11−’、1550cm −’ )が認められた
が、−C=C−のν(CE C) (2285cm−’
)は消失した。
UV−VISスペクトルでは600nm付近から吸収端
が見られ、240nmおよび500n閣付近に吸収ピー
クは見られなかった。
ラマンスペクトル(He−Neレーザー、6328人)
では、ν(C=C) (I480cm−’) 、ν(C
=C)(2120cr ’ )が観測された。v (C
=C)のラマンシフトから共役連鎖長は30であった。
UV光照射を施さない部分はエタノールに溶解したが、
光照射部分は溶解せず、ネガ型パターンを形成した。光
照射を施した部分に金薄膜を蒸着して電極を設は電導度
を測定したところ、2X10−’Ω−’CI−’であっ
た。さらに、ヨウ素ガス中で24時間保持したところ電
導度はlXl0−3Ω−’ CI −’に増加した。ま
た光照射を施さない部分の電導度はlXl0−’Ω−’
 CIm −’であった。
実施例日 実施例1において、0.5 mM CdCf、z水溶液
の代わりに0.5 mM CdC1zと0.5 mM 
Al1C4!3の混合水溶液を用いて同様の操作を行な
いへテロLB膜(各20層)を作製した。このへテロL
B膜に100W低圧水銀灯のUV光を15分間照射し光
重合を施した。
IRスペクトル、UV−VISスペクトルは実施例1と
同様に観測された。
光重合を施さない部分はエタノールに溶解したが、光重
合部分は溶解せず、ネガ型パターンを形成した。光重合
部分に金蒸着して電極を設は電導度を測定したところ、
2X10−’Ω−’ C1l −’の電導度を示した。
光重合を施さない部分の電導度はlXl0−’Ω−1c
rs −+であった。さらに光照射部分のLB膜をヨウ
素ガス中で24時間保持したところ、電導度は2X10
−3Ω−+ ctx −1と増加し、た。
実施例9 実施例5において、0.5 mM CdC1□水溶液の
代わりに金属イオンを含まない純水を用いて同様の実験
を行い、(7”=) 、アラキシン酸単分子層が交互に
それぞれ40層累積したヘテロLB膜を作製した。この
ヘテロLB膜に100W低圧水銀灯を25分間照射し、
光重合を施した。
IRスペクトルでは、遊離カルボン酸のν(C=0)が
1700CIl−’に観測されたが、カルボン酸塩のν
(C=O) (I410cm−’、1550cm−’)
は認められなかった。他のIR吸収、UV−VISスペ
クトルは実施例5と同様に観測された。
光重合を施した部分に金蒸着膜で電極を設け、電導度を
測定したところ、2X10−’Ω−’ C11l −’
であった。また光重合を施さない部分の電導度は1×1
0−9Ω−r cm −+であった。さらに光照射部分
をヨウ素ガス中で24時間保持したところ、2X10−
”Ω−1cut −rの電導度を示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 繰返し単位が下記の式( I )で表され、その単位数が
    10以上1000以下の範囲の整数で表されるポリジア
    セチレン誘導体 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは−(CH_2)_n−COO・l/mMで
    あり、nは8以上22以下の整数、Mは二価、三価また
    は四価の金属イオンあるいはプロトンであり、mは金属
    イオンMの価数である。)を含有する薄膜
JP30416288A 1988-12-02 1988-12-02 ポリジアセチレン誘導体を含有する薄膜 Granted JPH02209909A (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229240A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Canon Inc 重合性薄膜
JPS62229246A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Canon Inc パタ−ン形成方法
JPS6473339A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Agency Ind Science Techn Pattern forming method
JPS6474205A (en) * 1987-09-14 1989-03-20 Agency Ind Science Techn Polyethynylacetylene derivative

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229240A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Canon Inc 重合性薄膜
JPS62229246A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Canon Inc パタ−ン形成方法
JPS6473339A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Agency Ind Science Techn Pattern forming method
JPS6474205A (en) * 1987-09-14 1989-03-20 Agency Ind Science Techn Polyethynylacetylene derivative

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