JPH0233945A - フィルムキャリヤーテープの製造方法 - Google Patents

フィルムキャリヤーテープの製造方法

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JPH0233945A
JPH0233945A JP18398788A JP18398788A JPH0233945A JP H0233945 A JPH0233945 A JP H0233945A JP 18398788 A JP18398788 A JP 18398788A JP 18398788 A JP18398788 A JP 18398788A JP H0233945 A JPH0233945 A JP H0233945A
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JP
Japan
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film carrier
lead
carrier tape
bonding
metal
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JP18398788A
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English (en)
Inventor
Koichi Takegawa
光一 竹川
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、フィルムキャリヤー半導体装置に使用される
フィルムキャリヤーテープの製造方法に関し、特に半導
体チップのボンディング用の金属突起物を有するフィル
ムキャリヤーテープの製造方法に関する。
し従来の技術] 従来のフィルムキャリヤ一方式による半導体装置は以下
の方法により製造されていた。
即ち、先ず第8図に示す如く、搬送及び位置決め用のス
プロケットホール1を形成すると共に、半導体チップ2
が入る開口部であるデバイスポール3を有するポリイミ
ド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着した後、こ
の金属箔をエツチングして所望の形状のリード4と電気
選別のためのバッド5とを形成することにより、フィル
ムキャリヤーテープ6を製造する。一方、半導体チップ
2には、予めその電極端子上に金属突起物であるバンプ
7を設けておく0次に、フィルムキャリヤーテープ6の
リード4と半導体チップ2のバンプ7とを熱圧着法又は
共晶法等によりインナーリードボンディングする。その
後、フィルムキャリヤーテープ6に半導体チップ2を搭
載した状態で電気選別用バッド5上に接触子を接触させ
て電気選別やバイアス試験を実施する。次に、リード4
を所望の長さに切断し、リード4付き半導体チップ2を
フィルムキャリヤーテープ6から切り離す。
続いて、例えば第9図に示すように、プリント基板8上
に接着剤9を用いて半導体チップ2を固着した後、リー
ド4をプリント基板8上のポンディングパッドにアウタ
ーリードボンディングする。
これにより、フィルムキャリヤー半導体装置が完成する
上記のようなフィルムキャリヤ一方式による半導体装置
の製造方法は、ボンディングがリードの数と無関係に一
度で可能であるため、スピードが速いこと、フィルムキ
ャリヤーテープを使用するためボンディング等の組立と
電気選別作業の自動化を図ることができ、量産性が優れ
ている等の利点を有している。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来のフィルムキャリヤー半導体装置の製造方
法においては、半導体チップの電極上に予めバンブを形
成しておく必要がある。このため、従来は、ウェハー状
態で、主に電解メツキを施すことによりバンブを形成し
ていた。しかしながら、このようなバンブ形成工程は、
製造コストを引き上げるという欠点があった。
これを解決するために、種々のバンブ形成方法が提案さ
れている。例えば、5olid StateTechn
ology  日本版、 1978年11月号、第33
頁乃至35頁にはバンブ付きフィルムキャリヤーテープ
(以下B −Tapeという)が開示され、Natio
nalTechnical Report、 VOL 
31. N[L3 、 Jun、1985.第116頁
乃至124頁では転写バンブが開示され、特開昭54−
2662号又は特開昭60−194543号ではワイヤ
ーボンディングにおける金属ポールをハンプとする方法
(以下ポールバンブ)が開示されている。
B −Tapeは、フィルムキャリヤーテープのリード
先端部を残して他のリード部分をハーフエツチングし、
ハーフエツチングされずに凸状で残ったリード先端部を
バンブとするものである。この方法は、リードの一部を
ハーフエツチングするため、金属箔の両面を夫々バター
ニングしてエツチングする必要があり、一般には金属箔
のみの一部フイルムキャリャーで実施している。
従って、各リードは電気的に接続されており、フィルム
キャリヤーテープ状態での電気的選別が困難であるとい
う欠点を有している。これを解決するため、従来のよう
な絶縁フィルム上に形成されたリードに同様にバンブを
形成することも可能であるが、工程が複雑となり、逆に
コスト高になるという欠点がある。
転写バンブは、ガラス等の基板上に電解メツキ法により
バンブを形成し、フィルムキャリヤーテープのリードを
ボンディングして、バンブを基板からリードに転写する
方法であるが、バンブを電解メツキ法により形成するこ
と、リードに転写するためのボンディングが必要である
こと等から、従来のウェハー状態でのバンブ形成法と比
べてコスト的に利点は多いが完全ではない。
ポールバンブは、熱圧着ワイヤーボンディングの際形成
する金属ポールのみを半導体チップの電極上に接着して
バンブとするものであるが、バンブ形成時及びフィルム
キャリヤーテープのリードをバンブにボンディングする
ときの二度にわたり半導体チップの電極に熱的及び機械
的ストレスを加えるため、電極部が破壊し易く、半導体
チップの信頼性を低下させるという欠点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
半導体チップの信頼性を何ら低下させることなく、低コ
ストで金属バンブを形成することができるフィルムキャ
リヤーテープの製造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係るフィルムキャリヤーテープの製造方法は、
絶縁フィルム上に金属層を形成してなるベースフィルム
に少なくとも搬送及び位置決め用の孔と所定の形状のリ
ードとを形成する工程と、金属細線の先端の金属ポール
を前記リードにおける半導体チップの電極に対応する位
置にボンディングする工程と、このボンディングの後、
前記金属細線を前記金属ポールから切り離すことによっ
て前記リード上に金属突起物を形成する工程とを有する
[作用] 本発明では、従前のワイヤーボンディングの技術を応用
することにより、極めて低コストでフィルムキャリヤー
テープ上に金属突起物(バンブ〉が形成される。また、
フィルムキャリヤーテープ上にバンブを形成する方法で
あるため、半導体チップへのストレスは、半導・体チッ
プをフィルムキャリヤーテープ上にボンディングすると
きの唯一回しか加わらず、チップの信頼性が向上する。
[実施例] 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。第1図は本発明の一実施例を示す平面図で、第
2図は第1図A−A’線による断面図である。絶縁フィ
ルム10にスプロケットホール11と、樹脂封止用の孔
12とを形成すると共に、絶縁フィルム1.0上に所望
の形状のリード14と、電気選別用バッド15とを形成
し、更にリード14の先端位置に金属ポールからなるパ
ン113を固着して、フィルムキャリヤーテープ16が
形成されている。ここで、リード14は片持ち状態にな
ることなく絶縁フィルム10上に設けられ、樹脂封止用
の孔12はリード14の先端の内側に形成されている。
次に、上述のフィルムキャリヤーテープの製造方法につ
いて説明する。
先ず、ボンディング温度に耐え得る耐熱性の絶縁フィル
ム10を準備し、この絶縁フィルム10上に無電解メツ
キ法又は蒸着法等により銅等の金属層を被着し、必要に
応じて電解メツキ法等により金属層の厚さを増加させて
2層のベースフィルムを作製する。ここで耐熱性の絶縁
フィルムとしてはボンディング温度が250乃至450
℃であることからポリイミド系の樹脂が適当であり、そ
の厚さは熱伝導性を良くするなめに100μm以下が適
当である。
次に、前記ベースフィルムにプレス加工によりスプロケ
ットホール11及び樹脂封止用の孔12を形成する。続
いて、通常のフォトレジスI−法によるエツチングによ
り所望の形状のリード14及び選別用バッド15を形成
した後、金、錫又は半田等のメツキ処理を施す。
ここまでのフィルムキャリヤーテープの製造方法を従来
の2層テープの製造方法と比較すると、従来の2層のフ
ィルムキャリヤーテープでは、リード等の金属箔のエツ
チングの他、スプロケットホール及びリードが突出する
ための孔であるデバイスホールをも樹脂フィルムをエツ
チングして形成しているのに対し、本実施例では、スプ
ロケットホール等の孔をプレスによるパンチング法で穿
設している点が大きく異なる。このようなパンチング法
で各ポールを形成すればフィルムキャリヤーテープを安
価で製造できる利点がある。
次に、第3図(a>乃至(C)に示すように熱圧着ワイ
ヤーボンディングにおける金属ポールのみをフィルムキ
ャリヤーテープのリード14の所定の位置に圧着してバ
ンブ13を形成することにより本実施例のフィルムキャ
リヤーテープ16が完成する。
金属ポールからなるパン113の形成は次のように行な
われる。第3図(a)に示すように、金、銀、銅、アル
ミニウム等の金属細線21の先端に、放電ロッド22に
よる電気放電又は水素炎等で金属ポール23を形成し、
次いで第3図(b)に示す如く金属ポール23を前記フ
ィルムキャリヤーテープのり−ド14の先端位置に熱圧
着法又は超音波法等の接続方法よって接続する。
その後、第3図(C)に示す如く、押さえ板24で金属
細線21を押さえながら上昇すること等により、金属細
線21を金属ポール23との結合部で切断し、所望のバ
ンブ13がリード14上に固着される。
この方法によれば、ワイヤーボンディング技術を適用し
て極めて容易かつ安価にバンブ13をフィルムキャリヤ
ーテープ16上に固着できる。ここで、ボンディング性
を良好にするため、予めリード14のバンブ形成部分に
は、金又は銀等のボンディングに適したメツキを行ない
、他の部分には半導体装置の実装性を向上させる半田等
のメツキを選択的に行なっておくことも可能である。メ
ツキを実施する際においても、リード14は絶縁フィル
ム10に固着されているので選択メツキにおけるマスキ
ング時のリードの変形等の不具合を生じることが無く、
選択メツキが可能である。
第4図及び第5図は、前記フィルムキャリヤーテープに
半導体チップをボンディングした状態を示す。
即ち、前記フィルムキャリヤーテープ16を使用して半
導体チップ25の電極と前記パン113とを位置合わせ
した後、絶縁フィルム10側から加熱ツールを圧接する
ことによりボンディングを行ない、次いで樹脂封止用の
孔12に封止樹脂26を滴下することによりフィルムキ
ャリヤー半導体装置が完成する。
このように、本実施例によれば、半導体チップ25に対
する熱的及び機械的なストレスは一回で済む。
半導体装置を実装する場合は、リード14を絶縁フィル
ム10と共に所望の形状に切断した後、実装用基板にリ
ードを位置合わせした後、絶縁フィルム10側から加熱
ツールを圧接するか、実装用基板に予め半田ペースト又
は導電性接着剤等を塗布し、リードを仮止めした後、加
熱炉中に入れて加熱する等の方法を実施すればよい。
なお、上記実施例においては、フィルムキャリヤーテー
プ16の樹脂封止用の孔12をプレスによるパンチング
で形成したが、2層テープの一般的方法であるエツチン
グで形成しても良く、また2Mテープに限らず、耐熱性
の接着剤を使用すれば、絶縁フィルム、接着剤及びリー
ドを形成する金属箔からなる3層のベースフィルムを使
用することも可能である。
また、樹脂封止を実施しない場合には、樹脂封止用の孔
は特に設ける必要がないが、半導体チップをボンディン
グする際の自動位置合わせのために、半導体チップ認識
用の孔は設けた方が望ましい。リード側の位置認識とし
ては、フィルムキャリヤーテープ上に予め設けた認識パ
ターンを検知することにより行うか、又はこの検知する
方向が絶縁フィルム側からの場合は絶縁フィルムの影響
で認識パターンが検知しにくいので、樹脂封止用の孔1
2内に認識パターンを突出させて検知すること等により
実施することができる。但し、認識パターンを樹脂封止
用の孔12内に突出させる場合は、プレスによるパンチ
ングでなく、絶縁フィルムの選択エツチングで樹脂封止
用の孔12を形成する必要がある。
更に、半導体装置の実装の際、リードの成形等を容易に
するため、第6図に示すように、従来のフィルムキャリ
ヤーテープと同様のアウターリード用の孔27を設けて
おくことも有効である。このように、フィルムキャリヤ
ーテープの種類・形状に特に制限は無い。
第7図は本発明の他の実施例を示す平面図である。絶縁
フィルム30にスプロケットホール31、半導体チップ
が入る孔であるデバイスホール32及びアウターリード
用の孔33を形成すると共に、絶縁フィルム30上にリ
ード34及び電気選別用バッド35を形成し、リード3
4の先端をリード支持部36により結合し、更に、リー
ド34の先端位置に金属ポールからなるバンブ37を固
着することによってフィルムキャリヤーテープ38が形
成されている。
以上に示したフィルムキャリヤーテープ38は以下の方
法により製造される。
先ず、絶縁フィルム30と金属層からなる2層のベース
フィルムを準備する。このベースフィルムの絶縁フィル
ム30を選択エツチングすることによりスプロケットホ
ール31、デバイスホール32及びアウターリード用の
孔33を形成し、更にベースフィルムの金属層を選択エ
ツチングすることによりリード34、電気選別用バッド
35及び支持部36を形成し、所望のメツキを施す。
次に、先の実施例と同様に熱圧着ワイヤーボンディング
における金属ポールをリード34の所定の位置に圧着し
てバンブ37を形成してフィルムキャリヤーテープ38
を完成させる。
ここで、支持部36は、バンブ37を形成する際、リー
ドの変形を防止するために設けたものであり、必ずしも
必要ではないが、リードが長い場合又はリード幅が狭い
場合等のようにリード変形が起こり易い場合は支持部3
6を設ける方が有利である。
前記フィルムキャリヤーテープを使用してフィルムキャ
リヤー半導体装置を製造する場合は、予め支持部36を
プレスによるパンチングで切断除去して、リード34を
夫々分離し、半導体チップの電極とリード34上のバン
ブ37とを位置合わせした後、加熱ツールをリード34
上に圧接することにより実施し、必要に応じて樹脂封止
を行えば良い。
この実施例では、リード34上に金属バンブ37が形成
されていること以外は従来のフィルムキャリヤーテープ
と同一であるため、フィルムキャリヤーテープ及び半導
体装置の製造を従来方法とほぼ同様にして実施できる利
点がある。
なお、本実施例では、絶縁フィルムと金属層からなる2
層のベースフィルムを用いたが、絶縁フィルム、接着剤
及び金属箔からなる3層のベースフィルム又は金属箔の
みからなる1層のベースフィルムを用いることも可能で
ある。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、ワイヤーボンディングに
おける金属ポールのみをフィルムキャリヤーテープのリ
ードに圧着してバンブを形成している。このため、半導
体チップの電極に金属ポールを圧着する従来の方法では
、バンブ形成時及びフィルムキャリヤーテープのリード
をバンブにボンディングする時の二度にわたり半導体チ
ップの電極に熱的及び機械的ストレスが加えられていた
のに対し、本発明ではフィルムキャリヤーテープのリー
ドに形成されているバンブを半導体チップの電極に一度
ボンディングするだけで良いので、電極部の破壊を著し
く減少させることができ、信頼性が向上するという効果
がある。
また、従来のワイヤーボンディング技術の応用により容
易にバンブを形成することができるため、従来のウェハ
ー状態でメツキ法により実施する場合と比べて安価に形
成でき、更にB−Tapeのように1層のフィルムキャ
リヤーと2層及び3層のフィルムキャリヤーでバンブ形
成コストが大幅に異なることもなく、フィルムキャリヤ
ーの種類・形状に拘らず安価にバンブを形成できるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第5図は本発明の実施例に係るフィルムキャ
リヤーテープの製造方法を説明するための図で、第1図
はフィルムキャリヤーテープの平面図、第2図は第1図
のA−A’線切断断面図、第3図はバンブ形成工程図を
示す図、第4図はフィルムキャリヤーテープに半導体チ
ップをボンディングしたときの平面図、第5図は第4図
のB−B′線切断断面図、第6図及び第7図はいずれも
本発明の他の実施例に係るフィルムキャリヤーテープの
平面図、第8図は従来のフィルムキャリヤー半導体装置
の平面図、第9図は同断面°図である。 1.11,31;スプロケットホール、2,25;半導
体チップ、3,32;デバイスホール、4.14.34
:リード、5,15,35;選別用パッド、6,16,
38;フィルムキャリヤーテープ、7,13,37;バ
ンブ、8;プリント基板、9;接着剤、1.0,30.
絶縁フィルム、12;樹脂封止用の孔、21;金属細線
、23;金属ポール、24;押え板、26;封止樹脂、
27.33;アウターリード用の孔、36;リード支持

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁フィルム上に金属層を形成してなるベースフ
    ィルムに少なくとも搬送及び位置決め用の孔と所定形状
    のリードとを形成する工程と、金属細線の先端の金属ポ
    ールを前記リードにおける半導体チップの電極に対応す
    る位置にボンディングする工程と、このボンディングの
    後、前記金属細線を前記金属ポールから切り離すことに
    よつて前記リード上に金属突起物を形成する工程とを具
    備したことを特徴とするフィルムキャリヤーテープの製
    造方法。
JP18398788A 1988-07-23 1988-07-23 フィルムキャリヤーテープの製造方法 Pending JPH0233945A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187955A (en) * 1981-05-14 1982-11-18 Nitto Electric Ind Co Ltd Sealing structure of semiconductor element
JPS58175838A (ja) * 1981-11-26 1983-10-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

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