JPH0432006A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、逆スパッタリング工程およびスパッタリング
工程を施して磁気コアを得るようにした磁気ヘッドの製
造方法に関する。

（従来の技術） 各種装置に用いられている磁気ヘッドは、例えば第２図
および第３図に示されているような構成になされている
。第２図および第３図は、本発明を適用して得られた磁
気ヘッドを表わしているが、磁気ヘッド自体の構成は従
来のものと同様であるのでこれらの図を用いて説明する
。

まず第２図に示されているように、一対の磁気コアＡ、
Ｂが所定の磁気ギャップＣを構成するように対向配置さ
れており、上記各磁気コア４へ、Ｂどうしはガラス材り
等により接着接合されている。

また特に第３図に示されているように、上記各磁気コア
Ａ、Ｂの基材となる酸化物磁性材料Ａｌ。

Ｂ１には、拡散防止膜Ａ２．８２および金属磁性膜Ａ３
．Ｌ’、３がそれぞれ波箔されている。

このような磁気ヘッドを！１０逸するにｔまたっては、
まず複数体の磁気コアの基材を構成する大形状の酸化物
磁性材料に対して、所定のトランク加工およびランプ加
工の各工程が、各磁気コアに対応するようにして施され
る。ついで上記トラック加工およびラップ加工において
生じた加工変質層および汚れ等が、有機溶剤による洗浄
工程およびスパッタリング装置による逆スパッタリング
工程を通して除去され、上記酸化物磁性材料の清浄化が
行なわれる。そしてスパッタリング装置によって以下の
ような各種スパッタリング工程が行なわれる。

まず下地スパッタリング工程により、上記酸化物磁性材
料ＡＩ、Ｂｌの表面上に拡散防止膜Ａ２゜Ｂ２が被着さ
れる。このときの拡散防止膜Ａ２゜Ｂ２としてはＳｉｏ
２、Ｃｒ等が一般に用いられる。

ついでセンダストスパノタリング工程により金属磁性膜
Ａ３．Ｂ３が被着され、さらにその上からトソプコート
スパッタリング工程が施される。また上記磁気ギャップ
Ｃには、ギャップ材としての８１０２材がスパッタリン
グにより介挿される。

上述した逆スパッタリング工程およびその後に行なわれ
るスパッタリング工程は、所定の雰囲気ガス中において
行なわれ、−船釣にはアルゴンガス（Ａｒガス）を用い
たスパッタリング装置が採用されている。

（発明が解決しようとする課題） ところがこのように、逆スパッタリング工程およびスパ
ッタリング工程における雰囲気ガスとしてアルゴンガス
（Ａｒガス）を採用する場合には以下のような問題があ
る。

まず逆スパッタリング工程においては、装置の条件等に
よって工程の不安定化を招来することがしばしばあり、
そのため磁気コアにかえって汚れを生じさせ、膜はがれ
あるいは磁気ギャップ長の不良等を起こすことがある。

そして磁気ヘッド生産における歩留まりがこれに大きく
左右されている。なお有機溶剤による洗浄工程にはｆ′
θれを取り除く作用しかなく、加工変質層の除去を行な
うためには上記逆スパッタリング工程を省略することは
できない。

一方スバ°ノタリング工程中の下地スパッタリング工程
においては、本工程にて作成されるｌ＼き拡散防止膜が
不完全な状態になることがある。例えば拡散防止膜とし
てＳｉｏ２を用いる場合には、Ｓｉ○を含む粗な膜にな
ってしまうことがある。

このような不完全な拡散防止膜のままでは拡散防止作用
も不完全になってしまい、磁気ヘッド特性のコンタ−（
周波数特性のうねり）にバラツキを生じさせて性能低下
の原因になっている。

そこで本発明は、逆スパッタリング工程を安定化させて
膜はがれあるいは磁気ギャップ長の不良等をなくシ１歩
留まりを向上させることができるようにした磁気ヘッド
の製造方法を提供することを第１の目的とするとともに
、さらに本発明は、スパッタリング工程により形成され
る拡散防止膜を完全なものとすることができ、磁気ヘッ
ドのコンタ−特性を向上させることができるようにした
磁気ヘッドの製造方法を提供することを第２の目的とす
る。

（課題を解決するための手段） 上記第１の目的を達成するために請求項の１に記載され
た発明は、磁気コアの基材となる酸化物磁性材料に対す
る所定の機械加工後、逆スパッタリング工程により洗浄
を行ない、ついでスパッタリング工程によって上記酸化
物磁性材料の表面上に拡散防止膜および金属磁性膜を被
着させ、得られた磁気コアどうしを対向配置させること
により磁気ギャップ部を構成するようにした磁気ヘッド
の製造方法において、上記逆スパッタリング工程におけ
る雰囲気ガスとして、酸素ガスを含有するアルゴンガス
を用いる構成にな、されている。

また上記第２の目的を達成するために請求項の２に記載
された発明は、磁気コアの基材となる酸化物磁性材料に
対する所定の機械加工および洗浄工程の後、スパッタリ
ング工程によって上記酸化物磁性材料の表面上に拡散防
止膜および金属磁性膜を被着させ、得られた磁気コアど
うしを対向配置させることにより磁気ギャップ部を構成
するようにした拡散防止膜および金属磁性膜を被着させ
。

得られた一対の磁気コアを対向配置して磁気キャップ部
を構成するようにした磁気ヘッドの製造方法において、
上記スパッタリング工程における雰囲気ガスとして、酸
素ガスを含有するアルゴンガスを用いる構成になされて
いる。

（作　　用） 請求項の１に記載された構成を有する手段においては、
酸素ガスを含有するアルゴンガスを用いて逆スパッタリ
ング工程が行なわれるため、アルゴンガスが有する、い
わゆるたたきだし作用に加えて、酸素ガスによる酸化作
用が奏せられ、有機的な汚れがガスや水等に変えられる
ようになっている。また酸化物磁性体に対する逆スパッ
タリング工程において酸素分が優先的にとれてしまう事
態が回避される。

また請求項の２に記載された構成を有する手段において
は、酸素ガスを含有するアルゴンガスを用いてスパッタ
リング工程か行なわれるため、拡散防止膜が完全でＭ＆
密なものとして得られるようになっている。

（実　施　例） 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。

磁気ヘッド自体は、例えば第２図および第３図に示され
ているような構成になされている。

まず第２図に示されているように、一対の磁気コアＡ、
Ｂが所定の磁気ギャップＣを構成するように対向配置さ
れており、上記各磁気コアＡ、Ｂどうしはガラス材り等
により接着接合されている。

また第３図に示されているように、上記各磁気コアＡ、
Ｂの基材となる酸化物磁性材料Ａｌ、Ｂｌには、拡散防
止膜Ａ２．Ｂ２および金属磁性膜Ａ３．Ｂ３がそれぞれ
被着されている。

このような磁気ヘッドを製造するにあたっては、第１図
に示されているように、まず複数体の磁気コアの基材を
構成する大形状の酸化物磁性材料に対し、所定のトラッ
ク加工およびラップ加工の各工程が各磁気コアに対応す
るようにして施される（ステップ１）、ついで上記トラ
ンク加工およびラップ加工において生じた加工変質層お
よび汚れ等が、有機溶剤による洗浄工程（ステップ２）
およびスパッタリング装置による逆スパッタリング工程
（ステップ３）を通して除去され、上記酸化物磁性材料
の清浄化が行なわれる。そしてスパッタリング装置によ
って以下のような各種スパッタリング工程（ステップ４
〜７）が行なわれる。

まず下地スパッタリング工程（ステップ４）により、上
記酸化物磁性材料Ａｌ、Ｂｌの表面上に拡散防止膜Ａ２
．Ｂ２が被着される。このときの拡散防止膜Ａ２．Ｂ２
としてはＳ、１０２が用いられる。ついでセンダストス
パッタリング工程（ステップ５）により金属磁性膜Ａ３
．Ｂ３が被着され、さらにその上からトップコートスパ
ッタリング工程（ステップ６）が施される。また磁気ギ
ヤツブ部には、ギャップ材としてのＳ］０２材がスパッ
タリングにより介挿される（ステップ７）。

上述した逆スパッタリング工程（ステップ３）およびそ
の後に行なわれるスパッタリング工程（ステップ４〜７
）は、所定の雰囲気ガス中において行なわれ、本実施例
においては、酸素ガス（０２ガス）を含有するアルゴン
ガス（、Ａ　ｒガス）を用いたスパッタリング装置が採
用されている。

このように本実施例においては、ｍ素ガスを含有するア
ルゴンガスを用いて逆スパッタリング工程が行なわれる
ため、アルゴンガスが有する、いわゆるたたきだし作用
に加えて、酸素ガスによる酸化作用が奏せられ、一般式
Ｃ，Ｈ，で表わされる有機的な汚れがＣＯ２等のガスや
Ｂ２０等の水に変えられるようになっている。また酸化
物磁性体に対する逆スパッタリング工程（ステップ３）
においては、酸素分が優先的にとれてしまう事態が回避
される。

一方スパッタリング工程における特に下地スパッタリン
グ工程（ステップ４）においては、ａ素ガスを含有する
アルゴンガスレニより拡散防止膜が形成されるため、拡
散防止膜が完全で緻密なものとして得られ、ガラス部の
ピンホールも低減されるようになっている。

（発明の効果） 以上述べたように本発明は、スパッタリング工程および
逆スパッタリング工程における雰囲気ガスとして、酸素
ガスを含有するアルゴンガスを採用することとしたから
、逆スパッタリング工程においては酸素ガスによる汚れ
落し作用が得られ。

これにより逆スパッタリング工程を安定化させて膜はが
れあるいは磁気ギャップ長の不良等をなくして歩留まり
を向上させることができるとともに、スパッタリング工
程においては酸素ガスによる良好な膜被着作用が得られ
、スパッタリング工程による拡散防止膜を完全なものと
することができ、磁気ヘッドのコンタ−特性を向上させ
ることができる。また膜厚を薄くしてもコンタ−レベル
を低く抑えることができるため、スパッタリング時間の
短縮化を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気ヘッドの製造工程を表わした
フロー図、第２図は本発明により形成される磁気ヘッド
の構成を表わした全体側面図、第３図は第２図中の田部
を拡大して表わした部分拡大側面図である。 Ａ、Ｂ・磁気ヘッド、ＡＩ、Ｂｌ　・酸化物磁性材料、
Ａ２．Ｂ２・・拡散防止膜、Ａ３．Ｂ３・・・金属磁性
材料。 第２図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気コアの基材となる酸化物磁性材料に対して所定
   の機械加工を行なった後、逆スパッタリング工程により
   洗浄を行ない、ついでスパッタリング工程によって上記
   酸化物磁性材料の表面上に拡散防止膜および金属磁性膜
   を被着させ、得られた磁気コアどうしを対向配置させる
   ことにより磁気ギャップ部を構成するようにした磁気ヘ
   ッドの製造方法において、 上記逆スパッタリング工程における雰囲気ガスとして、
   酸素ガスを含有するアルゴンガスを用いてなることを特
   徴とする磁気ヘッドの製造方法。 ２、磁気コアの基材となる酸化物磁性材料に対して所定
   の機械加工および洗浄工程を行なった後、スパッタリン
   グ工程によって上記酸化物磁性材料の表面上に拡散防止
   膜および金属磁性膜を被着させ、得られた磁気コアどう
   しを対向配置させることにより磁気ギャップ部を構成す
   るようにした拡散防止膜および金属磁性膜を被着させ、
   得られた一対の磁気コアを対向配置して磁気ギャップ部
   を構成するようにした磁気ヘッドの製造方法において、 上記スパッタリング工程における雰囲気ガスとして、酸
   素ガスを含有するアルゴンガスを用いてなることを特徴
   とする磁気ヘッドの製造方法。