JPH04324651A - フィルムキャリヤーテープの製造方法 - Google Patents
フィルムキャリヤーテープの製造方法Info
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- JPH04324651A JPH04324651A JP3094596A JP9459691A JPH04324651A JP H04324651 A JPH04324651 A JP H04324651A JP 3094596 A JP3094596 A JP 3094596A JP 9459691 A JP9459691 A JP 9459691A JP H04324651 A JPH04324651 A JP H04324651A
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリヤー半
導体装置用のフィルムキャリヤーテープに関し、特に金
属突起物付きフィルムキャリヤーテープの製造方法に関
する。
導体装置用のフィルムキャリヤーテープに関し、特に金
属突起物付きフィルムキャリヤーテープの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリヤー方式による半
導体装置の製造方法は図７に示す如く、搬送及び位置決
め用のスプロケットホール１ａと、半導体チップ２ａが
入る開孔部であるデバイスホール３ａを有するポリイミ
ド等の絶縁フィルム６ａ上に銅等の金属箔を接着し、金
属箔をエッチング等により所望の形状のリード４ａと電
気選別のためのパッド５ａとを形成したフィルムキャリ
ヤーテープと、あらかじめ電極端子上に金属突起物であ
るバンプ７ａを設けた半導体チップ２ａとを準備し、次
にフィルムキャリヤーテープのリード４ａと半導体チッ
プのバンプ７ａとを熱圧着法または共晶法等によりイン
ナーリードボンディングし、フィルムキャリヤーテープ
の状態で電気選別用パッド５ａ上に接触子を接触させて
電気選別やバイアス試験を実施し、次にリード４ａを所
望の長さに切断する。ついで例えば図８に示すようにプ
リント基板８ａ上に接着剤９ａにより、半導体チップ２
ａを固着後、リード４ａをプリント基板８ａ上のボンデ
ィングパッドにアウターリードボンディングを行なうこ
とにより完成するものである。
導体装置の製造方法は図７に示す如く、搬送及び位置決
め用のスプロケットホール１ａと、半導体チップ２ａが
入る開孔部であるデバイスホール３ａを有するポリイミ
ド等の絶縁フィルム６ａ上に銅等の金属箔を接着し、金
属箔をエッチング等により所望の形状のリード４ａと電
気選別のためのパッド５ａとを形成したフィルムキャリ
ヤーテープと、あらかじめ電極端子上に金属突起物であ
るバンプ７ａを設けた半導体チップ２ａとを準備し、次
にフィルムキャリヤーテープのリード４ａと半導体チッ
プのバンプ７ａとを熱圧着法または共晶法等によりイン
ナーリードボンディングし、フィルムキャリヤーテープ
の状態で電気選別用パッド５ａ上に接触子を接触させて
電気選別やバイアス試験を実施し、次にリード４ａを所
望の長さに切断する。ついで例えば図８に示すようにプ
リント基板８ａ上に接着剤９ａにより、半導体チップ２
ａを固着後、リード４ａをプリント基板８ａ上のボンデ
ィングパッドにアウターリードボンディングを行なうこ
とにより完成するものである。
【０００３】上述のようなフィルムキャリヤー方式によ
る半導体装置の製造方法はボンディングがリードの数と
無関係に一度で可能であるため、スピードが速いこと、
フィルムキャリヤーテープを使用するためボンディング
等の組立と電気選別作業の自動化が図れ、量産性が優れ
ている等の利点を有している。
る半導体装置の製造方法はボンディングがリードの数と
無関係に一度で可能であるため、スピードが速いこと、
フィルムキャリヤーテープを使用するためボンディング
等の組立と電気選別作業の自動化が図れ、量産性が優れ
ている等の利点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリヤー半導体装置は、半導体チップの電極上にバ
ンプを形成する必要があり、ウェハー状態で主に電解メ
ッキ法により実施するバンプ形成のためのコストが高い
という欠点がある。これを解決するために幾つかのバン
プ形成方法が紹介されている。一例としてソリッド・ス
テート・テクノロジー誌（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、日本版、１９７８年、１１
月号、第３３頁〜第３５頁等で紹介されているバンプ付
きフィルムキャリヤーテープ（以下Ｂ−Ｔａｐｅ），ナ
ショナル・テクニカル・レポート誌（Ｎａｔｉｏｎａｌ
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ）、第３１巻
、第３号、１９８５年、６月、第１１６頁〜第１２４頁
等で紹介されている転写バンプ，特開昭５４−２６６２
号公報、特開昭６０−１９４５４３号公報で公開されて
いるワイヤーボンディングにおける金属ボールをバンプ
とする方法（以下ボールバンプ）等がある。これらのう
ちＢ−Ｔａｐｅはフィルムキャリヤーテープのリード先
端部を残して他の部分をハーフエッチングし、ハーフエ
ッチングされずに凸状で残ったリード先端部をバンプと
するものであるが、リードの一部をハーフエッチングす
るため、金属箔の両面を各々パターニングして、エッチ
ングする必要があり、一般には金属箔のみの一層フィル
ムキャリヤーで実施する。従って各リードは電気的に接
続されており、フィルムキャリヤーテープ状態での電気
的選別が困難であるという欠点を有している。これを解
決するため、従来のような絶縁フィルム上に形成された
リードに同様にバンプを形成することも可能であるが、
工程が複雑となり逆にコスト高になるという欠点がある
。
ムキャリヤー半導体装置は、半導体チップの電極上にバ
ンプを形成する必要があり、ウェハー状態で主に電解メ
ッキ法により実施するバンプ形成のためのコストが高い
という欠点がある。これを解決するために幾つかのバン
プ形成方法が紹介されている。一例としてソリッド・ス
テート・テクノロジー誌（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、日本版、１９７８年、１１
月号、第３３頁〜第３５頁等で紹介されているバンプ付
きフィルムキャリヤーテープ（以下Ｂ−Ｔａｐｅ），ナ
ショナル・テクニカル・レポート誌（Ｎａｔｉｏｎａｌ
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ）、第３１巻
、第３号、１９８５年、６月、第１１６頁〜第１２４頁
等で紹介されている転写バンプ，特開昭５４−２６６２
号公報、特開昭６０−１９４５４３号公報で公開されて
いるワイヤーボンディングにおける金属ボールをバンプ
とする方法（以下ボールバンプ）等がある。これらのう
ちＢ−Ｔａｐｅはフィルムキャリヤーテープのリード先
端部を残して他の部分をハーフエッチングし、ハーフエ
ッチングされずに凸状で残ったリード先端部をバンプと
するものであるが、リードの一部をハーフエッチングす
るため、金属箔の両面を各々パターニングして、エッチ
ングする必要があり、一般には金属箔のみの一層フィル
ムキャリヤーで実施する。従って各リードは電気的に接
続されており、フィルムキャリヤーテープ状態での電気
的選別が困難であるという欠点を有している。これを解
決するため、従来のような絶縁フィルム上に形成された
リードに同様にバンプを形成することも可能であるが、
工程が複雑となり逆にコスト高になるという欠点がある
。
【０００５】転写バンプは、ガラス等の基板上に電解め
っき法により、バンプを形成しフィルムキャリヤーテー
プのリードをボンディングして、バンプを基板からリー
ドに転写する方法であるが、バンプを電解メッキ法によ
り形成すること、リードに転写するためのボンディング
が必要であること等から、従来のウェハー状態でのバン
プ形成法と比べてコスト的に利点は多いが完全ではない
。ボールバンプは熱圧着ワイヤーボンディングの際形成
する金属ボールのみを半導体チップの電極上に接着して
バンプとするものであるが、バンプ形成時及びフィルム
キャリアテープのリードをバンプにボンディングする時
の２度にわたり、半導体チップの電極に熱的及び機械的
ストレスを加えるため電極部が破壊し易く、信頼性的に
劣るという欠点がある。
っき法により、バンプを形成しフィルムキャリヤーテー
プのリードをボンディングして、バンプを基板からリー
ドに転写する方法であるが、バンプを電解メッキ法によ
り形成すること、リードに転写するためのボンディング
が必要であること等から、従来のウェハー状態でのバン
プ形成法と比べてコスト的に利点は多いが完全ではない
。ボールバンプは熱圧着ワイヤーボンディングの際形成
する金属ボールのみを半導体チップの電極上に接着して
バンプとするものであるが、バンプ形成時及びフィルム
キャリアテープのリードをバンプにボンディングする時
の２度にわたり、半導体チップの電極に熱的及び機械的
ストレスを加えるため電極部が破壊し易く、信頼性的に
劣るという欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ヤーテープの製造方法は、エッチング加工可能な絶縁フ
ィルム上に導電性のリードを含むパターンを形成する工
程と、前記絶縁フィルムを選択エッチングし、少なくと
も半導体チップ用のデバイスホールとアウターリード用
孔および金属突起物形成用孔を形成する工程と、先端に
金属ボールを有する金属細線を用いて、金属ボールを前
記リードの半導体チップの電極に対応する位置にボンデ
ィングし、ボンディング後金属ボールを金属細線から切
り離すことによって、前記絶縁フィルムのリード上に金
属突起物を形成する工程と、前記金属突起物を半田めっ
きする工程とを少なくとも有するというものである。
ヤーテープの製造方法は、エッチング加工可能な絶縁フ
ィルム上に導電性のリードを含むパターンを形成する工
程と、前記絶縁フィルムを選択エッチングし、少なくと
も半導体チップ用のデバイスホールとアウターリード用
孔および金属突起物形成用孔を形成する工程と、先端に
金属ボールを有する金属細線を用いて、金属ボールを前
記リードの半導体チップの電極に対応する位置にボンデ
ィングし、ボンディング後金属ボールを金属細線から切
り離すことによって、前記絶縁フィルムのリード上に金
属突起物を形成する工程と、前記金属突起物を半田めっ
きする工程とを少なくとも有するというものである。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の第１の実施例について説明す
る。
る。
【０００８】まず、上面図（図１（ａ））、図１（ａ）
のＸ−Ｘ線断面図（図１（ｂ））に示すように従来の接
着剤を介しないフィルム層とＣｕ層の金属層の２層から
なるテープの製造方法と同様にして、フィルム上にパタ
ーン形成を行なう。即ち、ポリイミド等のエッチング加
工可能な厚さ１２５μｍの絶縁フィルム６ｂ上に無電解
めっきや蒸着によってＣｕ等の金属層を薄く形成し、次
に通常のフォトレジスト法により薄く形成した金属層を
電極として選択的にリード等のパターンになる部分のみ
をＣｕ等の金属の電解めっきにより３５μｍ程度の厚さ
にしてパターン形成し、次に全体を軽く、エッチングし
て不要な部分の薄い金属層を除去することにより、フィ
ルム上にリードパターンの形成を行なう。次に金、錫又
は半田等のメッキを施しておく。こうして、リード４ｂ
と選択用パッド５ｂが形成される。
のＸ−Ｘ線断面図（図１（ｂ））に示すように従来の接
着剤を介しないフィルム層とＣｕ層の金属層の２層から
なるテープの製造方法と同様にして、フィルム上にパタ
ーン形成を行なう。即ち、ポリイミド等のエッチング加
工可能な厚さ１２５μｍの絶縁フィルム６ｂ上に無電解
めっきや蒸着によってＣｕ等の金属層を薄く形成し、次
に通常のフォトレジスト法により薄く形成した金属層を
電極として選択的にリード等のパターンになる部分のみ
をＣｕ等の金属の電解めっきにより３５μｍ程度の厚さ
にしてパターン形成し、次に全体を軽く、エッチングし
て不要な部分の薄い金属層を除去することにより、フィ
ルム上にリードパターンの形成を行なう。次に金、錫又
は半田等のメッキを施しておく。こうして、リード４ｂ
と選択用パッド５ｂが形成される。
【０００９】次に、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
絶縁フィルム６ｂの裏面（リード４ｂの形成されていな
い方の面）側から選択エッチングを行ない、アウターリ
ード用孔１４ｂおよびデバイスホール３ｂを形成する。
絶縁フィルム６ｂの裏面（リード４ｂの形成されていな
い方の面）側から選択エッチングを行ない、アウターリ
ード用孔１４ｂおよびデバイスホール３ｂを形成する。
【００１０】次に、図３に示すように、アウターリード
用孔１４ｂで囲まれた部分の絶縁フィルム６ｂをエッチ
ングして厚さを１０〜１５μｍ（６ｃ）にする。次に底
面図（図４（ａ）），図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図（図
４（ｂ））に示すように、デバイスホール３ｂに沿って
リード４ｂのフィンガーに対応する絶縁フィルムの薄く
した部分６ｃに直径０．１ｍｍ程度のバンプ形成用孔１
５を形成する。
用孔１４ｂで囲まれた部分の絶縁フィルム６ｂをエッチ
ングして厚さを１０〜１５μｍ（６ｃ）にする。次に底
面図（図４（ａ）），図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図（図
４（ｂ））に示すように、デバイスホール３ｂに沿って
リード４ｂのフィンガーに対応する絶縁フィルムの薄く
した部分６ｃに直径０．１ｍｍ程度のバンプ形成用孔１
５を形成する。
【００１１】次に、図５（ａ）に示すように、金，銀，
銅，アルミニウム等の金属細線１０ｂの先端に、電気放
電または水素炎等で金属ボール１１ｂを形成し、ついで
図５（ｂ）に示すように金属ボール１１ｂをバンプ形成
用孔１５ｂの中に熱圧着法または、超音波法等の接続手
段によって接続後、図５（ｃ）に示すようにクランプ１
２ｂで金属細線を押さえながら上昇すること等により、
金属細線１０ｂを金属ボール１１ｂとの結合部で切断し
、所望の金属突起物７ｂ１を形成する。
銅，アルミニウム等の金属細線１０ｂの先端に、電気放
電または水素炎等で金属ボール１１ｂを形成し、ついで
図５（ｂ）に示すように金属ボール１１ｂをバンプ形成
用孔１５ｂの中に熱圧着法または、超音波法等の接続手
段によって接続後、図５（ｃ）に示すようにクランプ１
２ｂで金属細線を押さえながら上昇すること等により、
金属細線１０ｂを金属ボール１１ｂとの結合部で切断し
、所望の金属突起物７ｂ１を形成する。
【００１２】次に、図６に示すように、金属突起物７ｂ
１に半田めっきを施し、めっき層７ｂ２を形成する。金
属突起物７ｂ１の周囲は絶縁フィルム６ｃでマスクされ
た形になっているので、容易に金属突起物７ｂ１のみに
半田めっきを行なってバンプを形成出来る。このように
して形成されたフィルムキャリヤーテープを使用すると
きは、インナーリードボンディングは半田による接合の
為、ボンディング荷重，温度を下げることが出来るので
、半導体チップへの機械的，熱的ストレスを緩和できる
。
１に半田めっきを施し、めっき層７ｂ２を形成する。金
属突起物７ｂ１の周囲は絶縁フィルム６ｃでマスクされ
た形になっているので、容易に金属突起物７ｂ１のみに
半田めっきを行なってバンプを形成出来る。このように
して形成されたフィルムキャリヤーテープを使用すると
きは、インナーリードボンディングは半田による接合の
為、ボンディング荷重，温度を下げることが出来るので
、半導体チップへの機械的，熱的ストレスを緩和できる
。
【００１３】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。第１の実施例と同様にデバイスホール，アウターリ
ード用孔をポリイミド等のエッチング加工可能な絶縁フ
ィルムを選択的にエッチングすることで形成し、アウタ
ーリードに金，錫，半田等のめっきを施す。次に第１の
実施例と同様にバンプ形成用孔をエッチングすることで
形成し、熱圧着ワイヤーボンディングにおける金属ボー
ルをバンプ形成用孔に圧着して金属突起物を形成後、こ
の金属突起物に半田めっきを施して、本実施例のフィル
ムキャリヤーテープが完成する。この実施例ではアウタ
ーリード用の孔を形成してからリードにめっきを施すの
で、アウターリードの全面にめっき層が形成され、半導
体チップをボンディングした半導体装置をフェース・ダ
ウン方式またはアップ・サイド・ダウン方式のいずれの
方式によっても実装可能であるという利点を有する。
る。第１の実施例と同様にデバイスホール，アウターリ
ード用孔をポリイミド等のエッチング加工可能な絶縁フ
ィルムを選択的にエッチングすることで形成し、アウタ
ーリードに金，錫，半田等のめっきを施す。次に第１の
実施例と同様にバンプ形成用孔をエッチングすることで
形成し、熱圧着ワイヤーボンディングにおける金属ボー
ルをバンプ形成用孔に圧着して金属突起物を形成後、こ
の金属突起物に半田めっきを施して、本実施例のフィル
ムキャリヤーテープが完成する。この実施例ではアウタ
ーリード用の孔を形成してからリードにめっきを施すの
で、アウターリードの全面にめっき層が形成され、半導
体チップをボンディングした半導体装置をフェース・ダ
ウン方式またはアップ・サイド・ダウン方式のいずれの
方式によっても実装可能であるという利点を有する。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明はワイヤーボ
ンディングにおける金属ボールのみをフィルムキャリヤ
ーテープのリードに圧着してバンプを形成することによ
り、従来の半導体チップの電極に金属ボールを圧着して
バンプを形成する方法においては、半導体チップの電極
に金属ボールを圧着する場合は、バンプ形成時及びフィ
ルムキャリヤーテープのリードをバンプにボンディング
する時の２度にわたり、半導体チップの電極に熱的及び
機械的ストレスを加えるのに対し、本発明は、フィルム
キャリヤーテープのリードに形成されているバンプを半
導体チップの電極に一度ボンディングするだけでよく、
またバンプに半田めっきを施してあるのでボンディング
時の圧力，温度を下げることが出来るので、電極部の破
壊を著しく減少させることができ、信頼性に優れたフィ
ルムキャリヤー半導体装置が得られるという効果がある
。
ンディングにおける金属ボールのみをフィルムキャリヤ
ーテープのリードに圧着してバンプを形成することによ
り、従来の半導体チップの電極に金属ボールを圧着して
バンプを形成する方法においては、半導体チップの電極
に金属ボールを圧着する場合は、バンプ形成時及びフィ
ルムキャリヤーテープのリードをバンプにボンディング
する時の２度にわたり、半導体チップの電極に熱的及び
機械的ストレスを加えるのに対し、本発明は、フィルム
キャリヤーテープのリードに形成されているバンプを半
導体チップの電極に一度ボンディングするだけでよく、
またバンプに半田めっきを施してあるのでボンディング
時の圧力，温度を下げることが出来るので、電極部の破
壊を著しく減少させることができ、信頼性に優れたフィ
ルムキャリヤー半導体装置が得られるという効果がある
。
【００１５】また、従来のワイヤーボンディングの技術
の応用により容易にバンプを形成することができるため
、従来のウエハー状態でめっき法により実施する場合と
比べて安価に形成でき、さらに、Ｂ−Ｔａｐｅのように
１層のフィルムキャリヤーと２層及び３層のフィルムキ
ャリヤーでバンプ形成コストが大幅に異なることもなく
、フィルムキャリヤーの種類・形状に無関係に安価にバ
ンプ形成ができる効果がある。
の応用により容易にバンプを形成することができるため
、従来のウエハー状態でめっき法により実施する場合と
比べて安価に形成でき、さらに、Ｂ−Ｔａｐｅのように
１層のフィルムキャリヤーと２層及び３層のフィルムキ
ャリヤーでバンプ形成コストが大幅に異なることもなく
、フィルムキャリヤーの種類・形状に無関係に安価にバ
ンプ形成ができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の説明に使用する上面図
（図１（ａ））および図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
１（ｂ））である。
（図１（ａ））および図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
１（ｂ））である。
【図２】本発明の第１の実施例の説明に使用する上面図
（図２（ａ））および図２（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
２（ｂ））である。
（図２（ａ））および図２（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図
２（ｂ））である。
【図３】本発明の第１の実施例の説明に使用する断面図
である。
である。
【図４】本発明の第１の実施例の説明に使用する底面図
（図４（ａ））および図４（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図
である。
（図４（ａ））および図４（ａ）のＡ−Ａ線拡大断面図
である。
【図５】本発明の第１の実施例における金属突起物形成
工程を説明するため（ａ）〜（ｃ）に分図して示す工程
順断面図である。
工程を説明するため（ａ）〜（ｃ）に分図して示す工程
順断面図である。
【図６】本発明の第１の実施例の説明に使用する。
【図７】従来例の説明に使用する平面図である。
【図８】従来例の説明に使用する平面図である。
１ａ，１ｂ スプロケットホール２ａ 半
導体チップ ３ａ，３ｂ デバイスホール ４ａ，４ｂ リード ５ａ，５ｂ 選別用パッド ６ａ，６ｂ，６ｃ 絶縁フィルム７ａ，７ｂ
金属突起物 ８ａ プリント基板 ９ａ 接着剤 １０ｂ 金属細線 １１ｂ 金属ボール １２ｂ クランプ １３ｂ 放電ロッド １４ｂ アウターリード用孔 １５ｂ バンプ形成用孔
導体チップ ３ａ，３ｂ デバイスホール ４ａ，４ｂ リード ５ａ，５ｂ 選別用パッド ６ａ，６ｂ，６ｃ 絶縁フィルム７ａ，７ｂ
金属突起物 ８ａ プリント基板 ９ａ 接着剤 １０ｂ 金属細線 １１ｂ 金属ボール １２ｂ クランプ １３ｂ 放電ロッド １４ｂ アウターリード用孔 １５ｂ バンプ形成用孔
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチング加工可能な絶縁フィルム上
に導電性のリードを含むパターンを形成する工程と、前
記絶縁フィルムを選択エッチングし、少なくとも半導体
チップ用のデバイスホールとアウターリード用孔および
金属突起物形成用孔を形成する工程と、先端に金属ボー
ルを有する金属細線を用いて、金属ボールを前記リード
の半導体チップの電極に対応する位置にボンディングし
、ボンディング後金属ボールを金属細線から切り離すこ
とによって、前記絶縁フィルムのリード上に金属突起物
を形成する工程と、前記金属突起物を半田めっきする工
程とを少なくとも有することを特徴とするフィルムキャ
リヤーテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094596A JPH04324651A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | フィルムキャリヤーテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3094596A JPH04324651A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | フィルムキャリヤーテープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324651A true JPH04324651A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14114657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3094596A Pending JPH04324651A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | フィルムキャリヤーテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324651A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645043A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Forming method for electrode lead |
| JPS62214630A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-21 | Toshiba Corp | バンプ付フイルムキヤリアの製造法 |
| JPH01238044A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01266732A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Seiko Epson Corp | 印刷配線板 |
| JPH02215144A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | テープキャリア |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3094596A patent/JPH04324651A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645043A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Forming method for electrode lead |
| JPS62214630A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-21 | Toshiba Corp | バンプ付フイルムキヤリアの製造法 |
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| JPH01266732A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Seiko Epson Corp | 印刷配線板 |
| JPH02215144A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | テープキャリア |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970603 |