JPH08269707A - 成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH08269707A JPH08269707A JP7698295A JP7698295A JPH08269707A JP H08269707 A JPH08269707 A JP H08269707A JP 7698295 A JP7698295 A JP 7698295A JP 7698295 A JP7698295 A JP 7698295A JP H08269707 A JPH08269707 A JP H08269707A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ソフマック表面の不純物層を除去するために
行われるプレスパッタ工程に要する時間の短縮化を図る
とともに、成膜されたソフマック薄膜中の不純物量を抑
える。 【構成】 ターゲット材として使用されるソフマック合
金の表面に存在する不純物層（有機物を主成分とする汚
染物質層及び酸化層）の厚みを１０ｎｍ以下とする。上
記ソフマック合金をターゲットとして用いたスパッタリ
ングを行うに際し、該ソフマック合金の表面が人工ダイ
ヤモンド等により表面仕上げされることが望ましい。
行われるプレスパッタ工程に要する時間の短縮化を図る
とともに、成膜されたソフマック薄膜中の不純物量を抑
える。 【構成】 ターゲット材として使用されるソフマック合
金の表面に存在する不純物層（有機物を主成分とする汚
染物質層及び酸化層）の厚みを１０ｎｍ以下とする。上
記ソフマック合金をターゲットとして用いたスパッタリ
ングを行うに際し、該ソフマック合金の表面が人工ダイ
ヤモンド等により表面仕上げされることが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば８ｍｍビデオヘ
ッド等のヘッド材料として用いられるＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系合金を成膜する際に用いて好適な成膜方法及び
磁気ヘッドの製造方法に関する。
ッド等のヘッド材料として用いられるＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系合金を成膜する際に用いて好適な成膜方法及び
磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金は、優れ
た軟磁性特性を示すことから、例えば８ｍｍビデオヘッ
ド等におけるヘッド材料として広く使用されている。
た軟磁性特性を示すことから、例えば８ｍｍビデオヘッ
ド等におけるヘッド材料として広く使用されている。
【０００３】このＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金を実際
にヘッド材料として使用する場合には、フェライト等か
らなる一対の基板上に該Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
を薄膜形成し、これらＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金が
膜付けされた基板同士を貼り合わせ、その突き合わせ面
に磁気ギャップが形成されてなる磁気ヘッドとされる。
この際、上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金の薄膜を形
成する方法としては、一般的にＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ
系合金の合金をターゲットとするスパッタリングが使用
される。このようなＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金にお
いては、磁気特性的に最も優れているＦｅ６８％，Ｓｉ
１７％，Ｒｕ８％，Ｇａ７％なる組成を有するものが使
用されている。
にヘッド材料として使用する場合には、フェライト等か
らなる一対の基板上に該Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
を薄膜形成し、これらＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金が
膜付けされた基板同士を貼り合わせ、その突き合わせ面
に磁気ギャップが形成されてなる磁気ヘッドとされる。
この際、上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金の薄膜を形
成する方法としては、一般的にＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ
系合金の合金をターゲットとするスパッタリングが使用
される。このようなＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金にお
いては、磁気特性的に最も優れているＦｅ６８％，Ｓｉ
１７％，Ｒｕ８％，Ｇａ７％なる組成を有するものが使
用されている。
【０００４】しかし、これらの構成元素のうちＦｅとＳ
ｉ、Ｇａは酸化物を形成しやすく、合金状態であっても
その表面にＦｅ、Ｓｉ、Ｇａの酸化膜が存在している。
また、上記酸化膜の表面には、さらに大気中からの汚染
物質（主として炭化水素系の有機物、雰囲気によっては
Ｃｌ，Ｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｓｉ等の無機物）も付着してい
る。
ｉ、Ｇａは酸化物を形成しやすく、合金状態であっても
その表面にＦｅ、Ｓｉ、Ｇａの酸化膜が存在している。
また、上記酸化膜の表面には、さらに大気中からの汚染
物質（主として炭化水素系の有機物、雰囲気によっては
Ｃｌ，Ｓ，Ｎａ，Ｋ，Ｓｉ等の無機物）も付着してい
る。
【０００５】従って、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金の
表面は、これら酸化膜と汚染層からなる不純物層で被わ
れたかたちとなっている。Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合
金をターゲットとして使用する際には、該ターゲットの
表面をラッピング等により研磨し平滑となるように表面
仕上げがなされるが、この時用いられる研磨材によって
は上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金表面の不純物層が
２０ｎｍ以上と、非常に厚くなってしまうことがある。
このため、このＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金を用いた
スパッタリングにより成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系合金薄膜中に酸素や炭素等の不純物元素が多量に取
り込まれ、場合によってはその量が数％にもおよび、不
良となる虞が生じる。
表面は、これら酸化膜と汚染層からなる不純物層で被わ
れたかたちとなっている。Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合
金をターゲットとして使用する際には、該ターゲットの
表面をラッピング等により研磨し平滑となるように表面
仕上げがなされるが、この時用いられる研磨材によって
は上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金表面の不純物層が
２０ｎｍ以上と、非常に厚くなってしまうことがある。
このため、このＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金を用いた
スパッタリングにより成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系合金薄膜中に酸素や炭素等の不純物元素が多量に取
り込まれ、場合によってはその量が数％にもおよび、不
良となる虞が生じる。
【０００６】この問題に対して、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系合金をターゲットとして薄膜形成を行う際には、該
ターゲットの表面に存在する上記不純物層を取り除くた
めにプレスパッタが行われている。
ｕ系合金をターゲットとして薄膜形成を行う際には、該
ターゲットの表面に存在する上記不純物層を取り除くた
めにプレスパッタが行われている。
【０００７】このプレスパッタは、イオンエッチングに
よりターゲット表面の不純物層を除去する工程で、該不
純物層の厚みに応じてスパッタ時間が調節される。従っ
て、上記不純物層の厚みが厚いほどプレスパッタに時間
をかけなければならなくなる。また、上記ターゲット表
面の不純物層が厚いとプレスパッタの効率が低下し、上
記不純物層を十分に除去することができない。
よりターゲット表面の不純物層を除去する工程で、該不
純物層の厚みに応じてスパッタ時間が調節される。従っ
て、上記不純物層の厚みが厚いほどプレスパッタに時間
をかけなければならなくなる。また、上記ターゲット表
面の不純物層が厚いとプレスパッタの効率が低下し、上
記不純物層を十分に除去することができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、こ
のような実情に鑑みて提案されたものであって、ターゲ
ット表面の不純物層を除去するために行われるプレスパ
ッタ工程に要する時間を短縮するとともに、成膜された
薄膜中の不純物量を抑えることが可能な成膜方法及び磁
気ヘッドの製造方法を提供する事を目的とする。
のような実情に鑑みて提案されたものであって、ターゲ
ット表面の不純物層を除去するために行われるプレスパ
ッタ工程に要する時間を短縮するとともに、成膜された
薄膜中の不純物量を抑えることが可能な成膜方法及び磁
気ヘッドの製造方法を提供する事を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものである。
達成するために提案されたものである。
【００１０】即ち、本発明の成膜方法は、スパッタリン
グ法により成膜を行うに際し、ターゲット表面の不純物
層の厚みを１０ｎｍ以下とすることを特徴とするもので
ある。
グ法により成膜を行うに際し、ターゲット表面の不純物
層の厚みを１０ｎｍ以下とすることを特徴とするもので
ある。
【００１１】上記ターゲットの表面には、適当な研磨材
等により予め表面仕上げが施されるが、上記研磨材とし
ては、例えば人工ダイヤモンド等が好適である。
等により予め表面仕上げが施されるが、上記研磨材とし
ては、例えば人工ダイヤモンド等が好適である。
【００１２】かかるターゲットとしては、例えばＦｅ−
Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金等が挙げられるが、これに限定
されるものではない。
Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金等が挙げられるが、これに限定
されるものではない。
【００１３】このようなＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
をターゲットとして用いたスパッタリングにより成膜さ
れる金属軟磁性薄膜は、一対の基板上に形成された該金
属軟磁性薄膜同士を介して接合一体化され、その突き合
わせ面に磁気ギャップが形成されてなるメタル・イン・
ギャップ型の磁気ヘッド（いわゆる、ＭＩＧヘッド）の
ヘッド材料として用いて好適とされるものである。
をターゲットとして用いたスパッタリングにより成膜さ
れる金属軟磁性薄膜は、一対の基板上に形成された該金
属軟磁性薄膜同士を介して接合一体化され、その突き合
わせ面に磁気ギャップが形成されてなるメタル・イン・
ギャップ型の磁気ヘッド（いわゆる、ＭＩＧヘッド）の
ヘッド材料として用いて好適とされるものである。
【００１４】
【作用】スパッタリングにより薄膜形成を行うに際し、
使用するターゲットの表面に存在する酸化膜と大気中の
汚染物質による汚染層とからなる不純物層の厚みを１０
ｎｍ以下とすることにより、得られた薄膜中の不純物元
素（酸素及び炭素等）の量が著しく減少する。これは、
上記ターゲットとして、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
を用いた場合に適用して顕著となる。
使用するターゲットの表面に存在する酸化膜と大気中の
汚染物質による汚染層とからなる不純物層の厚みを１０
ｎｍ以下とすることにより、得られた薄膜中の不純物元
素（酸素及び炭素等）の量が著しく減少する。これは、
上記ターゲットとして、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
を用いた場合に適用して顕著となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。
【００１６】本実施例は、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合
金をターゲットとしてスパッタリングを行って、ＭＩＧ
ヘッドにおける金属軟磁性薄膜を形成する際に、上記Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金の表面に存在する不純物層
の厚みが１０ｎｍ以下となるように表面仕上げを施した
例である。
金をターゲットとしてスパッタリングを行って、ＭＩＧ
ヘッドにおける金属軟磁性薄膜を形成する際に、上記Ｆ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金の表面に存在する不純物層
の厚みが１０ｎｍ以下となるように表面仕上げを施した
例である。
【００１７】先ず、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金（Ｆ
ｅ68Ｓｉ17Ｒｕ8 Ｇａ7 ，数値は組成比を示す。）ター
ゲットの表面を２μｍの人工ダイヤモンドにより表面仕
上げした。
ｅ68Ｓｉ17Ｒｕ8 Ｇａ7 ，数値は組成比を示す。）ター
ゲットの表面を２μｍの人工ダイヤモンドにより表面仕
上げした。
【００１８】この合金ターゲットの表面の不純物層の厚
みを、イオンエッチングを併用したオージェ電子分光分
析法により測定した。その結果を図１に示す。なお、測
定条件は、次の通りとした。
みを、イオンエッチングを併用したオージェ電子分光分
析法により測定した。その結果を図１に示す。なお、測
定条件は、次の通りとした。
【００１９】加速電圧 ３ｋＶ 試料電流 １×１０-6Ａ 真空度 ７．８×１０-8Ｐａ イオンエッチング： イオン種 Ａｒ+ イオンエネルギー １ｋＶ エミッション電流 ２５ｍＡ エッチング速度 ０．９５ｎｍ／分 図１に示すように、最表面の炭素Ｃ（有機物と考えられ
る。）が存在する層の厚さは約２ｎｍであり、その下の
酸化物層の厚さは約４〜５ｎｍである。そして、Ｆｅ−
Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金のバルク組成（Ｆｅ６８％，Ｓ
ｉ１７％，Ｒｕ８％，Ｇａ７％）にほぼ近くなるのは約
１０ｎｍ以降である。すなわち、この人工ダイヤモンド
によって表面仕上げが施されたこのＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−
Ｒｕ系合金ターゲットは、汚染物質層、酸化物層等から
なる不純物層が厚さ１０ｎｍ以下に抑えられている。
る。）が存在する層の厚さは約２ｎｍであり、その下の
酸化物層の厚さは約４〜５ｎｍである。そして、Ｆｅ−
Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金のバルク組成（Ｆｅ６８％，Ｓ
ｉ１７％，Ｒｕ８％，Ｇａ７％）にほぼ近くなるのは約
１０ｎｍ以降である。すなわち、この人工ダイヤモンド
によって表面仕上げが施されたこのＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−
Ｒｕ系合金ターゲットは、汚染物質層、酸化物層等から
なる不純物層が厚さ１０ｎｍ以下に抑えられている。
【００２０】なお、比較用として、上記人工ダイヤモン
ドによる表面仕上げを行わなかったＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−
Ｒｕ系合金についても同様にして表面付近の深さ方向に
おけるオージェ電子分光分析を行ったところ、上記不純
物層が２０ｎｍ以上存在していた。
ドによる表面仕上げを行わなかったＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−
Ｒｕ系合金についても同様にして表面付近の深さ方向に
おけるオージェ電子分光分析を行ったところ、上記不純
物層が２０ｎｍ以上存在していた。
【００２１】続いて、この不純物層の厚さが１０ｎｍ以
下に抑えられているＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金をタ
ーゲットとして用い、通常の方法によりスパッタリング
を行ってＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄膜を形成し
た。
下に抑えられているＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金をタ
ーゲットとして用い、通常の方法によりスパッタリング
を行ってＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄膜を形成し
た。
【００２２】そして、得られたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ
系合金薄膜について、該Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
薄膜中の不純物元素（酸素及び炭素）をオージェ電子分
光分析法により分析した。この不純物元素の分析に際
し、上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄膜の表面を被
って存在する酸化膜を除去するためにイオンエッチング
を施した後、オージェスペクトルの測定を行った。その
結果を図２に示す。また、比較として、表面仕上げが施
されていないＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金ターゲット
を用いて成膜された合金薄膜についても同様にしてオー
ジェスペクトルの測定を行った。その結果を図３に示
す。なお、上記測定時の諸条件は、次に示す通りであ
る。
系合金薄膜について、該Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金
薄膜中の不純物元素（酸素及び炭素）をオージェ電子分
光分析法により分析した。この不純物元素の分析に際
し、上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄膜の表面を被
って存在する酸化膜を除去するためにイオンエッチング
を施した後、オージェスペクトルの測定を行った。その
結果を図２に示す。また、比較として、表面仕上げが施
されていないＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金ターゲット
を用いて成膜された合金薄膜についても同様にしてオー
ジェスペクトルの測定を行った。その結果を図３に示
す。なお、上記測定時の諸条件は、次に示す通りであ
る。
【００２３】加速電圧 ３ｋＶ 試料電流 ２×１０-7Ａ 真空度 ８．０×１０-8Ｐａ 図２より、不純物層の厚さが１０ｎｍ以下となされたタ
ーゲットを用いて成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系
合金薄膜では、スペクトル上、膜中に酸素の存在は認め
られず、この測定法の検出限界である０．１％以下に抑
えられていることがわかる、これに対して、図３に示す
ように、表面仕上げによる不純物層の除去を行っていな
いターゲットを用いて成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系合金薄膜では、上記不純物層の主成分である酸素が
僅かに検出され（なお、炭素に関しては、Ｒｕのピーク
と重なるため不明であった。）、その濃度は数％に達し
ている。
ーゲットを用いて成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系
合金薄膜では、スペクトル上、膜中に酸素の存在は認め
られず、この測定法の検出限界である０．１％以下に抑
えられていることがわかる、これに対して、図３に示す
ように、表面仕上げによる不純物層の除去を行っていな
いターゲットを用いて成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系合金薄膜では、上記不純物層の主成分である酸素が
僅かに検出され（なお、炭素に関しては、Ｒｕのピーク
と重なるため不明であった。）、その濃度は数％に達し
ている。
【００２４】従って、本実施例のように、Ｆｅ−Ｇａ−
Ｓｉ−Ｒｕ系合金からなるターゲット材の表面仕上げと
して２μｍの人工ダイヤモンドを使用して、該ターゲッ
ト材の表面に存在する不純物層（有機物等からなる汚染
物質層及び酸化物層）の厚みを１０ｎｍ以下に抑えるこ
とにより、成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄
膜中の不純物元素（酸素等）の濃度を僅か０．１％以下
に抑えることできた。
Ｓｉ−Ｒｕ系合金からなるターゲット材の表面仕上げと
して２μｍの人工ダイヤモンドを使用して、該ターゲッ
ト材の表面に存在する不純物層（有機物等からなる汚染
物質層及び酸化物層）の厚みを１０ｎｍ以下に抑えるこ
とにより、成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄
膜中の不純物元素（酸素等）の濃度を僅か０．１％以下
に抑えることできた。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
においては、ターゲットの表面に存在する不純物層の厚
みを１０ｎｍ以下に抑えているので、得られた薄膜中の
不純物量が減少されるとともに、スパッタリングを行う
際に、プレスパッタ時のスパッタ時間を短縮でき、且つ
成膜時に安定したスパッタリングを行うことができるよ
うになる。
においては、ターゲットの表面に存在する不純物層の厚
みを１０ｎｍ以下に抑えているので、得られた薄膜中の
不純物量が減少されるとともに、スパッタリングを行う
際に、プレスパッタ時のスパッタ時間を短縮でき、且つ
成膜時に安定したスパッタリングを行うことができるよ
うになる。
【００２６】また、本発明は、上記ターゲットとしてＦ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金を使用し、例えばＭＩＧヘ
ッドにおける金属軟磁性薄膜を形成するような場合に適
用して顕著な効果が得られるが、これに限られるもので
はなく、他の合金ヘッド材料やＦｅＴｂＣｏＣｒ系合金
等のような光磁気材料、その他半導体材料等をスパッタ
リングにより形成する場合にも適用して同様の効果を期
待することが可能である。
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金を使用し、例えばＭＩＧヘ
ッドにおける金属軟磁性薄膜を形成するような場合に適
用して顕著な効果が得られるが、これに限られるもので
はなく、他の合金ヘッド材料やＦｅＴｂＣｏＣｒ系合金
等のような光磁気材料、その他半導体材料等をスパッタ
リングにより形成する場合にも適用して同様の効果を期
待することが可能である。
【図１】本発明を適用して作製されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系合金の表面付近の深さ方向におけるオージェス
ペクトルを示す特性図である。
−Ｒｕ系合金の表面付近の深さ方向におけるオージェス
ペクトルを示す特性図である。
【図２】本発明を適用して成膜されたＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ
−Ｒｕ系合金薄膜のオージェスペクトルを示す特性図で
ある。
−Ｒｕ系合金薄膜のオージェスペクトルを示す特性図で
ある。
【図３】人工ダイヤモンドによる表面仕上げが施されて
いないＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金をターゲット材と
して使用したスパッタリングにより成膜されたＦｅ−Ｇ
ａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄膜のオージェスペクトルを示す
特性図である。
いないＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金をターゲット材と
して使用したスパッタリングにより成膜されたＦｅ−Ｇ
ａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金薄膜のオージェスペクトルを示す
特性図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 スパッタリング法により成膜を行うに際
し、ターゲット表面の不純物層の厚みを１０ｎｍ以下と
することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 上記ターゲットの表面を予め人工ダイヤ
モンドにて表面仕上げすることを特徴とする請求項１記
載の成膜方法。 - 【請求項３】 上記ターゲットがＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒ
ｕ系合金であることを特徴とする請求項１乃至２記載の
成膜方法。 - 【請求項４】 Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金をターゲ
ットとしてスパッタリング法により基板上に金属軟磁性
薄膜を成膜するに際して、 上記ターゲット表面の不純物層の厚みを１０ｎｍ以下と
することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7698295A JPH08269707A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7698295A JPH08269707A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269707A true JPH08269707A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=13620995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7698295A Withdrawn JPH08269707A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 成膜方法及び磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08269707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1180942A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Ｔａスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7698295A patent/JPH08269707A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1180942A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Ｔａスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |